JPH01166455A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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Publication number
JPH01166455A
JPH01166455A JP62325668A JP32566887A JPH01166455A JP H01166455 A JPH01166455 A JP H01166455A JP 62325668 A JP62325668 A JP 62325668A JP 32566887 A JP32566887 A JP 32566887A JP H01166455 A JPH01166455 A JP H01166455A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
platen
wafer
angle
ion implantation
orientation flat
Prior art date
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Pending
Application number
JP62325668A
Other languages
English (en)
Inventor
Akinaga Kunugi
功刀 昭長
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TERU BARIAN KK
Tel Varian Ltd
Original Assignee
TERU BARIAN KK
Tel Varian Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by TERU BARIAN KK, Tel Varian Ltd filed Critical TERU BARIAN KK
Priority to JP62325668A priority Critical patent/JPH01166455A/ja
Publication of JPH01166455A publication Critical patent/JPH01166455A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオン注入におけるウェーハの角度設定を
プラテン上で行い、イオン注入を可能にしたイオン注入
装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、イオン注入装置では、ウェーハに形成されている
オリエンテーションフラットを以て所定のユニットに移
して位置合せを行った後、プラテンに移送してイオン注
入を行っている。
たとえば、第2図に示すように、ウェーハ2上に形成さ
れたトレンチ4の各側壁にイオン注入を行う場合、ウェ
ーハ2にチルト角θを設定し、第3図の(A)〜(D)
に示すように、オリエンテーションフラット6を基準に
して側壁4142.43.44に順次にイオン注入を行
う。すなわち、第3図において、(A)はオリエンテー
ションフラット角=0°のイオン注入、(B)はオリエ
ンテーションフラット角=90”のイオン注入、(C)
はオリエンテーションフラット角=180°のイオン注
入、CD)はオリエンテーションフラット角=270°
のイオン注入を表す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、1枚のウェーハについて、オリエンテーショ
ンフラット6の角度を変化させてイオン注入を行う場合
には、特定の角度でイオン注入を行った後、そのウェー
ハ2をユニットに移送して角度を変えて位置合せを行い
、再び、プラテンに移送するなど、ユニットによる角度
設定およびプラテンへの移送を行うことが必要であった
そこで、この発明は、プラテン上でウェーハの角度調整
を可能にしたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明のイオン注入装置は、第1図に示すように、ウ
ェーハ2を支持して任意の角度に回転させるプラテン機
構16を備え、オリエンテーションフラット6を基準に
してウェーハ2をプラテン10上で任意の角度に設定し
てイオン注入を行うようにしたものである。
〔作  用〕
この発明のイオン注入装置は、プラテン10上にウェー
ハ2を回転可能に支持させてプラテン10上でウェーハ
2を回転させ、オリエンテーションフラット6を基準に
してウェーハ2を任意の角度に設定し、イオン注入を行
う。
〔実 施 例〕
第1図は、この発明のイオン注入装置の実施例を示す。
ウェーハ2は、真空系におけるプラテン10上に設置さ
れて、イオン源12から発射されるイオン14が注入さ
れる。
プラテン10には、真空系の内部でオリエンテーション
フラット6を基準にしてウェーハ2を任意の角度瀝設定
するとともに、チルト角θを設定するためのプラテン機
構16が備えられている。
すなわち、前面側には、円形の固定ディスク18が固定
されており、この固定ディスク18上につ工−ハ2を°
支持するために、透明なウェーハ受皿20が固定ディス
ク18を貫通させた回転軸22によって回転可能に支持
されている。この回転軸22の後部には、ウェーハ受皿
20を回転させるための歯車24が取り付けられており
、この歯車24には、プラテン10上に固定された回転
駆動用モータ26側の歯車28が噛み合わされている。
モータ26にはその回転を回転軸から検出するエンコー
ダ30が取り付けられている。
そして、固定ディスク18には、ウェーハ受皿20の背
面側でウェーハ2のオリエンテーションフラット6を光
学的に検出する位置検出器32が設置されている。この
位置検出器32は、透明なウェーハ受皿20を通してウ
ェーハ2にたとえば光を当て、その反射光の有無によっ
てオリエンテーションフラット6を電気的に検出するも
のである。この検出信号SIは、プラテン機構16にお
けるウェーハ2の角度制御手段として設置された制御部
34に加えられる。
制御部34は、たとえば、マイクロコンピュータなどで
構成され、角度人力θ1が加えられるとともに、オリエ
ンテーションフラット6の位置を基準にした角度位置を
表す数のパルスからなる回転制御信号■1を発生し、モ
ータ26を回転駆動するためのドライバ36に加える。
これに基づいて、ドライバ36から駆動信号v4.がモ
ータ26に加えられ、モータ26の回転はエンコーダ3
0で検出され、その回転検出信号Sθ1が、ドライバ3
6を通して制御部34に帰還される。
したがって、制御部34に角度人力θ1が加えられると
、位置検出器32の検出信号Stを参酌してオリエンテ
ーションフラット6の位置を基準に、プラテン10のウ
ェーハ受皿20上で角度入力θ、の角度に設定される。
次に、プラテン10は、その下端部に貫通させたプラテ
ンシャフト38によってチルト角θを設定できるように
構成されており、プラテンシャフト38に取り付けられ
た歯付プーリ50と、モータ52側の歯付ブーIJ54
との間に歯付ベルト56が懸は回されている。すなわち
、チルト角入力θ2が制御部34に加えられると、たと
えば、垂直位置を基準にした回転角度を表す数のパルス
からなる回転制御信号v2がドライバ58に加えられ、
ドライバ5日から駆動信号■4□がモータ52に加えら
れる。モータ52の回転は、モータ52の回転軸からエ
ンコーダ60によって検出され、その回転検出信号Sθ
2がドライバ58を通して制御部34に帰還される。し
たがって、チルト角入力θ2と帰還された回転検出信号
Sθ2とが突き合せられ、チルト角入力θ2にプラテン
10のチルト角θが設定される。
したがって、イオン注入に際して、プラテン10上のウ
ェーハ受皿20にオリエンテーションフラット6の位置
を回答考慮することなく、ウェーハ2を設置する。プラ
テン10のチルト角θは、イオン注入角度に応じて設定
され、その制御を行う。
そして、ウェーハ2は、プラテン10上で、オリエンテ
ーションフラット6を基準にして任意の角度に回転され
、所望のオリエンテーションフラット6の位置を設定す
る。そして、イオン注入を行い、その後、角度の変更は
、オリエンテーションフラット6の位置を基準にして所
望の角度人力θ1を与えることにより、ウェーハ2に触
れることなく、プラテン10上で任意に連続して行うこ
とができる。
実施例のプラテン機構16では、真空用のモータ26を
用いるとともに、その回転を歯車24.28によってウ
ェーハ受皿20側に伝達したが、その駆動力の伝達は、
歯付プーリとベルトなどのベルト駆動、スプロケット駆
動、モータによるダイレクト駆動、大気側から回転シャ
フトをイオン注入装置側に貫通させて行うなどの各種の
手段がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、ウェーハに対
するイオン注入において、ウェーハのオリエンテーショ
ンフラット合せをプラテン上で実現したので、プラテン
以外のユニットにウェーハを移送してオリエンテーショ
ンフラット合せを行う必要がなく、プラテン上でオリエ
ンテーションフラット角を任意に設定したウェーハに対
するイオン注入を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のイオン注入装置の実施例を示す斜視
図、第2図はトレンチに対してイオン注入が行われたウ
ェーハを示す図、第3図はウェーハに対するイオン注入
を示す図である。 2・・・ウェーハ 6・・・オリエンチーシロンフラット 10・・・プラテン 16・・・プラテン機構 (A)(B) 第 3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ウェーハを支持して任意の角度に回転させるプラテン
    機構を備え、オリエンテーションフラットを基準にして
    前記ウェーハをプラテン上で任意の角度に設定してイオ
    ン注入を行うことを特徴とするイオン注入装置。
JP62325668A 1987-12-23 1987-12-23 イオン注入装置 Pending JPH01166455A (ja)

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JP62325668A JPH01166455A (ja) 1987-12-23 1987-12-23 イオン注入装置

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JP62325668A JPH01166455A (ja) 1987-12-23 1987-12-23 イオン注入装置

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JPH01166455A true JPH01166455A (ja) 1989-06-30

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ID=18179381

Family Applications (1)

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JP62325668A Pending JPH01166455A (ja) 1987-12-23 1987-12-23 イオン注入装置

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59165360A (ja) * 1983-03-09 1984-09-18 Nissin Electric Co Ltd イオン注入装置
JPS6080241A (ja) * 1983-10-07 1985-05-08 Hitachi Ltd 位置合せ装置
JPS6143442A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Toshiba Corp ウエハ方向位置決め装置
JPS62285355A (ja) * 1986-06-03 1987-12-11 Mitsubishi Electric Corp イオン注入装置

Patent Citations (4)

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