JPH01162290A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　　　要〕 複数のファンクションゲートの電圧降下が等しくなるよ
うにすることによりファンクションドライバ回路の構成
を容易にした磁気バブルメモリ装置に関し、 各ファンクションゲート電圧降下を一様としこれにより
ファンクションドライバ等の外部制御を容易としその回
路を簡素化することを目的とし、磁気バブルメモリに対
してデータの書込み或いは読出しを制御する複数゛のフ
ァンクションゲート（Ｇｅｎ、　　Ｒｅ、　Ｓｗａｐ　
、　Ｂｒｅｐ、　Ｂｓｗａｐ　）と、前記複数のファン
クションゲートの電圧降下がほぼ等しくなるように選択
された少な（とも１つの抵抗と、該抵抗が接続されるフ
ァンクションドライバ回路とからなるように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、複数のファンクションゲートの電圧降下を等
しくなるようにすることによりファンクションドライバ
回路の構成を容易にした磁気バブルメモリ装置に関する
。

〔従来の技術〕

磁気バブルメモリ装置の各ゲートにはそれぞれトランジ
スタからなるファンクションドライバが接続され、各ト
ランジスタの入力信号に応じてファンクションゲートを
制御する。ファンクションゲートは共通電源につられて
おり、ファンクションドライバを構成する各トランジス
タはそのコレクタが各ファンクションゲートに接続され
るとともにエミッタは接地されている。

磁気バブルメモリは大容量、不揮発性の磁性メモリであ
り、その制御部においては、各種のゲートによってデー
タの発生、分割、交換の一連のファンクション動作を行
うために、ファンクションドライバから定電流を流して
いる。

すなわち、磁気バブルメモリ装置においては、データを
格納するマイナーループに対して、データを発生するた
めのジェネレートゲート、データを書込むためのスワッ
プゲート及びデータを読出すためのりブリケートゲート
、がそれぞれ設けられ、またブートループに対してはデ
ータを書込むためのブートループスワップゲート、デー
タを読出すためのブートループリプリケートゲートが設
けられている。

しかしながら、これらファンクション動作のためのファ
ンクション電流は各ファンクションによって異なる電流
値を必要とする。

更に、スワップゲートは例えば５８０Ω、ブートループ
スワップゲートは例えば１００Ω、ジェネレートゲート
は例えば２０〜３０Ωのように、おのおののファンクシ
ョンゲートの抵抗は上述のファンクション電流とは無関
係にそれぞれ異なった抵抗値を有している。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このため、各々のファンクション動作時における電圧降
下は各々のファンクションゲートによって非常に異なる
ので、ファンクションドライバの設計にあたっては各フ
ァンクションゲートに接続されたトランジスタやその他
の周辺回路を各ファンクションゲート毎に異なった設計
をしなければならない。このため、ファンクションドラ
イバ等の磁気バブルデバイスの周辺の回路が複雑であっ
た。

本発明は、各ファンクションゲートの電圧降下を一様と
しこれによりファンクションドライバ等の外部制御を容
易としその回路を筒素化することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明のブロック図を示す。

共通電源ＣＯＭが図示しないマイナーループあるいはブ
ートループを制御するためのファンクションゲートすな
わち、ジェネレートゲート（Ｇｅｎ）、リプリケートゲ
ート（Ｒｅ）、スワップゲート（Ｓｗａｐ　）　、ブー
トループリプリケートゲート（Ｂｒｅｐ）　、ブートル
ープスワンプゲート（Ｂｓｗａｐ　）に接続され、それ
らのゲートにそれぞれ抵抗１゜２．３，４．５の一端子
が接続される。各抵抗１゜２．３．４．５の他の端子は
、ファンクションドライバ６に接続される。そして、フ
ァンクションドライバ６の他端は接地される。

〔作　　　用〕

上記構成において、抵抗１，２，３，４．５の抵抗値を
、ファンクションゲートにおいて必要とされる電流値及
び各ファンクションゲートの抵抗に応じて選定すること
により、各ファンクションゲートと抵抗１〜５とによっ
て生じる電圧降下をそれぞれほぼ等しくできる。従って
各抵抗１，２゜３．４．５に接続されるファンクション
ドライバ６内の各トランジスタ（図示せず）の設計にあ
たっては同一の電圧がそれぞれのコレクタに印加される
ものとして設計すればよい。従ってファンクションドラ
イバ６の構成を簡素にすることができる。

〔実　　施　　例〕

以下、本発明の実施例につき詳細に説明を行う。

まず、第２図は本発明の第１の実施例を示し、共通電源
ＣＯＭに接続されたファンクションゲートＧｅｎ、リプ
リケートゲー）Ｒｅ、スワップゲート５−ａｐｒ　ブー
トリプリケートゲートＢｒｅｐ、ブートスワップゲー）
　Ｂｓｗａｐはそれぞれ異なる抵抗１゜２．３．４．５
に接続される。そして、これらのファンクションゲート
と抵抗１〜５は１個のバブルデバイス７にチップ内に収
納される。このバブルデバイス７からの出力電圧Ｏａ、
　ＯＲ＋　Ｏｓ、　Ｏａｒ。

０１ｌｓはそれぞれファンクションドライバ６に接続さ
れる。この出力電圧Ｏａ　ｒ　ＯＲｒ　Ｏｓ　ｉ　Ｏｗ
＋ｒ＋０口は、ファンクションドライバ６内の図示しな
いトランジスタのコレクタにそれぞれ接続され、これら
のトランジスタのエミッタは接地される。

抵抗１〜５の抵抗値は出力電圧０（、，０，、Ｏ，。

０１＋、＋　Ｏｌｍが一様になるような値に選定する。

これによって本実施例において、ファンクションドライ
バ６の回路を構成する際に、電流ドライブ時に各ファン
クションゲートと各抵抗の組における電圧降下が同一と
なるので同一構成の電流ドライブ回路で制御可能となる
。さらに、ファンクションゲートと抵抗をバブルデバイ
ス７内に収納したので、抵抗をチップ外に設ける必要が
なく外部回路の部品の点数を減少できる。

第３図は本発明の他の実施例を示すものでバブルデバイ
ス７内において共通電源ＣＯＭに抵抗１１と抵抗１２と
を接続し、ブートループリプリケートゲートＢｒｅｐは
抵抗１１の一端よりダイオード１１１を介して接続され
、ジェネレートゲートＧｅｎは抵抗１１の中間端子より
ダイオード１１２を介して接続され、リプリケートゲー
トＲｅは抵抗１１のさらに異なる中間端子からダイオー
ド１１３を介して接続される。また、ブートスワップゲ
ートＢｓｗａｐは抵抗１２の一端からダイオード１１２
を介して接続され、スワップゲートＳｗａｐは抵抗１２
の中間端子からダイオード１２２を介して接続される。

そしてファンクションゲートＢｒｅｐ。

Ｇｅｎ、Ｒｅ、　Ｂｓｗａｐ　、　Ｓｗａｐはそれぞれ
ほぼ同一の出力電圧Ｏｎｒ、、Ｏａ　、ＯＲ、ｏ、、、
ｏ、をファンクションドライバ６に転送する。この実施
例においては、各ファンクションゲートにそれぞれ共通
の抵抗１１或いは１２を接続しその抵抗の一端子あるい
は異なる中間端子から出力電圧を取り出すことによって
、第２図に示した実施例と同様に各種のファンクション
ゲートと抵抗の組における電圧降下を一律になるように
調整することができる。ここでダイオード１１１，１１
２，１１３，１２１゜１２２は、ファンクションゲート
間の電位差による逆流電流の防止を行うものである。こ
のダイオードはさらに、ゲートのマトリクス化によるド
ライブ方式においては、逆流電流の防止効果も奏する。

第４図は、バブルデバイスのチップ内において、抵抗１
〜５を設ける位置を矢印２１〜２５で示したもので、パ
ターンの構成では末端部分に相当する位置に抵抗を配し
、それぞれのファンクションゲートＲｅｐ　、　Ｂｒｅ
ｐ、　Ｓｗａｐ、　Ｇｅｎ、Ｂｓ１ｖａｐに接続する。

なお、Ｄはデータ読出し用のディテクタである。

また、ＴＡＢ上にマルチチップ実装をする場合には、こ
れらの抵抗１〜５をＴＡＢ上に実装してもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、各種のファンクションゲートの電圧降
下がそれぞれ一様となるのでファンクションドライバの
回路構成を簡素化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のブロック図、 第２図は本発明の第１の実施例の回路図、第３図は本発
明の第２の実施例の回路図、第４図は本発明の抵抗の接
続箇所を示す図である。 Ｇｅｎ　　・・・ジェネレートゲート Ｒｅ・・・リプリケートゲート、 Ｓｗａｐ・・・スワップゲート、 Ｂｒｅｐ・・・ブートルーブリプリゲート、Ｂｓｗａｐ
　　・・・ブートループスワップゲート、６・・・ファ
ンクションドライバ、 ７・・・バブルデバイス。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）磁気バブルメモリに対してデータの書込み或いは読
   出しを制御する複数のファンクションゲート（Ｇｅｎ、
   Ｒｅ、Ｓｗａｐ、Ｂｒｅｐ、Ｂｓｗａｐ）と、前記複数
   のファンクションゲートの電圧降下がほぼ等しくなるよ
   うに選択された少なくとも１つの抵抗（１〜５）と、 該抵抗が接続されるファンクションドライバ回路（６）
   とからなることを特徴とする磁気バブルメモリ装置。 ２）前記抵抗（１〜５）は、ファンクションゲートが収
   納される磁気バブルメモリデバイスと同一チップ内に設
   けられたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   磁気バブルメモリ装置。 ３）前記抵抗（１〜５）はそれぞれのファンクションゲ
   ートに対応して設けられたことを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の磁気バブルメモリ装置。 ４）前記抵抗（１〜５）はファンクションゲートによっ
   て共有されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の磁気バブルメモリ装置。 ５）前記ファンクションゲートには電流逆流防止用ダイ
   オードを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁気バブルメモリ装置。