JPH01187993A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH01187993A JPH01187993A JP1311088A JP1311088A JPH01187993A JP H01187993 A JPH01187993 A JP H01187993A JP 1311088 A JP1311088 A JP 1311088A JP 1311088 A JP1311088 A JP 1311088A JP H01187993 A JPH01187993 A JP H01187993A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＶＳＢ型、の半導体レーザーに関し。
低しきい値電流であり、高効率で高周波特性にすぐれ、
良好な遠視野像を有する半導体レーザーを提供すること
を目的とし。
良好な遠視野像を有する半導体レーザーを提供すること
を目的とし。
ｉ電の基板上にエピタキシャル成長された高抵抗層と、
液高抵抗層と該基板との界面に平行な一方向に延伸する
とともに該高抵抗層を貫通するようにして形成された溝
であって、該基板中に位置する底部を有するＶ字形の溝
と、該基板の該Ｖ字形の溝内に設けられた第１のクラッ
ド層と、酸Ｖ字形の溝の延伸方向に平行な二端縁を有し
１前記二端縁が該基板に接するようにして、該第１のク
ラッド層上に設けられた活性層と Ｈｉ Ｖ字形の溝内
において該活性層上の空間を埋めるようにして該活性層
上に設けられた第２のクラッド層とを有することにより
構成される。
液高抵抗層と該基板との界面に平行な一方向に延伸する
とともに該高抵抗層を貫通するようにして形成された溝
であって、該基板中に位置する底部を有するＶ字形の溝
と、該基板の該Ｖ字形の溝内に設けられた第１のクラッ
ド層と、酸Ｖ字形の溝の延伸方向に平行な二端縁を有し
１前記二端縁が該基板に接するようにして、該第１のク
ラッド層上に設けられた活性層と Ｈｉ Ｖ字形の溝内
において該活性層上の空間を埋めるようにして該活性層
上に設けられた第２のクラッド層とを有することにより
構成される。
本発明は半導体発光装置、とくに、 ＶＳＢ（Ｖ−ｇｒ
ｏ−ｏｖｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ Ｂｕｒｒｉｅ
ｄ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｉａｓｅｒ
）と称される半導体レーザーに関する。
ｏ−ｏｖｅｄ ５ｕｂｓｔｒａｔｅ Ｂｕｒｒｉｅ
ｄ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｉａｓｅｒ
）と称される半導体レーザーに関する。
従来、低しきい値電流で高効率の半導体レーザーとして
、第２図に示す構造が提案されている。
、第２図に示す構造が提案されている。
（１４，ｌ５１１ｉ１＋ａＨ，１６ｔ ａｌ、、 Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ↓Ｊ。
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ↓Ｊ。
（１９８１）４１５参照）
すなわち、ｎ型の１ｎＰ （以下ｎ−１ｎＰと記す）
基板１上にエピタキシャル成長されたｐ型のＩｎＰ（以
下ｐ−ＴｎＰと記す）に、尖端（底部）がｎ−１ｎＰ基
板１に食い込むようにして７字形の溝を形成し。
基板１上にエピタキシャル成長されたｐ型のＩｎＰ（以
下ｐ−ＴｎＰと記す）に、尖端（底部）がｎ−１ｎＰ基
板１に食い込むようにして７字形の溝を形成し。
この溝中にｎ−ＩｎＰクラッド層３． ＩｎＧａＡｓＰ
’活性層４およびｐ−１ｎＰクラツド層５を順次エピ
タキシャル成長させた構造となっている。なお、同図に
おいて、符号３ａ、 ４ａ、 ５ａは、それぞれ、ｎ４
ｎＰクラッド層３ 、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４．ｐ−
１ｎＰクラツド層５を形成する際に、溝の両側における
平坦な表面に成長した層、また、符号８はｐ−１ｎＰク
ラツド層５とオーミック接触を得るためのｐ ’ −１
ｎＧａＡｓＰコンタクト層である。
’活性層４およびｐ−１ｎＰクラツド層５を順次エピ
タキシャル成長させた構造となっている。なお、同図に
おいて、符号３ａ、 ４ａ、 ５ａは、それぞれ、ｎ４
ｎＰクラッド層３ 、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４．ｐ−
１ｎＰクラツド層５を形成する際に、溝の両側における
平坦な表面に成長した層、また、符号８はｐ−１ｎＰク
ラツド層５とオーミック接触を得るためのｐ ’ −１
ｎＧａＡｓＰコンタクト層である。
この構造の特徴とする７字形の溝に埋め込まれた活性層
４により、低しきい値電流と高効率特性を実現できる。
４により、低しきい値電流と高効率特性を実現できる。
しかしながら、埋め込み領域（ｎ−ＩｎＰ５板１とｐ−
１ｎＰ層２の接合面）に広い面積のｐｎ接合が存在する
ため、素子の接合容量が５０ｐＦと大きく、その結果１
高周波特性が充分でない。
１ｎＰ層２の接合面）に広い面積のｐｎ接合が存在する
ため、素子の接合容量が５０ｐＦと大きく、その結果１
高周波特性が充分でない。
これを改良するために、第３図の構造が提案されている
。（Ｃ，Ｅ、Ｚａｈ ｅｔ ａｌ、、 Ｔｏｐｉｃａｌ
ｍｅｅｔｉｎｇｏｎ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｌａ５ｅｒ １９８７ Ａｌｂｕｑｕｅｒｑｕｅ）なお
３同図において、第２図におけるのと同し部分は同一符
号を付しである。
。（Ｃ，Ｅ、Ｚａｈ ｅｔ ａｌ、、 Ｔｏｐｉｃａｌ
ｍｅｅｔｉｎｇｏｎ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｌａ５ｅｒ １９８７ Ａｌｂｕｑｕｅｒｑｕｅ）なお
３同図において、第２図におけるのと同し部分は同一符
号を付しである。
第３図の構造においては１上記ｐ−ＩｎＰ層２の代わり
に高抵抗のＩｎＰ層６が設けられている。この構造は、
高抵抗ｒｎＰ 層６の存在により前記のように接合容量
が低減できるとともに、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４が高
抵抗ＩｎＰＦ６に挟まれているため、接合容量を著しく
小さくでき、高周波特性の向上が期待される。しかしな
がら２本構造においては１本来、 ＩｎＧａＡｓＰ活性
層４の横が高抵抗層６であることにより、リーク電流の
減少が期待されるにもかかわらず、逆にしきい値電流の
増大と効率の低下が生じる。この原因はつぎのように考
えられている。
に高抵抗のＩｎＰ層６が設けられている。この構造は、
高抵抗ｒｎＰ 層６の存在により前記のように接合容量
が低減できるとともに、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４が高
抵抗ＩｎＰＦ６に挟まれているため、接合容量を著しく
小さくでき、高周波特性の向上が期待される。しかしな
がら２本構造においては１本来、 ＩｎＧａＡｓＰ活性
層４の横が高抵抗層６であることにより、リーク電流の
減少が期待されるにもかかわらず、逆にしきい値電流の
増大と効率の低下が生じる。この原因はつぎのように考
えられている。
すなわち１高抵抗ＩｎＰ層６に溝を設け、ここにＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層４等を埋め込み成長させる工程において
、溝の斜面に露出している高抵抗ＩｎＰ層６が熱サイク
ルによって損傷を受けて変質し、矢印Ａで示すような、
高抵抗ＩｎＰ層６表面を流れるリーク径路が生じるため
である。
ａＡｓＰ活性層４等を埋め込み成長させる工程において
、溝の斜面に露出している高抵抗ＩｎＰ層６が熱サイク
ルによって損傷を受けて変質し、矢印Ａで示すような、
高抵抗ＩｎＰ層６表面を流れるリーク径路が生じるため
である。
第３図に示す構造における上記欠点を解決するために２
本発明者により、第４図に示す構造が開示されている。
本発明者により、第４図に示す構造が開示されている。
（昭和６２年０９月２８日付出願）なお３同図において
、既掲の図におけるのと同じ部分は同一符号を付しであ
る。
、既掲の図におけるのと同じ部分は同一符号を付しであ
る。
第４図の構造は、高抵抗ＩｎＰ層６上にｐ−１ｎＰ層７
をエピタキシャル成長させたのち、高抵抗ＩｎＰ層６お
よびｐ−１ｎＰ層７を貫通してｎ−１ｎＰ基板１に食い
込む７字形の溝を形成し、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４を
、この溝内においてｐ−１ｎＰ層７で挟まれる位置に形
成しである。
をエピタキシャル成長させたのち、高抵抗ＩｎＰ層６お
よびｐ−１ｎＰ層７を貫通してｎ−１ｎＰ基板１に食い
込む７字形の溝を形成し、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４を
、この溝内においてｐ−１ｎＰ層７で挟まれる位置に形
成しである。
第４図の構造によれば、溝斜面に露出している高抵抗Ｉ
ｎＰＪｉ６表面も、前記と同様に、溝内部にＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４等を埋め込み成長させる工程において熱損
傷を受けるが、ｐ−１ｎＰＮ７からｎ−ＩｎＰクラッド
層３および高抵抗ＩｎＰ層６側に３図中に点線で示すよ
うなｐ型不純物の拡散が起こり１ｎ−ＩｎＰ層３内にｐ
ｎ接合が生じる。
ｎＰＪｉ６表面も、前記と同様に、溝内部にＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層４等を埋め込み成長させる工程において熱損
傷を受けるが、ｐ−１ｎＰＮ７からｎ−ＩｎＰクラッド
層３および高抵抗ＩｎＰ層６側に３図中に点線で示すよ
うなｐ型不純物の拡散が起こり１ｎ−ＩｎＰ層３内にｐ
ｎ接合が生じる。
このように、結晶性の良い部分にｐｎ接合が形成される
結果、第３図に関連して述べたようなリーク電流が生じ
ない。また、 ｐ−ＩｎＰ層７の下に高抵抗１ｎＰＪ
ｉ６が存在するため＋ ｐｎ接合はＩｎＧａＡｓＰ活性
層４下部におけるｎ−ＩｎＰクラッド層３とｐ−ＩｎＰ
層７の接触部分近傍に存在するのみとなり、第２図に示
す構造に比べて大幅に接合容量が低減できる。
結果、第３図に関連して述べたようなリーク電流が生じ
ない。また、 ｐ−ＩｎＰ層７の下に高抵抗１ｎＰＪ
ｉ６が存在するため＋ ｐｎ接合はＩｎＧａＡｓＰ活性
層４下部におけるｎ−ＩｎＰクラッド層３とｐ−ＩｎＰ
層７の接触部分近傍に存在するのみとなり、第２図に示
す構造に比べて大幅に接合容量が低減できる。
しかしながら、第４図に示す構造においては。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層４は溝の開口部付近に位置するこ
とになるため、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の幅（Ｗ）が
大きくなる。その結果、良好な遠視野像が得られ難いと
いう欠点があった。
とになるため、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層４の幅（Ｗ）が
大きくなる。その結果、良好な遠視野像が得られ難いと
いう欠点があった。
本発明は上記従来の各構造の長所を採り入れ。
かつ、それぞれの問題点を解決することにより。
低しきい値電流で高効率あり、高周波特性にすくれ、ま
た、良好な遠視野像を有する半導体レーザーを提供する
ことを目的とする。
た、良好な遠視野像を有する半導体レーザーを提供する
ことを目的とする。
上記の目的は、−導電の基板上にエピタキシャル成長さ
れた高抵抗層と、該高抵抗層と該基板との界面に平行な
一方向に延伸するとともに液高抵抗層を貫通するように
して形成された溝であって。
れた高抵抗層と、該高抵抗層と該基板との界面に平行な
一方向に延伸するとともに液高抵抗層を貫通するように
して形成された溝であって。
該基板中に位置する底部を有するＶ字形の溝と。
該基板の該７字形の溝内に設けられた第１のクラッド層
と、該Ｖ字形の溝の延伸方向に平行な二端縁を有し、前
記二端縁が該基板に接するようにして、該第１のクラッ
ド層上に設けられた活性層と。
と、該Ｖ字形の溝の延伸方向に平行な二端縁を有し、前
記二端縁が該基板に接するようにして、該第１のクラッ
ド層上に設けられた活性層と。
ＢＥ Ｖ字形の溝内において該活性層上の空間を埋める
ようにして該活性層上に設けられた第２のクラッド層と
を有することを特徴とする１本発明に係るνＳＢ構造の
半導体レーザーによって達成される。
ようにして該活性層上に設けられた第２のクラッド層と
を有することを特徴とする１本発明に係るνＳＢ構造の
半導体レーザーによって達成される。
上記本発明に係るＶＳＢ構造においては、基板上に成長
されたクラッド層と高抵抗層との積層構造を用い、活性
層は、前記積層構造に形成されＶ字形の溝内において、
その二端縁が基板と接するようにして形成されている。
されたクラッド層と高抵抗層との積層構造を用い、活性
層は、前記積層構造に形成されＶ字形の溝内において、
その二端縁が基板と接するようにして形成されている。
その結果、活性層は小さな幅（Ｗ）を有し、したがって
良好な遠視野像を実現できる。さらに、高抵抗層の存在
によりｐｎ接合容量が低減され、かつ、活性層は高抵抗
層に接していないので、前記のような熱損傷による高抵
抗層表面のリーク電流の影響を受けない。
良好な遠視野像を実現できる。さらに、高抵抗層の存在
によりｐｎ接合容量が低減され、かつ、活性層は高抵抗
層に接していないので、前記のような熱損傷による高抵
抗層表面のリーク電流の影響を受けない。
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。なお
９本実施例においては、 ＴｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系レ
ーザーに本発明を適用した場合である。
９本実施例においては、 ＴｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ系レ
ーザーに本発明を適用した場合である。
第１図は本発明に係る半導体発光装置の構造を示す要部
断面図である。すなわち１本発明の半導体発光装置１０
は３例えば、 ｐ−１ｎＰ基板１１上にエピタキシャ
ル成長された高抵抗ＩｎＰ層１２と、高抵抗ＩｎＰ層１
２とｐ−１ｎｐＷ、板１１との界面に平行な一方向に延
伸するとともに高抵抗ＩｎＰ層１２を貫通するようにし
て形成され、 ｐ−１ｎＰ基板１１中に位置する底部
を有する７字形の溝１３と、７字形の１１３内にエピタ
キシャル成長されたｐ−１ｎＰクラツドＪｉ１４と。
断面図である。すなわち１本発明の半導体発光装置１０
は３例えば、 ｐ−１ｎＰ基板１１上にエピタキシャ
ル成長された高抵抗ＩｎＰ層１２と、高抵抗ＩｎＰ層１
２とｐ−１ｎｐＷ、板１１との界面に平行な一方向に延
伸するとともに高抵抗ＩｎＰ層１２を貫通するようにし
て形成され、 ｐ−１ｎＰ基板１１中に位置する底部
を有する７字形の溝１３と、７字形の１１３内にエピタ
キシャル成長されたｐ−１ｎＰクラツドＪｉ１４と。
７字形の溝１３の延伸方向に平行な二端縁を有し。
前記二端縁がｐ−１ｎＰ基板１１に接するようにして。
ｐ型１ｎＰクラッド層１４上にエピタキシャル成長され
たＩｎＧａＡｓＰ活性層１５と、７字形の溝１３内にお
いてＩｎＧａＡｓＰ活性層１５上の空間を埋めるように
してＩｎＧａＡｓＰ活性層１５上にエピタキシャル成長
されたｎ−１ｎＰクラッド層１６を有している。
たＩｎＧａＡｓＰ活性層１５と、７字形の溝１３内にお
いてＩｎＧａＡｓＰ活性層１５上の空間を埋めるように
してＩｎＧａＡｓＰ活性層１５上にエピタキシャル成長
されたｎ−１ｎＰクラッド層１６を有している。
なお、第１図において、符号１１ａおよびｌｌｂはｐ−
ＴｎＰ基板１１を構成するｐ−１ｎＰ単結晶基板および
その上にエピタキシャル成長されたｐ−１ｎＰバッファ
層を、また、符号２１はｎ型不純物を高濃度にドープさ
れたｎ ”−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、２２および
２３は電極を示す。
ＴｎＰ基板１１を構成するｐ−１ｎＰ単結晶基板および
その上にエピタキシャル成長されたｐ−１ｎＰバッファ
層を、また、符号２１はｎ型不純物を高濃度にドープさ
れたｎ ”−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層、２２および
２３は電極を示す。
上記構造の半導体発光装置１０を以下のようにして製造
する。
する。
まず、 ｐ−ＩｎＰ単結晶基板１１ａの（１００）面
上に。
上に。
通常のＭＯＣＶＤ （有機金属化学気相堆積）法を用い
て。
て。
ｎ型不純物としてＺｎ（亜鉛）がドープしされたｐ−Ｉ
ｎＰ（Ｚｎ−ｄｏｐｅｄ ＩｎＰ）層および鉄（Ｆｅ）
がドープされたＩｎＰ （Ｆｅ−ｄｏｐｅｄ ＴｎＰ）
層を、それぞれ＋２μｍおよび１μｍの厚さにエピタキ
シャル成長させる。
ｎＰ（Ｚｎ−ｄｏｐｅｄ ＩｎＰ）層および鉄（Ｆｅ）
がドープされたＩｎＰ （Ｆｅ−ｄｏｐｅｄ ＴｎＰ）
層を、それぞれ＋２μｍおよび１μｍの厚さにエピタキ
シャル成長させる。
上記Ｚｎ−ｄｏｐｅｄ ＩｎＰ層がｐ−ＩｎＰバッファ
層１１ｂに。
層１１ｂに。
また＋ Ｆｅ−ｄｏｐｅｄ ＩｎＰ層が高抵抗ＩｎＰ層
１２に、それぞれ対応する。なお、上記におけるＺｎお
よびＰｅのドープ量は、 ｐ−ＩｎＰ基板１１中のキ
ャリヤ濃度が２Ｘ１０′８／ＣＩｌ＋となるように、ま
た、高抵抗１ｎＰＦ１２の比抵抗が１ ｘｌＯ’Ω−ｃ
ｍとなるように、それぞれ制御卸する。
１２に、それぞれ対応する。なお、上記におけるＺｎお
よびＰｅのドープ量は、 ｐ−ＩｎＰ基板１１中のキ
ャリヤ濃度が２Ｘ１０′８／ＣＩｌ＋となるように、ま
た、高抵抗１ｎＰＦ１２の比抵抗が１ ｘｌＯ’Ω−ｃ
ｍとなるように、それぞれ制御卸する。
上記のようにして形成された高抵抗ＩｎＰ層１２上面に
、上記エピタキシャル成長ｊ’！ｌｌｂおよび１２の結
晶方位＜０１１ ＞の一方向に延伸する幅２μｍのスト
ライブ状の開口が設けられた２例えばＳｉＯ□（酸化シ
リコン）膜から成るマスク（図示省略）を形成したのち
、塩酸と燐酸を３：１の割合で混合した公知のエツチン
グ液を用いて、高抵抗ＩｎＰ層１２とｐ−１ｎＰ基板１
１をエツチングする。
、上記エピタキシャル成長ｊ’！ｌｌｂおよび１２の結
晶方位＜０１１ ＞の一方向に延伸する幅２μｍのスト
ライブ状の開口が設けられた２例えばＳｉＯ□（酸化シ
リコン）膜から成るマスク（図示省略）を形成したのち
、塩酸と燐酸を３：１の割合で混合した公知のエツチン
グ液を用いて、高抵抗ＩｎＰ層１２とｐ−１ｎＰ基板１
１をエツチングする。
このエツチングによって、上記エピタキシャル成長層１
１ｂおよび１２には、前記５ｉｎ２マスクの開口に対応
する開口部を有し、 ｐ−１ｎＰ基板１１と高抵抗Ｉ
ｎＰ層１２の界面に平行な方向、正確には＜０１１ ＞
方向、に延伸するするＶ字形の溝１３が形成される。
１ｂおよび１２には、前記５ｉｎ２マスクの開口に対応
する開口部を有し、 ｐ−１ｎＰ基板１１と高抵抗Ｉ
ｎＰ層１２の界面に平行な方向、正確には＜０１１ ＞
方向、に延伸するするＶ字形の溝１３が形成される。
上記エツチングは、７字形の？ｓ１３が高抵抗ＩｎＰ層
１２を貫通し、その底部が上記界面からｐ−１ｎＰ基板
１１中に約１．３μｍ食い込んだ状態で停止させる。
１２を貫通し、その底部が上記界面からｐ−１ｎＰ基板
１１中に約１．３μｍ食い込んだ状態で停止させる。
このとき、上記開口の周囲のＳｉＯ□マスク下において
も異方性エツチングが進行するので、７字形の溝１３の
開口部の幅（−〇）は３〜３．５ μｍとなる。
も異方性エツチングが進行するので、７字形の溝１３の
開口部の幅（−〇）は３〜３．５ μｍとなる。
次いで１通常の液相エピタキシャル成長法を用い＋
ｐ−１ｎＰクラツド層１４＋ ＩｎＧａＡｓＰ活性層１
５．ｎ４ｎＰクラッド層１６＋ ｎ’−１ｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層２１を順次形成する。このときの成長温
度は６００℃とし、それぞれの層を成長させるための融
液の組成と成長時間を次の通りとする。
ｐ−１ｎＰクラツド層１４＋ ＩｎＧａＡｓＰ活性層１
５．ｎ４ｎＰクラッド層１６＋ ｎ’−１ｎＧａＡｓ
Ｐコンタクト層２１を順次形成する。このときの成長温
度は６００℃とし、それぞれの層を成長させるための融
液の組成と成長時間を次の通りとする。
なお、下記においてｓｎＨりおよび、 Ｔｅ （テルル
）はｎ型不純物である。
）はｎ型不純物である。
−ＩｎＰクー・′Ｐ１４
Ｉｎ ： ＩｎＰ ： Ｚｎ ＝ Ｉｇ ： ５．３
ｍｇ ： ５μｇ６秒 埴■パ」田１■ Ｉｎ： ＩｎＡｓ：ＧａＡｓ：丁ｎＰ＝１ｇ ：
４４．３ｍｇ：９．２ｍｇ：１．５ｍｇ３秒 −１」堕クラ」仁口１旦 Ｉｎ ： ｒｎＰ ： Ｓｎ ＝ Ｉｇ ： ５．３
ｍｇ ： ３０．０μｇ２００秒 一工ニョエり囮工旦しづ一色上１Ｍ Ｉｎ ： １ｎＡｓ ： ＧａＡｓ ：
ＩｎＰ ： Ｔｅ＝ Ｉｇ ： ４４．３ｍｇ：
９．２ｍｇ：１．５ｍｇ：６００μｇ３０秒 上記の条件により、 ｐ−１ｎＰクラツド［１４はＶ
字形の溝１３の底部から上方に最大１μｍの高さまで。
ｍｇ ： ５μｇ６秒 埴■パ」田１■ Ｉｎ： ＩｎＡｓ：ＧａＡｓ：丁ｎＰ＝１ｇ ：
４４．３ｍｇ：９．２ｍｇ：１．５ｍｇ３秒 −１」堕クラ」仁口１旦 Ｉｎ ： ｒｎＰ ： Ｓｎ ＝ Ｉｇ ： ５．３
ｍｇ ： ３０．０μｇ２００秒 一工ニョエり囮工旦しづ一色上１Ｍ Ｉｎ ： １ｎＡｓ ： ＧａＡｓ ：
ＩｎＰ ： Ｔｅ＝ Ｉｇ ： ４４．３ｍｇ：
９．２ｍｇ：１．５ｍｇ：６００μｇ３０秒 上記の条件により、 ｐ−１ｎＰクラツド［１４はＶ
字形の溝１３の底部から上方に最大１μｍの高さまで。
そして、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層１５は０．１５μｍの
厚さに。
厚さに。
それぞれエピタキシャル成長する。したがって。
［ｎＧａＡｓＰ活性層１５はその幅（Ｗ）方向の二端縁
。
。
すなわち、７字形の溝１３の延伸方向に平行な二端縁、
においてｐ−１ｎＰ基板１１に接する。また、上記の構
造においては、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層１５の幅（Ｗ）
は約１．３ μｍとなり、第４図に示した従来の構造に
おけるＩｎＧａＡｓＰ活性層４の幅（Ｗ）の２分の１程
度に縮小される。なお、上記成長条件は一例に過ぎず、
同一のエピタキシャル成長層を異なる条件で成長させる
ことができることは言うまでもない。
においてｐ−１ｎＰ基板１１に接する。また、上記の構
造においては、 ＩｎＧａＡｓＰ活性層１５の幅（Ｗ）
は約１．３ μｍとなり、第４図に示した従来の構造に
おけるＩｎＧａＡｓＰ活性層４の幅（Ｗ）の２分の１程
度に縮小される。なお、上記成長条件は一例に過ぎず、
同一のエピタキシャル成長層を異なる条件で成長させる
ことができることは言うまでもない。
なお、７字形の溝１３内部にｐ４ｎＰ４ｎＰクラツド。
ＩｎＧａＡｓＰ活性１１５が液相成長する際に、７字形
の溝１３の開口部周囲における高抵抗１ｎＰＪ５１２の
平坦な表面上にもｐＪｎＰ層１４ａおよびｆｎＧａＡｓ
Ｐ層１５ａがエピタキシャル成長する。同様に、７字形
の溝１３内におけるＩｎＧａＡｓＰ活性層１５上の空間
を埋めるｎ−ＩｎＰクラッド層１６が液相成長する際に
も、高抵抗ＩｎＰ層１２の平坦な表面上に、ｎｌｎＰ層
１６ａがエピタキシャル成長する。
の溝１３の開口部周囲における高抵抗１ｎＰＪ５１２の
平坦な表面上にもｐＪｎＰ層１４ａおよびｆｎＧａＡｓ
Ｐ層１５ａがエピタキシャル成長する。同様に、７字形
の溝１３内におけるＩｎＧａＡｓＰ活性層１５上の空間
を埋めるｎ−ＩｎＰクラッド層１６が液相成長する際に
も、高抵抗ＩｎＰ層１２の平坦な表面上に、ｎｌｎＰ層
１６ａがエピタキシャル成長する。
上記の半導体積層構造に対し、 ｎ ” −１ｎＧａ
ＡｓＰコンタクト層２１およびｐ−１ｎＰｉ＋反１１ａ
にそれぞれオーミック接触する電極２２および２３を形
成する。電極２２としては５例えばゲルマニウム（Ｇｅ
）−金（Ａｕ）℃」を層−を、一方、電極２３としては
２例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ
）を順次堆積して成る積層を用いればよい。
ＡｓＰコンタクト層２１およびｐ−１ｎＰｉ＋反１１ａ
にそれぞれオーミック接触する電極２２および２３を形
成する。電極２２としては５例えばゲルマニウム（Ｇｅ
）−金（Ａｕ）℃」を層−を、一方、電極２３としては
２例えばチタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ
）を順次堆積して成る積層を用いればよい。
本発明によれば、活性層の幅が従来より縮小されている
とともに活性層の幅方向の両端縁が一導電型の基板に接
していることによりリーク電流が小さく、かつ１高抵抗
層を有することによりｐｎ接合容量が低減されたＶＳＢ
構造の半導体レーザーが得られる。その結果、低しきい
値電流３高効率。
とともに活性層の幅方向の両端縁が一導電型の基板に接
していることによりリーク電流が小さく、かつ１高抵抗
層を有することによりｐｎ接合容量が低減されたＶＳＢ
構造の半導体レーザーが得られる。その結果、低しきい
値電流３高効率。
かつ、高周波特性であり、良好な遠視野像を有する半導
体レーザーを提供可能とする効果がある。
体レーザーを提供可能とする効果がある。
なお、上記実施例においては、 ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
Ｐ系レーザーについて説明したが１本発明は、 ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓ系レーザー等、他の混晶系の半４体レ
ーザーにおいても同様の効果が得られる。
Ｐ系レーザーについて説明したが１本発明は、 ＧａＡ
ｓ／ＡｌＧａＡｓ系レーザー等、他の混晶系の半４体レ
ーザーにおいても同様の効果が得られる。
第１図は本発明に係る半導体レーザーの構造を示す要部
断面図。 第２図ないし第４図は従来のＶＳＢ型の半導体レーザー
の構造を示す要部断面図 である。 図において。 １はｎ−ＩｎＰ基板。 ２と５８と７と１４ａ はｐｉｎＰ層。 ３と１６はｎ−ＩｎＰクラッド層。 ３ａと１６ａ はｎ −ＩｎＰ層。 ４と１５はＩｎＧａＡｓＰ活性層。 ４ａと１５ａ は１ｎＧａＡｓＰ層。 ５と１４はｐ４ｎＰクラッド層。 ６と１２は高抵抗ＩｎＰ層。 ８はｐ ’−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層１０は本発明
に係る半導体発光装置。 １１はｐ−ＩｎＰ基板。 １１ａはｐ−１ｎＰ単結晶基（反。 １１ｂはｐ４ｎＰバッファ層１１ｂ。 １３は７字形の溝。 ２１はｎ、 ” −１ｎＧａＡｓＰ コンタクト層。 ２２および２３は電極 である。 木々ロバにｆ系ろ半導体ルーフ′− め１ 図 ｆｙ来／）キ導イ本し−ブーハ乍ゴ 第７図 樅粂のも為体し−ア′−ｎ例 第３閉 デテメ（カ 千で１佳し−サーｎ４り”１第４０
断面図。 第２図ないし第４図は従来のＶＳＢ型の半導体レーザー
の構造を示す要部断面図 である。 図において。 １はｎ−ＩｎＰ基板。 ２と５８と７と１４ａ はｐｉｎＰ層。 ３と１６はｎ−ＩｎＰクラッド層。 ３ａと１６ａ はｎ −ＩｎＰ層。 ４と１５はＩｎＧａＡｓＰ活性層。 ４ａと１５ａ は１ｎＧａＡｓＰ層。 ５と１４はｐ４ｎＰクラッド層。 ６と１２は高抵抗ＩｎＰ層。 ８はｐ ’−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層１０は本発明
に係る半導体発光装置。 １１はｐ−ＩｎＰ基板。 １１ａはｐ−１ｎＰ単結晶基（反。 １１ｂはｐ４ｎＰバッファ層１１ｂ。 １３は７字形の溝。 ２１はｎ、 ” −１ｎＧａＡｓＰ コンタクト層。 ２２および２３は電極 である。 木々ロバにｆ系ろ半導体ルーフ′− め１ 図 ｆｙ来／）キ導イ本し−ブーハ乍ゴ 第７図 樅粂のも為体し−ア′−ｎ例 第３閉 デテメ（カ 千で１佳し−サーｎ４り”１第４０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電の基板上にエピタキシャル成長された高抵抗層と
、 該高抵抗層と該基板との界面に平行な一方向に延伸する
とともに該高抵抗層を貫通するようにして形成された溝
であって、該基板中に位置する底部を有するＶ字形の溝
と、 該基板の該Ｖ字形の溝内に設けられた第１のクラッド層
と、 該Ｖ字形の溝の延伸方向に平行な二端縁を有し、前記二
端縁が該基板に接するようにして、該第１のクラッド層
上に設けられた活性層と、 該Ｖ字形の溝内において該活性層上の空間を埋めるよう
にして該活性層上に設けられた第２のクラッド層 とを有することを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311088A JPH01187993A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311088A JPH01187993A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01187993A true JPH01187993A (ja) | 1989-07-27 |
Family
ID=11824011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311088A Pending JPH01187993A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01187993A (ja) |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1311088A patent/JPH01187993A/ja active Pending
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