JPH01171288A - 埋め込み形半導体レーザ - Google Patents
埋め込み形半導体レーザInfo
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- JPH01171288A JPH01171288A JP33173587A JP33173587A JPH01171288A JP H01171288 A JPH01171288 A JP H01171288A JP 33173587 A JP33173587 A JP 33173587A JP 33173587 A JP33173587 A JP 33173587A JP H01171288 A JPH01171288 A JP H01171288A
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- Japan
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
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- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は半導体レーザに関するものである。
(従来の技術)
半絶縁性半導体層を電流阻止層に用いた半導体レーザは
電流阻止層での漏れ電流が少なくしかも寄生容量が小さ
いため低閾値、高速動作が期待される。この様な半導体
レーザのうちn形半導体基板上に形成された半導体レー
ザの従来例(エレクトロニクスレターズ誌、第22巻2
3号1214〜1215頁、1986年)を第2図に示
す。第2図において、活性層12は上下よりn形のバッ
ファ層11、p形のクラッド層13で、また、左右より
半絶縁性半導体層18で挟まれ、電流は活性層12の両
脇に位置する半絶縁性半導体層18及び5i02層17
により狭窄される。従って、電子はn形電極15、n形
半導体基板10b、バッファ層11を経て活性層12に
注入され、一方正孔はp形電極16、コンタクト層14
、クラッド層13を経て活性層12に注入される。この
半導体レーザは半絶縁性半導体層を電流阻止層に用いた
ことにより10 G Hzまでの高い周波数応答特性を
示す。
電流阻止層での漏れ電流が少なくしかも寄生容量が小さ
いため低閾値、高速動作が期待される。この様な半導体
レーザのうちn形半導体基板上に形成された半導体レー
ザの従来例(エレクトロニクスレターズ誌、第22巻2
3号1214〜1215頁、1986年)を第2図に示
す。第2図において、活性層12は上下よりn形のバッ
ファ層11、p形のクラッド層13で、また、左右より
半絶縁性半導体層18で挟まれ、電流は活性層12の両
脇に位置する半絶縁性半導体層18及び5i02層17
により狭窄される。従って、電子はn形電極15、n形
半導体基板10b、バッファ層11を経て活性層12に
注入され、一方正孔はp形電極16、コンタクト層14
、クラッド層13を経て活性層12に注入される。この
半導体レーザは半絶縁性半導体層を電流阻止層に用いた
ことにより10 G Hzまでの高い周波数応答特性を
示す。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来の半絶縁性半導体層を用いた半導体
レーザには、歩留りを高くすることが困難であるという
欠点があった、それはダブルヘテ口構造との界面である
(111)A面に半絶縁性半導体層18を形成する際気
相成長の特性によってn層抵抗半導体層19が生じてし
まい、p形電極16、n層抵抗半導体層19、バッファ
層11、n形半導体基板10b、及びn形電極15を経
路とする漏れ電流が発生し、閾値が増大するためである
。
レーザには、歩留りを高くすることが困難であるという
欠点があった、それはダブルヘテ口構造との界面である
(111)A面に半絶縁性半導体層18を形成する際気
相成長の特性によってn層抵抗半導体層19が生じてし
まい、p形電極16、n層抵抗半導体層19、バッファ
層11、n形半導体基板10b、及びn形電極15を経
路とする漏れ電流が発生し、閾値が増大するためである
。
(発明の目的)
本発明の目的は、電流阻止層での漏れ電流が少なくしか
も寄生容量が小さいため低閾値、高速動作が可能であり
、また、漏れ電流の発生を制御できる構造であるために
高い製造歩留りが期待できる半導体レーザを提供するこ
とにある。
も寄生容量が小さいため低閾値、高速動作が可能であり
、また、漏れ電流の発生を制御できる構造であるために
高い製造歩留りが期待できる半導体レーザを提供するこ
とにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の半導体レーザは、活性領域がこの活性領域の屈
折率より低い屈折率を有しかつ前記活性領域の禁制帯幅
より大きい禁制帯幅を有する半導体層で囲まれ、かつ該
半導体層の導電形が前記活性領域の左右においては半絶
縁性である埋め込み形半導体レーザにおいて、p形の導
電形を有する半導体基板を用いることを特徴としている
。
折率より低い屈折率を有しかつ前記活性領域の禁制帯幅
より大きい禁制帯幅を有する半導体層で囲まれ、かつ該
半導体層の導電形が前記活性領域の左右においては半絶
縁性である埋め込み形半導体レーザにおいて、p形の導
電形を有する半導体基板を用いることを特徴としている
。
(作用)
本発明による半導体レーザでは、半絶縁性半導体層を形
成する際にダブルへテロ構造の(111)A面から生じ
るn形紙抵抗半導体層と、p形半導体基板上のp形バッ
ファ層との間にpn接合が形成される構造となっている
。このpn接合はダブルへテロ構造でのpn接合に比べ
禁制帯幅の大きい半導体層に形成されているため、その
ビルトインポテンシャルの差により同一の印加電圧では
前者の接合を流れる電流は後者に比べ充分に小さい。そ
のため、注入電流は活性層にのみ流れ、漏れ電流は従来
に比べ著しく低減され再現性よく低い閾値が得られる。
成する際にダブルへテロ構造の(111)A面から生じ
るn形紙抵抗半導体層と、p形半導体基板上のp形バッ
ファ層との間にpn接合が形成される構造となっている
。このpn接合はダブルへテロ構造でのpn接合に比べ
禁制帯幅の大きい半導体層に形成されているため、その
ビルトインポテンシャルの差により同一の印加電圧では
前者の接合を流れる電流は後者に比べ充分に小さい。そ
のため、注入電流は活性層にのみ流れ、漏れ電流は従来
に比べ著しく低減され再現性よく低い閾値が得られる。
(実施例)
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの断面図
である。本実施例では活性層12に禁制帯幅0.95e
VのアンドープInGaAsP層、バッファ層11に亜
鉛をI X 1018am−’にドープしたInP層、
クラッド層13に硫黄を1×1018c+oづにドープ
したInP層、コンタクト層14に硫黄をI X 10
19cm−’にドニ゛プしたInGaAsP層、半絶縁
性半導体層18に鉄をIX I Q 16cm−3に゛
ドープしたInP層を用いた。また、半導体基板10a
には亜鉛ドープp形InP基板−を用いた。活性層12
は上下よりバッフγ層11、クラッド層13で、また、
左右より半絶縁性半導体層18で挟まれ、電流は活性層
12の両脇に位置する半絶縁性層18及びS i 02
層17により狭窄される。従って、正孔はp形電極16
、p形1nP基板10a、を経て活性層12に注入され
、一方電子はn形電極15、コンタクト層14、クラッ
ド層13を経て活性層12に注入される。また、n形紙
抵抗半導体層19は気相成長で半絶縁性半導体層18を
埋め込み成長する際に気相成長の特性によって生じた抵
抗率が低い層であり、(111)A面からの成長した埋
め込み層の鉄ドープが(100)面から成長した層に比
べ低いことが原因となっている。本実施例による半導体
レーザでは、このn形紙抵抗半導体層19はバッファ層
11とpn接合を形成している。このpn接合はダブル
へテロ構造でのpn接合に比べ禁制帯幅の大きいInP
層に形成されているため、そのビルトインポテンシャル
の差により同一の印加電圧では前者の接合を流れる電流
は後者に比べ充分に小さい。その結果、注入電流は活性
層にのみ流れ、漏れ電流は従来に比べ著しく低減され再
現性よ(10mA程度の低い閾値が得られた。また、寄
生容量は半絶縁性半導体層18により低減され10GH
z以上の変調帯域が得られた。
である。本実施例では活性層12に禁制帯幅0.95e
VのアンドープInGaAsP層、バッファ層11に亜
鉛をI X 1018am−’にドープしたInP層、
クラッド層13に硫黄を1×1018c+oづにドープ
したInP層、コンタクト層14に硫黄をI X 10
19cm−’にドニ゛プしたInGaAsP層、半絶縁
性半導体層18に鉄をIX I Q 16cm−3に゛
ドープしたInP層を用いた。また、半導体基板10a
には亜鉛ドープp形InP基板−を用いた。活性層12
は上下よりバッフγ層11、クラッド層13で、また、
左右より半絶縁性半導体層18で挟まれ、電流は活性層
12の両脇に位置する半絶縁性層18及びS i 02
層17により狭窄される。従って、正孔はp形電極16
、p形1nP基板10a、を経て活性層12に注入され
、一方電子はn形電極15、コンタクト層14、クラッ
ド層13を経て活性層12に注入される。また、n形紙
抵抗半導体層19は気相成長で半絶縁性半導体層18を
埋め込み成長する際に気相成長の特性によって生じた抵
抗率が低い層であり、(111)A面からの成長した埋
め込み層の鉄ドープが(100)面から成長した層に比
べ低いことが原因となっている。本実施例による半導体
レーザでは、このn形紙抵抗半導体層19はバッファ層
11とpn接合を形成している。このpn接合はダブル
へテロ構造でのpn接合に比べ禁制帯幅の大きいInP
層に形成されているため、そのビルトインポテンシャル
の差により同一の印加電圧では前者の接合を流れる電流
は後者に比べ充分に小さい。その結果、注入電流は活性
層にのみ流れ、漏れ電流は従来に比べ著しく低減され再
現性よ(10mA程度の低い閾値が得られた。また、寄
生容量は半絶縁性半導体層18により低減され10GH
z以上の変調帯域が得られた。
本実施例ではバッファ層11に亜鉛を1×10I8c+
n−’にドープしたInp層、活性層12に禁制帯幅0
.95eVのアンドープI nGaAs1層、クラッド
層13に硫黄をI X 1018cm−3にドープしな
InP層、コンタクト層14に硫黄をI X 1019
c+n−’にドープしたInGaAsP層を用い、これ
らの層よりなるダブルへテロ構造を(100)面亜鉛ド
ープInP基板にハイドライド気相成長で積層した。こ
のハイドライド気相成長では成長温度690°Cとし、
■族材料およびV族材料にInメタル、Gaメタル及び
アルシン、ホスフィンガスをそれぞれ用いた。次にこの
ダブルへテロ構造を有するウェハを通常のホトリソグラ
フィと化学エツチングを用いて溝幅20μm、深さ2.
5μm、間隔5μmの2本の溝を形成した後、半絶縁性
゛半導体層18として鉄を1×1016cm−’にドー
プしたInP層をハイドライド気相成長で埋め込み成長
させた。この鉄ドープ■nPの鉄ドーパントには、鉄と
塩化水素を高温で反応させて得られるFeCl□ガスを
用いた。また、成長温度は600°Cとした。
n−’にドープしたInp層、活性層12に禁制帯幅0
.95eVのアンドープI nGaAs1層、クラッド
層13に硫黄をI X 1018cm−3にドープしな
InP層、コンタクト層14に硫黄をI X 1019
c+n−’にドープしたInGaAsP層を用い、これ
らの層よりなるダブルへテロ構造を(100)面亜鉛ド
ープInP基板にハイドライド気相成長で積層した。こ
のハイドライド気相成長では成長温度690°Cとし、
■族材料およびV族材料にInメタル、Gaメタル及び
アルシン、ホスフィンガスをそれぞれ用いた。次にこの
ダブルへテロ構造を有するウェハを通常のホトリソグラ
フィと化学エツチングを用いて溝幅20μm、深さ2.
5μm、間隔5μmの2本の溝を形成した後、半絶縁性
゛半導体層18として鉄を1×1016cm−’にドー
プしたInP層をハイドライド気相成長で埋め込み成長
させた。この鉄ドープ■nPの鉄ドーパントには、鉄と
塩化水素を高温で反応させて得られるFeCl□ガスを
用いた。また、成長温度は600°Cとした。
上記実施例ではハイドライド気相成長法を用いたが液相
成長法、有機金属気相成長法、クロライド気相成長法等
の他のエビ多キシャル成長法を用いても実現できる。
成長法、有機金属気相成長法、クロライド気相成長法等
の他のエビ多キシャル成長法を用いても実現できる。
上記実施例ではInGaAsP/InP半導体材料が用
いられたが、G a A I A s / G a A
s、I nGaA I As/I nP等の他の■−
V族半導体材料からなる半導体レーザにも適用が可能で
ある。
いられたが、G a A I A s / G a A
s、I nGaA I As/I nP等の他の■−
V族半導体材料からなる半導体レーザにも適用が可能で
ある。
(発明の効果)
本発明による半導体レーザは、電流阻止層での漏れ電流
が少なくしかも寄生容量がノドさいなめ低閾値、高速動
作が可能であり、また、漏れ電流の発生を制御できる構
造であるために高い製造歩留りが期待できる。
が少なくしかも寄生容量がノドさいなめ低閾値、高速動
作が可能であり、また、漏れ電流の発生を制御できる構
造であるために高い製造歩留りが期待できる。
゛第1図は本発明の一実施例である半導体レーザの断面
図、第2図は従来例を説明する半導体レーザの断面図で
ある。 10a ・・・・・・ p形半導体基板10b ・
・・・・・ n形半導体基板11 ・・・・・・
バッフーア層12 ・・・・・・ 活性層 13 ・・・・・・ クラッド層 14 ・・・・・・ コンタント層 15 ・・・・・・ n形電極 16 ・・・・・・ n形電極 17 ・・・・・・ 5i02層 18 ・・・・・・ 半絶縁性半導体層19 ・・
・・・・ n形紙抵抗半導体層を、それぞれ示す。
図、第2図は従来例を説明する半導体レーザの断面図で
ある。 10a ・・・・・・ p形半導体基板10b ・
・・・・・ n形半導体基板11 ・・・・・・
バッフーア層12 ・・・・・・ 活性層 13 ・・・・・・ クラッド層 14 ・・・・・・ コンタント層 15 ・・・・・・ n形電極 16 ・・・・・・ n形電極 17 ・・・・・・ 5i02層 18 ・・・・・・ 半絶縁性半導体層19 ・・
・・・・ n形紙抵抗半導体層を、それぞれ示す。
Claims (1)
- 半導体基板と、この半導体基板の上に形成された活性
領域とこの活性領域を囲み活性領域よりも屈折率が低く
禁制帯幅の大きい半導体層とより構成され、かつ前記半
導体層の導電形が前記活性領域の左右においては半絶縁
性である埋め込み形半導体レーザにおいて、前記半導体
基板はp形の導電形を有することを特徴とする埋め込み
形半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33173587A JPH01171288A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 埋め込み形半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33173587A JPH01171288A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 埋め込み形半導体レーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01171288A true JPH01171288A (ja) | 1989-07-06 |
Family
ID=18247019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33173587A Pending JPH01171288A (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 埋め込み形半導体レーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01171288A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2311945A1 (en) | 2003-10-14 | 2011-04-20 | Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha | Bispecific antibodies substituting for functional proteins |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP33173587A patent/JPH01171288A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2311945A1 (en) | 2003-10-14 | 2011-04-20 | Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha | Bispecific antibodies substituting for functional proteins |
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