JPH0119252B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0119252B2
JPH0119252B2 JP56215336A JP21533681A JPH0119252B2 JP H0119252 B2 JPH0119252 B2 JP H0119252B2 JP 56215336 A JP56215336 A JP 56215336A JP 21533681 A JP21533681 A JP 21533681A JP H0119252 B2 JPH0119252 B2 JP H0119252B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
mask
error
movement
magnification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56215336A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58116735A (ja
Inventor
Junji Isohata
Teruya Sato
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP56215336A priority Critical patent/JPS58116735A/ja
Priority to US06/440,429 priority patent/US4496239A/en
Priority to GB08232724A priority patent/GB2115167B/en
Priority to DE19823243499 priority patent/DE3243499A1/de
Publication of JPS58116735A publication Critical patent/JPS58116735A/ja
Publication of JPH0119252B2 publication Critical patent/JPH0119252B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70258Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体焼付装置の投影焼付方法、特に
ミラー結像光学系を用いてマスクのパターンをウ
エハに焼付ける半導体焼付装置の投影焼付方法に
関するものである。
[従来の技術] 近年、半導体素子においては、IC、LSI、超
LSIというようにパターンの微細化と高集積化が
進んできている。従つて、近年では、半導体素子
製造用の焼付装置にも、高精度と高品質が要求さ
れるようになつてきている。
半導体素子製造用の焼付装置には、(a)線幅が1
〜2μmの微細パターンの焼付けを可能とする、
(b)前工程のフオトマスクで焼付けられたウエハ上
のパターンに、次の工程のフオトマスクのパター
ンを正確に位置決め可能とする、ということ以外
に、(c)フオトマスクの像をウエハ上に倍率誤差な
く投影焼付けできるようにすることが要求される
ようになつてきている。
従来より、マスクもしくはウエハの温度管理を
行なえば、投影倍率誤差の補正が可能であること
は知られている。温度管理による倍率補正は、倍
率誤差が点対称な場合には有効である。
[発明が解決しようとしている問題点] しかしながら、温度管理のみでは、X、Yの各
方向で倍率誤差が異なる場合や、直角度に方向性
がある誤差、または歪曲誤差に対しては、これを
補正することは困難であつた。従つて、従来の温
度管理のみによる倍率補正は未だ不十分なもので
あつた。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、X、Y各方向の倍率誤差や直角
度誤差(歪曲誤差)のそれぞれを正確に補正した
状態で、マスクのパターンの像をウエハに焼付け
ることのできる投影焼付方法を提供することであ
る。
[問題点を解決するための手段及び作用] 本発明は、上述の問題点を解決するために、マ
スクパターンの一部の像をミラー結像光学系によ
つてウエハ上に結像し、露光中、前記ミラー結像
光学系に対してマスクとウエハを所望の方向(Y
方向)に一体的に移動させることにより、マスク
パターンの全体の像をウエハに焼付ける投影焼付
方法において、マスクとウエハの移動方向と直交
する方向(X方向)の倍率誤差の補正を、ウエハ
を保持するウエハチヤツクの温度を制御すること
により行なうと共に、移動方向の倍率誤差(及び
直角度誤差)の補正を、マスクとウエハを移動方
向に一体的に移動するための流体軸受の浮上子の
給気圧を、露光中、マスクとウエハの移動位置に
関連して制御することにより行なうことを特徴と
している。
このような本発明の特徴によれば、X、Y各方
向の倍率誤差や直角度誤差(歪曲誤差)のそれぞ
れを個別に補正することが可能となるので、X、
Y各方向の倍率誤差や直角度誤差(歪曲誤差)の
それぞれを正確に補正した状態で、フオトマスク
の像をウエハに焼付けることが可能となる。
[実施例] 以下、実施例に基づいて本発明を説明する。
第1図は本発明が適用されるミラー結像光学系
を有する半導体焼付装置を示している。この図に
おいて、1はフオトマスク、2はフオトマスク1
を連結台6に対して移動するためのフオトマスク
ステージ、3はウエハ、4はウエハ3を連結台6
に対して移動するためのウエハステージ、5は温
度制御可能なウエハチヤツクであり、ウエハ4を
吸着保持する。連結台6はフオトマスクステージ
2とウエハステージ4を連結している。
7,8は連結台6を支持するエアーベアリング
ガイド(流体軸受)である。エアーベアリングガ
イド7は姿勢の制御が可能な全拘束型であり、エ
アーベアリングガイド8は姿勢には影響を与えず
負荷容量機能のみを持つ上下拘束型である。
第9図に、このような反射型焼付装置における
倍率誤差と直角度誤差(歪曲誤差)の発生状態の
一例を示す。この図において、21はウエハ、2
2はX方向の倍率誤差、23はY方向の倍率誤
差、24は直角度誤差をそれぞれ示している。
反射型焼付装置では、X方向の倍率誤差はミラ
ー結像光学系を構成するミラーの加工精度により
生じ、Y方向の倍率誤差はフオトマスク1とウエ
ハ3を連結台6を介して一体でミラー結像光学系
に対し移動するための流体軸受7,8のガイド精
度により生じる。また、直角度誤差はミラー結像
光学系の光軸と流体軸受による連結台6の移動軸
の平行度の差により生じる。このため、反射型焼
付装置では、非常に高精度な加工、組立が要求さ
れると共に、装置に経年変化が生じた場合、上述
の誤差をユーザー先で調整することが困難であつ
た。
一方、本発明は、加工精度と組立精度から生じ
る上述の各誤差だけでなく、他の処理工程により
ウエハ3に生じた変形による倍率、直角度等の誤
差にも対応して、これらを補正した状態での投影
焼付けを可能としている。
次に、本発明におけるX方向の倍率誤差、Y方
向の倍率誤差、並びに直角度誤差の補正方法を説
明する。
先ず、第2図を用いて、X方向の倍率誤差の補
正方法を説明する。第2図において、9はウエ
ハ、10はウエハチヤツク(第1図では符合5で
示されている)、11は温度制御用のヒーターま
たはペルチエ素子、12は断熱材である。この構
成により、フオトマスク1(第1図参照)の像を
ウエハ9に焼付ける際に、X方向に倍率誤差が生
じている場合には、フオトマスク1に対しウエハ
9の温度を制御し、ウエハ9を伸縮させてX方向
の倍率誤差を補正する。
Y方向の倍率誤差、及び直角度誤差は、焼付け
時(連結台6の移動中)、全拘束エアーベアリン
グガイド7の浮上子の給気圧を制御することによ
り補正する。
第3図に全拘束エアーベアリングガイド7の構
成を詳細に示す。この図において、13はガイド
レール、14はスライダである。スライダ14
は、左右方向に関しては浮上パツド15,16,
17,18により拘束され、上下方向に関しては
浮上パツド19,20により拘束されている。
Y方向の倍率誤差補正を第4図、第5図、並び
に第6図を用いて説明する。第4図、第5図、並
びに第6図は全拘束エアーベアリングガイド7を
側面から示すものである。
第4図は、浮上パツド19,20の給気圧を制
御しない場合のスライダ14の挙動を示してい
る。給気圧の変動がなければ、浮上パツド19,
20とガイドレール13の間隔dは移動位置によ
らず常に一定である。そのため、スライダ14の
移動精度はガイドレール13の精度によつて決定
される。
従つて、この第4図の場合、スライダ14は凸
状に湾曲したガイドレール13に沿つて凸面曲状
に移動する。そのため、スライダ14の移動に応
じた傾きθがY方向の倍率誤差となつて現われ
る。反射型焼付装置では、フオトマスクとウエハ
を一体で光軸に対して回転した場合、回転角度を
θとし、フオトマスクとウエハ間の距離をLとす
ると、Ltanθだけ倍率誤差が生じる。換言すれ
ば、Y方向の倍率誤差は、傾きθの制御により補
正することが可能である。
第5図は、浮上パツド19,20の給気圧を制
御した場合のスライダ14の挙動を示している。
ガイドレール13の形状が凸湾曲状の場合でも、
移動開始位置では後パツド20の給気圧を高く、
前パツド19の給気圧を低くし、移動にともなつ
て、後パツド20の給気圧を低く、前パツド19
の給気圧を高くするように、各パツド19,20
の給気圧を制御すれば、第4図に示す移動による
傾きθを零に修正可能である。即ち、Y方向の倍
率誤差を修正可能である。
また、ガイドレール13の形状が、第6図のよ
うに凹湾曲状の場合には、移動開始位置では後パ
ツド20の給気圧を低く、前パツド19の給気圧
を高くし、移動にともなつて、後パツド20の給
気圧を高く、前パツド19の給気圧を低くするよ
うに、各パツド19,20の給気圧を制御すれば
良い。更に、ガイドレール13の形状が凹凸の繰
返し形状の場合には、第5図、第6図における制
御を交互に行なえば良い。
次に、直角度誤差補正を第7図、第8図を用い
て説明する。第7図、第8図は全拘束エアーベア
リング7を上面から示すものである。
第7図は、浮上パツド15,16,17,18
の給気圧を制御しない場合のスライダ14の挙動
を示している。給気圧の変動がなければ、浮上パ
ツド15,16,17,18とガイドレール13
の間隔dは移動位置によらず常に一定である。そ
のため、スライダ14の移動方向はガイドレール
13の取付方向によつて決定される。スライダ1
4の移動方向(移動軸)と光軸が一致していなけ
れば、その量θ1に応じて直角度誤差が生じる。換
言すれば、直角度誤差は、その量θ1の制御により
補正することが可能である。
反射型焼付装置のミラー結像光学系は、フオト
マスクの像を反転してウエハに焼付ける光学系と
なつている。従つて、このような反射型焼付装置
では、全拘束エアーベアリングガイド7がX方向
にdだけ移動した場合、フオトマスクの像とウエ
ハは相対的に2dの量だけずれる。
第8図は、浮上パツド15,16,17,18
の給気圧を制御した場合のスライダ14の挙動を
示している。ガイドレール13が光軸に対し第8
図のように傾いている場合には、移動にともなつ
て、パツド15,16の給気圧をリニアに高く
し、パツド17,18の給気圧をリニアに低くす
るように各パツド15,16,17,18の給気
圧を制御すれば良い。また、ガイドレール13が
光軸に対し第8図の逆に傾いている場合には、移
動にともなつてパツド15,16の給気圧をリニ
アに低くし、パツド17,18の給気圧をリニア
に高くするように各パツド15,16,17,1
8の給気圧を制御すれば良い。
この制御により、スライダ14の移動軸と光軸
を常に平行にすることができ、直角度誤差を補正
できる。
[発明の効果] 以上の如く、本発明によれば、X、Y各方向の
倍率誤差や直角度誤差(歪曲誤差)のそれぞれを
個別に補正することが可能となるので、X、Y各
方向の倍率誤差や直角度誤差(歪曲誤差)のそれ
ぞれを正確に補正した状態で、フオトマスクの像
をウエハに焼付けることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明が適用される投影焼付装置を示
す図、第2図はウエハチヤツクを詳細に示す図、
第3図はエアーベアリングガイドを詳細に示す
図、第4図、第5図、並びに第6図はY方向の倍
率誤差の補正方法を説明するための図、第7図、
並びに第8図は直角度誤差の補正方法を説明する
ための図、第9図は倍率誤差と直角度誤差を説明
する図である。 1……フオトマスク、2……マスクステージ、
3……ウエハ、4……ウエハステージ、5……ウ
エハチヤツク、7,8……エアーベアリングガイ
ド。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 マスクパターンの一部の像をミラー結像光学
    系によつてウエハ上に結像し、露光中、前記ミラ
    ー結像光学系に対してマスクとウエハを所望の方
    向に一体的に移動させることにより、マスクパタ
    ーンの全体の像をウエハに焼付ける投影焼付方法
    において、マスクとウエハの移動方向と直交する
    方向の倍率誤差の補正を、ウエハを保持するウエ
    ハチヤツクの温度を制御することにより行なうと
    共に、移動方向の倍率誤差の補正を、マスクとウ
    エハを移動方向に一体的に移動するための流体軸
    受の浮上子の給気圧を、露光中、マスクとウエハ
    の移動位置に関連して制御することにより行なう
    ことを特徴とする投影焼付方法。 2 マスクパターンの一部の像をミラー結像光学
    系によつてウエハ上に結像し、露光中、前記ミラ
    ー結像光学系に対してマスクとウエハを所望の方
    向に一体的に移動させることにより、マスクパタ
    ーンの全体の像をウエハに焼付ける投影焼付方法
    において、マスクとウエハの移動方向と直交する
    方向の倍率誤差の補正を、ウエハを保持するウエ
    ハチヤツクの温度を制御することにより行なうと
    共に、移動方向の倍率誤差と直角度誤差の補正
    を、マスクとウエハを移動方向に一体的に移動す
    るための流体軸受の浮上子の給気圧を、露光中、
    マスクとウエハの移動位置に関連して制御するこ
    とにより行なうことを特徴とする投影焼付方法。
JP56215336A 1981-12-29 1981-12-29 投影焼付方法 Granted JPS58116735A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56215336A JPS58116735A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 投影焼付方法
US06/440,429 US4496239A (en) 1981-12-29 1982-11-09 Projection exposure apparatus
GB08232724A GB2115167B (en) 1981-12-29 1982-11-16 Correcting errors in projection printing
DE19823243499 DE3243499A1 (de) 1981-12-29 1982-11-24 Projektionsbelichtungsgeraet

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56215336A JPS58116735A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 投影焼付方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58116735A JPS58116735A (ja) 1983-07-12
JPH0119252B2 true JPH0119252B2 (ja) 1989-04-11

Family

ID=16670604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56215336A Granted JPS58116735A (ja) 1981-12-29 1981-12-29 投影焼付方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4496239A (ja)
JP (1) JPS58116735A (ja)
DE (1) DE3243499A1 (ja)
GB (1) GB2115167B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5978533A (ja) * 1982-10-27 1984-05-07 Canon Inc 露光装置
JPS5999722A (ja) * 1982-11-29 1984-06-08 Canon Inc 半導体焼付露光制御方法
JPS59144127A (ja) * 1983-02-07 1984-08-18 Canon Inc 像調整された光学装置
US4588288A (en) * 1983-07-01 1986-05-13 Canon Kabushiki Kaisha Static pressure bearing and transport device utilizing the same
US4564284A (en) * 1983-09-12 1986-01-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor exposure apparatus
US4624551A (en) * 1983-09-17 1986-11-25 Nippon Kogaku K.K. Light irradiation control method for projection exposure apparatus
DE3447488A1 (de) * 1984-10-19 1986-05-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Projektionseinrichtung
JPS61160934A (ja) * 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 投影光学装置
US4748477A (en) * 1985-04-30 1988-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPS61278141A (ja) * 1985-05-31 1986-12-09 Canon Inc 投影倍率調整方法
US4719705A (en) * 1986-06-24 1988-01-19 The Perkin-Elmer Corporation Reticle transporter
KR920002820B1 (ko) * 1987-05-27 1992-04-04 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 주사형 투영 노광장치
JPS6449227A (en) * 1987-08-19 1989-02-23 Hitachi Ltd Stepper
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JPH04122013A (ja) * 1990-09-13 1992-04-22 Canon Inc 露光装置
US5206515A (en) * 1991-08-29 1993-04-27 Elliott David J Deep ultraviolet photolithography and microfabrication
JP2864060B2 (ja) * 1991-09-04 1999-03-03 キヤノン株式会社 縮小投影型露光装置及び方法
JPH06183561A (ja) * 1992-12-18 1994-07-05 Canon Inc 移動ステージ装置
US6753948B2 (en) 1993-04-27 2004-06-22 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus
JP3210145B2 (ja) 1993-07-14 2001-09-17 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法
JP3101473B2 (ja) * 1993-11-05 2000-10-23 キヤノン株式会社 露光方法及び該露光方法を用いるデバイス製造方法
JP3506158B2 (ja) 1995-04-14 2004-03-15 株式会社ニコン 露光装置及び走査型露光装置、並びに走査露光方法
EP0762255B1 (en) * 1995-09-04 1999-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Drive control apparatus
US6455821B1 (en) 2000-08-17 2002-09-24 Nikon Corporation System and method to control temperature of an article
JP3652329B2 (ja) * 2002-06-28 2005-05-25 キヤノン株式会社 走査露光装置、走査露光方法、デバイス製造方法およびデバイス
JP4315420B2 (ja) 2003-04-18 2009-08-19 キヤノン株式会社 露光装置及び露光方法
KR20050080376A (ko) * 2004-02-09 2005-08-12 삼성전자주식회사 투사광학계 및 그것을 갖는 화상 투사 장치
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2012007527A2 (en) * 2010-07-15 2012-01-19 Replisaurus Group Sas Methods and systems for detecting, setting, monitoring, determining, storing and compensating the spatial situation of a mobile unit

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3648470A (en) * 1970-05-28 1972-03-14 Gary E Schultz Materials composition arrangement for thermoelectric heating and cooling
GB1578259A (en) * 1977-05-11 1980-11-05 Philips Electronic Associated Methods of manufacturing solid-state devices apparatus for use therein and devices manufactured thereby
JPS5453867A (en) * 1977-10-06 1979-04-27 Canon Inc Printing device
JPS5459545A (en) * 1977-10-21 1979-05-14 Canon Kk Fluid bearing
US4202623A (en) * 1979-01-08 1980-05-13 The Perkin-Elmer Corporation Temperature compensated alignment system
US4370054A (en) * 1981-04-02 1983-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPS5825637A (ja) * 1981-08-08 1983-02-15 Canon Inc 投影焼付装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3243499C2 (ja) 1992-12-24
GB2115167A (en) 1983-09-01
DE3243499A1 (de) 1983-07-14
US4496239A (en) 1985-01-29
JPS58116735A (ja) 1983-07-12
GB2115167B (en) 1986-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0119252B2 (ja)
US4749867A (en) Exposure apparatus
US5796469A (en) Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JP4708876B2 (ja) 液浸露光装置
US4958160A (en) Projection exposure apparatus and method of correcting projection error
JPH0584663B2 (ja)
US5850291A (en) Projection exposure apparatus and method for controlling a stage on the basis of a value corrected by ABBE error
US5440397A (en) Apparatus and method for exposure
JPH0257333B2 (ja)
JPH10321515A (ja) 半導体露光装置
US4563820A (en) Aligning system
JPH037138B2 (ja)
JP2005129785A (ja) 露光装置
JPS62159425A (ja) 荷電ビ−ム描画方法
JP3110796B2 (ja) レチクルアライメント方法及び露光装置
JP3244872B2 (ja) 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法
JPH1174190A (ja) X線露光装置
JP3068785B2 (ja) 投影露光装置、または投影露光方法、及びその投影露光方法を用いたデバイス製造方法、及びそのデバイス製造方法により製造されたデバイス
JPH03129720A (ja) 露光装置
JPH09275064A (ja) 基板のアライメント方法、及び装置
JPS6214935B2 (ja)
JPS61144021A (ja) 投影露光装置
JPS61247026A (ja) 露光装置
JP3244871B2 (ja) 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法
JP2808152B2 (ja) 露光装置