JPH01217989A - 光双安定半導体レーザ - Google Patents
光双安定半導体レーザInfo
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- JPH01217989A JPH01217989A JP4222888A JP4222888A JPH01217989A JP H01217989 A JPH01217989 A JP H01217989A JP 4222888 A JP4222888 A JP 4222888A JP 4222888 A JP4222888 A JP 4222888A JP H01217989 A JPH01217989 A JP H01217989A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光双安定半導体レーザに関し、
入射光が出射光中に混在するのをなくすことを目的とし
、 光双安定半導体レーザにおいて、上下両電極の少なくと
もひとつにストライプ状の活性層上方にて複数個の透孔
を設け、これら透孔より入射光を前記活性層に当てるこ
とのできることを特徴とする光双安定半導体レーザに構
成する。
、 光双安定半導体レーザにおいて、上下両電極の少なくと
もひとつにストライプ状の活性層上方にて複数個の透孔
を設け、これら透孔より入射光を前記活性層に当てるこ
とのできることを特徴とする光双安定半導体レーザに構
成する。
本発明は、半導体レーザ、より詳しくは光双安定レーザ
に関する。
に関する。
光双安定半導体レーザは将来の光交換、光情報処理（例
えば、光コンピュータ）などにおけるキーデバイスのひ
とつとして研究開発が進んでいる。
えば、光コンピュータ）などにおけるキーデバイスのひ
とつとして研究開発が進んでいる。
この光双安定半導体レーザは光機能素子として光スイツ
チ素子、高速光メモリ素子、光の増幅素子などの応用、
用途が考えられている。
チ素子、高速光メモリ素子、光の増幅素子などの応用、
用途が考えられている。
光双安定半導体レーザの基本的構造は、第３図に示すよ
うに、活性層５１をクラッド層５２．５３ではさみ、下
側電極５４および上側電極５５が形成されて、利得領域
Ａおよび可飽和吸収領域Ｂを有するものである。動作原
理は通常の半導体レーザと同様、利得領域での利得と吸
収領域でのロスがつり合った所でレーザ発振が起き、ロ
スが利得を上まわった所で発振が止まる。異なる点はこ
の光出力の立上り、立下りにヒステリシスが存在するこ
とである。第４図に光双安定半導体レーザの典型的な入
出力特性を示す。第５図は、第７図での印加電流工と光
出力しＯとの関係で表わした印加電流−光出力特性図で
あり、作動に際してはヒステリシスの中にバイアス電流
■８に設定しておく。
うに、活性層５１をクラッド層５２．５３ではさみ、下
側電極５４および上側電極５５が形成されて、利得領域
Ａおよび可飽和吸収領域Ｂを有するものである。動作原
理は通常の半導体レーザと同様、利得領域での利得と吸
収領域でのロスがつり合った所でレーザ発振が起き、ロ
スが利得を上まわった所で発振が止まる。異なる点はこ
の光出力の立上り、立下りにヒステリシスが存在するこ
とである。第４図に光双安定半導体レーザの典型的な入
出力特性を示す。第５図は、第７図での印加電流工と光
出力しＯとの関係で表わした印加電流−光出力特性図で
あり、作動に際してはヒステリシスの中にバイアス電流
■８に設定しておく。
そこに工。、−１８以上の大きさの電流パルス（セット
電流パルス）を印加することによってレーザ発振（ＯＮ
）状態Ｑになる。そして、Ｌ Ｉ。、。
電流パルス）を印加することによってレーザ発振（ＯＮ
）状態Ｑになる。そして、Ｌ Ｉ。、。
以上の負方向の電流パルス（リセット電流パルス）を印
加することによってレーザ発振しない（ＯＦＦ）状態Ｐ
になる。第６図は、第７図での光入力Ｌｉと光出力しＯ
との関係で表わした光入力−光出力特性図であり、作動
に際してはヒステリシスの中に光バイアスＬ！ｌに設定
しておく。そこにり。ｗ−Ｌ８以上の大きさの光パルス
（セット光パルス）を印加することによって、レーザ発
信（ＯＮ）状態Ｑになる。そして、光バイアスＬ、の大
きさをＬＯＦＦ以下にパルス的に下げることによってレ
ーザ発信しない（ＯＦＦ）状態Ｐになる。将来の光交換
、光情報処理においてはＯＮ状態を得るのにセット光パ
ルスを用い、ＯＦＦ状態を得るのにリセット電流パルス
又は光パルスを用いる。
加することによってレーザ発振しない（ＯＦＦ）状態Ｐ
になる。第６図は、第７図での光入力Ｌｉと光出力しＯ
との関係で表わした光入力−光出力特性図であり、作動
に際してはヒステリシスの中に光バイアスＬ！ｌに設定
しておく。そこにり。ｗ−Ｌ８以上の大きさの光パルス
（セット光パルス）を印加することによって、レーザ発
信（ＯＮ）状態Ｑになる。そして、光バイアスＬ、の大
きさをＬＯＦＦ以下にパルス的に下げることによってレ
ーザ発信しない（ＯＦＦ）状態Ｐになる。将来の光交換
、光情報処理においてはＯＮ状態を得るのにセット光パ
ルスを用い、ＯＦＦ状態を得るのにリセット電流パルス
又は光パルスを用いる。
このような光双安定性半導体レーザとして、例えば、第
７図に示すような埋込み型半導体レーザ構造のものが提
案されている。この場合に、ｎ＋−ＩｎＰ基板１上にｎ
−１ｎＰクラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｎ−
１ｎＰクラッド層４、Ｐ” −１ｎＧａＡｓＰコンタク
ト層５および半絶縁性ＩｎＰ埋込み層６が形成されてお
り、基板１の下にｎ電極７が設けられ、かつ上側に第１
Ｐ電極８および第２Ｐ電極９がＳｉＯ□絶縁層１０を介
して設けられている。第１Ｐ電極８と第２Ｐ電極９との
間の電気抵抗を高めるために、クラフト層４が表出する
凹所１１が形成されており、この凹所に相当する部分が
可飽和吸収領域１２となっている。そして、光パルスの
注入をへき開面と垂直な方向で活性層４に当る入射光（
活性層４の禁制帯幅Ｅｇよりも大きなエネルギーの光、
波長λＡ）Ａによって行なって、出射光（波長λｎ１λ
８〉λＡ）Ｂが得られる。
７図に示すような埋込み型半導体レーザ構造のものが提
案されている。この場合に、ｎ＋−ＩｎＰ基板１上にｎ
−１ｎＰクラッド層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３、ｎ−
１ｎＰクラッド層４、Ｐ” −１ｎＧａＡｓＰコンタク
ト層５および半絶縁性ＩｎＰ埋込み層６が形成されてお
り、基板１の下にｎ電極７が設けられ、かつ上側に第１
Ｐ電極８および第２Ｐ電極９がＳｉＯ□絶縁層１０を介
して設けられている。第１Ｐ電極８と第２Ｐ電極９との
間の電気抵抗を高めるために、クラフト層４が表出する
凹所１１が形成されており、この凹所に相当する部分が
可飽和吸収領域１２となっている。そして、光パルスの
注入をへき開面と垂直な方向で活性層４に当る入射光（
活性層４の禁制帯幅Ｅｇよりも大きなエネルギーの光、
波長λＡ）Ａによって行なって、出射光（波長λｎ１λ
８〉λＡ）Ｂが得られる。
また、第８図に示すような利得（ｇａｉｎ）領域と可飽
和吸収領域とが活性層長手方向に交互に形成されている
光双安定半導体レーザも知られている。
和吸収領域とが活性層長手方向に交互に形成されている
光双安定半導体レーザも知られている。
この場合には、ｎ−１ｎＰ基板２１上にｎ−１ｎＰクラ
ッド層２２、ＩｎＧａＡＳＰ活性層２３、ｐ−１ｎＰク
ラッド層２４およびｎ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層２
５が形成されており、利得領域に相当する部分にＩｎＧ
ａＡｓＰ ：ｌンタク七層２５からｐ−１ｎＰクラッド
層２４に達するＺｎ拡散領域２６（第５図上、電極の表
面に破線で対応するＺｎ拡散領域を示す）が形成されて
いる。基板２１の下にＡｕ −Ｇｅ −Ｎｉ のｎ電極
２７が設けられ、ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト層２５上
にＡｕ／Ｚｎのｎ電極２８が設けられている。Ｚｎ拡散
領域２６のない箇所が可飽和吸収領域となっている。こ
のレーザにおいても、上下両側に電極があって、入射光
Ａはへき開面と垂直な方向で活性層２３に当て、書出射
光Ｂが得られる。
ッド層２２、ＩｎＧａＡＳＰ活性層２３、ｐ−１ｎＰク
ラッド層２４およびｎ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層２
５が形成されており、利得領域に相当する部分にＩｎＧ
ａＡｓＰ ：ｌンタク七層２５からｐ−１ｎＰクラッド
層２４に達するＺｎ拡散領域２６（第５図上、電極の表
面に破線で対応するＺｎ拡散領域を示す）が形成されて
いる。基板２１の下にＡｕ −Ｇｅ −Ｎｉ のｎ電極
２７が設けられ、ＩｎＧａＡｓＰ コンタクト層２５上
にＡｕ／Ｚｎのｎ電極２８が設けられている。Ｚｎ拡散
領域２６のない箇所が可飽和吸収領域となっている。こ
のレーザにおいても、上下両側に電極があって、入射光
Ａはへき開面と垂直な方向で活性層２３に当て、書出射
光Ｂが得られる。
得られた出射光Ｂには入射光Ａが混っている。
すなわち、第９Ａ図に示す入射光が第９Ｂ図に示す出射
光となっている。このような出射光を光通信に用いた場
合には、質の高い通信の妨げとなる。
光となっている。このような出射光を光通信に用いた場
合には、質の高い通信の妨げとなる。
例えば、光ファイバーを用いて光信号を長距離伝送した
場合に、波長によって伝送速度が異なるので（同時に出
た波長λ、が波長λ８よりも先に届くので）、信号のエ
ラーを招くことがある。波長λ８の光からみると波長λ
、光はノイズのようなものである。
場合に、波長によって伝送速度が異なるので（同時に出
た波長λ、が波長λ８よりも先に届くので）、信号のエ
ラーを招くことがある。波長λ８の光からみると波長λ
、光はノイズのようなものである。
このような入射光の出射光中に混在することをなくすこ
とが本発明の課題である。
とが本発明の課題である。
上述の課題が、光双安定半導体レーザにふいて、上下両
電極の少なくともひとつにストライブ状の活性層上方に
て複数個の透孔を設け、これら透孔より入射光を活性層
に当てることのできることを特徴とする光双安定半導体
レーザによって解決される。
電極の少なくともひとつにストライブ状の活性層上方に
て複数個の透孔を設け、これら透孔より入射光を活性層
に当てることのできることを特徴とする光双安定半導体
レーザによって解決される。
本発明に係る光双安定半導体レーザにおいては、該レー
ザの上側および下側に設けられる電極に透孔（窓）があ
って、電極に対して垂直な方向から入射光を透孔内の活
性層に当てるので、入射光が出射光に混じることはほと
んどない。
ザの上側および下側に設けられる電極に透孔（窓）があ
って、電極に対して垂直な方向から入射光を透孔内の活
性層に当てるので、入射光が出射光に混じることはほと
んどない。
以下、添付図面を参照して本発明の実施態様例によって
本発明をより詳しく説明する。
本発明をより詳しく説明する。
第１図は本発明に係る光双安定半導体レーザの斜視図で
あり、第２Ａ図〜第２Ｄ図は該レーザの製造工程を説明
するため光双安定半導体レーザの断面図である。
あり、第２Ａ図〜第２Ｄ図は該レーザの製造工程を説明
するため光双安定半導体レーザの断面図である。
本発明に係る光双安定半導体レーザは、第１図に示すよ
うに、埋込み型半導体レーザ構造を採用しており、ｎ−
ＩｎＰ基板３１上にｎ−１ｎＰクラッド層３２ 、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層３３、ｐ−ＩｎＰクラッド暦３４、ｐ
−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層３５および高抵抗の半絶
縁性ＩｎＰ埋込み層３６が形成されている。このような
半導体層構造は先に説明した従来の埋込み型半導体レー
ザ構造の場合と同じである。基板３１の下にｎ電極３７
およびボンディング用の金属層３８が設けられ、埋込み
層３６の上にＳｉｎ、絶縁層３９が形成され、その上お
よび表出している埋込み層３６とコンタクト層３５との
上にｎ電極４０そしてボンディング用の金属層４１が設
けられている。本発明によると、金属層４１およびｎ電
極４０に複数の透孔（窓）４２があって、これら透孔４
２を通ってｎ電極４０とは垂直な方向の入射光Ｃが活性
層３３に当るようになっている。この入射光Ｃの照射（
注入）によって出射光りが活性層３３から発振される。
うに、埋込み型半導体レーザ構造を採用しており、ｎ−
ＩｎＰ基板３１上にｎ−１ｎＰクラッド層３２ 、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層３３、ｐ−ＩｎＰクラッド暦３４、ｐ
−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層３５および高抵抗の半絶
縁性ＩｎＰ埋込み層３６が形成されている。このような
半導体層構造は先に説明した従来の埋込み型半導体レー
ザ構造の場合と同じである。基板３１の下にｎ電極３７
およびボンディング用の金属層３８が設けられ、埋込み
層３６の上にＳｉｎ、絶縁層３９が形成され、その上お
よび表出している埋込み層３６とコンタクト層３５との
上にｎ電極４０そしてボンディング用の金属層４１が設
けられている。本発明によると、金属層４１およびｎ電
極４０に複数の透孔（窓）４２があって、これら透孔４
２を通ってｎ電極４０とは垂直な方向の入射光Ｃが活性
層３３に当るようになっている。この入射光Ｃの照射（
注入）によって出射光りが活性層３３から発振される。
第１図の光双安定半導体レーザが、例えば、次のように
して製造される。
して製造される。
第２Ａ図に示すように、ｎ−１ｎＰ基板３１上に連続液
相エピタキシャル成長法によってｎ −１ｎＰクラッド
層（不純物濃度： ２ ＸＩＯ”ｃｍ−３、厚さ：２、
ＯＪＭａ）３２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層（７７１”−７
’、０．２趨、波長λが１．３７−の組成）３３、ｐ
−１ｎＰクラフト層（５ＸＩＯ１７ａｍ−’、１．５ｍ
）３４右よび１） −１ｎＧａＡｓＰ ：］ンタクト層
（Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’、０．３角）３５を形成する。
相エピタキシャル成長法によってｎ −１ｎＰクラッド
層（不純物濃度： ２ ＸＩＯ”ｃｍ−３、厚さ：２、
ＯＪＭａ）３２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層（７７１”−７
’、０．２趨、波長λが１．３７−の組成）３３、ｐ
−１ｎＰクラフト層（５ＸＩＯ１７ａｍ−’、１．５ｍ
）３４右よび１） −１ｎＧａＡｓＰ ：］ンタクト層
（Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’、０．３角）３５を形成する。
次に、コンタクト層３５上全面に化学的気相成長法（Ｃ
ＶＤ法）によってＳｉＯ２層（厚さ：０．３Ｊ−）を形
成し、リングラフィ技術によってＳｉＯ，層を選択エツ
チングしてストライプ状のＳｉＯ２層４５ （幅：４．
５７−）とする（第２Ｂ図）。このＳｉｎ、層４゛５を
マスクとして形成した半導体層３５．３４．３３．３２
を選択エツチングし、ｎ−１ｎＰクラッド層３２を表出
させる。このエツチング時に、サイドエツチング（横方
向へのエツチング）も同時に進行するので、活性層３３
０幅は約２−となり、ストライプ状となる。有機金属（
ＭＯ）ＣＶＤ法によって半絶縁性ＩｎＰ（Ｆｅ ドープ
）を選択成長させて、エツチング除去した部分を埋める
ようにＩｎＰ埋込み層３６（第２Ｂ図）を形成する。
ＶＤ法）によってＳｉＯ２層（厚さ：０．３Ｊ−）を形
成し、リングラフィ技術によってＳｉＯ，層を選択エツ
チングしてストライプ状のＳｉＯ２層４５ （幅：４．
５７−）とする（第２Ｂ図）。このＳｉｎ、層４゛５を
マスクとして形成した半導体層３５．３４．３３．３２
を選択エツチングし、ｎ−１ｎＰクラッド層３２を表出
させる。このエツチング時に、サイドエツチング（横方
向へのエツチング）も同時に進行するので、活性層３３
０幅は約２−となり、ストライプ状となる。有機金属（
ＭＯ）ＣＶＤ法によって半絶縁性ＩｎＰ（Ｆｅ ドープ
）を選択成長させて、エツチング除去した部分を埋める
ようにＩｎＰ埋込み層３６（第２Ｂ図）を形成する。
ＳｌＯ□層４５をエツチング除去した後に、新たにＳｉ
Ｏ□絶縁層３９（厚さ：０．３４）をＣＶＤ法によって
全面に形成し、コンタクト層３５が表出するようにリン
グラフィ技術で幅７Ｊａのストライプ状部分を選択エツ
チング除去する（第２Ｃ図）。全面にＰｔ／Ｔｉのｎ電
極４０をスパッタリング法（又は電子ビーム）で形成し
、４３０℃、３０分の熱処理を行なって、ｐ−１ｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層３５とｎ電極４０とのオーミック性
抵触が得られる。次に、ｎ電極４０の上で活性層３３上
方位置に複数のホトレジスト部分（５，−Ｘ５−の正方
形サイズ、図示せず）を設けておき、ボンディング用の
金属層４１としてＡｕメツキ層（厚さ：２虜）を選択的
に形成する。ホトレジスト部分を除去すると、穴があく
。このＡｕ層４１をマスクとして、リアクティブイオン
エツチング（ＲＩＥ）法によって、Ｐ電極４０のＰｔ／
Ｔｉ層を選択エツチングしてｎ電極４０に透孔４２をあ
け、さらにその下のｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層３
５をも選択エツチングしてｐ−１ｎＰクラッド層３４を
、第２Ｄ図に示すように、表出させる。
Ｏ□絶縁層３９（厚さ：０．３４）をＣＶＤ法によって
全面に形成し、コンタクト層３５が表出するようにリン
グラフィ技術で幅７Ｊａのストライプ状部分を選択エツ
チング除去する（第２Ｃ図）。全面にＰｔ／Ｔｉのｎ電
極４０をスパッタリング法（又は電子ビーム）で形成し
、４３０℃、３０分の熱処理を行なって、ｐ−１ｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層３５とｎ電極４０とのオーミック性
抵触が得られる。次に、ｎ電極４０の上で活性層３３上
方位置に複数のホトレジスト部分（５，−Ｘ５−の正方
形サイズ、図示せず）を設けておき、ボンディング用の
金属層４１としてＡｕメツキ層（厚さ：２虜）を選択的
に形成する。ホトレジスト部分を除去すると、穴があく
。このＡｕ層４１をマスクとして、リアクティブイオン
エツチング（ＲＩＥ）法によって、Ｐ電極４０のＰｔ／
Ｔｉ層を選択エツチングしてｎ電極４０に透孔４２をあ
け、さらにその下のｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層３
５をも選択エツチングしてｐ−１ｎＰクラッド層３４を
、第２Ｄ図に示すように、表出させる。
ｎ−１ｎＰ基板３１を約１００−Ｗ−さと研摩によって
薄くした後に、Ａｕ ／ＡｕＧｅのｎ電極３７を真空蒸
着法で形成し、３８０℃、１分の熱処理を行なってオー
ミック性抵触とする（第２Ｄ図）。ｎ電極３７上にＡｕ
メツキ層３８をボンディング用金属層として全面に形成
する。そして、所定寸法にへき関されて第１図に示す光
双安定半導体レーザが得られる。第２Ｄ図は第１図での
線ＩＩＤ−ｎＤでの断面図である。
薄くした後に、Ａｕ ／ＡｕＧｅのｎ電極３７を真空蒸
着法で形成し、３８０℃、１分の熱処理を行なってオー
ミック性抵触とする（第２Ｄ図）。ｎ電極３７上にＡｕ
メツキ層３８をボンディング用金属層として全面に形成
する。そして、所定寸法にへき関されて第１図に示す光
双安定半導体レーザが得られる。第２Ｄ図は第１図での
線ＩＩＤ−ｎＤでの断面図である。
上述の実施態様例では、活性層はＩｎＧａＡｓＰ単一層
であるが、これをＩｎＧａＡｓＰ ／ＩｎＰの多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造とすることができる。また、ｎ電極
に入射光用透孔を設けであるが、ｎ電極に入射光用透孔
を設けることもでき、さらに両方に透孔があってもよい
。
であるが、これをＩｎＧａＡｓＰ ／ＩｎＰの多重量子
井戸（ＭＱＷ）構造とすることができる。また、ｎ電極
に入射光用透孔を設けであるが、ｎ電極に入射光用透孔
を設けることもでき、さらに両方に透孔があってもよい
。
本発明によると、入射光の注入方向が従来の活性層へそ
の長平方向と平行とは違って垂直となっているために、
入射光が活性層からの出射光に混在することはない。
の長平方向と平行とは違って垂直となっているために、
入射光が活性層からの出射光に混在することはない。
第１図は本発明に係る光双安定半導体レーザの斜視図で
あり、 第２Ａ図〜第２Ｄ図は第１図の光双安定半導体レーザの
製造工程を説明する該レーザの概略断面図であり、 第３図は、従来の基本的な光双安定半導体レーザの断面
図であり、 第４図は、光双安定半導体レーザの典型的な人出力特性
を示すグラフであり、 第５図は印加電流−光出力特性を示すグラフであり、 第６図は光入力−光出力特性を示すグラフであり、 第７図は従来の光双安定半導体レーザの斜視図であり、 第８図は別な従来の光双安定半導体レーザの斜視図であ
り、 第９Ａ図は入射光の波長λ、と光強さを示すグラフであ
り、および 第９Ｂ図は出射光の波長と光強さを示すグラフである。 ３１ ・ｎ−１ｎＰ基板、３３ ・・−１ｎＧａＡｓＰ
活性層、３６・・・高抵抗ＩｎＰ埋込み層、 ３７・・・Ｐ電極、 ３９・・・ｎ電極、４２・・
・透孔、 Ｃ・・・入射光、Ｄ・・・出射光。
あり、 第２Ａ図〜第２Ｄ図は第１図の光双安定半導体レーザの
製造工程を説明する該レーザの概略断面図であり、 第３図は、従来の基本的な光双安定半導体レーザの断面
図であり、 第４図は、光双安定半導体レーザの典型的な人出力特性
を示すグラフであり、 第５図は印加電流−光出力特性を示すグラフであり、 第６図は光入力−光出力特性を示すグラフであり、 第７図は従来の光双安定半導体レーザの斜視図であり、 第８図は別な従来の光双安定半導体レーザの斜視図であ
り、 第９Ａ図は入射光の波長λ、と光強さを示すグラフであ
り、および 第９Ｂ図は出射光の波長と光強さを示すグラフである。 ３１ ・ｎ−１ｎＰ基板、３３ ・・−１ｎＧａＡｓＰ
活性層、３６・・・高抵抗ＩｎＰ埋込み層、 ３７・・・Ｐ電極、 ３９・・・ｎ電極、４２・・
・透孔、 Ｃ・・・入射光、Ｄ・・・出射光。
Claims (1)
- １、光双安定半導体レーザにおいて、上下両電極の少な
くともひとつにストライプ状の活性層上方にて複数個の
透孔を設け、これら透孔より入射光を前記活性層に当て
ることのできることを特徴とする光双安定半導体レーザ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4222888A JPH01217989A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 光双安定半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4222888A JPH01217989A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 光双安定半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217989A true JPH01217989A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12630177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4222888A Pending JPH01217989A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 光双安定半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217989A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03106094A (ja) * | 1989-09-15 | 1991-05-02 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP4222888A patent/JPH01217989A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03106094A (ja) * | 1989-09-15 | 1991-05-02 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体レーザ装置 |
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