JPH01166527A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、リモートコントロール用集積回路（以下略し
てＩＣと呼称）特に受信部に使用する受光用半導体集積
回路の製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 最近のエレクトロニクス製品特に民生用のテレビ、ＶＴ
Ｒやクーラなどの操作はほとんどがリモートコントロー
ル（以下略してリモコンと呼称）化されている。

通常、これらの電子機器のリモコン制御信号には赤外線
が多く使われており、受光部品としてもホトダイオード
等の受光素子を備えた受光用ＩＣが一般的に採用されて
いる。

受光用ＩＣは外部からの赤外線信号を検出し、それを増
幅し波形成形する機能等を備えている。

第２図は従来の受光用ＩＣの構造断面の説明図である。

図において、１はシリコン基板、２は受光アンプ等を構
成する素子、３は外部からの光を受ける受光素子でホト
ダイオードやホトトランジスタである。４は半導体基板
１中に素子の２や３を形成するときに出来る熱酸化膜で
あり、５は各素子から電気信号を取出す電極配線であり
、例えば、ｌやＡｌ７−Ｓｉ等が使用される。６は層間
絶縁膜であってＣＶＤ法にょるＰ　Ｓ　Ｇ　（Ｐｈｏｓ
ｐｈｏ−８１１１ｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ　　；リン・ケ
イ酸ガラスをいう）等で構成される。その主要目的は受
光アンプや波形成形回路等に外部からの光が当たらない
ようにするための遮蔽幕７と電極配線５とを絶縁分離す
ることである。

遮蔽幕７は、これらの受光アンプや波形成形回路等に使
用される素子２に光が当たると、受光素子３と同じよう
に僅かではあるが光励起電流が生じ、それによって回路
が誤動作するために必要欠くべからざるものである。

通常、電極配線５と同じように、ＡｌやＡｇ−３ｉ等が
多用される。８は表面保護のためのパッシベーション膜
であり、ＣＶＤ法による酸化膜（８１０２，ＰＳＧ）や
窒化膜（Ｓ１３Ｎ４）等が使用される。９は素子２等で
構成された回路から信号を外部に取出すためのポンディ
ングパッドである。

［発明の解決すべき問題点］ しかしながら、このような半導体集積回路の製造方法で
は、通常に使用されている多層配線技術を応用している
ので、層間絶縁膜やパッシベーション膜等をパターンニ
ングするために２度に亘りホトリソグラフィとエツチン
グを繰返す必要があった。従って工程が長くなるばかり
でなく、量産性の高いウェットエツチング等を使用する
とポンディングパッドの電極金属も２度にわたりエツチ
ングされるため薄くなり、次の工程でのボンディング性
に悪影響を与えるという問題点があった。

本発明は、以上述べた欠点を除去し、工程の簡略化され
た量産性の高い優れた半導体集積回路の製造方法を提供
することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は受光用集積回路の製造方法において、層間絶縁
膜を形成後遮蔽膜をパターンニングし、次いで感光性ポ
リイミドを塗布してパターンニングした後、感光性ポリ
イミドをマスクとして層間絶縁膜をエツチングするよう
にしたものである。

即ち、本発明は、受光用集積回路の製造方法において、 （１）素子を形成した半導体基板上に層間絶縁膜を形成
する （２）該層間絶縁膜上で光を照射してならない領域に遮
蔽膜を形成する （３）続いて感光性ポリイミドを塗布し露光現像してパ
ターンニングする （４）前記感光性ポリイミドをマスクとして自己整合し
下層の層間絶縁膜をエツチングする（１）〜（４）の工
程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法で
ある。

［作用］ 本発明方法は、後述する実施例の第１図（ａ）〜第１図
（Ｃ）に示す如く、層間絶縁膜を形成後、遮蔽膜をパタ
ーンニングし、次いで感光性ポリイミドを塗布してパタ
ーンニングした後、感光性ポリイミドをマスクとして層
間絶縁膜をエツチングするように構成したので、従来技
術と比較して層間絶縁膜及びパッシベーション膜をレジ
ストでパターンニングする工程を省略出来るばかりでな
く、ボンディングパット上の電極配線金属は、層間絶縁
膜をエツチングする際の１回しかエツチング液にさらさ
れないため、異状に薄くなるという問題を回避でき、次
工程のボンディング性を安定にすることが可能となる等
の作用効果を奏するものである。

次に本発明の実施例について述べる。

［実施例］ 第１図（ａ）〜第１図（Ｃ）は、この発明の実施例を示
す断面フローの説明図である。

図において、１０はｎ型エピタキシャル層、１１ａ、ｌ
ｌｂ、ｌｉｅはコンタクト窓、２０は感光性ポリイミド
であり、他の符号は第２図と同−又は相当部分を示すの
で説明を省略する。

受光素子３としてｐｎホトダイオードやｎｐｎ又はｐｎ
ｐホトトランジスタを使用した場合について説明する。

これらの受光素子３のｐｎ接合に逆バイアス電圧を加え
た状態で光を照射すると、ホールとエレクトロンの対生
成が生ずる。即ち、光によってキャリアの注入が行われ
逆方向電流が増加する現象を利用したものであり、アン
プや波形成形回路等と一体化するためにバイポーラ型半
導体がよく使われる。

第１図（ａ）は、通常のバイポーラ型半導体のプロセス
で素子形成を完了した状態を示す。

Ｐ型基板１にｎ型エピタキシャル層１０を形成し、ホッ
トエツチングと分離・ベース・エミッタ拡散の繰返しで
受光素子３及びアンプや波形成形回路に使用するトラン
ジスタやダイオード及び抵抗などのバイポーラ素子２番
形成する。

次いで素子形成工程で作られた、熱酸化膜４にコンタク
ト窓１１　ａ、　１１　ｂ、　　１１　ｃを形成し、電
極金属としてＡｌやＡｌ−３ｔをスパッタリング法で１
．２〜１．６μｍ蒸着してパターンニングし、電極配線
５を形成して素子形成を完成する。更に層間絶縁膜６と
して例えばＣＶＤ法で０．６〜１．０μｍ程度の５１０
２を形成した後、続いて光の遮蔽膜７として例えばへΩ
膜をスパッタリング法で０．３〜０，５μｍ形成し、光
を照射してはならない領域を残して選択的にエツチング
除去する。

次に第１図（ｂ）に示すように感光性ポリイミドを塗布
し、既知の方法であるレジストパターンを形成すると同
様に露光・現像によって受光素子３及びボンディングバ
ット９上の感光性ポリイミドを除去する。本例では、感
光性ポリイミドとしてＰ１２７０２（デュポン製）を使
用して２μｍ程度の厚さに塗布した後、通常の紫外線露
光機で露光し、ウェットエツチング液で現像した後２５
０〜３５０℃で焼きしめることにより形成出来る。

この後、第１図（Ｃ）に示すように、上記パターンニン
グされた感光性ポリイミドをマスクとして層間絶縁膜６
をエツチング除去し、ボンディングバット９の電極配線
５及び受光素子３の熱酸化膜４を露出させることにより
バイポーラ型受光用ＩＣが完成出来る。

なお、感光性ポリイミドは従来技術のパッシベーション
膜８と同様表面を保護する目的で使用するものである。

また、本実施例では受光素子３上の層間絶縁膜６を除去
したが、露出するのは下地の熱酸化膜４だけであり、と
くに信頼性的に劣化することはなく、光の透過率を上げ
ることにより受光素子３の光感度を増大する効果も期待
出来る。

また、受光素子３の光感度が十分に大きい時には、受光
素子３上の層間絶縁膜６及び感光性ポリイミドを残して
もよい。

［発明の効果］ 本発明の半導体集積回路の製造方法によれば、前述の如
く、遮蔽幕を形成後、感光性ポリイミドを塗布しパター
ンニングし、次いで該感光性ポリイミドと自己整合して
層間絶縁膜をエツチングするようにしたので、従来技術
と比較して層間絶縁膜及びパッシベーション膜をレジス
トでパターンニングする工程を省略出来るばかりでなく
、ボンディングバット上の電極配線金属は、層間絶縁膜
をエツチングする際の１回しかエツチング材にさらされ
ないため、異状に薄くなるという問題を回避でき、次工
程のボンディング性を安定にすることが可能となる等の
効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜第１図（ｃ）は、この発明の実施例を示
す断面フローの説明図、第２図は従来の受光用ＩＣの構
造断面の説明図である。 図において、１：Ｐ型シリコン基板、２：バイボーラ素
子、３：受光素子、４：酸化膜、５：電極配線、６：層
間絶縁膜、７：遮蔽膜、８：パッシベーション膜、９：
ボンディングパッド、１０：ｎ型エピタキシャル層、ｌ
ｌａ、ｌｌｂ、ｌｌｃ：コンタクト窓、２０：感光性ポ
リイミド。 手続補正書（自発） ６３．１１．２１ 昭和　　年　　月　　日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　受光用集積回路の製造方法において、 （１）素子を形成した半導体基板上に層間絶縁膜を形成
   する （２）該層間絶縁膜上で光を照射してならない領域に遮
   蔽膜を形成する （３）続いて感光性ポリイミドを塗布し露光現像してパ
   ターンニングする （４）前記感光性ポリイミドをマスクとして自己整合し
   下層の層間絶縁膜をエッチングする （１）〜（４）の工程を含むことを特徴とする半導体集
   積回路の製造方法。