JPH01173315A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01173315A JPH01173315A JP33202987A JP33202987A JPH01173315A JP H01173315 A JPH01173315 A JP H01173315A JP 33202987 A JP33202987 A JP 33202987A JP 33202987 A JP33202987 A JP 33202987A JP H01173315 A JPH01173315 A JP H01173315A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度磁気記録再生に適する強磁性金属！１
１摸を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
１摸を磁気記録層とする磁気記録媒体に関する。
従来の技術
従来、磁気記録層として広く実用に供されているものは
、γ−Ｆｅ２０３． Ｃｏをドープしたγ−ｙｅ２ｏ
５． ＣｒＯ２あるいは鉄等の強磁性金属又は合金微小
粉末磁性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、エポ
キシ樹脂等の有機バイ／ダ中に分散させて、高分子フィ
ルム等の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層である。
、γ−Ｆｅ２０３． Ｃｏをドープしたγ−ｙｅ２ｏ
５． ＣｒＯ２あるいは鉄等の強磁性金属又は合金微小
粉末磁性材料を塩化ビニル、酢酸ビニル共重合体、エポ
キシ樹脂等の有機バイ／ダ中に分散させて、高分子フィ
ルム等の基板上に塗布乾燥させた塗布型磁性層である。
しかしかかる塗布型磁性層の飽和磁束密度は上限に近す
いてきており、厚みも均一に薄くできないことから、短
波長−記録再生でのＣ／Ｎに限界がでてきたため、この
限界突破のため、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化て期待が強まってきている〔アイイ
ーイーイー トランザクションズ オンマグネティクス
（Ｉ ［Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＡ
ＧＮＩＣＴＩＣ８）、 Ｖｏｌ、 １ｉＡＧ−２１、
Ａ３．Ｐ、Ｐ。
いてきており、厚みも均一に薄くできないことから、短
波長−記録再生でのＣ／Ｎに限界がでてきたため、この
限界突破のため、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁
気記録媒体の実用化て期待が強まってきている〔アイイ
ーイーイー トランザクションズ オンマグネティクス
（Ｉ ［Ｅ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮＭＡ
ＧＮＩＣＴＩＣ８）、 Ｖｏｌ、 １ｉＡＧ−２１、
Ａ３．Ｐ、Ｐ。
１２１７〜１２２０（１９８５） 参照〕。
とシわけ、膜面に垂直な方向に磁化する、いわゆる垂直
磁化＋ＩＫは原理的にも短波長域での損失が小さいこと
からＧｏ −Ｏｒ膜を中心（ｔｃ活発だ改良が進められ
ている。
磁化＋ＩＫは原理的にも短波長域での損失が小さいこと
からＧｏ −Ｏｒ膜を中心（ｔｃ活発だ改良が進められ
ている。
一方、短波長域での損失はヌベーシング損失が支配的で
あ）、耐久性を改良するためにＳｉＯ□。
あ）、耐久性を改良するためにＳｉＯ□。
Ｔｉｅ 、 ＳｉＣ、ム（１２０５＃ ムｕ 、 ｆ
ｌｈ 、 Ｐａ等の保護層を配する〔特開昭５０−１０
４６０２号公報、特開昭５８−１３０４３７号公報、特
開昭５３−４０５０５号公報、特開昭５７−１７６５３
７号公報等参照〕ことで出力低下がおこることから、Ｃ
ｏ −ＯｒにＧｏ、 Ｔｉ等を添加する等材料面からの
改良と、製法面からの改良〔例えば％開昭６２−２０８
４１３号公報、同６２−２１４５２１号公報等参照〕で
の０７Ｎ改善が続けられている。
ｌｈ 、 Ｐａ等の保護層を配する〔特開昭５０−１０
４６０２号公報、特開昭５８−１３０４３７号公報、特
開昭５３−４０５０５号公報、特開昭５７−１７６５３
７号公報等参照〕ことで出力低下がおこることから、Ｃ
ｏ −ＯｒにＧｏ、 Ｔｉ等を添加する等材料面からの
改良と、製法面からの改良〔例えば％開昭６２−２０８
４１３号公報、同６２−２１４５２１号公報等参照〕で
の０７Ｎ改善が続けられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、耐熱性高分子フィルムを用い十分説ガス
処理し、 Ｃｏ −Ｏｒ 、 Ｇｏ −Ｃｒ −Ｗｂ
。
処理し、 Ｃｏ −Ｏｒ 、 Ｇｏ −Ｃｒ −Ｗｂ
。
Ｇｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、 Ｇｏ−Ｏｒ−Ｇｏ等の垂直磁化膜
をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成しても
、保護膜を２００人８度配すると、ビット長が０．３μ
ｍをきると、（ｊ／Ｎが不足してくるといった問題があ
シ改善が望まれていた。
をスパッタリング法、電子ビーム蒸着法等で形成しても
、保護膜を２００人８度配すると、ビット長が０．３μ
ｍをきると、（ｊ／Ｎが不足してくるといった問題があ
シ改善が望まれていた。
本発明はと記した事晴知濫みなされたもので、短波長域
でＣ／Ｎの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
でＣ／Ｎの優れた磁気記録媒体を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記した問題点を解決するため１本発明の磁気記録媒体
は、内在粒子を含み１面積分率で５〜１５％の四部を有
する高分子フィルム上に直接垂直磁化；莫を配したもの
で必る・ 作用 本発明の磁気記録媒体は、上記した構成１ｃより一平滑
性が良好な別には、実効的な接触面積が小さくなり、走
行性が実°用水準に保てるため、垂直磁化膜の結晶配向
性を改善し、Ｃ／Ｎを改善した上で、走行性も満足させ
ることができることになる。
は、内在粒子を含み１面積分率で５〜１５％の四部を有
する高分子フィルム上に直接垂直磁化；莫を配したもの
で必る・ 作用 本発明の磁気記録媒体は、上記した構成１ｃより一平滑
性が良好な別には、実効的な接触面積が小さくなり、走
行性が実°用水準に保てるため、垂直磁化膜の結晶配向
性を改善し、Ｃ／Ｎを改善した上で、走行性も満足させ
ることができることになる。
実施例
以下１図面を参照しながら１本発明の一実施例について
詳しく説明する。図１は本発明の一実施例の磁気記録媒
体の拡大断面図で。
詳しく説明する。図１は本発明の一実施例の磁気記録媒
体の拡大断面図で。
図で■は、内圧粒子を含む高分子フィルムで。
面積分率５〜１５％の凹部を有する。内在粒子は５ｉｎ
２． （ａｇｏ、 、 （ａｏ 、 ＺｕＯ、ム１２０
３等の１００人から１ｏＯｏ人の微粒子で、この粒子の
形成する表面の凹凸は、最大粗さで１００八まで６０人
から１００人が好ましく、密度は０．１〜６０ケ／（μ
、＞２が好ましい。
２． （ａｇｏ、 、 （ａｏ 、 ＺｕＯ、ム１２０
３等の１００人から１ｏＯｏ人の微粒子で、この粒子の
形成する表面の凹凸は、最大粗さで１００八まで６０人
から１００人が好ましく、密度は０．１〜６０ケ／（μ
、＞２が好ましい。
凹部の形状は上面：からみるとほぼ円形で、深さは２０
０人から６００人がＣ／Ｎと走行性の・くランスから好
ましい範囲である。高分子フィルムの材質はポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフ
ェニレンサルファイド。
０人から６００人がＣ／Ｎと走行性の・くランスから好
ましい範囲である。高分子フィルムの材質はポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフ
ェニレンサルファイド。
ポリエーテルサルフオン、ポリイミド等いずれでもよい
。
。
■はＣｏ−０ｒ、 Ｃｏ−Ｔｉ、 Ｃｏ−Ｗ、 （３ｏ
−ＭＯ。
−ＭＯ。
Ｇｏ −０、Ｃｏ −Ｃｊｒ −Ｗｂ 、 Ｇｏ −
Ｆａ −０、Ｇｏ −Ｎｉ −０等の垂直磁化膜で電子
ビーム蒸着法、イオンブレーティング、スパッタリング
法で形成する。
Ｆａ −０、Ｇｏ −Ｎｉ −０等の垂直磁化膜で電子
ビーム蒸着法、イオンブレーティング、スパッタリング
法で形成する。
■は保護潤滑層で、プラズマ重合膜、 ５ｉｎ２膜。
ＢＮ膜、硬質炭素薄嘆等と、脂肪酸、パーフルオロアル
キルカルボン酸等の組み合わせでヌベーシング損失を考
這して、最適化したものを用いるものとする。
キルカルボン酸等の組み合わせでヌベーシング損失を考
這して、最適化したものを用いるものとする。
以下、更て具体的に本発明の一実施例について比較例と
の対比で説明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムで、 直径ｅｏｏ入のＳｉＯ２を内在
粒子として用い、この粒子の形成する突起の高さが平均
８０人で密度が３ケ／（ｌｌｒｒＬ）２の面と、鏡面ロ
ール上に直？ｌ ａ ｏ ｏへ〇ム１２０゜微粒子を溶
射したロールを９０℃に加熱して、このロールにフィル
ムを沿わせて深さ４００への四部を１面積分率で７％と
なるよう構成した後、その上置高周波スパッタリング法
で０．１２μｍのＧｏ −Ｏｒ （Ｏｒ ： ２０．６
ｗｔ％）垂直磁化膜を形成し、その上にメタンガスを
グロー放電分解し、直流加求して形成したダイアモンド
状硬質突素薄膜を８０人形成する。その上に、更て、デ
ュポン社の”ＫＲＹＴＯＸ １４３ムＱ １１をトリ
クロロトリフロロエチレン【溶かして溶布乾１桑し、パ
ーフルオロカルボン酸膜として５０人配し、８ミリ１福
の磁気テープとした。
の対比で説明する。厚み１０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムで、 直径ｅｏｏ入のＳｉＯ２を内在
粒子として用い、この粒子の形成する突起の高さが平均
８０人で密度が３ケ／（ｌｌｒｒＬ）２の面と、鏡面ロ
ール上に直？ｌ ａ ｏ ｏへ〇ム１２０゜微粒子を溶
射したロールを９０℃に加熱して、このロールにフィル
ムを沿わせて深さ４００への四部を１面積分率で７％と
なるよう構成した後、その上置高周波スパッタリング法
で０．１２μｍのＧｏ −Ｏｒ （Ｏｒ ： ２０．６
ｗｔ％）垂直磁化膜を形成し、その上にメタンガスを
グロー放電分解し、直流加求して形成したダイアモンド
状硬質突素薄膜を８０人形成する。その上に、更て、デ
ュポン社の”ＫＲＹＴＯＸ １４３ムＱ １１をトリ
クロロトリフロロエチレン【溶かして溶布乾１桑し、パ
ーフルオロカルボン酸膜として５０人配し、８ミリ１福
の磁気テープとした。
一方、比較例は内在粒子をもたない平均粗さ３０人の厚
さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に
直径１２Ｑ人のＫｕ２０．微粒子を１２個／（μＴｒＬ
）２配し、その上にＱ、１２ μ＠のＣｏ −Ｏｒ垂直
磁化膜、ダイアモンド状便質炭素薄漢を１５０人、パー
フルオロカルボン酸膜を６０人配し、８ミリ幅の磁気テ
ープとして準備した。
さ１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に
直径１２Ｑ人のＫｕ２０．微粒子を１２個／（μＴｒＬ
）２配し、その上にＱ、１２ μ＠のＣｏ −Ｏｒ垂直
磁化膜、ダイアモンド状便質炭素薄漢を１５０人、パー
フルオロカルボン酸膜を６０人配し、８ミリ幅の磁気テ
ープとして準備した。
両者のテープを改造した８ミリビデオ如より。
ギャップ長０．１４μｍのメタルインギャップ型のアモ
ルファス合金ヘッドによりビット長０，１８μｍの短形
波を記録し、再生Ｃ／Ｎを帯域１ｏ（Ｍ服）で比較した
。その結果、実施例の方が４．２（ｄＢ）。
ルファス合金ヘッドによりビット長０，１８μｍの短形
波を記録し、再生Ｃ／Ｎを帯域１ｏ（Ｍ服）で比較した
。その結果、実施例の方が４．２（ｄＢ）。
Ｃ／Ｎが良好であった。スチル状態での出力低下率は実
施例が−０，７５（ｄＢ／ｈ）、 比較例カー０．５５
（ｄ Ｂ／ｈ ）と大差なく、動摩擦係数もデツキで１
５０回走行後の値は実施例が０．２８ 、比較例が０．
２７でこれも差が認められず実用水準であった。
施例が−０，７５（ｄＢ／ｈ）、 比較例カー０．５５
（ｄ Ｂ／ｈ ）と大差なく、動摩擦係数もデツキで１
５０回走行後の値は実施例が０．２８ 、比較例が０．
２７でこれも差が認められず実用水準であった。
発明の効果
以上のよって本発明てよれば、 Ｃ／Ｈ，！＝ｉｉ１１
久住のバランスのとれた磁気記録媒体が得られすぐれた
効果がある。
久住のバランスのとれた磁気記録媒体が得られすぐれた
効果がある。
図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図であ
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・垂直磁
化膜、３・・・・・・保護潤滑剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−高分子フイルム ２−ｍ＝ 垂 直 石龜 イ乙 ガス ３− 保護潤滑削漕
る。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・垂直磁
化膜、３・・・・・・保護潤滑剤層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−−高分子フイルム ２−ｍ＝ 垂 直 石龜 イ乙 ガス ３− 保護潤滑削漕
Claims (1)
- 内在粒子を含む高分子フィルム上に直接垂直磁化膜が配
され、上記高分子フィルムが面積分率５〜１５％の凹部
を有することを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33202987A JPH01173315A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33202987A JPH01173315A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01173315A true JPH01173315A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18250341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33202987A Pending JPH01173315A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01173315A (ja) |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP33202987A patent/JPH01173315A/ja active Pending
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