JPH01216545A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01216545A JPH01216545A JP63042741A JP4274188A JPH01216545A JP H01216545 A JPH01216545 A JP H01216545A JP 63042741 A JP63042741 A JP 63042741A JP 4274188 A JP4274188 A JP 4274188A JP H01216545 A JPH01216545 A JP H01216545A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、4!に樹脂封止
型半導体集積回路装置の製造方法に関する。
型半導体集積回路装置の製造方法に関する。
従来、樹脂封止型半導体集積回路装置は、半導体チップ
をリードフレーム1のアイランド上にグイボンディング
した後半導体テップ2の電極部分との間のワイヤーポン
ディングを行い、これを内面が最終樹脂封止形状をした
封止金型ではさみ、この金星内にモールド樹脂を射出す
ることKよシ製造される。
をリードフレーム1のアイランド上にグイボンディング
した後半導体テップ2の電極部分との間のワイヤーポン
ディングを行い、これを内面が最終樹脂封止形状をした
封止金型ではさみ、この金星内にモールド樹脂を射出す
ることKよシ製造される。
しかしながら、上述した従来の樹脂封止方法では、単一
樹脂による唯だ1回の成形工程でパッケージを形成する
為、以下に示す欠点を有している。
樹脂による唯だ1回の成形工程でパッケージを形成する
為、以下に示す欠点を有している。
その第1は唯だ1回の成形工程でパッケージを形成する
為、通常、キャビティと呼ばれている封止金型内の空間
へ射出すべきモールド樹脂量は、パッケージ形状を形成
するのに必要な量だけ準備されていなければならない。
為、通常、キャビティと呼ばれている封止金型内の空間
へ射出すべきモールド樹脂量は、パッケージ形状を形成
するのに必要な量だけ準備されていなければならない。
従って比較的容積の大きいパッケージの場合は射出量が
多くなるので、キャビティ内圧おける樹脂の流量および
流速が大きくなシ、ワイヤ・ボンディングされているワ
イヤーや、リードフレームの内部リードと々る部分およ
び半導体チップがグイボンディングされているアイラン
ド部分に変形が生じるという問題をおこす。この変形が
ひどくなると隣接するワイヤ同志また社内部リード同志
が互いに接触したシ、さらにはワイヤが破断が生じたシ
する。すなわち、短絡または断線による製造歩留シの不
良をひきおこす。また、その第2はコストに関する仁と
である。
多くなるので、キャビティ内圧おける樹脂の流量および
流速が大きくなシ、ワイヤ・ボンディングされているワ
イヤーや、リードフレームの内部リードと々る部分およ
び半導体チップがグイボンディングされているアイラン
ド部分に変形が生じるという問題をおこす。この変形が
ひどくなると隣接するワイヤ同志また社内部リード同志
が互いに接触したシ、さらにはワイヤが破断が生じたシ
する。すなわち、短絡または断線による製造歩留シの不
良をひきおこす。また、その第2はコストに関する仁と
である。
すなわち最近の高密度メモ9 I Cなどの場合は、使
用する樹脂の純度が低いと不純物からα線等の放射巌が
出て、それが半導体チップに影響を及ぼし、回路な誤動
作させるという問題が有るので1価格の高い高純度樹脂
を自ら使用せざるを得ないということである。更にその
第3は樹脂の特性に関することである。一般事項として
封入樹脂材には半導体チップ近傍部においてチップ材と
近い熱膨張率を示し且つ電気的特性が良いこと、また、
外周部では透湿性が低く且つ機械的特性が良いこと、更
にはインク又はレーザを利用した捺印に対してインクの
付着性やレーザによる発色性が良いこと等が要求されて
いる。しかし単一樹脂ではこれらの全てを満足させるこ
とは非常に困難であ、9、ICの品質をある面では犠牲
にせざるを得ないのが実状である。
用する樹脂の純度が低いと不純物からα線等の放射巌が
出て、それが半導体チップに影響を及ぼし、回路な誤動
作させるという問題が有るので1価格の高い高純度樹脂
を自ら使用せざるを得ないということである。更にその
第3は樹脂の特性に関することである。一般事項として
封入樹脂材には半導体チップ近傍部においてチップ材と
近い熱膨張率を示し且つ電気的特性が良いこと、また、
外周部では透湿性が低く且つ機械的特性が良いこと、更
にはインク又はレーザを利用した捺印に対してインクの
付着性やレーザによる発色性が良いこと等が要求されて
いる。しかし単一樹脂ではこれらの全てを満足させるこ
とは非常に困難であ、9、ICの品質をある面では犠牲
にせざるを得ないのが実状である。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、モールド封止にお
ける樹脂の射出条件、価格および材質の選択等の問題点
を全て解決し得るパッケージ形成工程を備えた半導体装
置の製造方法を提供することである。
ける樹脂の射出条件、価格および材質の選択等の問題点
を全て解決し得るパッケージ形成工程を備えた半導体装
置の製造方法を提供することである。
本発明によれば、半導体装置の製造方法は、半導体チッ
プの近傍部分とその周辺部分とを性質の異なる樹脂材を
用いそれぞれ独立に射出モールド成形するパッケージ形
成工程を備えることを含んで構成される。
プの近傍部分とその周辺部分とを性質の異なる樹脂材を
用いそれぞれ独立に射出モールド成形するパッケージ形
成工程を備えることを含んで構成される。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例を示す半導体
装置のパッケージ形成工程図である。本実施例によれば
、半導体チップ2は従来技術に従いリードフレーム1の
アイランド4上に載置され、その電極はワイヤー3で内
部リード5にポンデイフグ接続される(第1図(a)参
照)。ついで半導体チップ2の近傍部分のみを封脂封止
する第1回目の樹脂射出工程が行われる(第1図(b)
参照)。この射出工程では半導体チップ材に近い熱膨張
率をもつ電気的特性が良い樹脂材6を選択して使用する
。つぎに第2回目の封脂封止工程が半導体チップ2の周
辺部に対して行われる(第1図(c)参照)。この際用
いられる樹脂材7には透湿性が低く、機械的に丈夫で且
つインク捺印或いはレーザ発色に良好な性質を示すもの
が選択される。第1図(d)はこのように2回の樹脂射
出工程を経てパッケージ成形された半導体装置の断面図
を示すもので、半導体チップ2が材質の異なる2つの樹
脂材6.7によって2層に包まれている状態が明らかK
されている。
装置のパッケージ形成工程図である。本実施例によれば
、半導体チップ2は従来技術に従いリードフレーム1の
アイランド4上に載置され、その電極はワイヤー3で内
部リード5にポンデイフグ接続される(第1図(a)参
照)。ついで半導体チップ2の近傍部分のみを封脂封止
する第1回目の樹脂射出工程が行われる(第1図(b)
参照)。この射出工程では半導体チップ材に近い熱膨張
率をもつ電気的特性が良い樹脂材6を選択して使用する
。つぎに第2回目の封脂封止工程が半導体チップ2の周
辺部に対して行われる(第1図(c)参照)。この際用
いられる樹脂材7には透湿性が低く、機械的に丈夫で且
つインク捺印或いはレーザ発色に良好な性質を示すもの
が選択される。第1図(d)はこのように2回の樹脂射
出工程を経てパッケージ成形された半導体装置の断面図
を示すもので、半導体チップ2が材質の異なる2つの樹
脂材6.7によって2層に包まれている状態が明らかK
されている。
以上説明したように、本発明によればυ導体装置のパッ
ケージは、2種類の樹脂による2回の成形工程を経て形
成されることによシ以下の効果を有する。
ケージは、2種類の樹脂による2回の成形工程を経て形
成されることによシ以下の効果を有する。
(1)1回目の成形工程で樹脂封止するのは中心部の半
導体チップ近傍部分のみであるので、キャビティの内部
容積が小さく且つ使用する樹脂量は少なくなる。従って
、キャビティ内の樹脂の流量、流速は小さくなシ、ワイ
ヤーや内部リード、アイランド等の変形を容易に防止す
ることができる。尚内部リードやアイランドの変形に対
しては樹脂の流量、流速による影響はかシでなく、キャ
ビティが小さくなった分だけ内部リードやアイ2ンドが
、より中央部照会型によシ保持されるので、以上の効果
がよシー層増大する。
導体チップ近傍部分のみであるので、キャビティの内部
容積が小さく且つ使用する樹脂量は少なくなる。従って
、キャビティ内の樹脂の流量、流速は小さくなシ、ワイ
ヤーや内部リード、アイランド等の変形を容易に防止す
ることができる。尚内部リードやアイランドの変形に対
しては樹脂の流量、流速による影響はかシでなく、キャ
ビティが小さくなった分だけ内部リードやアイ2ンドが
、より中央部照会型によシ保持されるので、以上の効果
がよシー層増大する。
(2)半導体チップにα線等による悪影響を与えない為
に使用する高純度樹脂を、チップの近傍部だけの必要最
少限の範囲に限定して使用することが可能なので、製品
コストを低減することができる。
に使用する高純度樹脂を、チップの近傍部だけの必要最
少限の範囲に限定して使用することが可能なので、製品
コストを低減することができる。
(3)半導体チップ近傍部とパッケージ外周部では使用
する樹脂に要求される特性がそれぞれ異なるが、それら
に適合する樹脂をそれぞれ選択使用することができるの
で半導体装置の品質を向上させることができる。
する樹脂に要求される特性がそれぞれ異なるが、それら
に適合する樹脂をそれぞれ選択使用することができるの
で半導体装置の品質を向上させることができる。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例を示す半導体
装置のパッケージ形成工程図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・半導体
チップ、3・・・・・・ワイヤー、4・・・・・・アイ
ランド、5・・・・・・内部リード、6・・・・・・1
回目の成形工程に用いた樹脂材、7・・・・・・2回目
の成形工程に用いた樹脂材。 代理人 弁理士 内 原 晋
装置のパッケージ形成工程図である。 1・・・・・・リードフレーム、2・・・・・・半導体
チップ、3・・・・・・ワイヤー、4・・・・・・アイ
ランド、5・・・・・・内部リード、6・・・・・・1
回目の成形工程に用いた樹脂材、7・・・・・・2回目
の成形工程に用いた樹脂材。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体チップの近傍部分とその周辺部分とを性質の異
なる樹脂材を用いそれぞれ独立に射出モールド成形する
パッケージ形成工程を備えることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63042741A JPH01216545A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63042741A JPH01216545A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01216545A true JPH01216545A (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=12644445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63042741A Pending JPH01216545A (ja) | 1988-02-24 | 1988-02-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01216545A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03101154A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Toshiba Corp | 多重モールド型半導体装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-24 JP JP63042741A patent/JPH01216545A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03101154A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Toshiba Corp | 多重モールド型半導体装置及びその製造方法 |
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