JPH01203408A - 導電性ポリアセチレンの製造方法 - Google Patents
導電性ポリアセチレンの製造方法Info
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- JPH01203408A JPH01203408A JP2653788A JP2653788A JPH01203408A JP H01203408 A JPH01203408 A JP H01203408A JP 2653788 A JP2653788 A JP 2653788A JP 2653788 A JP2653788 A JP 2653788A JP H01203408 A JPH01203408 A JP H01203408A
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は高導電性を示すポリアセチレンの製造法に関す
るものである。本発明の製造法によって得られるポリア
セチレンは、電池材料、電気部品その他の電子材料の用
途に広く用いられる。
るものである。本発明の製造法によって得られるポリア
セチレンは、電池材料、電気部品その他の電子材料の用
途に広く用いられる。
[従来の技術]
アセチレンの重合には種々の方法がある。従来、これら
の中でもチーグラー・ナッタ触媒を用いて重合体を得る
方法(以下、白州法と略す)がもつとも−船釣な方法と
して知られている[例えばJ。
の中でもチーグラー・ナッタ触媒を用いて重合体を得る
方法(以下、白州法と略す)がもつとも−船釣な方法と
して知られている[例えばJ。
成して、さらに導電性の高いポリアセチレンを得る方法
(以下、Naarmann法と記す)も試みられている
[例えば5ynthetic Metals、16(1
986)337−342及びNature 327,4
June、403(1987)]。
(以下、Naarmann法と記す)も試みられている
[例えば5ynthetic Metals、16(1
986)337−342及びNature 327,4
June、403(1987)]。
しかし、前記白用法では目的とする導電性が低いか、あ
るいは後記Naarmann法では特殊でかつ、シリコ
ーンオイルのような高価な有機ケイ素化合物を用いるた
め、重合体のコストが高い。さらには、導電性の高い重
合体を得るために、高温にて触媒を熟成(以下、エージ
ングと記ず)するが、この高温エージングの際、触媒と
有機ケイ素化合物が反応するために、触媒の重合活性が
低下し、また、これに改良を加えたNaarmann法
ではシリコーンオイルのような高価な有機ケイ素化合物
を用いているため、コストが高く、さらに高温エージン
グの際、触媒と有機ケイ素化合物の反応により、触媒の
重合活性が低下するため、より導電性の高いポリアセチ
レンが得られないという欠点がある。
るいは後記Naarmann法では特殊でかつ、シリコ
ーンオイルのような高価な有機ケイ素化合物を用いるた
め、重合体のコストが高い。さらには、導電性の高い重
合体を得るために、高温にて触媒を熟成(以下、エージ
ングと記ず)するが、この高温エージングの際、触媒と
有機ケイ素化合物が反応するために、触媒の重合活性が
低下し、また、これに改良を加えたNaarmann法
ではシリコーンオイルのような高価な有機ケイ素化合物
を用いているため、コストが高く、さらに高温エージン
グの際、触媒と有機ケイ素化合物の反応により、触媒の
重合活性が低下するため、より導電性の高いポリアセチ
レンが得られないという欠点がある。
従って、安価で、かつ、高温エージングしても触媒と溶
媒の反応がなく触媒の活性を低下させることのない重合
溶媒があれば、より導電性の高いポリアセチレンが得ら
れるものと期待される。
媒の反応がなく触媒の活性を低下させることのない重合
溶媒があれば、より導電性の高いポリアセチレンが得ら
れるものと期待される。
本発明はシリコーンオイルなどの有機ケイ素系化合物の
代りに安価で、かつ、触媒と溶媒の反応がなく、触媒活
性を低下させることのない、炭化水素系溶媒を用いて、
触媒溶液とし、これを高温で加熱エージングした後、ア
セチレンを重合することで、より導電性の高いポリアセ
チレンを安価に合成することを目的としている。
代りに安価で、かつ、触媒と溶媒の反応がなく、触媒活
性を低下させることのない、炭化水素系溶媒を用いて、
触媒溶液とし、これを高温で加熱エージングした後、ア
セチレンを重合することで、より導電性の高いポリアセ
チレンを安価に合成することを目的としている。
[問題点を解決するための手段]
上記目的を達成するために本発明は下記の構成を有する
。
。
「導電性ポリアセチレンの製造方法において、チーグラ
ー・ナッタ系触媒を炭化水素系および/またはその誘導
体系の溶媒中で加熱・冷却処理を1回または複数回くり
かえして熟成し、触媒溶液とし、該触媒溶液にアセチレ
ンを導入および/または接触させて重合させることを特
徴とする導電性ポリアセチレンの製造方法。」 本発明で言う炭化水素系および/またはその誘導体系の
溶媒とはチーグラー・ナッタ触媒を均一に溶解するもの
であり、飽和炭化水素、芳香族炭化水素からなり、その
沸点が150〜300℃の範囲にある化合物を言う。こ
のような溶媒の具体例としては、流動パラフィン、ヘキ
サデカン、デカリン、デカン、テトラデカン、テトラリ
ン、インデン、アイソファーM(飽和脂肪族炭化水素、
エクソンケミカル社製)、シクロヘキシルベンゼン、1
,1−フェニルエタン、ジフェニルエーテル、ジベンジ
ルエーテル、ジペンテン、1,2−ジメチルナフタレン
、3,3−ジメチルビフェニル、ジメトオキシベンゼン
などであり、これらは通常単独で用いられるが、もちろ
ん2種以上混合して用いることもできる。
ー・ナッタ系触媒を炭化水素系および/またはその誘導
体系の溶媒中で加熱・冷却処理を1回または複数回くり
かえして熟成し、触媒溶液とし、該触媒溶液にアセチレ
ンを導入および/または接触させて重合させることを特
徴とする導電性ポリアセチレンの製造方法。」 本発明で言う炭化水素系および/またはその誘導体系の
溶媒とはチーグラー・ナッタ触媒を均一に溶解するもの
であり、飽和炭化水素、芳香族炭化水素からなり、その
沸点が150〜300℃の範囲にある化合物を言う。こ
のような溶媒の具体例としては、流動パラフィン、ヘキ
サデカン、デカリン、デカン、テトラデカン、テトラリ
ン、インデン、アイソファーM(飽和脂肪族炭化水素、
エクソンケミカル社製)、シクロヘキシルベンゼン、1
,1−フェニルエタン、ジフェニルエーテル、ジベンジ
ルエーテル、ジペンテン、1,2−ジメチルナフタレン
、3,3−ジメチルビフェニル、ジメトオキシベンゼン
などであり、これらは通常単独で用いられるが、もちろ
ん2種以上混合して用いることもできる。
本発明に用いられるチーグラー・ナッタ触媒は二元系触
媒であり、有機金属化合物と遷移金属化合物とが組み合
わされたものである。有機金属化金物の具体例としては
、トリエチルアルミニウムEt3A、11、ジエチルア
ルミニウムクロライドEt2AB4.エチルアルミニウ
ムジクロライドEtAαCQ2、トリメチルアルミニウ
ム(CH3)3Aα、ジメチルアルミニウムクロライド
(CH3)2AffCα、メチルアルミニウムジクロラ
イドCH3AQCQ2、トリブチルアルミニウムBu3
Aα、ジブチルアルミニウムクロライドB u 2 A
Q CQ、ブチルアルミニウムジクロライドBuAα
CQ2、トリエチルホウ素Et3B、ジエチルホウ素ク
ロライドEt2BCα、エチルホウ素ジクロライドEt
BC02などであり、もちろんこれらの有機金属化合物
を2種以上混合して用いることもできる。また、遷移金
属としてはチタニウム、ジルコニウム、バナジウム、セ
リウム、ネオジウム、ニオブ、タンタルなどであり、こ
のような具体例としてはテトラアルキルオキサイドチタ
ニウムTi(OR)q、テトラアルキルオキサイドジル
コニウムZr (OR>a、、トリアルキルオキサイド
ネオジウムNd (OR)3 、ジアセチルアセトネー
トバナジウムVO(acac)2、トリアセチルアセト
ネートチタニウム Ti(acac)3、トリアセチルアセトネート鉄Fe
(acac)3、トリアセチルアセトネートクロムC
r (acac)3、三塩化チタンTiCQ3、四塩化
チタンTiCQ4、三塩化ニッケルN1CQ3、三塩化
鉄FeCQ3、五塩化ニオブN b CQs、五塩化モ
リブデンM o CQs、五塩化タンタルT a CQ
sなどであり、ここにRはアルキル基を示し、acac
はアセチルアセトネートを示す。これらの触媒系の中で
有機アルキルアルミニウム化合物とチタン化合物との組
合せが有効であり、その中でもトリエチルアルミニウム
ーテトラブトオキサイドチタニウム系がより好ましい。
媒であり、有機金属化合物と遷移金属化合物とが組み合
わされたものである。有機金属化金物の具体例としては
、トリエチルアルミニウムEt3A、11、ジエチルア
ルミニウムクロライドEt2AB4.エチルアルミニウ
ムジクロライドEtAαCQ2、トリメチルアルミニウ
ム(CH3)3Aα、ジメチルアルミニウムクロライド
(CH3)2AffCα、メチルアルミニウムジクロラ
イドCH3AQCQ2、トリブチルアルミニウムBu3
Aα、ジブチルアルミニウムクロライドB u 2 A
Q CQ、ブチルアルミニウムジクロライドBuAα
CQ2、トリエチルホウ素Et3B、ジエチルホウ素ク
ロライドEt2BCα、エチルホウ素ジクロライドEt
BC02などであり、もちろんこれらの有機金属化合物
を2種以上混合して用いることもできる。また、遷移金
属としてはチタニウム、ジルコニウム、バナジウム、セ
リウム、ネオジウム、ニオブ、タンタルなどであり、こ
のような具体例としてはテトラアルキルオキサイドチタ
ニウムTi(OR)q、テトラアルキルオキサイドジル
コニウムZr (OR>a、、トリアルキルオキサイド
ネオジウムNd (OR)3 、ジアセチルアセトネー
トバナジウムVO(acac)2、トリアセチルアセト
ネートチタニウム Ti(acac)3、トリアセチルアセトネート鉄Fe
(acac)3、トリアセチルアセトネートクロムC
r (acac)3、三塩化チタンTiCQ3、四塩化
チタンTiCQ4、三塩化ニッケルN1CQ3、三塩化
鉄FeCQ3、五塩化ニオブN b CQs、五塩化モ
リブデンM o CQs、五塩化タンタルT a CQ
sなどであり、ここにRはアルキル基を示し、acac
はアセチルアセトネートを示す。これらの触媒系の中で
有機アルキルアルミニウム化合物とチタン化合物との組
合せが有効であり、その中でもトリエチルアルミニウム
ーテトラブトオキサイドチタニウム系がより好ましい。
触媒濃度については用いるアルキルアルミニウム化合物
、および遷移金属化合物の種類などにより種々選択でき
るが、例えばトリエチルアルミニウムーテトラブトオキ
サイドチタニウム系を用いた場合にはTi濃度が0.0
5〜1.4モル10、また、A 0/ T iのモル比
が1〜5の範囲になるように調整するのが好ましい。
、および遷移金属化合物の種類などにより種々選択でき
るが、例えばトリエチルアルミニウムーテトラブトオキ
サイドチタニウム系を用いた場合にはTi濃度が0.0
5〜1.4モル10、また、A 0/ T iのモル比
が1〜5の範囲になるように調整するのが好ましい。
以上、上述した重合溶媒に、上記触媒を均一に溶解させ
、触媒溶液とし、該触媒溶液をアルゴンガス中、あるい
は減圧下にて120〜260℃、かつ、20〜120分
の範囲で加熱処理を行ったポリアセチレンを得る重要な
要件である。
、触媒溶液とし、該触媒溶液をアルゴンガス中、あるい
は減圧下にて120〜260℃、かつ、20〜120分
の範囲で加熱処理を行ったポリアセチレンを得る重要な
要件である。
本発明の導電性ポリアセチレンフィルムの製造手順の一
例としては、まず、炭化水素系溶媒にチーグラー・ナッ
タ触媒を溶解し、これを加熱・冷却処理を数回くり返し
て熟成し、これを重合容器の器壁あるいは触媒と反応し
ない固体(例えばガラス、フィルム、金属、織物、皮革
などで基板上のものが好ましい)の表面に塗布し、触媒
溶液の液膜を作り、アセチレンを導入する。触媒溶液の
表面、器壁、基板上にポリアセチレンフィルムが得られ
る。また、該触媒溶液を激しく攪拌しながら重合した場
合は、黒褐色粉末状のポリアセチレン重合体が得られる
。
例としては、まず、炭化水素系溶媒にチーグラー・ナッ
タ触媒を溶解し、これを加熱・冷却処理を数回くり返し
て熟成し、これを重合容器の器壁あるいは触媒と反応し
ない固体(例えばガラス、フィルム、金属、織物、皮革
などで基板上のものが好ましい)の表面に塗布し、触媒
溶液の液膜を作り、アセチレンを導入する。触媒溶液の
表面、器壁、基板上にポリアセチレンフィルムが得られ
る。また、該触媒溶液を激しく攪拌しながら重合した場
合は、黒褐色粉末状のポリアセチレン重合体が得られる
。
上記反応の際の温度は特に限定されないが、−78〜5
0℃の任意の温度で重合可能である。−78℃のような
低温ではやや反応速度が遅くなるが、弾性に富み、延伸
可能なシス型ポリアセチレンが生成し、高温側ではトラ
ンス型を含むポリアセチレンが生成する。
0℃の任意の温度で重合可能である。−78℃のような
低温ではやや反応速度が遅くなるが、弾性に富み、延伸
可能なシス型ポリアセチレンが生成し、高温側ではトラ
ンス型を含むポリアセチレンが生成する。
また、導入するアセチレンモノマーについてはる酸素、
水分などを極力除去し精製することが好ましい。導入す
るアセチレンの圧力については100〜1140mmH
gの範囲が好ましいが、これ以外でもそれなりに重合は
進行する。
水分などを極力除去し精製することが好ましい。導入す
るアセチレンの圧力については100〜1140mmH
gの範囲が好ましいが、これ以外でもそれなりに重合は
進行する。
重合時間については、目的とするポリアセチレンフィル
ムの膜厚、触媒濃度あるいはアセチレンモノマーの圧力
などにより異なるなめ、特に限定されないが通常2〜2
4時間である。
ムの膜厚、触媒濃度あるいはアセチレンモノマーの圧力
などにより異なるなめ、特に限定されないが通常2〜2
4時間である。
[実施例]
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明する。
実施例1
アルゴン雰囲気下で内容積600 mlのガラス製反応
容器に流動パラフィン50m1をとり、攪拌しながら1
8m1のトリエチルアルミニウムと20m1のテトラブ
トオキサイドチタニウムを加える。室温にて30分間放
置した後、該触媒溶液を真空ポンプで吸引排気しながら
、オイルバスで220℃まで徐々に加熱する。約220
〜240℃で1時させながら該触媒溶液を器壁に塗布し
、これに30W℃%トリエチルアルミニウムー流動パラ
フィン溶液に通気してあらかじめ精製しであるアセチレ
ンモノマーを圧カフ 60 mmHgで供給し、室温に
て5時間重合を行った。重合開始後、徐々に触媒溶液表
面および容器内壁で重合が起り黒褐色〜赤褐色状の金属
光沢のあるポリアセチレンフィルムが生成した。重合終
了後、アルゴンガスに切替、器内をArガス雰囲気にし
た。アルゴンガス雰囲気下で触媒溶液を除いた後、あら
かじめアルゴンで脱気しである500m!のトルエンを
用いて数回洗浄をくり返した。次いで10%I−(Cr
Lメタノール溶液500 mlで数回洗浄後、更にメタ
ノールでフィルムの洗浄液のPHがほぼ中性になるまで
洗浄をくり返した後、アルゴン中室温にて乾燥した。
容器に流動パラフィン50m1をとり、攪拌しながら1
8m1のトリエチルアルミニウムと20m1のテトラブ
トオキサイドチタニウムを加える。室温にて30分間放
置した後、該触媒溶液を真空ポンプで吸引排気しながら
、オイルバスで220℃まで徐々に加熱する。約220
〜240℃で1時させながら該触媒溶液を器壁に塗布し
、これに30W℃%トリエチルアルミニウムー流動パラ
フィン溶液に通気してあらかじめ精製しであるアセチレ
ンモノマーを圧カフ 60 mmHgで供給し、室温に
て5時間重合を行った。重合開始後、徐々に触媒溶液表
面および容器内壁で重合が起り黒褐色〜赤褐色状の金属
光沢のあるポリアセチレンフィルムが生成した。重合終
了後、アルゴンガスに切替、器内をArガス雰囲気にし
た。アルゴンガス雰囲気下で触媒溶液を除いた後、あら
かじめアルゴンで脱気しである500m!のトルエンを
用いて数回洗浄をくり返した。次いで10%I−(Cr
Lメタノール溶液500 mlで数回洗浄後、更にメタ
ノールでフィルムの洗浄液のPHがほぼ中性になるまで
洗浄をくり返した後、アルゴン中室温にて乾燥した。
得られたポリアセチレンフィルムは厚さ0.05mmの
銀色金属光沢があり、このフィルムは室温、空気中にて
約4倍程度延伸可能であった。また、この4倍延伸した
フィルムの電導底を四端子法、室温、ヨウ素雰囲気中に
て測定したところ、電導底は3.8X104 s/cm
であり、従来の白州法などに比べ約1桁以上高い導電性
ポリアセチレンフィルムであることが判った。フィルム
厚み、延伸度およびヨウ素ドーピング後の電導底の測定
結果を第1表に示す。
銀色金属光沢があり、このフィルムは室温、空気中にて
約4倍程度延伸可能であった。また、この4倍延伸した
フィルムの電導底を四端子法、室温、ヨウ素雰囲気中に
て測定したところ、電導底は3.8X104 s/cm
であり、従来の白州法などに比べ約1桁以上高い導電性
ポリアセチレンフィルムであることが判った。フィルム
厚み、延伸度およびヨウ素ドーピング後の電導底の測定
結果を第1表に示す。
実施例2
実施例1の触媒溶液の加熱・冷却処理のエージングくり
返し回数を2回から1回及び3回行った以外は全く同様
の方法で重合及び洗浄を行った。
返し回数を2回から1回及び3回行った以外は全く同様
の方法で重合及び洗浄を行った。
1回及び3回くり返しエージングを行って得た場合のポ
リアセチレンフィルムの厚み、延伸度、ヨウ素ドーピン
グ後の電導底の測定結果を各々第1表に示す。
リアセチレンフィルムの厚み、延伸度、ヨウ素ドーピン
グ後の電導底の測定結果を各々第1表に示す。
1回及び3回くり返しエージングを行った場合の電導底
は実施例1の2回エージングに比べ若干低い電導底であ
る。このように、より導電性の高いポリアセチレンを得
るには2回くり返しエージングした場合が最も高く、最
適エージング回数が存在することが判った。
は実施例1の2回エージングに比べ若干低い電導底であ
る。このように、より導電性の高いポリアセチレンを得
るには2回くり返しエージングした場合が最も高く、最
適エージング回数が存在することが判った。
実施例3
実施例1の流動パラフィンの代わりにヘキサデカン50
m1を用い、エージング温度260℃、1時間、2回く
り返しエージングを行った以外は実施例1と全く同様の
方法で重合を行った。得られたポリアセチレンフィルム
の延伸度及びヨウ素ドーピング後の電導底の測定結果を
各々第2表に示す。
m1を用い、エージング温度260℃、1時間、2回く
り返しエージングを行った以外は実施例1と全く同様の
方法で重合を行った。得られたポリアセチレンフィルム
の延伸度及びヨウ素ドーピング後の電導底の測定結果を
各々第2表に示す。
このように重合溶媒としてヘキサデカンを用い、エージ
ング温度260℃の場合においても導電性の高いポリア
セチレンフィルムが得られる。
ング温度260℃の場合においても導電性の高いポリア
セチレンフィルムが得られる。
実施例4
実施例1の流動パラフィンの代わりにデカリン50m1
を用い、エージング温度180℃、エージング時間1時
間/回、2回くり返しエージングを行い、また重合温度
を室温から一50℃にかえ、それ以外の重合、及びフィ
ルム洗浄条件は実施例1と同様の方法で行った。得られ
たポリアセチレンフィルムの延伸度及びヨウ素ドーピン
グ後の電導底を各々第2表に示す。
を用い、エージング温度180℃、エージング時間1時
間/回、2回くり返しエージングを行い、また重合温度
を室温から一50℃にかえ、それ以外の重合、及びフィ
ルム洗浄条件は実施例1と同様の方法で行った。得られ
たポリアセチレンフィルムの延伸度及びヨウ素ドーピン
グ後の電導底を各々第2表に示す。
このように重合溶媒としてデカリンを用いて、エージン
グ温度180℃及び重合温度−50℃の場合においても
、導電性の高いポリアセチレンフィルムが得られる。
グ温度180℃及び重合温度−50℃の場合においても
、導電性の高いポリアセチレンフィルムが得られる。
実施例5
実施例1の流動パラフィンの代わりにテトラリン50t
r+Iを用いて、エージング温度200℃、エージング
時間20分/回で2回くり返しエージングを行い、また
重合温度を室温から0℃にかえ、それ以外の重合、及び
洗浄条件は実施例1と同様の方法で行った。得られたフ
ィルムの延伸度及びヨウ素ドーピング後の電導度を各々
第2表に示す。
r+Iを用いて、エージング温度200℃、エージング
時間20分/回で2回くり返しエージングを行い、また
重合温度を室温から0℃にかえ、それ以外の重合、及び
洗浄条件は実施例1と同様の方法で行った。得られたフ
ィルムの延伸度及びヨウ素ドーピング後の電導度を各々
第2表に示す。
テトラリンを溶媒に用いて、エージング温度200℃、
エージング時間20分/回、重合温度O0Cにおいても
、導電性の高いポリアセチレンフィルムが得られる。
エージング時間20分/回、重合温度O0Cにおいても
、導電性の高いポリアセチレンフィルムが得られる。
比較例1
実施例1の流動パラフィンの代わりにトルエン50m1
を用いて、エージング温度100℃、エージング時間1
時間、1回エージング後、重合温度−50℃にかえ、そ
れ以外の重合条件は実施例1と同様の方法で重合を行っ
た。得られた結果を第2表に示す。
を用いて、エージング温度100℃、エージング時間1
時間、1回エージング後、重合温度−50℃にかえ、そ
れ以外の重合条件は実施例1と同様の方法で重合を行っ
た。得られた結果を第2表に示す。
重合溶媒としてトルエンを用いてエージング温度100
℃及び1回エージングでは、さほど高い導電性をしめず
ポリアセチレンフィルムは得られず、従来の白州法での
ポリアセチレンとほぼ同程度の電導度であった。
℃及び1回エージングでは、さほど高い導電性をしめず
ポリアセチレンフィルムは得られず、従来の白州法での
ポリアセチレンとほぼ同程度の電導度であった。
比較例2
実施例1の流動パラフィンの代わりにシリコーンオイル
(ポリジメチルシロキサン、信越化学工業■、K F
96 、30 CS ) 50 mlを用い、それ以外
の重合及び洗浄条件は実施例1と全く同様にして重合を
行った。得られた結果を第2表に示す。
(ポリジメチルシロキサン、信越化学工業■、K F
96 、30 CS ) 50 mlを用い、それ以外
の重合及び洗浄条件は実施例1と全く同様にして重合を
行った。得られた結果を第2表に示す。
このようにシリコーンオイルを重合触媒として用いるN
aarmann法は本発明の要件である流動パラフィン
あるいはヘキサデカン、デカリン、テトラワンなどを溶
媒として用いた場合に比べ延伸度及びヨウ素ドーピング
後の電導度が低いことが判った。
aarmann法は本発明の要件である流動パラフィン
あるいはヘキサデカン、デカリン、テトラワンなどを溶
媒として用いた場合に比べ延伸度及びヨウ素ドーピング
後の電導度が低いことが判った。
第1表
第2表
[発明の効果]
本発明の特徴は導電性を有するポリアセチレンを製造す
る方法において、高沸点を有する炭化水素系溶媒中でチ
ーグラー・ナッタ系触媒を加熱・冷却処理を数回くり返
してエージングしたのち、ポリアセチレンを製造すると
ころにあり、従来の方法と比べて安価でより高い導電性
をもつポリアセチレンが得られる。これらの重合体は半
導体として、光センサ−、ガスセンサー材料、蓄電池電
極材料、また導電体として電線、発熱体、抵抗素子、電
磁遮蔽板、制電材料、軽量導電材料として利用される可
能性が大きく、将来の有望な工業材料となることが期待
される。
る方法において、高沸点を有する炭化水素系溶媒中でチ
ーグラー・ナッタ系触媒を加熱・冷却処理を数回くり返
してエージングしたのち、ポリアセチレンを製造すると
ころにあり、従来の方法と比べて安価でより高い導電性
をもつポリアセチレンが得られる。これらの重合体は半
導体として、光センサ−、ガスセンサー材料、蓄電池電
極材料、また導電体として電線、発熱体、抵抗素子、電
磁遮蔽板、制電材料、軽量導電材料として利用される可
能性が大きく、将来の有望な工業材料となることが期待
される。
本発明において提案される導電性ポリアセチレンは基板
上に直接フィルム状に生成し、しかも基質との密着性に
優れているため、絶縁性の基板の表面に導電性を付与す
る材料として好適に用いられる。また、本発明は基材に
触媒を塗布して合成するため、繊維及び複雑な形態を有
する基材などにも容易に均質な導電性ポリアセチレンを
生成させることができる。
上に直接フィルム状に生成し、しかも基質との密着性に
優れているため、絶縁性の基板の表面に導電性を付与す
る材料として好適に用いられる。また、本発明は基材に
触媒を塗布して合成するため、繊維及び複雑な形態を有
する基材などにも容易に均質な導電性ポリアセチレンを
生成させることができる。
Claims (9)
- (1)導電性ポリアセチレンの製造方法において、チー
グラー・ナッタ系触媒を炭化水素系および/またはその
誘導体系の溶媒中で加熱・冷却処理を1回または複数回
くりかえして熟成し、触媒溶液とし、該触媒溶液にアセ
チレンを導入および/または接触させて重合させること
を特徴とする導電性ポリアセチレンの製造方法。 - (2)炭化水素系溶媒の沸点が150〜300℃の範囲
であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
の導電性ポリアセチレンの製造方法。 - (3)炭化水素系溶媒がチーグラー・ナッタ触媒を均一
に溶解するものであり、かつ飽和炭化水素、芳香族炭化
水素から選ばれるものであることを特徴とする特許請求
の範囲第(1)項記載の導電性ポリアセチレンの製造方
法。 - (4)炭化水素系溶媒が流動パラフィン、ヘキサデカン
、デカリン、デカン、テトラデカン、テトラリン、イン
デンから選ばれることを特徴とする特許請求の範囲第(
1)項記載の導電性ポリアセチレンの製造方法。 - (5)加熱処理の温度が150〜260℃、かつ時間が
20分〜120分の範囲であることを特徴とする特許請
求の範囲第(1)項記載の導電性ポリアセチレンの製造
方法。 - (6)加熱・冷却処理が2〜4回のサイクルであること
を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の導電性ポ
リアセチレンの製造方法。 - (7)アセチレンの重合条件が、温度−78〜50℃、
アセチレン圧力100〜1140mmHgの範囲である
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の導電
性ポリアセチレンの製造方法。 - (8)チーグラー・ナッタ系触媒が、テトラブトオキサ
イドチタニウム−トリエチルアルミニウム系であり、該
触媒の触媒溶液に対する濃度がTi:0.05〜1.4
モル/l、Al/Ti=1〜5の範囲であることを特徴
とする特許請求の範囲第(1)項記載の導電性ポリアセ
チレンの製造方法。 - (9)重合体がフィルムまたはパウダーであることを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の導電性ポリア
セチレンの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2653788A JPH01203408A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 導電性ポリアセチレンの製造方法 |
US07/250,735 US5008040A (en) | 1988-02-09 | 1988-09-29 | Process for preparation of polyacetylene film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2653788A JPH01203408A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 導電性ポリアセチレンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01203408A true JPH01203408A (ja) | 1989-08-16 |
JPH0583084B2 JPH0583084B2 (ja) | 1993-11-24 |
Family
ID=12196242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2653788A Granted JPH01203408A (ja) | 1988-02-09 | 1988-02-09 | 導電性ポリアセチレンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01203408A (ja) |
-
1988
- 1988-02-09 JP JP2653788A patent/JPH01203408A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0583084B2 (ja) | 1993-11-24 |
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