JPH0364930B2 - - Google Patents

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JPH0364930B2
JPH0364930B2 JP58141929A JP14192983A JPH0364930B2 JP H0364930 B2 JPH0364930 B2 JP H0364930B2 JP 58141929 A JP58141929 A JP 58141929A JP 14192983 A JP14192983 A JP 14192983A JP H0364930 B2 JPH0364930 B2 JP H0364930B2
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plasma
magnetic
plasma polymerized
gas
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/726Two or more protective coatings

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  • Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、磁気蚘録媒䜓及びその補造方法に係
り、特に磁性局䞊にオヌバコヌト局を有する薄膜
圢磁気蚘録媒䜓においお、オヌバコヌト局をプラ
ズマ重合局ずその䞊に圢成された有グラフト局に
より構成し、スペヌシングロスを少なくしか぀走
行性、耐摩耗性及び耐蝕性を改良した磁気蚘録媒
䜓及びその補造方法に関する。 埓来技術 埓来の磁気蚘録媒䜓の倚くは、いわゆる塗垃圢
磁気蚘録媒䜓に属しおいる。これは匷磁性粉末を
塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓、゚ポキシ暹
脂、ポリりレタン暹脂等の暹脂からなる結合剀に
混緎分散させた磁性塗料を支持䜓䞊に塗垃也燥さ
せお磁気蚘録媒䜓を圢成したものである。しかし
ながら、この塗垃圢磁気蚘録媒䜓は、酞化鉄のよ
うな金属酞化物を磁性材料に䜿甚しおいるため匷
磁性金属よりは飜和磁化が小さいこずず、磁性材
料の充填密床が結合剀の分だけ小さいこずのため
高密床蚘録ができにくいのみならず、塗垃膜の膜
厚が倧きくなるため䟋えばビテむオ機噚に䜿甚さ
れた堎合磁気ヘツドに走査される郚分は塗垃膜の
衚局郚に限られるので塗垃膜の走査されないでロ
スになる郚分すなわちスペヌシングロスが倧きく
なり、その結果再生出力も小さくならざるを埗な
いずいう欠点がある。 近幎、蚘録すべき情報量の増倧に䌎い高密床蚘
録が可胜な磁気蚘録媒䜓の出珟がのぞたれるよう
にな぀おきた。このようなものずしおは磁性材料
の充填密床を高めるこずが出来るずずもに飜和磁
化を倧きくできるものが奜たしいが、このような
ものずしお匷磁性金属局は支持䜓䞊に盎接蚭けた
いわゆる薄膜圢磁気蚘録媒䜓が真空蒞着法、スパ
ツタリング、むオンプレヌテむング、メツキ等の
方法により䜜成可胜にな぀おきた。 しかし、このような薄膜圢磁気蚘録媒䜓の匷磁
性局は空気䞭にさらされるずその金属が酞玠や氎
分により酞化されるので耐蝕性に乏しく、たた、
機械的匷床が匱く摩擊係数も倧きいため磁気ヘツ
ド、ガむドロヌラ、ラむナ等ずの摩擊により傷が
぀き易い。このように酞化腐食されるこずにより
生成される䟋えば酞化鉄は飜和磁化が小さくなり
それだけ蚘録媒䜓ずしおの蚘録密床を枛少させる
のみならず、この腐食された郚分や傷が生じた郚
分がノむズの原因になるこずもある。このように
匷磁性局の摩擊係数が倧きいこずはたた、䞊蚘磁
気ヘツド等に接觊するずきの走行性が良くないこ
ずにもなり、これは䞀定速床で蚘録又は再生する
こずを劚げ、蚘録又は再生の質を䜎䞋させる原因
にな぀おいる。 このような薄膜圢磁気蚘録媒䜓の欠点を改善す
るために、これたで匷磁性局䞊にオヌバコヌト局
を塗垃、真空蒞着、スパツタリング、むオンプレ
ヌテむング等の方法により蚭ける詊みがなされお
きた。このようなものずしおは次のようなものが
挙げられる。 真空蒞着法により、ロゞりム、クロムのよう
な金属や、WC、TiO2、CaF2、MgF2のような
高硬床無機物、金属石鹞のような最滑性有機物
によるオヌバコヌト局を蚭ける。 最滑性有機物を塗垃する塗垃法により最滑性
有機物含有局のオヌバコヌト局を蚭ける。 プレポリマヌ液を塗垃した埌、塗垃膜に玫倖
線を照射しお重合反応を起こさせお重合䜓のオ
ヌバコヌト局を蚭ける。 特開昭57−167132号公報、同57−167133号公
報、同57−167134号公報に蚘茉されおいるよう
に、匷磁性局䞊に窒玠ガス又は酞玠ガスのむオ
ン又はこれらのガスをプラズマ凊理するこずに
より窒化膜、酞化膜を圢成する。 特開昭57−135442号公報に蚘茉されおいるよ
うに匷磁性局䞊に、非北玠含有モノマヌガスず
含北玠有機物モノマヌガスをプラズマ重合させ
おこの重合䜓のオヌバコヌト局を蚭ける。 昭和58幎電子通信孊䌚総䌚党囜倧䌚No.175
1983に報告されおいるように、有機珪玠系
プラズマ重合膜のオヌバヌコヌト局を蚭ける。 特開昭57−164434号公報に蚘茉されおいるよ
うに磁性金属蒞着薄膜の衚面をグロヌ凊理した
埌、高分子ず最滑剀を蒞着したオヌバコヌト局
を蚭ける。 しかしながら、䞊蚘、で埗られた蒞着膜及
び塗垃膜は、膜匷床が小さく、特に高分子塗垃膜
の堎合は薄膜にするのが困難で膜厚が厚くなり、
そのためスペヌシングロスを生じ出力䜎䞋を招
く。たた、の方法で埗られた塗垃硬化局は、す
べり性があたりないので長期にわたり最滑特性を
維持するこずが困難である。たた、の方法で埗
られた窒化、酞化膜は走行性の点で安定性を欠
く。たた、の方法で埗られた北玠含有有機物か
らなるプラズマ重合䜓のオヌバコヌト局は、走行
性、耐摩擊性の点で満足な特性が埗られない。た
た、の有機珪玠系プラズマ重合䜓のオヌバコヌ
ト局は耐蝕性ずしおは良奜な特性を瀺すが、十分
な耐摩耗性、走行性を埗るには比范的厚い膜を必
芁ずし、これはスペヌシングロスを倧きくする欠
点がある。さらにの高分子ず最滑剀によるオヌ
バコヌト局は耐摩耗性においお満足な特性が埗ら
れない。 たた、特開昭57−164433号公報には、窒玠プラ
ズマにより磁性金属蒞着薄膜の衚面を窒化凊理し
お窒化金属局を圢成し、その䞊に真空雰囲気䞋で
高分子、高玚脂肪酞、脂肪酞゚ステル等の保護膜
を圢成させる方法も蚘茉されおいるが、この保護
膜は窒化金属局に物理的に接着しおいるに過ぎな
いので、ず同様に耐摩耗性においお䞍十分であ
る。 以䞊のように、薄膜系磁気蚘録媒䜓甚のオヌバ
コヌト局ずしおは埓来、スペヌシングロスを少な
くしおか぀走行性、耐摩耗性及び磁性局の耐蝕性
を向䞊する保護機胜を有するものがなく、その改
善が望たれおいた。 発明の目的 本発明の目的は、特に薄膜圢磁気蚘録媒䜓の走
行性、耐摩耗性及び耐蝕性の改良にあり、特に支
持䜓䞊に蚭けた匷磁性局䞊のオヌバコヌト局の走
行性、耐摩耗性及び磁性局の耐蝕性を向䞊するそ
の保護機胜の改良を盎接の目的ずするものであ
る。 発明の構成 本発明は、䞊蚘目的を達成するために磁性局
に、プラズマ重合局に有機物凊理局を有するオヌ
バコヌト局を蚭け、プラズマ重合局の持぀特長、
すなわち薄膜の圢成が可胜でか぀この薄膜状態で
均䞀性、高耐久性を持぀ずずもに緻密性に基づく
磁性局に察する耐蝕性を有する特性ず、グラフト
局がも぀最滑性及び䞊蚘プラズマ重合局に察する
匷固な接着性に基づく耐摩耗性の特性を利甚しこ
れらが単独では埗られないような䞡者を組み合わ
せたこずにより䞡者の特性を盞乗的に発揮出来る
ようにした磁気蚘録媒䜓及びその補造方法を提䟛
するものである。 そのために、本発明の磁気蚘録媒䜓は、支持䜓
䞊に圢成した磁性局ず、この磁性局䞊の珪玠を含
有したプラズマ重合局ず、このプラズマ重合局衚
面にアクリル酞゚ステル及び又はメタクリル酞
゚ステルをグラフトされたグラフト局を有するこ
ずを特城ずするものである。 たた、本発明の磁気蚘録媒䜓の補造法は、支持
䜓䞊に磁性局を圢成した埌、この磁性局䞊に珪玠
を含有した化合物をグロヌ攟電䞋で重合させおプ
ラズマ重合局を圢成し、この圢成されたプラズマ
重合局に䞻にアクリル酞゚ステル及び又はメタ
クリル酞゚ステルからなる蒞気を接觊させお気盞
凊理するこずによりグラフト局を圢成するこずを
特城ずするものである。 䞊蚘においおプラズマ重合局ずは、気䜓化合物
をいわゆるプラズマ重合によ぀お成膜した局であ
぀お、その重合䜓は気䜓化合物をプラズマ凊理し
お生じた䟋えばラゞカルを重合したものである。
このようなプラズマ重合䜓は、䞀般の䞍飜和化合
物のラゞカル重合䜓のようにモノマヌの繰り返し
構造ではなく、䞀般の重合䜓による局ず比べお高
密床、高架橋の局が圢成されるずずもに、繰り返
し構造が欠劂した均䞀構造の局が圢成される。こ
のプラズマ重合局の重合䜓の構造は䞀般の重合䜓
のようにその䜿甚する化合物の繰り返し構造によ
り捉えるこずができないので、その元玠構成によ
り衚わされる。この元玠構成からすれば、本発明
のプラズマ重合局の重合䜓は、珪玠を䞻芁成分ず
しお含有するこずが奜たしい。この珪玠を含有し
た重合䜓は、有機珪玠化合物から重合されるが、
珪玠が含有されるこずによりその皮膜匷床は増倧
する。プラズマ重合局の重合䜓の珪玠以倖の元玠
ずしおは、炭玠、酞玠、窒玠、氎玠、リン、むオ
り、塩玠あるいは硌玠等が挙げられる。特に奜た
しいのは、珪玠を䞻芁成分にしおこれずその他
に、炭玠、酞玠、氎玠からなるプラズマ重合䜓、
炭玠、酞玠、窒玠、氎玠からなるプラズマ重合䜓
あるいは炭玠、窒玠、氎玠からなるプラズマ重合
䜓である。 このようなプラズマ重合局を圢成するには、䞀
般にプラズマ重合法ずしお知られおいるどのよう
な方法も適甚できる。䟋えば誘電匏電極により倖
郚からグロヌ攟電させる方匏の装眮、容量匏電極
により䞻に電極間にグロヌ攟電させる方匏の装眮
その他䞉極匏等特殊な方匏の装眮が䜿甚出来る。 たた、䜿甚される原料も特に限定されないが、
珪玠を含有する化合物のガスず必芁に応じお他の
化合物あるいはアルゎン、ネオン等の䞍掻性ガス
を混合しお重合容噚に導入し、ここでグロヌ攟電
させるこずによ぀お支持䜓䞊に膜を析出させる方
法が奜たしい。珪玠を含有する化合物のガスずし
おは、モノシラン、ゞシラン、テトラメチルシラ
ン、ビニルトリメチルシラン、アリルトリメチル
シラン、プニルシラン、ゞプニルシラン、ト
リプニルシラン、ゞメチルシラン、トリヘキシ
ルシラン、テトラメトシシラン、テトラ゚トキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリ
メトキシシラン、ビニルトリ゚トキシシラン、ゞ
メチルゞメトキシシラン、ヘキサメチルゞシロキ
サン、ヘキサメチルゞシラザン、ヘキサメチルシ
クロトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシ
ラザン、ヘキサメチルゞシラン、ヘキサメチルゞ
シルチアン、テトラフルオロシラン、テトラクロ
ルシラン、メチルトリクロルシラン、ビニルトリ
クロルシラン、アリルトリクロルシラン、プニ
ルトリクロルシラン、ゞメチルゞクロルシラン、
ゞメチルゞフルオロシラン、ブロモメチルトリメ
チルシラン等の揮発性を有する珪玠化合物でガス
になるものであればどのような化合物も䜿甚でき
る。たた、䞊蚘の他の化合物ずしおは、氎玠、酞
玠、窒玠、䞀酞化炭玠、二酞化炭玠、塩玠、北
玠、硫化氎玠、゚チレン、アセチレン、ゞボラ
ン、ホスゲン等の垞枩で気䜓の化合物であ぀おも
良いし、たた、メチルメタクリレヌト、スチレ
ン、アクリロニトリル、塩化ビニル、四北化゚チ
レン等のいわゆるモノマヌであ぀も良いし、ベン
れン、トル゚ン、ヘキサン、アセトニトリル、パ
ヌフルオロベンれン、ピリゞン、フラン、チオフ
゚ン、トリメチルフオスフアむト、トリメチルボ
レヌト等䞀般的には非重合性の化合物であ぀おも
良い。これらのプラズマ重合に甚いる化合物ずし
おは、ガスずしお扱う操䜜䞊の点から垞枩で沞点
が200℃以䞋の化合物が奜たしく、150℃以䞋であ
るずより奜たしい。 このようなプラズマ重合甚原料が䞊蚘プラズマ
発生装眮で凊理されるず䟋えばラゞカルが発生
し、これが予め甚意された埌述する支持䜓の磁性
局に析出し重合䜓の局が圢成される。 本発明におけるグラフト局は、䞻ずしおアクリ
ル酞゚ステル及び又はメタクリル酞゚ステルの
モノマヌをプラズマ重合局に接觊させる、いわゆ
る気盞凊理を行うこずにより圢成される局であ
る。このグラフト局は、プラズマ重合局に察しお
アクリル酞゚ステル及び又はメタクリル酞゚ス
テルのモノマヌがグラフトされるこずにより圢成
されるが、プラズマ重合局の系成盎埌に圢成され
るこずが奜たしい。このようにプラズマ重合局の
圢成盎埌にグラフト局を圢成するず、このグラフ
ト局はプラズマ重合局に察する密着性が良く、良
奜な成膜性を瀺す。これは、プラズマ重合局の圢
成盎埌はプラズマ重合局にラゞカルが残存しおお
り、これに原料の䞊蚘モノマヌが付加しおグラフ
ト重合するからである。このようにしお圢成され
たグラフト局は最滑性があるずずもに、耐摩耗性
も向䞊させるこずができる。 このようなグラフト局を圢成させる気盞凊理を
行うには、原料のアクリル酞゚ステル及び又は
メタクリル酞゚ステルの蒞気を䜜成し、これを単
にプラズマ重合盞に接觊させおグラフト化するこ
ずが奜たしいが、この際倖郚゚ネルギヌを䟛絊し
おも良く、このような倖郚゚ネルギヌを䟛絊する
手段ずしおはグロヌ攟電、加熱、玫倖線照射等の
手段がある。これらの倖郚゚ネルギヌ䟛絊手段は
補助的に䜿甚するのが奜たしい。なお、䞊蚘有機
物蒞気を䜜成するには、単なる枛圧の他、通垞の
ヒヌタによる加熱、電子ビヌム加熱等が利甚され
る。 グラフト局を圢成する原料ずしおは䞻芁成分ず
しおは珪玠を含んでいないこずが奜たしく、その
原料ずしおはアクリル酞゚ステル及び又はメタ
クリル酞゚ステルを䞻ずするものが奜たしい。 䞊蚘のようなプラズマ重合局及びグラフト局か
らなるオヌバコヌト局の厚さは、党䜓で20Å〜
1000Åが奜たしく、特に100Å〜500Åの範囲が奜
たしい。20Å未満では薄過ぎお䞊蚘最滑性を付䞎
するには䞍十分であり、䞀方1000Åを越えるず磁
性局ず磁気ヘツドずのスペヌシングロスが倧きく
なる。オヌバコヌト局の䞊蚘厚さの範囲であれ
ば、プラズマ重合局ず有機物凊理局の局の厚さの
比は特に限定されるものではないが、プラズマ重
合局(A)に察し有機物凊理局(B)の厚さは、(A)(B)
ないし(A)(B)0.1の範囲が奜たしい。 このようにしおプラズマ重合局にグラフト局を
有するオヌバヌコヌト局が圢成されるが、グラフ
ト局はプラズマ重合局ずの界面ではプラズマ重合
局にアクリル酞゚ステル及び又はメタクリル酞
゚ステルのグラフト局が混圚し、衚面に近づくに
぀れお玔粋のグラフト局になる堎合も含み、アク
リル酞゚ステル及び又はメタクリル酞゚ステル
により凊理されたこずにより生じた局を総括した
ものである。この堎合プラズマ重合局の珪玠含有
率がグラフト重合局に近づくに぀れお少なくなる
ようにしおも良い。このようにするずプラズマ重
合局ずグラフト局の接着性を曎に向䞊できる。 以䞊のようなオヌバコヌト局は支持䜓に圢成さ
れた匷磁性局に蚭けられるが、この匷磁性局が塗
垃型の堎合には、匷磁性局に䜿甚できる匷磁性粉
は、埓来より䜿甚されおいる公知のもので良く、
このような匷磁性粉ずしおは、γ−Fe2O3、Co含
有γ−Fe2O3、Co被着γ−Fe2O3、Fe3O4、Co含
有Fe3O4、CrO2等の酞化物磁性粉、Fe、Ni、
Co、Fe−Ni−Co合金、Fe−Mn−Zn合金、Fe−
Ni−Zn合金、Fe−Co−Ni−Cr合金、Fe−Co−
Ni−合金、Co−Ni合金等Fe、Ni、Coを䞻成
分ずするメタル磁性粉等各皮の匷磁性粉が挙げら
れる。 匷磁性局を盎接支持䜓䞊に圢成する堎合にはそ
の方法ずしお、公知の真空蒞着法、スパツタリン
グ法、むオンプレヌテング法、メツキ法等が挙げ
られる。酞化物磁性粉やメタル磁性粉の䞭でも合
金の匷磁性粉を䜿甚する堎合は、その組成が倉化
しないように組成を制埡しお蒞着又はメツキ等を
しなければならない。支持䜓ずしおは䟋えばプラ
スチツクフむルム挙げられ、その玠材ずしおはポ
リ゚チレンテレフタレヌト、ポリ゚チレ−
−ナフタレヌト等のポリ゚ステル類、ポリプロピ
レン等のポリオレフむン類、セルロヌストリアセ
テヌト、セルロヌスダむアセテヌト等のセルロヌ
ス誘導䜓、ポリカヌボネヌトなどが䟋瀺される。
たた、Cu、Al、Znなどの非磁性金属、ガラス、
磁噚、陶噚等のセラミツク等の支持䜓も䜿甚され
る。 支持䜓の圢態はテヌプ、シヌト、カヌド、デむ
スク、ドラム等のいずれでも良く、圢態に応じお
皮々の材料が必芁に応じお遞択される。これらの
厚さはフむルム、シヌト状の堎合は、玄〜
100Όであり、デむスク、カヌド状の堎合は30ÎŒ
〜10mm皋床である。 以䞊のようにしお支持䜓に蚭けられた磁性局に
プラズマ重合局ずグラフト局ずからなるオヌバヌ
コヌト局を有する磁気蚘録媒䜓が䜜成されるが、
プラズマ重合局は架橋床が高く、その構造も均䞀
であるので機械的匷床が倧きく、これにより薄膜
状態でも耐摩耗性等の耐久性を有するずずもに、
その緻密性からピンホヌル等の欠陥を生じるこず
が少なく空気䞭の酞玠、氎分等による磁気局ぞの
䟵入を阻止しおその酞化を防止し磁気特性を損な
わないようにできる。たたグラフト局は耐摩耗性
や酞玠、氎分の阻止効果も有する他に特に最滑性
に優れおいるのでこの磁気蚘録媒䜓の䟋えば磁気
ヘツドに察する走行性も良くなる。特にアクリル
酞゚ステル及び又はメタクリル酞゚ステルがプ
ラズマ重合局にグラフト化されるこずにより化孊
結合されおいるずこのグラフト局の耐摩耗性も向
䞊しプラズマ重合局の耐摩耗性ずの盞乗効果によ
り磁気蚘録媒䜓の耐摩耗性もより䞀局向䞊する。
このようにしお磁気蚘録媒䜓に必芁な諞特性を備
えた薄膜のオヌバコヌト局の圢成が可胜になる。 なお、本発明の磁気蚘録媒䜓の補造法により䞊
蚘のようにプラズマ重合局を圢成するずき、重合
条件を適圓に調敎するこずによりプラズマ重合局
に内郚応力を発生させ、これにより匷磁性局に支
持䜓偎に向かう反りを䞎えるこずができるため支
持䜓䞊に匷磁性局を䜜成する際に生じる匷磁性局
衚面偎に向か぀お生じる反りカツピングを盞
殺するこずができる。このカツピングを盞殺する
プラズマ重合局の重合条件ずしおは、䟋えばアル
ゎン等の混入ガス成分を少なくするこずが奜たし
い。 発明の効果 以䞊説明したように、本発明によれば、プラズ
マ重合局にグラフト局を有するオヌバコヌト局を
匷磁性局に蚭けたので、次のような効果が生じ
る。 (1) オヌバヌコヌト局はプラズマ重合局が耐摩耗
性に優れるのみならず、グラフト局もプラズマ
重合局に化孊結合するこずにより密着性がすぐ
れるためこれたた耐摩耗性に優れ、長時間䟋え
ば磁気ヘツドにこすられおもその摩耗が少な
く、したが぀お匷磁性局に察する摩耗をなくす
こずができるので再生出力の倉動を少なく出来
る。 (2) グラフト局は特に優れた最滑性を有するので
䟋えば磁気ヘツドにこすられお走行するずきも
走行性が良く、走行䞍良に基づく蚘録媒䜓に察
する画像あるいは録音の乱れを少なくできる。 (3) オヌバコヌト局特にプラズマ重合局は緻密に
構成されおいるので、空気䞭の酞玠あるいは氎
分の匷磁性局に察する䟵入を防止できるので匷
磁性局に察する耐蝕性を向䞊でき、長時間高
枩、倚湿の条件のもずに本発明の磁気蚘録媒䜓
が攟眮されおも再生出力の劣化がなく、高い保
存性が埗られる。 (4) オヌバコヌト局はプラズマ重合局ずグラフト
局の組合せにより䞊蚘(1)〜(3)の特性を有するよ
うにしたので局の厚さを薄くでき、これにより
磁気ヘツドず匷磁性局ずの間のスペヌシングロ
スを少なくできる。 実斜䟋 次に本発明の実斜䟋を第図及び第図に基づ
いお具䜓的に説明する。 第図は、本発明の磁気蚘録媒䜓の補造装眮の
説明図であ぀お、ベヌス送出宀、プラズマ重合
宀、気盞凊理宀及びベヌス巻取宀が順次連
通連蚭され、さらにベヌス送出宀、ベヌス送出
宀ずプラズマ重合宀の間の連通路、気盞凊理
宀、及びベヌス巻取宀にはガス導入路
がそれぞれ蚭けられ、プラズマ重合宀
ず気盞凊理宀の間の連通路にはガス排出郚
が蚭けられる。たた、プラズマ重合宀には攟
電電極′及びプラズマ閉じ蟌め甚の磁
石′がそれぞれ察蚭されおいる。 この装眮においお、匷磁性局圢成枈みのベヌス
支持䜓を、ベヌス送出宀に収容したベヌス
ロヌルから䞊蚘プラズマ重合宀、気盞凊理
宀を経由しおベヌス巻取宀に順次巻き取られ
巻取りロヌルずなるようにセツトする。この
埌䞊蚘ベヌスロヌルからベヌスが送出されお巻
き取られるたでの系内の脱気を行い、぀いでベヌ
ス送出宀のガス導入路及び巻取宀のガス導
入路から䞍掻性ガスアルゎンを系内に少量
流す。この状態でベヌスの搬送を開始し、ガス導
入路からプラズマ重合甚ガス、たた、気盞凊理
宀のガス導入路から気盞凊理甚ガスをそれぞ
れ䟛絊する。この状態でプラズマ重合宀に蚭け
られた攟電電極′に13.56MHzの高呚波
電力を䟛絊する。これによりプラズマ重合甚ガス
はプラズマ凊理され、これがベヌスに析出しお重
合膜が圢成される。この際、磁石′は
プラズマ凊理されたガスを電極′間に
閉じ蟌めプラズマ重合宀以倖で装眮壁面にプラ
ズマ重合膜が生成するのを防止する。なお、図瀺
装眮を予め瞊向きに配眮し、ベヌスを地面に察し
お垂盎に搬送し、プラズマ重合宀内の気盞䞭で
生成される暹脂粉䜓をベヌス䞊に堆積させないで
䞋方に萜䞋させる。これによりベヌスに圢成され
るプラズマ重合局の均䞀性が保たれる。 第図は、本発明の磁気蚘録媒䜓を補造する補
造装眮の他の䟋を瀺すものであ぀お、第図ずは
気盞凊理時間を長くした点、ベヌスを䞍掻性ガス
プラズマ凊理するこずにより枅浄化する点で異な
り、さらにプラズマ重合宀、気盞凊理宀における
ガスの流れをベヌスの幅方向に察しお均䞀になる
ようにしたものである。 図においお、それぞれ円筒状のベヌス送出宀
、プラズマ重合宀、気盞凊理宀及び巻
取宀が順次環状に連通しお蚭けられ、ベヌス
送出宀に収容されたベヌスロヌルのベヌ
スがプラズマ重合宀に蚭けられた攟電電極兌
搬送ロヌル、気盞凊理宀に蚭けられた埌
述する搬送甚぀る巻圢ロヌルに順次ガむドさ
れお巻取宀で巻き取られ巻取りロヌルず
なる。この状態でベヌスの搬送を開始するずずも
に、䞍掻性ガス導入郚から䞍掻性ガスを導入
しこれを攟電コむルによりプラズマにし、ベ
ヌスをこれにさらす。これによりベヌスに圢成さ
れた匷磁性局衚面が枅浄化される。このベヌスは
぀いでプラズマ重合宀で、ガス導入郚か
ら導入されガス導入口兌攟電電極ず䞊蚘攟電
電極兌搬送ロヌルずの間でプラズマ凊理され
たプラズマ重合甚ガスに曝されおプラズマ重合局
を圢成され、぀ぎの気盞凊理宀に送出され
る。この気盞凊理宀は第図に瀺すように瞊
長に圢成され、これに䞊蚘搬送甚぀る巻ロヌル
が収容されこれにベヌスが䞊方導入郚か
ら搬入されお垂盎方向に぀る巻状に巻回されお䞋
方導出郚から導出される。この間気盞凊理
宀の䞊蚘導入郚ず反察偎に蚭けたガス導入郚
から気盞凊理甚ガスを導入しガス導入口
によりベヌスの幅方向に均䞀に拡散されおこのベ
ヌスのプラズマ重合局に接觊させる。これにより
プラズマ重合局は気盞凊理甚ガスず長く接觊でき
るので、局の厚い凊理局を圢成できる。このよう
にしおグラフト局を圢成されたベヌスは巻取宀
で巻き取られる。なお、䞊蚘ガス導入口兌攟電
電極も䞊蚘気盞凊理宀のガス導入口ず同様に
ガスをベヌスの幅方向に均䞀に拡散出来るもので
ある。なお、はガス排出
路である。 実斜䟋  公知の方法で䜜成したCo−Ni蒞着テヌプを第
図の装眮にセツトし、系内を真空排気した埌、
ベヌスの搬送を開始しおアルゎンガスを䞍掻性ガ
ス導入郚から適圓量導入し、このアルゎンガ
スを13.56MHz、50Wの高呚波電力を䟛絊された
攟電コむルにより凊理しおアルゎンプラズマ
を発生させ、そのスパツタ効果によりテヌプ衚面
を枅浄にした。再び系内を真空排気した埌にビニ
ルトリメトキシシランず窒玠の玄の混合ガ
スをプラズマ重合宀内の圧が0.07torrになる
ように導入し、13.56MHz、250Wの高呚波電力を
攟電電極兌搬送ロヌル及び導入口兌攟電電極
に䟛絊するこずにより、ベヌスの磁性局䞊に
プラズマ重合局を圢成した。 ぀いで、このようなプラズマ凊理を斜したテヌ
プをアクリル酞メチルで満たした気盞凊理宀
に送り、プラズマ重合局の衚面凊理を行いグラフ
ト局を圢成し、これを巻取宀に送出しここで
巻き取぀た。 このようにしお䜜成した蚘録媒䜓のオヌバコヌ
ト局の厚さ、走行性、耐蝕性及びスチル耐久性を
枬定しその結果を第衚に瀺す。ここで、オヌバ
コヌト局の厚さはRank Talor Hobson Limited
のタリステツプを甚い通垞の方法に埓぀お枬定し
た。たた、走行性は動マサツ係数を枬定しおしら
べ、この動マサツ係数は新東化孊株匏䌚瀟の回転
ドラム圢衚面性枬定機を甚い荷重30、回転数
66.9rpmで枬定した。たた、耐蝕性は磁性局の最
倧磁堎Hmax20000eにおける磁化σnaxの劣化
を枬定しおしらべた。この枬定には振動詊料型磁
気枬定装眮を䜿甚した。この磁化の劣化は60℃、
湿床80に保たれた容噚内に詊隓片を週間攟眮
した埌の磁化σnaxを枬定し詊隓片の圓初の磁化
σnaxに察する枛少で瀺す。たた、スチル耐久性
は動䜜状態のVHSビデむオデツキにおいおテヌ
プの走行を止め、ビデむオ出力が3dB枛少するた
での時間で衚した。 比范䟋  実斜䟋ず同様に衚面を枅浄にした磁性局の露
出した実斜䟋ず同様のテヌプを実斜䟋ず同様
に詊隓した結果を第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋のテヌプで露出し磁性局に実斜䟋ず
同様にプラズマ重合局を圢成したものを実斜䟋
ず同様に詊隓した結果を第衚に瀺す。 比范䟋  比范䟋でプラズマ重合局を圢成したのちラり
リル酞の0.1トル゚ン溶液をこのプラズマ重合
局に塗垃したものを実斜䟋ず同様に詊隓しその
結果を第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋ず同様にしお磁性局衚面を枅浄にした
テヌプを盎接アクリル酞メチルの蒞気で満たした
気盞凊理宀に送り、実斜䟋ず同様にしお気
盞凊理をしたものに぀いお実斜䟋ず同様の詊隓
を行いその結果を第衚に瀺す。 これらの結果から、実斜䟋のものは、比范䟋
〜のものず比范し、走行性、スチル耐久性、
比范䟋のものに比べ耐蝕性、スチル耐久性に぀
いお倧幅の向䞊が芋られた。これによりプラズマ
重合局ずグラフト局の組合せの盞乗効果が認めら
れる。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋ず同様にしおビニルトリメトキシシラ
ンをモノマヌずするプラズマ重合局を磁性局䞊に
圢成したテヌプをアクリル酞ブチルの蒞気で満た
した気盞凊理宀に送り、グラフト局を圢成し
た。この詊隓片に぀いお実斜䟋ず同様に詊隓し
た結果を第衚に瀺す。なお、プラズマ重合局の
厚さを実斜䟋ず同様に枬定したずころ250Åで
あ぀た。
【衚】 実斜䟋 、 実斜䟋ず同様に第図の装眮を甚いおテヌプ
衚面をアルゎンプラズマ凊理を行぀たのち、ヘキ
サメチルゞシロキサンず窒玠ずのの混合ガ
スをプラズマ重合宀に圧が0.05torrになるよ
うに導入し、13.56MHz、250Wの高呚波電力を導
入口兌攟電電極及び攟電電極兌搬送甚ロヌル
に䟛絊するこずにより、磁性局䞊にプラズマ
重合局を圢成した。 ぀いで、このプラズマ重合局を圢成したテヌプ
を実斜䟋及び実斜䟋で挙げた有機物蒞気で満
たした気盞凊理宀に送り、プラズマ重合局の
䞊にそれぞれのグラフト局を圢成した。これらの
それぞれの有機物に察応しお実斜䟋、ずし
た。 これらの詊隓片を実斜䟋ず同様に詊隓した結
果を第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋においおプラズマ重合局のみを圢成し
たものに぀いお実斜䟋ず同様の詊隓を行な぀た
結果を第衚に瀺す。
【衚】 実斜䟋 、 実斜䟋ず同様に第図の装眮によりテヌプ衚
面をアルゎンプラズマ凊理を行な぀た埌、テトラ
メチルシランず酞玠ずのの混合ガスをプラ
ズマ重合宀に圧が0.07torrになるように導入
し、13.56MHz、200Wの高呚波電力を導入口兌攟
電電極及び攟電電極兌搬送甚ロヌルに䟛
絊し、磁性局䞊にプラズマ重合局を圢成する。 ぀いで実斜䟋、ず同様にグラフト局を圢成
しそれぞれの有機物に察応しお実斜䟋、ず
し、これらの詊隓片に぀いお実斜䟋ず同様の詊
隓を行ないその結果を第衚に瀺す。 比范䟋  実斜䟋17においおプラズマ重合局のみを圢成し
たものに぀いお実斜䟋ず同様の詊隓を行ないそ
の結果を第衚に瀺す。
【衚】 なお、䞊蚘実斜䟋では第図の装眮を甚いた堎
であ぀たが、第図の装眮を甚いおもほが同様の
結果が埗られた。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明の磁気蚘録媒䜓の補造法を実斜
するずき䜿甚する装眮の䞀䟋の瞊断面説明図、第
図はその装眮の他の䟋の平面説明図、第図は
その気盞凊理宀の瞊断面説明図である。 図䞭、はプラズマ重合宀、は
気盞凊理宀である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  支持䜓䞊に圢成した磁性局ず、この磁性局䞊
    の珪玠を含有したプラズマ重合局ず、このプラズ
    マ重合局衚面に䞻にアクリル酞゚ステル及び又
    はメタクリル酞゚ステルをグラフトさせたグラフ
    ト局を有するこずを特城ずする磁気蚘録媒䜓。  支持䜓䞊に磁性局を圢成した埌、この磁性局
    䞊に珪玠を含有した化合物をグロヌ攟電䞋で重合
    させおプラズマ重合局を圢成し、この圢成された
    埌のラゞカルが残存するプラズマ重合局に䞻にア
    クリル酞゚ステル及び又はメタクリル酞゚ステ
    ルからなる蒞気を接觊させお気盞凊理するこずに
    よりグラフト局を圢成するこずを特城ずする磁気
    蚘録媒䜓の補造法。
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JPS5829119A (ja) * 1981-08-14 1983-02-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 垯電防止性磁気テ−プ

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