JPH01220475A - 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ - Google Patents

絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

Info

Publication number
JPH01220475A
JPH01220475A JP63046144A JP4614488A JPH01220475A JP H01220475 A JPH01220475 A JP H01220475A JP 63046144 A JP63046144 A JP 63046144A JP 4614488 A JP4614488 A JP 4614488A JP H01220475 A JPH01220475 A JP H01220475A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
conductivity type
field effect
effect transistor
source electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63046144A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideyuki Nakamura
秀幸 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP63046144A priority Critical patent/JPH01220475A/ja
Publication of JPH01220475A publication Critical patent/JPH01220475A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は絶縁ゲート型電界効果ｌ・ランリスタの構造に
関するものである。
従来、絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、第
１図の断面構造図に示すごときものがある、第１図にお
いて、ｌは半導体基体、２はバックゲート領域、３はソ
ース領域、４はゲート電極、５はゲート絶縁層、６はソ
ース電極である。又、第１図において、中央部に内蔵ダ
イオードが形成されているが、この内蔵ダイオードの逆
回復時間Ｔｒｒを複線して、スイッチング特性を改善す
る必要がある。そのためにはＰｔ、Ａｕなどの拡散によ
り、トラップセンターを形成して目的を達成していた。
しかしながら、この方法ではＴｒ　ｒｔ短縮することは
できるが、オン抵抗Ｒｏｎを増大させる欠点を有する。
また、Ｐｔ、Ａｕなどの拡散のコントロールは可成り困
難であり、又、ｖＪ造プロセス数の増加による歩留り低
下の要因になる本発明は前記の欠点を解消し、オン抵抗
の増大を伴うことなく、スイッチング特性を改善する横
道簡単な絶縁タート型電界効果トランジスタの提供を目
的とする。
第２図は本発明の実施例である断面構造図であって、第
１図と同一符号は同一部分を示す、■の半導体基体は、
例えば、Ｎ゛型半導体バルク上にＮ−のエピタキシアル
層の形成によりつくられる。
次いで、半導体基体１と異なる導電型Ｐになるように拡
散工程等により、領域２を形成し、バックゲート領域と
する。又、領域２より、浅く、半導体基体１と同一の導
電型Ｎ１になるように拡散工程等により、領域３を形成
し、ソース領域とする。更に、１ｉｆｊ域３の表面部に
ＰＳＧや５ｉ０２等の絶縁膜を生成し、ゲート絶縁層５
を形成する。又、ｙ−ト絶縁層５の上部には多結晶シリ
コン等によるゲート電極４をＣＶ　Ｉ）法等により形成
する。
次いでゲート電極−ヒに層間絶縁層７を形成する。
本考案では半導体基体ｌの表面Ａ部において、ソース電
極金属との間にショットキー接合部を形成する。
第２図の実施例ではＡ部において、下からＣｒ　−Ｎｉ
−Ａｌｌの三層構造にソース電極６を構成している。な
お、全面にわたって、三層Ｆｍｍにする必要はなく、Ａ
部のみ、ショットキー形成のための金属を内設し、更に
他のソース電極金属で覆うようにしてもよい。
従来型では、内蔵ダイオードのＴ　ｒ　ｒがｐｔ拡散に
よる低減法で、３００　ｎ　ｓ　ｅ　ｃ〜５００口ｓｅ
Ｃと数値のバラツキ共に大きく、又、Ｒｏ　ｎが０．７
５Ωであった。これに比し、第２図の実施例ではＴ　ｒ
　ｒが１００ｎｓｅｃ前後、Ｒｏｎが０゜５Ωと大幅な
改善がみられた。又、耐圧については、Ａ部をはさんで
領域２の空乏層が両側から拡がり、約４０Ｖ以下でつな
がり、ショットキー接合部の電界強度を緩和でき、その
ために高耐圧特性が得られた。第３図は本考案の他の実
施例による断面構造図であり、第２図と同一符号は同一
部分を示す、第３図の絶縁ゲート型電界効果トランジス
タは第２図に比し、低耐圧型に適した構造である。
料の変換、部分的置換等は本考案の要旨の範囲でること
も必要に応じてなし得るものである。
単な絶縁ゲート型電界効果トランジスタを提供すること
ができ、パワー用制０１ｓ子等に利用して、産業上の利
用効果大なるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来型の断面構造図、第２図は本考案の実施例
による断面ｉｌｌｌｌ造築３図は本考案の他の実施例に
よる断面構造図であり、１は半導体基体、２はバックゲ
ート領域、３はソース領域、４はゲート電極、５はゲー
ト絶縁層、６はソース電極、７は層間絶縁層、Ａはショ
ットキー接合部である。 出願人　　　　新電元工業株式会社 鴫笥 家屈 灸国

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　一の導電型を有する半導体層上に他の導電型による第
    １の領域と、これより浅い前記一の導電型を有する第２
    の領域を形成し、前記第１の領域の表面にゲート絶縁層
    を設け、前記第２の領域をソース領域とし、その表面に
    ソース電極を被着した絶縁ゲート型電界効果トランジス
    タにおいて、前記一の導電型を有する半導体層表面とソ
    ース電極金属、又はソース電極に内設した金属間にショ
    ットキー接合部を形成したことを特徴とする絶縁ゲート
    型電界効果トランジスタ。
JP63046144A 1988-02-29 1988-02-29 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ Pending JPH01220475A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63046144A JPH01220475A (ja) 1988-02-29 1988-02-29 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63046144A JPH01220475A (ja) 1988-02-29 1988-02-29 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01220475A true JPH01220475A (ja) 1989-09-04

Family

ID=12738773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63046144A Pending JPH01220475A (ja) 1988-02-29 1988-02-29 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01220475A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2656737A1 (fr) * 1989-12-28 1991-07-05 Nissan Motor Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type a canal entre deux portes isolees notamment de sit.
JPH04261065A (ja) * 1991-01-29 1992-09-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
FR2735617A1 (fr) * 1995-06-16 1996-12-20 Sgs Thomson Microelectronics Cellule fonctionnelle a transistor mos et diode rapide integree
JP2006066770A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP2012049562A (ja) * 2011-11-04 2012-03-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2021108380A (ja) * 2013-09-20 2021-07-29 モノリス セミコンダクター インコーポレイテッド 高電圧ｍｏｓｆｅｔデバイスおよび該デバイスを製造する方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58106872A (ja) * 1981-12-07 1983-06-25 エヌ　ベー　フイリツプス　フルーイランペンフアブリケン 絶縁ゲート電界効果トランジスタ
JPS6116574A (ja) * 1984-07-03 1986-01-24 Matsushita Electronics Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58106872A (ja) * 1981-12-07 1983-06-25 エヌ　ベー　フイリツプス　フルーイランペンフアブリケン 絶縁ゲート電界効果トランジスタ
JPS6116574A (ja) * 1984-07-03 1986-01-24 Matsushita Electronics Corp 電界効果トランジスタおよびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2656737A1 (fr) * 1989-12-28 1991-07-05 Nissan Motor Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur du type a canal entre deux portes isolees notamment de sit.
JPH04261065A (ja) * 1991-01-29 1992-09-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
FR2735617A1 (fr) * 1995-06-16 1996-12-20 Sgs Thomson Microelectronics Cellule fonctionnelle a transistor mos et diode rapide integree
JP2006066770A (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
JP2012049562A (ja) * 2011-11-04 2012-03-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP2021108380A (ja) * 2013-09-20 2021-07-29 モノリス セミコンダクター インコーポレイテッド 高電圧ｍｏｓｆｅｔデバイスおよび該デバイスを製造する方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104183645B (zh) 垂直沟道式结型SiC功率FET及其制造方法
KR0161356B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법
US8294206B2 (en) Integrated circuit device and method for its production
JPH01220475A (ja) 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
JPH01218067A (ja) バイポーラ型半導体スイッチング装置
JPS6263472A (ja) パワ−ｍｏｓ−ｆｅｔ
JPH06163906A (ja) 絶縁ゲート半導体装置及びその製造方法
JPH05335558A (ja) 双方向２端子サイリスタ
JPH02216871A (ja) パワーｍｏｓｆｅｔ
US7482285B2 (en) Dual epitaxial layer for high voltage vertical conduction power MOSFET devices
JPH0251279A (ja) 縦型電界効果トランジスタ
JPS6292360A (ja) 相補型半導体装置
JPH0541523A (ja) 半導体装置
JPS6313352B2 (ja)
KR950024300A (ko) 트렌치형 소자분리구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법
JPH09326492A (ja) 横型絶縁ゲート電界効果トランジスタ用半導体基板及びそれを用いた横型絶縁ゲート電界効果トランジスタ
JPH0136711B2 (ja)
JPH02114669A (ja) メサ型トライアック
JPS58130570A (ja) 半導体装置
JPH0462931A (ja) 半導体装置
JPS6128224B2 (ja)
JPS62211916A (ja) 半導体装置の製法
JPS5843911B2 (ja) ハンドウタイソウチ ノ セイゾウホウ
JPH01295465A (ja) 二重拡散型電界効果半導体装置
JPH04260373A (ja) 半導体集積回路