JPH0117468B2 - - Google Patents
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- JPH0117468B2 JPH0117468B2 JP57082130A JP8213082A JPH0117468B2 JP H0117468 B2 JPH0117468 B2 JP H0117468B2 JP 57082130 A JP57082130 A JP 57082130A JP 8213082 A JP8213082 A JP 8213082A JP H0117468 B2 JPH0117468 B2 JP H0117468B2
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd][Cd] RDVQTQJAUFDLFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
本発明は保護層の密着性を良好にしたサーマル
ヘツドに関する。 サーマルヘツドの電極として金を用いることは
一般的となつており、優れた電気伝導度を有する
反面、上から被着する保護層の密着性が良くない
という欠点を有することも知られている。 密着性を良好にせんとする試みは、例えば特公
昭54−6217号公報に開示されており、これは、金
属酸化物よりなる絶縁性保護膜と電気導体(電
極)との間にイオン化傾向順位が銅より大きく亜
鉛より小さい範囲の金属を介在させたものであ
る。金などの電気導体(電極)とクロムなどの介
在金属とは金属−金属の良好な密着をなし、ま
た、介在金属は酸化され易く、従つて、金属酸化
物よりなる保護膜とも良好な密着をなす、という
前記発明の思想は十分評価され得るものである。 しかし、介在させるということは、それだけ余
計な密着部分を形成することになり、製造工程を
増すばかりでなく、使用時の温度サイクルなどを
考慮すると、結局、剥離を心配しなければならな
いところがその分だけ増えることになる。 また、電極として金以外の金属、あるいは、金
を成分の一つとする合金で形成することも知られ
ている。前者の一例としてはアルミニウムなど
が、また、後者の例としては、特開昭57−47678
号公報に開示された金・マグネシウム、金・亜
鉛、金・カドミウムなどの金属間化合物が挙げら
れる。 しかし、これら金以外、あるいは、金を用いて
も金属間化合物を形成するほど多量に他の金属を
併用することは、金ゆえの電気的特性や安定性を
得られなくすることを意味してしまう。 そこで、本発明は金ゆえの長所を損なうことな
く、しかも、余計な密着部分を形成することなく
保護層の密着性を良好にすることを目的になされ
たものであり、その要旨は、耐熱性絶縁基材上
に、発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に通電する電極
と、金属酸化物を少くとも含む金属化合物よりな
る保護層とを有してなるサーマルヘツドにおい
て、前記電極を、イオン化傾向順位が銅より大き
くアルミニウムより小さい範囲内の金属及び/又
は前記保護層の成分と同一である金属を10%(モ
ル率)以下の量で含有する金の合金より形成した
ことを特徴とするサーマルヘツドにある。 以下、図面に示す本発明の一実施例に基づいて
説明する。 薄膜型サーマルヘツドの選択的発熱部近傍を示
す第1図において、参照符号1はアルミナセラミ
ツクスなどよりなる基材であり、表面を平担化し
蓄熱を良好にするための二酸化硅素などよりなる
グレーズ層2がその表面に形成されている。グレ
ーズ層2の上には、このグレーズ層を形成する成
分中の不純物による汚れを防止するためにスパツ
タリングなどの方法で二酸化硅素などよりなる薄
層3が形成されている、この薄層3はグレーズ層
2の一部と看做することもでき、基材1、グレー
ズ層2、薄層3を合わせて耐熱性絶縁基材と一般
に呼んでいる。耐熱性絶縁基材として、このほか
にも、ガラスあるいはガラス質を少くとも主要素
として用いたものなどもよく知られたところであ
る。 参照符号4は発熱抵抗体であり、チタンやクロ
ムなどの金属の硅化物、窒化タンタル、シリコン
酸化物を含むタンタル化合物など大きな比抵抗を
有する材料からなり、スパツタリングなどの方法
で薄層3の上に実質的全面被覆した後、フオトリ
ソなどの方法でパターン化されている。 参照符号5,6は電極であり、発熱抵抗体4と
同様フオトリソなどの方法でパターン化されてい
る。電極5は例えばタングステン、モリブデンと
いつた高融点金属よりなり、金を主とする合金よ
りなる電極6と発熱抵抗体4との拡散による性能
劣化を防止すること、及び、電極6の密着性向上
などを主目的として形成されたものであり、電極
としての働きを積極的に担うものではなく、存在
必須のものではない。電極6については詳細を後
述する。 参照符号7,8は保護層であり、発熱抵抗体4
の酸化防止などを主目的とする内層7と耐摩耗を
主目的とする外層8とよりなつており、スパツタ
リングなどの方法で形成されている。内層7とし
ては、例えば二酸化硅素、五酸化タンタルなどの
金属酸化物、また、外層8としては、例えば炭化
硅素、α−アルミナなどからなるが、複層とせず
に混在層としたり、あるいは、層厚の適宜設定や
五酸化タンタルなどのように内層7と外層8との
両方の主目的を満足するものもあることにより、
保護層は、金属酸化物だけ、あるいは、これを含
む単層とすることもできる。 さて、本発明の要点である電極6について説明
する。電極6が金を主とする合金よりなることに
ついては前述したが、この、金とともに合金を形
成する金属(以下、合金成分という)は、イオン
化傾向順位が銅より大きくアルミニウムより小さ
い範囲内の金属Aか、あるいは、保護層の成分と
同一である金属Bでなければならない。勿論、前
述したように複層の保護層7,8となつている場
合には内層7が対応する。また、合金成分として
の金属A、金属Bは純金属でなく、それぞれ主成
分としてほかの金属との合金金属である場合もあ
り、金属Aと金属Bとが同一である場合や併用さ
れる場合もある。換言すると、合金成分は酸化さ
れ易い金属が、保護層の成分と同一の金属という
ことになるが、これは、保護層が金属酸化物か、
これを含む金属化合物よりなつているという前述
したところによる。 更に、合金成分の存在割合は全体に占めるモル
率で10%以下でなければならない。この範囲を越
えると金の長所を損なう。逆に、合金成分の存在
割合は10%以下ならば、例えば0.1%といつたよ
うに相当小さくても十分に保護層の密着性を良好
に保つことができる。 電極6の形成方法は湿式、乾式いずれでも可能
である。例えば電気めつきの場合、めつき液とし
て金及び合金成分のシアン化物やキレート化合物
を使用し、使用割合や電流密度の制御により、電
極中の合金成分の存在割合を制御できる。合金成
分化合物の使用割合を大きくし、電流密度を小さ
くすると、概して良好である。但し、めつき液の
安定性を考慮し、合金成分化合物の使用割合をあ
まりに大きくすることは好ましくない。また、ス
パツタリングの場合、ターゲツトとして金と合金
成分の合金を使用する。あるいは、単に金と合金
成分とを貼り合わせただけのターゲツトであつて
もよい。制御は、ターゲツトにおける合金成分の
存在割合、あるいは、ターゲツトとしてのそれぞ
れの占有面積割割合を決めることでなせる。本発
明者らの検討によると、電気めつきとスパツタリ
ングとの比較において、電気めつきの方が保護層
の密着性をより良好にすることができた。 ところで、思想は同一であつても、本発明で適
用される合金成分たる種々金属の中には相対的に
大きな効果を奏するものと、そうでないものがあ
る。ニツケル、硅素、アルミニウム、銅、チタ
ン、クロム、鉄、コバルト、タンタルなどが比較
的好ましく、中でもニツケルは特に好ましい。こ
の理由は定かではないが、保護層の成分との関係
は当然あると思われる。また、保護層の形成方法
とも関係があると思われる。即ち、前述したよう
に、保護層をスパツタリングなどの方法で形成す
る場合、概して比較的低圧、高温条件でなされる
ことになるが、このような場合、蒸気化の影響も
生じるであろう。前述したような金属は金に近傍
の蒸気圧曲線を有している。 次に、合金成分としてニツケルを使用し、電気
めつきによつて電極6を形成したときの例を表−
1に示す。尚、基材1はアルミナセラミツクス、
グレーズ層2は二酸化硅素型ペーストの焼成物、
薄層3は二酸化硅素、発熱抵抗体4は窒化タンタ
ル、電極5はモリブデン、保護層のうち内層7は
二酸化硅素、外層8は炭化硅素とし、グレーズ層
2以外の薄層3などはスパツタリングにより形成
した。
ヘツドに関する。 サーマルヘツドの電極として金を用いることは
一般的となつており、優れた電気伝導度を有する
反面、上から被着する保護層の密着性が良くない
という欠点を有することも知られている。 密着性を良好にせんとする試みは、例えば特公
昭54−6217号公報に開示されており、これは、金
属酸化物よりなる絶縁性保護膜と電気導体(電
極)との間にイオン化傾向順位が銅より大きく亜
鉛より小さい範囲の金属を介在させたものであ
る。金などの電気導体(電極)とクロムなどの介
在金属とは金属−金属の良好な密着をなし、ま
た、介在金属は酸化され易く、従つて、金属酸化
物よりなる保護膜とも良好な密着をなす、という
前記発明の思想は十分評価され得るものである。 しかし、介在させるということは、それだけ余
計な密着部分を形成することになり、製造工程を
増すばかりでなく、使用時の温度サイクルなどを
考慮すると、結局、剥離を心配しなければならな
いところがその分だけ増えることになる。 また、電極として金以外の金属、あるいは、金
を成分の一つとする合金で形成することも知られ
ている。前者の一例としてはアルミニウムなど
が、また、後者の例としては、特開昭57−47678
号公報に開示された金・マグネシウム、金・亜
鉛、金・カドミウムなどの金属間化合物が挙げら
れる。 しかし、これら金以外、あるいは、金を用いて
も金属間化合物を形成するほど多量に他の金属を
併用することは、金ゆえの電気的特性や安定性を
得られなくすることを意味してしまう。 そこで、本発明は金ゆえの長所を損なうことな
く、しかも、余計な密着部分を形成することなく
保護層の密着性を良好にすることを目的になされ
たものであり、その要旨は、耐熱性絶縁基材上
に、発熱抵抗体と、該発熱抵抗体に通電する電極
と、金属酸化物を少くとも含む金属化合物よりな
る保護層とを有してなるサーマルヘツドにおい
て、前記電極を、イオン化傾向順位が銅より大き
くアルミニウムより小さい範囲内の金属及び/又
は前記保護層の成分と同一である金属を10%(モ
ル率)以下の量で含有する金の合金より形成した
ことを特徴とするサーマルヘツドにある。 以下、図面に示す本発明の一実施例に基づいて
説明する。 薄膜型サーマルヘツドの選択的発熱部近傍を示
す第1図において、参照符号1はアルミナセラミ
ツクスなどよりなる基材であり、表面を平担化し
蓄熱を良好にするための二酸化硅素などよりなる
グレーズ層2がその表面に形成されている。グレ
ーズ層2の上には、このグレーズ層を形成する成
分中の不純物による汚れを防止するためにスパツ
タリングなどの方法で二酸化硅素などよりなる薄
層3が形成されている、この薄層3はグレーズ層
2の一部と看做することもでき、基材1、グレー
ズ層2、薄層3を合わせて耐熱性絶縁基材と一般
に呼んでいる。耐熱性絶縁基材として、このほか
にも、ガラスあるいはガラス質を少くとも主要素
として用いたものなどもよく知られたところであ
る。 参照符号4は発熱抵抗体であり、チタンやクロ
ムなどの金属の硅化物、窒化タンタル、シリコン
酸化物を含むタンタル化合物など大きな比抵抗を
有する材料からなり、スパツタリングなどの方法
で薄層3の上に実質的全面被覆した後、フオトリ
ソなどの方法でパターン化されている。 参照符号5,6は電極であり、発熱抵抗体4と
同様フオトリソなどの方法でパターン化されてい
る。電極5は例えばタングステン、モリブデンと
いつた高融点金属よりなり、金を主とする合金よ
りなる電極6と発熱抵抗体4との拡散による性能
劣化を防止すること、及び、電極6の密着性向上
などを主目的として形成されたものであり、電極
としての働きを積極的に担うものではなく、存在
必須のものではない。電極6については詳細を後
述する。 参照符号7,8は保護層であり、発熱抵抗体4
の酸化防止などを主目的とする内層7と耐摩耗を
主目的とする外層8とよりなつており、スパツタ
リングなどの方法で形成されている。内層7とし
ては、例えば二酸化硅素、五酸化タンタルなどの
金属酸化物、また、外層8としては、例えば炭化
硅素、α−アルミナなどからなるが、複層とせず
に混在層としたり、あるいは、層厚の適宜設定や
五酸化タンタルなどのように内層7と外層8との
両方の主目的を満足するものもあることにより、
保護層は、金属酸化物だけ、あるいは、これを含
む単層とすることもできる。 さて、本発明の要点である電極6について説明
する。電極6が金を主とする合金よりなることに
ついては前述したが、この、金とともに合金を形
成する金属(以下、合金成分という)は、イオン
化傾向順位が銅より大きくアルミニウムより小さ
い範囲内の金属Aか、あるいは、保護層の成分と
同一である金属Bでなければならない。勿論、前
述したように複層の保護層7,8となつている場
合には内層7が対応する。また、合金成分として
の金属A、金属Bは純金属でなく、それぞれ主成
分としてほかの金属との合金金属である場合もあ
り、金属Aと金属Bとが同一である場合や併用さ
れる場合もある。換言すると、合金成分は酸化さ
れ易い金属が、保護層の成分と同一の金属という
ことになるが、これは、保護層が金属酸化物か、
これを含む金属化合物よりなつているという前述
したところによる。 更に、合金成分の存在割合は全体に占めるモル
率で10%以下でなければならない。この範囲を越
えると金の長所を損なう。逆に、合金成分の存在
割合は10%以下ならば、例えば0.1%といつたよ
うに相当小さくても十分に保護層の密着性を良好
に保つことができる。 電極6の形成方法は湿式、乾式いずれでも可能
である。例えば電気めつきの場合、めつき液とし
て金及び合金成分のシアン化物やキレート化合物
を使用し、使用割合や電流密度の制御により、電
極中の合金成分の存在割合を制御できる。合金成
分化合物の使用割合を大きくし、電流密度を小さ
くすると、概して良好である。但し、めつき液の
安定性を考慮し、合金成分化合物の使用割合をあ
まりに大きくすることは好ましくない。また、ス
パツタリングの場合、ターゲツトとして金と合金
成分の合金を使用する。あるいは、単に金と合金
成分とを貼り合わせただけのターゲツトであつて
もよい。制御は、ターゲツトにおける合金成分の
存在割合、あるいは、ターゲツトとしてのそれぞ
れの占有面積割割合を決めることでなせる。本発
明者らの検討によると、電気めつきとスパツタリ
ングとの比較において、電気めつきの方が保護層
の密着性をより良好にすることができた。 ところで、思想は同一であつても、本発明で適
用される合金成分たる種々金属の中には相対的に
大きな効果を奏するものと、そうでないものがあ
る。ニツケル、硅素、アルミニウム、銅、チタ
ン、クロム、鉄、コバルト、タンタルなどが比較
的好ましく、中でもニツケルは特に好ましい。こ
の理由は定かではないが、保護層の成分との関係
は当然あると思われる。また、保護層の形成方法
とも関係があると思われる。即ち、前述したよう
に、保護層をスパツタリングなどの方法で形成す
る場合、概して比較的低圧、高温条件でなされる
ことになるが、このような場合、蒸気化の影響も
生じるであろう。前述したような金属は金に近傍
の蒸気圧曲線を有している。 次に、合金成分としてニツケルを使用し、電気
めつきによつて電極6を形成したときの例を表−
1に示す。尚、基材1はアルミナセラミツクス、
グレーズ層2は二酸化硅素型ペーストの焼成物、
薄層3は二酸化硅素、発熱抵抗体4は窒化タンタ
ル、電極5はモリブデン、保護層のうち内層7は
二酸化硅素、外層8は炭化硅素とし、グレーズ層
2以外の薄層3などはスパツタリングにより形成
した。
【表】
以上説明した如く、本発明のサーマルヘツド
は、電極として金の合金を使用しながら金の実用
的価値を損なわず、また、合金成分として保護層
と密着性の良い金属を用いたので保護層の剥離を
極力防止することができ、しかも、例え工程を複
雑にしなくても製造することが可能である。
は、電極として金の合金を使用しながら金の実用
的価値を損なわず、また、合金成分として保護層
と密着性の良い金属を用いたので保護層の剥離を
極力防止することができ、しかも、例え工程を複
雑にしなくても製造することが可能である。
第1図は本発明の一実施例を示す要部断面図で
ある。 1……基材、2……グレーズ層、3……薄層、
4……発熱抵抗体、5,6……電極、7……保護
層(内層)、8……保護層(外層)。
ある。 1……基材、2……グレーズ層、3……薄層、
4……発熱抵抗体、5,6……電極、7……保護
層(内層)、8……保護層(外層)。
Claims (1)
- 1 耐熱性絶縁基材上に、発熱抵抗体と、該発熱
抵抗体に通電する電極と、金属酸化物を少くとも
含む金属化合物よりなる保護層とを有してなるサ
ーマルヘツドにおいて、前記電極を、イオン化傾
向順位が銅より大きくアルミニウムより小さい範
囲内の金属及び/又は前記保護層の成分と同一で
ある金属を10%(モル率)以下の量で含有する金
の合金より形成したことを特徴とするサーマルヘ
ツド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082130A JPS58199174A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57082130A JPS58199174A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | サ−マルヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58199174A JPS58199174A (ja) | 1983-11-19 |
JPH0117468B2 true JPH0117468B2 (ja) | 1989-03-30 |
Family
ID=13765826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57082130A Granted JPS58199174A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58199174A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103328223B (zh) * | 2011-01-25 | 2015-04-22 | 京瓷株式会社 | 热敏头及具备该热敏头的热敏打印机 |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57082130A patent/JPS58199174A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58199174A (ja) | 1983-11-19 |
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