JPS6333890A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
- Publication number
- JPS6333890A JPS6333890A JP17692086A JP17692086A JPS6333890A JP S6333890 A JPS6333890 A JP S6333890A JP 17692086 A JP17692086 A JP 17692086A JP 17692086 A JP17692086 A JP 17692086A JP S6333890 A JPS6333890 A JP S6333890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- optical
- optical waveguide
- active
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ、発光ダイオード、ホトダイオー
ド等の能動光素子と光導波路を一体化した光集積回路の
構造に関するものである。
ド等の能動光素子と光導波路を一体化した光集積回路の
構造に関するものである。
従来の技術
能動光素子と光導波路とを一体化した光集積回路の構造
については、従来より種々のものが提案されている。こ
のなかで半導体レーザと光導波路を集積化した構造とし
て、例えば、Y、TOHMORI他″Low−thre
shold−current CW operatio
nof 1.5μm Ga I nAs P/ I n
P bundle−integrated−guide
distributed−Bragg−reflec
tor(BIG−DBR)lasers、” Ele
ctron、Lett(エレクトロンレター)、、vo
l、21.pp、743−745(198B)に示され
ている第3図のようなものがある。この場合、p型In
P基板1上にInGaAsP活性層2.n型InP分離
層3.n型InGaAsP光導波層4.n型InP閉込
め層5よりなる半導体レーザ6と光導波層4.閉込め層
6のみよりなる光導波路7が形成されているが、両者は
ともにn型InP層8およびp型InP層9によって埋
込まれている。なお、光導波路7の光導波層4と接する
基板1上にはDBR構造とするだめのグレーティング1
0が形成されており、基板1の裏面にはAu−Zn電極
11が、結晶成長表面にはAu−5n電極12が形成さ
れている。Au−3n電極12が半導体レーザ6の閉込
め層5のみと接触する:うにそれ以外の結晶成長層表面
は絶縁膜13で被われている。
については、従来より種々のものが提案されている。こ
のなかで半導体レーザと光導波路を集積化した構造とし
て、例えば、Y、TOHMORI他″Low−thre
shold−current CW operatio
nof 1.5μm Ga I nAs P/ I n
P bundle−integrated−guide
distributed−Bragg−reflec
tor(BIG−DBR)lasers、” Ele
ctron、Lett(エレクトロンレター)、、vo
l、21.pp、743−745(198B)に示され
ている第3図のようなものがある。この場合、p型In
P基板1上にInGaAsP活性層2.n型InP分離
層3.n型InGaAsP光導波層4.n型InP閉込
め層5よりなる半導体レーザ6と光導波層4.閉込め層
6のみよりなる光導波路7が形成されているが、両者は
ともにn型InP層8およびp型InP層9によって埋
込まれている。なお、光導波路7の光導波層4と接する
基板1上にはDBR構造とするだめのグレーティング1
0が形成されており、基板1の裏面にはAu−Zn電極
11が、結晶成長表面にはAu−5n電極12が形成さ
れている。Au−3n電極12が半導体レーザ6の閉込
め層5のみと接触する:うにそれ以外の結晶成長層表面
は絶縁膜13で被われている。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構造では、(1)半導体レーザと光導
波路の光学的結合効率が非常に高い(理論上は99%)
、(2)半導体レーザと光導波路はともに横方向の光学
的閉込め機構を有しているという利点があるものの、(
3)光導波路の導波損失が大きい、(4)光導波路を形
成する位置が半導体レーザの活性層ストライブの延長線
上に限定されている、(5)半導体レーザと光導波路を
形成するための結晶成長の他に両者を埋込み構造とする
だめの結晶成長が必要であるという欠点を有している。
波路の光学的結合効率が非常に高い(理論上は99%)
、(2)半導体レーザと光導波路はともに横方向の光学
的閉込め機構を有しているという利点があるものの、(
3)光導波路の導波損失が大きい、(4)光導波路を形
成する位置が半導体レーザの活性層ストライブの延長線
上に限定されている、(5)半導体レーザと光導波路を
形成するための結晶成長の他に両者を埋込み構造とする
だめの結晶成長が必要であるという欠点を有している。
本発明は上記(1) 、 (2)の利点は活かしたまま
で、(鞠〜(5)の問題点を解決しようとするもので、
以下のような特長を有する能動光素子と光導波路の一体
化構造を提供しようとするものである。
で、(鞠〜(5)の問題点を解決しようとするもので、
以下のような特長を有する能動光素子と光導波路の一体
化構造を提供しようとするものである。
(1)能動光素子と光導波路の結合効率が高い。
(2)光導波路は横方向にも光学的閉込め機構を有して
いる。
いる。
(3) 光導波路の導波損失が少ない。
(4)能動光素子ど光導波路を任意の位置に配置できる
。
。
(6)製造が容易である。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決するために、化合物半導体基
板と、前記基板上の一部領域に形成された活性層を含む
能動領域と、前記基板上の前記能動領域以外の領域と前
記能動領域にまたがって形成された前記活性層よりも大
きなバンド・ギャップを有する光導波層と、前記光導波
層上に形成された前記光導波層よりも大きなバンド・ギ
ャップを有するストライプ状の装荷層とを具備した構造
で光集積回路を構成するというものである。
板と、前記基板上の一部領域に形成された活性層を含む
能動領域と、前記基板上の前記能動領域以外の領域と前
記能動領域にまたがって形成された前記活性層よりも大
きなバンド・ギャップを有する光導波層と、前記光導波
層上に形成された前記光導波層よりも大きなバンド・ギ
ャップを有するストライプ状の装荷層とを具備した構造
で光集積回路を構成するというものである。
作 用
本発明の構造は、能動領域とそれ以外の領域の両方の上
に光導波層と装荷層を形成した後、装荷層をストライプ
状にエツチング加工することによって得られ、能動領域
はその上の光導波層、装荷層とともに能動光素子(例え
ば半導体レーザ)となり、能動領域以外の領域上に形成
された光導波層と装荷層が光導波路となる。本構造では
、まず能動領域上にも光導波層が形成されていることが
ら能動光素子と光導波路の結合効率が高くなる。
に光導波層と装荷層を形成した後、装荷層をストライプ
状にエツチング加工することによって得られ、能動領域
はその上の光導波層、装荷層とともに能動光素子(例え
ば半導体レーザ)となり、能動領域以外の領域上に形成
された光導波層と装荷層が光導波路となる。本構造では
、まず能動領域上にも光導波層が形成されていることが
ら能動光素子と光導波路の結合効率が高くなる。
次に光導波路は装荷型光導波路となるので横方向にも光
学的閉込めがなされる上に導波損失も少ない。さらに、
装荷層をエツチングする際のマスク形状で能動光素子と
光導波路の位置が決定されるので、両者の位置関係を自
由に設定でき、かつその製造工程も簡単である。
学的閉込めがなされる上に導波損失も少ない。さらに、
装荷層をエツチングする際のマスク形状で能動光素子と
光導波路の位置が決定されるので、両者の位置関係を自
由に設定でき、かつその製造工程も簡単である。
実施例
第1図は本発明の光集積回路の一実施例を示す斜視図で
ある。第1図において、p型InP基板14上の一部領
域にInGaAsP活性層16(バンド・ギャップ波長
λg=1.3μm)およびn−InP分離層16が積層
されて能動領域となっている。
ある。第1図において、p型InP基板14上の一部領
域にInGaAsP活性層16(バンド・ギャップ波長
λg=1.3μm)およびn−InP分離層16が積層
されて能動領域となっている。
この能動領域上も含めて基板14上全域にn型InGa
AsP 光導波層17(λg=1.1μm)が積層さ
れており、さらにその上にストライプ状のn−InP装
荷層18が形成されている。装荷層18および光導波層
17の表面に露出している部分は絶縁膜19で被われて
いるが、能動領域上にある装荷層18の頂上部のみ絶縁
膜19は無(、Au−3n電極20と接している。まだ
基板14の裏面全面にはAu−Zn電極21が形成され
ている。
AsP 光導波層17(λg=1.1μm)が積層さ
れており、さらにその上にストライプ状のn−InP装
荷層18が形成されている。装荷層18および光導波層
17の表面に露出している部分は絶縁膜19で被われて
いるが、能動領域上にある装荷層18の頂上部のみ絶縁
膜19は無(、Au−3n電極20と接している。まだ
基板14の裏面全面にはAu−Zn電極21が形成され
ている。
以上の構造で能動領域を含む部分が半導体レーザ22で
あり、それ以外の部分が光導波路23である。半導体レ
ーザ22はAu−8n電極2Qがら装荷層18へ電流注
入することで動作する。注入された電流は装荷層18直
下にある活性層15のストライプ領域で再結合し発光す
るが、このストライプ領域はその上に装荷層18がある
ため実効屈折率が高くなっており光は横方向にも閉込め
られる。ここで、装荷層1日と活性層15の間に光導波
層17と分離層16が介在しているが、この間での電流
の横波がりは非常に小さい。逆に、本構造は活性層が直
接装荷層に接している構造に比べて表面再結合による無
効電流が抑圧されるという利点を有している。また、光
導波路23においても装荷層18直下の光導波層17の
ストライプ領域の実効屈折率が高くなることから、この
ストライプ領域に元が閉込められる。
あり、それ以外の部分が光導波路23である。半導体レ
ーザ22はAu−8n電極2Qがら装荷層18へ電流注
入することで動作する。注入された電流は装荷層18直
下にある活性層15のストライプ領域で再結合し発光す
るが、このストライプ領域はその上に装荷層18がある
ため実効屈折率が高くなっており光は横方向にも閉込め
られる。ここで、装荷層1日と活性層15の間に光導波
層17と分離層16が介在しているが、この間での電流
の横波がりは非常に小さい。逆に、本構造は活性層が直
接装荷層に接している構造に比べて表面再結合による無
効電流が抑圧されるという利点を有している。また、光
導波路23においても装荷層18直下の光導波層17の
ストライプ領域の実効屈折率が高くなることから、この
ストライプ領域に元が閉込められる。
本実施例は半導体レーザ22と光導波路23がその光軸
方向に集積化された構造になっており、モノリシック外
部共振器レーザとしての応用が可能である。すなわち、
光導波路を外部共振器とすることでスペクトル線幅が狭
いレーザ発振光を得ることができる。ここで、光導波路
が半導体レーザに比べて長い程、また光導波路から半導
体レーザへ帰還される光の量が多い程スペクトル線幅を
狭くすることができる。従って、半導体レーザと光導波
路の結合効率が高い“ことと光導波路の導波損失が少な
いことが要求される。本実施例は半導体レーザと光導波
路の光学的結合に関しては従来例と同様であり、能動領
域が活性層4分離層、光導波層の3層となっていること
からその積層方向の等価屈折率が光導波路における光導
波層の等価屈折率とほぼ等しくなるので結合効率が高く
なる。
方向に集積化された構造になっており、モノリシック外
部共振器レーザとしての応用が可能である。すなわち、
光導波路を外部共振器とすることでスペクトル線幅が狭
いレーザ発振光を得ることができる。ここで、光導波路
が半導体レーザに比べて長い程、また光導波路から半導
体レーザへ帰還される光の量が多い程スペクトル線幅を
狭くすることができる。従って、半導体レーザと光導波
路の結合効率が高い“ことと光導波路の導波損失が少な
いことが要求される。本実施例は半導体レーザと光導波
路の光学的結合に関しては従来例と同様であり、能動領
域が活性層4分離層、光導波層の3層となっていること
からその積層方向の等価屈折率が光導波路における光導
波層の等価屈折率とほぼ等しくなるので結合効率が高く
なる。
一方、光導波路の導波損失に関しては、従来例では24
0−1 と非常に太きかったものが、本発明でハ1Cr
n−1以下になった。これが本発明の第1の要点でちり
、導波損失が低減される理由は以下のように説明される
。
0−1 と非常に太きかったものが、本発明でハ1Cr
n−1以下になった。これが本発明の第1の要点でちり
、導波損失が低減される理由は以下のように説明される
。
通常、半導体で作製された光導波路が導波損失を生長7
?原因としては、自由キャリア吸収が考えられている。
?原因としては、自由キャリア吸収が考えられている。
しかし、第3図に示した従来例のような埋込み型導波路
では、導波層側壁の凹凸による散乱損失の方が影響が大
きい。
では、導波層側壁の凹凸による散乱損失の方が影響が大
きい。
導波層をストライプ状に加工する際にその側壁に凹凸が
生じることは避けられず、埋込み型導波路のように導波
層とこれを埋込む埋込み層の屈折率差が大きいと大きな
散乱損失を生じることになる。
生じることは避けられず、埋込み型導波路のように導波
層とこれを埋込む埋込み層の屈折率差が大きいと大きな
散乱損失を生じることになる。
これに対して本実施例のような装荷型導波路では、光導
波層内の光の横方向閉込めは実効屈折率の小さな差によ
って行われているため、装荷層側壁に凹凸があってもそ
れによる散乱損失は小さい。
波層内の光の横方向閉込めは実効屈折率の小さな差によ
って行われているため、装荷層側壁に凹凸があってもそ
れによる散乱損失は小さい。
さらに本実施例では装荷層をストライプ状にエツチング
するだけでストライプ構造が完成するのに対し、従来例
では埋込み層をエピタキシアル成長する必要がある。こ
の点から本実施例の方が容易に製造できることは明らか
である。
するだけでストライプ構造が完成するのに対し、従来例
では埋込み層をエピタキシアル成長する必要がある。こ
の点から本実施例の方が容易に製造できることは明らか
である。
以上述べてきだ導波損失が少ない、製造が容易であると
いう蛎点は本実施例のように本発明をモノリシック外部
共振器レーザに応用する場合に限定されるものではなく
、広く能動光素子と光導波路の集積構造一般に共通する
ものである。
いう蛎点は本実施例のように本発明をモノリシック外部
共振器レーザに応用する場合に限定されるものではなく
、広く能動光素子と光導波路の集積構造一般に共通する
ものである。
次に本発明の第2の要点である能動光素子と光導波路の
位置が自由に設定できるということを応用した第2の実
施例を第2図に示す。第2図は第2の実施例の平面図で
ある。図に示した発光領域24および受光領域25は第
1図の半導体レーザ22と同じ構造になっており、それ
ぞれ発光ダイオードおよびホトダイオードとして機能す
る。それ以外の領域は光導波路となっているが、第1の
装荷層26と第2の装荷層27が近接した平行な部分に
は、第1図の半導体レーザ22と同様の構造でAu−3
n電極28が形成されている。この2本の装荷層が近接
した平行な部分は方向性結合器29として機能する。
位置が自由に設定できるということを応用した第2の実
施例を第2図に示す。第2図は第2の実施例の平面図で
ある。図に示した発光領域24および受光領域25は第
1図の半導体レーザ22と同じ構造になっており、それ
ぞれ発光ダイオードおよびホトダイオードとして機能す
る。それ以外の領域は光導波路となっているが、第1の
装荷層26と第2の装荷層27が近接した平行な部分に
は、第1図の半導体レーザ22と同様の構造でAu−3
n電極28が形成されている。この2本の装荷層が近接
した平行な部分は方向性結合器29として機能する。
本実施例は、以下に述べるように動作する。第2の装荷
層の下にある光導波層(以下第2の光導波路と称す)に
入射した元P1ば、方向性結合器29の畿内学的寸法を
適当な値に設定しておくと、この部分で第1の装荷層の
下にある光導波層(以下第10光導波路と称す)に移り
、第1の光導波路から出力光Poとして出力される。こ
こで方向性結合器29のAu−3n電極28から電流注
入を行うと、方向性結合器部分の光導波路の伝播定数が
変化し、第2の光導波路から第10光導波路へ移る光の
量が変化する。このとき適当な電流値を選んでやれば第
2の光導波路に入力された光はその!ま第20光導波路
を進んで受光領域25へ入射される。同時に発光領域2
4から出力された光は第1の光導波路を通じてそのまま
出力光Po として出力される。
層の下にある光導波層(以下第2の光導波路と称す)に
入射した元P1ば、方向性結合器29の畿内学的寸法を
適当な値に設定しておくと、この部分で第1の装荷層の
下にある光導波層(以下第10光導波路と称す)に移り
、第1の光導波路から出力光Poとして出力される。こ
こで方向性結合器29のAu−3n電極28から電流注
入を行うと、方向性結合器部分の光導波路の伝播定数が
変化し、第2の光導波路から第10光導波路へ移る光の
量が変化する。このとき適当な電流値を選んでやれば第
2の光導波路に入力された光はその!ま第20光導波路
を進んで受光領域25へ入射される。同時に発光領域2
4から出力された光は第1の光導波路を通じてそのまま
出力光Po として出力される。
本実施例は以上のような動作をするので、例えば光フア
イバ通信における元中継器として利用することができる
。通常の動作状態では方向性結合器29に電流注入をし
ておき、外部からの入射光Piを受光領域25で受光し
、電気信号に変換する。この電気信号を電気的に増幅あ
るいは信号処理した後、発光領域24において電気信号
から光に変換し出力光Poとして出力する。一方、発光
領域24等が故障した場合には方向性結合器29の注入
電流を○とすれば、入射光P1をそのまま出力光Po
として出力することができる。この機能は電気系統が故
障した場合にも作動するので、本実施例はフェイル・セ
ーフ機能を有する光中継器として用いることができる。
イバ通信における元中継器として利用することができる
。通常の動作状態では方向性結合器29に電流注入をし
ておき、外部からの入射光Piを受光領域25で受光し
、電気信号に変換する。この電気信号を電気的に増幅あ
るいは信号処理した後、発光領域24において電気信号
から光に変換し出力光Poとして出力する。一方、発光
領域24等が故障した場合には方向性結合器29の注入
電流を○とすれば、入射光P1をそのまま出力光Po
として出力することができる。この機能は電気系統が故
障した場合にも作動するので、本実施例はフェイル・セ
ーフ機能を有する光中継器として用いることができる。
なお、以上の実施例の説明においては材料をInP/I
nGaAsP 系としてきたが、本発明は当然のことな
からG a A s /A I G a A s系等の
他の化合物半導体材料を用いても実施することができる
。
nGaAsP 系としてきたが、本発明は当然のことな
からG a A s /A I G a A s系等の
他の化合物半導体材料を用いても実施することができる
。
1だ、光集積回路として、より多くの発光素子。
受光素子、光導波路、方向性結合器を集積化することも
可能であり、この場合にも製造工程はさほど複雑にはな
らない。さらに、本発明の用途も、元ファイバ通信に限
定されるものではなく、光デイスク用光学ヘッド、光計
測、光情報処理等にも広く利用することができる。
可能であり、この場合にも製造工程はさほど複雑にはな
らない。さらに、本発明の用途も、元ファイバ通信に限
定されるものではなく、光デイスク用光学ヘッド、光計
測、光情報処理等にも広く利用することができる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば半導体レーザ等
の能動光素子と光導波路を集積化した場合に、能動元素
子と光導波路の結合効率が高く、光導波路は横方向にも
光学的閉込め機構を有しており、光導波路の導波損失が
少なく、能動光素子と光導波路を任意の位置に配置でき
、かつ製造も容易な構造を実現することができる。
の能動光素子と光導波路を集積化した場合に、能動元素
子と光導波路の結合効率が高く、光導波路は横方向にも
光学的閉込め機構を有しており、光導波路の導波損失が
少なく、能動光素子と光導波路を任意の位置に配置でき
、かつ製造も容易な構造を実現することができる。
第1図は本発明の一実施例の光集積回路の斜視図、第2
図は本発明の他の実施例の光集積回路の平面図、第3図
は従来の光集積回路の要部断面斜視図である。 14・・・・・・基板、15・・・・・・活性層、17
・・・・・光導波層、18・・・・・・装荷層。
図は本発明の他の実施例の光集積回路の平面図、第3図
は従来の光集積回路の要部断面斜視図である。 14・・・・・・基板、15・・・・・・活性層、17
・・・・・光導波層、18・・・・・・装荷層。
Claims (1)
- 化合物半導体基板と、前記基板上の一部領域に形成され
た活性層を含む能動領域と、前記基板上の前記能動領域
以外の領域と前記能動領域にまたがって形成された前記
活性層よりも大きなバンド・ギャップを有する光導波層
と、前記光導波層上に形成された前記光導波層よりも大
きなパッド・ギャップを有するストライプ状の装荷層と
を具備したことを特徴とする光集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61176920A JPH0738485B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61176920A JPH0738485B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 光集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6333890A true JPS6333890A (ja) | 1988-02-13 |
JPH0738485B2 JPH0738485B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=16022074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61176920A Expired - Fee Related JPH0738485B2 (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | 光集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0738485B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045135A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 集積型光半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP61176920A patent/JPH0738485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS=1977 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014045135A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 集積型光半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0738485B2 (ja) | 1995-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4914670A (en) | Distributed bragg reflector type semiconductor laser | |
JPS5844785A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPH0750443A (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
JPH03256386A (ja) | 半導体レーザ、その製造方法及び光通信システム | |
US6204078B1 (en) | Method of fabricating photonic semiconductor device using selective MOVPE | |
JPH01319986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2882335B2 (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JPS63116489A (ja) | 光集積回路 | |
JPS6333890A (ja) | 光集積回路 | |
JPS60788A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
JP4164248B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法、及び半導体光装置 | |
JPS6373585A (ja) | 周波数可変分布ブラツグ反射型半導体レ−ザ | |
JP2924041B2 (ja) | モノリシック集積型半導体光素子 | |
JP2001148542A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法並びに光通信装置 | |
JPS61166193A (ja) | 光集積回路 | |
KR100526545B1 (ko) | 분포귀환형 레이저 | |
JPS63147387A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPS63177485A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JPH07325328A (ja) | 半導体光変調器 | |
JPS59200484A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JP4024319B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JPS63241978A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
JPS63278290A (ja) | 半導体レ−ザおよびその使用方法 | |
JPH04291780A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2875440B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |