JPH01185826A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■　発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体に関する。

先行技術とその問題点 非磁性基板上に、γ−Ｆｅ２０３、Ｃｏ被被着−Ｆｅ２
０．等の酸化物系磁性粉と結合剤とを主体とする磁性層
を形成した磁気記録媒体が出現してすでに久しい。

また、最近では、記録密度をさらに向上す目的で、Ｆｅ
、Ｃｏ、Ｎ　ｔ％　Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ　−Ｎ　ｉ、Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎ　ｔ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ。

Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ、Ｍｎ−Ｂ１％Ｍｎ　−Ａ１、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｖ等の強磁性粉と結合剤等からなる塗布膜を
磁性層とする磁気記録媒体が一般に多く用いられている
。

これらの塗布型の磁気記録媒体においては、特に磁気テ
ープおよび磁気ディスクの用途では、摩擦係数が小さく
、円滑で安定な走行性を示すこと、耐摩耗性、耐久性に
優れ、長時間にわたって安定走行を行いうること、機械
的強度にも優れ、耐久性、および耐久クラッチ性が高く
、カールが少な（、スキューやベースケズレが少ないこ
と、帯電性の低いこと、おかれた環境、条件に対して安
定であること等が強く求められる。

このような要求に応じるため、従来から種々のバックコ
ート層が磁性層を塗設した面とは反対側の基板面に設け
られている。

しかし、従来のバックコート層は、いずれも塗布型のも
のであり、塗布後の乾燥に時間とコストを要する。

他方、特開昭５８−２９１１９号公報には、ベースフィ
ルムにプラズマ重合膜を設ける旨の提案がなされている
。

同公報では、その効果として帯電防止性のみを評価して
いる。

しかし、このものは、原料ソースとして例えば、有機ア
ミノ化合物、有機珪素化合物、有機不飽和化合物等のも
のを用いており、これらのものは帯電防止性と耐スクラ
ッチ性等の耐久性とを同時に満足するものではない。

また、同公報ではプラズマ重合膜の膜厚を０．０１〜１
μｍとしている。

しかし、このような厚い膜厚ではバックコート層として
の適用がむずかしい。

すなわち、０．０１μｍ以上であると、逆に耐久性に劣
り、ドロップアウトが増大してしまう。

さらに、同公報では、プラズマ重合膜形成の原料ソース
として、非常に多くの有機化合物が適用可能であるとし
ている。

しかしながら、これらのものの中には、帯電防止剤には
優れた効果を有しても、バックコ−ト層として用いた際
には、耐スクラッチ性、耐ドロップアウト性等の点で使
用不可能なもが多い。

また、金属磁性薄膜を磁性層とするいわゆる蒸着薄膜型
の媒体でも、特開昭５９−７９４２５号公報にプラズマ
重合膜をバックコート層として設ける旨が記載されてい
る。

しかし、その効果は、蒸着薄膜の磁性層を有する媒体で
特に問題となっているカーリングの改善である。

そして、このものはエチレン等の炭素−水素系の重合性
ガスを用いるので、帯電防止性の点で不十分である。

＋１　　発明の目的 本発明の主たる目的は、バックコート層を特定のプラズ
マ重合膜で形成することにより、帯電防止性に優れ、摩
擦係数が小さい上に、耐摩耗性、機械的強度、耐久性、
耐スクラッチ性が良好で、カールが少なく、スキューや
ベースケズレが少なく、走行安定性にすぐれ、しかも生
産性が高く、製造コストを低廉とすることのできる磁気
記録媒体を提供することにある。

ＩＩＩ　　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、基板の一方の面上に磁性層を有し
、他方の面上に、Ｃと、Ｎと、Ｓｉ、ＢおよびＰの１ｆ
！以上とを含み、Ｆと、Ｓｉ、ＢおよびＰの含有量の合
計が５〜４０ａｔ％、（Ｓｉ＋Ｂ＋Ｐ）／Ｆの原子比が
０．　２〜５であるプラズマ重合膜バックコート層を形
成したことを特徴とする磁気記録媒体である。

！■　発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。

本発明のプラズマ重合膜は、Ｃと、Ｆと、Ｓｉ、Ｂおよ
びＰの１種以上、より好ましくはＣと、Ｈと、Ｆと、Ｓ
ｉ、ＢおよびＰの１　ｆｉ以上とを含有する。

このとき、Ｆ、Ｓｔ％　ＢおよびＰの含有量の合計は５
〜４０ａｔ％、より好ましくは１０〜３５ａｔ％である
。

この値が５ａｔ％未満であると後述の（Ｓ　ｉ　＋Ｂ＋
Ｐ）／Ｆの比をコントロールしても十分な帯電防止性が
発現せず、４０ａｔ％を超えるとテープとしての耐久性
が不十分となるからである。

また、（ｓ　ｉ＋Ｂ＋Ｐ）／Ｆの原子比は０．２〜５、
より好ましくは０．３〜１３である。

この値がこの範囲を外れると、テープとしての十分な帯
電防止性が発揮でミなくなってしまう。

なお、Ｓｉ、ＢおよびＰの２種または３種が含有される
場合その量比は任意である。

Ｓｉ、ＢおよびＰの１種以上とＦ以外の残部はＣ単独で
あっても、ＣとＨとから構成されていてもよい。

ＣとＨとを含有する場合、Ｈ／Ｃの原子比は通常２以下
、特に０．０５〜２程度である。

なお、プラズマ重合膜中のＣ，Ｓｉ、Ｂ、Ｐ、Ｆ、Ｈお
よびその他の元素の含有量の分析は、ＳＩＭＳ（２次イ
オン質量分析）等に従えばよい、　　ＳＩＭＳを用いる
場合、本発明のプラズマ重合膜は膜厚５〜２００人にて
好適に用いられるので、プラズマ重合膜表面にて、Ｃ１
Ｓｉ、Ｂ％Ｐ、Ｆ、Ｈおよびその他の元素をカウントし
て算出すればよい。

あるいは、Ａｒ等でイオンエツチングを行いながら、Ｃ
％Ｓｉ、８％　Ｐ、Ｆ％Ｈおよびその他の元素のプロフ
ァイルを測定して算出してもよい。

ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座　第３ｔ
＆（１９８４）表面分析の基礎と応用（Ｐ２Ｏ）　　Ｓ
ＩＭＳおよびＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。

このような組成で形成されるプラズマ重合膜バックコー
ト層の膜厚は、５〜２００人、より好ましくは２０〜１
００人であることが好ましい。

この膜厚が２００人を超えると、成膜時の内部応力が膜
中に残留し、膜自体の強度が低下し、媒体の破断強度が
低下し、しかもプラズマ重合膜自体が硬いためフレキシ
ブルな媒体としての耐久性に劣り、バックコートケズレ
が生じ、ドロップアウトが発生し易い。

また、バックコート層を設けないか、設けたとしてもそ
の膜厚が５人未満であると、本発明の実効がなく、耐久
性や耐スクラッチ性が低下し、ベースケズレないしバッ
クコートケズレを生じ、ドロップアウトが発生し易い。

　また、機械的強度、破断強度も不十分であり、面状態
の悪化等の不都合を生じる。

なお、膜厚の測定は、エリプソメーター等を用いればよ
い。

また、このような膜厚の制御は、プラズマ重合膜形成時
の反応時間、原料ガス流量等を制御すればよい。

本発明のプラズマ重合膜に用いる原料ソースとしては、
通常、上記の各元素を含むソースを複数組み合せて用い
ればよい。

使用可能なソースとしては下記のものが挙げられる。

（１）シロキサン テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、オクタ
メチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロシ
ロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキ
シジシロキサン、トリエトキシビニルシラン、ジメチル
エトキシビニルシラン、トリメトキシビニルシラン、メ
チルトリメトキシシラン、ジメトキシメチルクロロシラ
ン、ジメトキシメチルシラン、トリメトキシシラン、ジ
メチルエトキシシラン、トリメトキシシラノール、ハイ
ドロキシメチルトリメチルシラン、メトキシトリメチル
シラン、ジメトキシジメチルシラン、エトキシトリメト
キシシラン、ビス（２〒クロロエトキシ）メチルシラン
、アセトキシトリメチルシラン、クロロメチルジメチル
エトキシシラン、２−クロロエトキシトリメチルシラン
、エトキシトリメチルシラン、ジェトキシメチルシラン
、エチルトリメトキシシラン、トリス（２−クロロエト
キシ）シラン、ジメトキシメチル−３，３，３−トリフ
ルオロプロピルシラン、１−クロロメチル−２−クロロ
エトキシトリメチルシラン、アリルオキシトリメチルシ
ラン、エトキシジメチルビニルシラン、イソプロフェノ
キシトリメチルシラン、３−クロロプロピルジメトキシ
メチルシラン、クロロメチルジェトキシメチルシラン、
トリエトキシクロロシラン、３−クロロプロピルトリエ
トキシシラン、ジェトキシジメチルシラン、ジメトキシ
−３−メルカプトプロピルメチルシラン、トリエトキシ
シラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、
３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ジェトキシメ
チルビニルシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、
ターシャリ−ブトキシトリメチルシラン、ブチルトリメ
トキシシラン、メチルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−
メチルアミノプロピル）トリエトキシシラン、ジェトキ
シジビニルシラン、ジェトキシジエチルシラン、エチル
トリエトキシシラン、２−メルカプトエチルトリエトキ
シシラン、３−アミノプロピルジェトキシメチルシラン
、ｐ−クロロフェニルトリエトキシシラン、フェニルト
リメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラ
ン、アリルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルト
リエトキシシラン、３−アリルアミノプロピルトリメト
キシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ヘキサトリ
メトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、３−メチルアクリルオキシプロピルトリメトキシシ
ラン、メチルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
ジェトキシメチルフェニルシラン、ｐ−クロロフェニル
トリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、テ
トラアリルオキシシラン、テトラプロポキシシラン、テ
トライソプロポキシシラン、ジメトキシジフェニルシラ
ン、ジェトキシジフェニルシラン、テトラフェノキシシ
ラン、１，１，３．３−テトラメチルジシロキサン、ヘ
キサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン
、１，１．１．３，５，５゜５−へブタメチルトリシロ
キサン、ヘキサエチルシクロトリシロキサン、１，３．
５−トリメチル−１，３，５−トリフェニルシクロトリ
シロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘ
キサメチルシクロシロキサン等。

（２）シラン シラン、ビニルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシ
ラン、メチルチオトリメチルシラン、ジメチルプロピル
クロロシラン、ジアリルジクロロシラン、ブチルジメチ
ルシラン、テトラエチルシラン、ヘキサメチルジシラン
、テトラメチルシラン、ジエチルシラン、エチニルトリ
メチルシラン、アリルジメチルクロロシラン、トリメチ
ルビニルシラン、ジエチルメチルシラン、ジメチルアミ
ノトリメチルシラン、トリエチルシラン、アリルトリメ
チルシラン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシ
ラン、フェニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラ
ザン、１．１．３．３−テトラメチルジシラザン、１，
１，３，３，５．５−へキサメチルシクロトリシラザン
、１，１，３，３，５゜５．７．７−オクドメチルシク
ロテトラシラザン等。

（３）炭化水素 通常操作性の良いことから、常温で気体のメタン、エタ
ン、プロパン、ブタン、ペンタン、エチレン、プロピレ
ン、ブテン、ブタジェン、アセチレン、メチルアセチレ
ン、その他の飽和ないし不飽和の炭化水素の１　ｆｆｆ
ｉ以上。

（４）フッ化炭素あるいはフッ化炭化水素テトラフロロ
メタン、オクタフロロプロパン、オクタフロロシクロブ
タン、テトラフロロエチレン、ヘキサフロロプロピレン
、トリフロロクロロメタン、ジフロロメタン、トリフロ
ロブロモメタン、ジフロロエタン、テトラフロロエタン
等の１１ｆｆｉ以上。

（５）リン化合物 ホスフィン、リン酸エステル等。

（６）ボロン化合物 ジボラン、トリフッ化ボラン等。

（７）その他 Ｎ２　、ｏ、　、０３　ｓ　Ｎ２０、Ｎ２．Ｎｏ。

Ｎ２０、Ｎｏ２などのＮｏ、　、ＮＨ３、Ｃｏ、ＣＯ２
等の１ｉｉｉ以上をソースに加えて用いても好適である
。

上記したように、ソース中にはＯ，Ｂｒ。

０℃等が含有されていてもよい。

さらに必要に応じて、原料にＳ％Ｎ等のソースを微量成
分として添加することもできる。

これらソースの使用量比は、目的とするプラズマ重合膜
組成に応じ、適宜設定することができる。

プラズマ重合膜は、前述の原料ガスの放電プラズマを基
板に接触させることにより重合膜を形成するものである
。

プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間距離が非常に大きいため、電界
加速を受け５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度）
を獲得する。

この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イオン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定の化字種に解離させる。

解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解離させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。　そしてこれはプラズマガスと呼ばれ
ている。

気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。

このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の悲運ｗＪ（ガス温度）が分離した系は低温プラズマ
と呼ばれ、ここでは化字種が比較的原型を保ったまま重
合等の加酸的化学反応を進めつる状況を創出しており、
本発明はこの状況を利用して基板上にプラズマ重合膜を
形成しようとするものである。　なお低温プラズマを利
用するため、基板への熱影響は全くない。

基板表面にプラズマ重合膜を形成する装置例が第１図に
示しである。　第１図は、周波数可変型の電源を用いた
プラズマ重合装置である。

第１図において、反応容器Ｒには、原料ガス源５１１ま
たは５１２から原料ガスがそれぞれマスフローコントロ
ーラ５２１および５２２を経て供給される。ガス源５１
１または５１２から別々のガスを供給する場合は、混合
器５３において混合して供給する。

原料ガスは、各々１〜２５０　ｍＩＬ／分の流量範囲を
とりつる。

反応容器Ｒ内には、基板支持装置が設置され、ここでは
磁気テープ用の基板の処理を目的として、繰出しロール
５６１と巻取りロール５６２が示しである。

基板を間に挟んで対向する電極５５１．５５２が設けら
れており、一方の電極５５１は例えば周波数可変型の電
源５４に接続され、他方の電極５５２は接地されている
。

さらに、反応容器Ｒ内には、容器内を排気するための真
空系統が配備され、そしてこれは液体窒素トラップ５７
、油回転ポンプ５８および真空コントローラ５９を含む
、　　これら真空系統は反応容器内を０．０１〜１０　
　Ｔｏｒｒの真空度の範囲に維持する。

操作においては、反応容器Ｒ内がまず１Ｏ−３Ｔｏｒｒ
以下になるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、そ
の後原料ガスが所定の流量において容器内に混合状態で
供給される。

このとき、反応容器内の真空は０．０１〜１０Ｔｏｒｒ
の範囲に管理される。

基板のＢ行速度ならびに原料ガスの流量が安定すると、
電源がオンにされる。　こうして、移行中の基板両面に
プラズマ重合膜が形成される。

なお、電極の形状により基板片面にプラズマ重合膜を形
成することもできる。

また、キャリアガスとして、Ａｒ、Ｎ２゜Ｈｅ、Ｈ２な
どを使用してもよい。

なお、印加電流、処理時間等は通常の条件とすればよい
。

プラズマ発生源としては、高周波数放電の他に、マイク
ロ波放電、直流放電、交流放電等いずれでも利用できる
。

このようなプラズマ重合膜は、基板上、特にプラズマ処
理された基板上に形成されることが好ましい。

基板表面をプラズマ処理することによって、基板とプラ
ズマ重合膜との接着力が向上する。

基板表面のプラズマ処理法の原理、方法および形成条件
等は前述したプラズマ重合法のそれと基本的には、はぼ
同一である。

ただし、プラズマ処理は原則として、無機ガスを処理ガ
スとして用い、他方、前述したプラズマ重合法によるプ
ラズマ重合膜の形成には原則として、有機ガス（場合に
よっては無機ガスを混入させてもよい）を原料ガスとし
て用いる。

本発明のプラズマ処理ガスとしては、特に制限はない。

さらに、プラズマ処理電源の周波数については、特に制
限はなく、直流、交流、マイクロ波等いずれであっても
よい。

このように、より好ましい態様としてプラズマ処理され
た基板上には、前述のプラズマ重合膜が形成される。

また、本発明の磁気記録媒体には、基板と磁性層との間
に下地層を有することが好ましい、この下地層は公知の
原料をプラズマ重合、スパッタリング等の方法で形成し
たものでよい。

本発明の磁気記録媒体に用いる磁性層は従来公知のもの
でよく、磁性粒子、バインダー、そして必要なその他の
成分を含有する。

磁性粒子としては、通常の磁気記録媒体に用いられるも
のはいれずも適用可能であり、金属磁性粒子、コバルト
被着酸化鉄粒子、γ−Ｆｅ、０３粒子、バリウムフェラ
イト粒子、Ｃｒ０ｚ等いずれのものを用いてもよい。

また、バインダーも通常の磁気記録媒体に用いられてい
るのはいずれも適用可能であり、放射線硬化性樹脂、熱
硬化性樹脂、反応型樹脂、熱可塑性樹脂等いずれのもの
を用いてもよい。

このような磁性層については、特開昭６２−３８５２２
号公報等に詳述されている。

なお、磁性層としては、上記の塗布型の磁性層の他、場
合によっては、公知の各種金属薄膜型の磁性層を用いて
もよい。

また、このような磁性層は、基板上に直接、あるいは前
述のプラズマ重合膜層等の下地層を介して形成される。

なお、本発明の磁気記録媒体に用いられる基板の材質と
しては、非磁性プラスチックであれば特に制限はないが
、通常は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン
２．６−ナフタレート等のポリエステル等を用いる。　
また、その形状、寸法、厚さには制限はなく、用途に応
じたものとすればよい。

■　発明の具体的作用効果 本発明の磁気記録媒体は、種々の用途に用いられ、有用
である。

本発明によれば、基板上に、Ｃと、Ｆと、Ｓｉ、Ｂおよ
びＰの１種以上の元素とを含むプラズマ重合膜バックコ
ート層を設け、これと他方の面上に、直接あるいは下地
層、中間層を介して好ましくは塗布膜からなる磁性層を
形成して磁気記録媒体が構成される。

そのため、帯電防止性が高く、摩擦係数が小さく、円滑
で安定な走行性を示し、耐摩耗性、機械的強度、耐久性
、耐スクラッチ性が高く、カールが少ないなどの特性に
優れ、スキューやベースケズレが少なく、おかれた環境
、条件に対して安定である。　　しかもプラズマ重合膜
は乾燥工程を必要としないため、製造上も有利であり、
製造コストも低順となる。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ 厚さ１４μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
製の基板を第１図に示される真空チャンバ中に入れ、連
続搬送しながら、−旦ｆ　Ｏ’　Ｔｏｒｒの真空に引い
た後、処理ガスとして０２、キャリアガスとしてＡｒを
用い、０２含有量＝１０％、流量：５０１１１Ｊ２／分
にてガス圧０、ＩＴｏｒｒに保ちながら１００にＨｚの
高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、基板表面をプ
ラズマ処理した。

その後、さらに表１に示す条件にてプラズマ重合膜バッ
クコート層を形成した。

なお、サンプルＮｏ９はバックコート層を形成しないも
のである。

これらのプラズマ重合膜の元素分析はＳＩＭＳで測定し
、また膜厚はエリプソメーターにて測定した。

結果を表１に示す。

また、このようなバックコート層を形成した他方の面上
に、下記に示される磁性層を形成した。

（磁性層の形成） コバルト被着γ−Ｆｅ２０３ （長軸０．４．ｕｎ、短軸０．００５μｍ。

Ｈｃ　　６００　０ｅ）　　　１２０重量部カーボンブ
ラック （帯電防止用、三菱カーボンブラック ＭＡ−６００）　　　　　　　　　５重量部ａ　−Ａ　
１１２０３粉末（０，５μｍ粒状）２重量部 分散剤（大豆精製レシチン）　　３重量部溶剤（メチル
エチルケトン／トルエン ５０１５０）　　　　　　１００重量部上記組成物をボ
ールミル中にて３時間混合し、針状磁性酸化鉄を分散剤
によりよく湿潤させた。

アクリル二重結合導入飽和ポリエステル樹脂１０重量部
（固型分換算） アクリル二重結合導入塩酢ビ共重合体 １０重量部（固型分換算） アクリル二重結合導入ポリエーテルウレタンエラストマ
ー　　　１０重量部（固型分換算）溶剤（メチルエチル
ケトン／トルエン ５０１５０）　　　　　２００１ｉ量部潤滑剤（高級脂
肪酸変性シリコーンオイル）３重量部 上記バインダーの混合物をよく混合溶解させた。

これを先の磁性粉処理を行ったボールミル中に投入し、
再び４２時間混合分散させた。

このようにして得られた磁性塗料を上記のＰＥＴフィル
ム上に塗布し、永久磁石（１６００ガウス）上で配向さ
せ、赤外線ランプにより溶剤を乾燥させた後、表面平滑
化処理を行い、ＥＳＩ社製エレクトロカーテンタイプ電
子線加速装置を使用して、加速電圧１５０ＫｅＶ、電極
電流２０ｍＡ、全照射量１０Ｍｒａｄの条件でＮ２霊囲
気下にて電子線を照射し、塗膜を硬化させた。

得られたテープを１／２インチ巾に切断し、ビデオテー
プを得た。

これら各サンプルについて特性を測定した。

特性の測定は以下のとおりである。

（１）走行摩擦（μ） 初期の摩擦係数μを測定した。

（２）帯電量半減期 サンプルに５０００Ｖにて電荷をチャージし、帯電量の
半減期を測定した。

また、２０℃、６０％ＲＨにて２４時間保存後、同様の
測定を行った。

結果を表１に示す。

これらの結果から、本発明の効果が明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は直流、交流および周波数可変型電源を使用した
プラズマ処理製蓋の概略図である。 符号の説明 ５３・・・混合器、 ５８・・・油回転ポンプ、　　　　　　　　　　　　−
５１１，５１２・・・処理ガス源、 ５２１．５２２・・・マスフローコントローラ、５６１
．５６２ ・・・繰り出しおよび巻取りロール 出願人　　ティーデイ−ケイ株式会社 １１Ｉ□−、ト、 １　　　　　　】・ Ｌｎ−＼

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板の一方の面上に磁性層を有し、他方の面上に
   、Ｃと、Ｆと、Ｓｉ、ＢおよびＰの１種以上とを含み、
   Ｆと、Ｓｉ、ＢおよびＰの含有量の合計が５〜４０ａｔ
   ％、（Ｓｉ＋Ｂ＋Ｐ）／Ｆの原子比が０．２〜５である
   プラズマ重合膜バックコート層を形成したことを特徴と
   する磁気記録媒体。
2. （２）プラズマ重合膜バックコート層がさらにＨを含む
   請求項１に記載の磁気記録媒体。（３）プラズマ重合膜
   バックコート層の膜厚が５〜２００Åである請求項１ま
   たは２に記載の磁気記録媒体。