JPH01160376A - インバータ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、一対のスイッチング素子を有し、−方のスイ
ッチング素子と同電位の発振回路から電位の異なる他方
のスイッチング素子へトランス等の絶縁素子を介さずに
信号伝達を行うようにしたインバータ装置に関するもの
である。

（背景技術） 第７図は従来のインバータ装置の回路図であり、第８図
はその動作波形図である。直流電源■の両端には、スイ
ッチング素子ｓｗ、、ｓｗ２の直列回路が接続されてい
る。スイッチング素子ＳＷ、、ＳＷ２は例えば電力用の
ＭＯＳトランジスタやダイオードを逆並列接続された電
力用のバイポーラトランジスタにて構成される。各スイ
ッチング素子ｓｗ、、ｓｗ２は、ドライバ回路１．２の
出力信号■。

■２によりそれぞれオン・オフ駆動される。一方のスイ
ッチング素子ＳＷ２の両端には、インダクタンスＬ０を
介して、負荷ＺとコンデンサＣ０との並列回路が接続さ
れている。負荷Ｚとしては、例えば放電灯が用いられる
゛、負荷２が放電灯であるときに、インダクタンスＬ０
、コンデンサＣ０の共振回路を用いるのは、放射ノイズ
等の関係から負荷電流の波形を正弦波状にするためであ
る。各スイッチング素子ＳＷ、、ＳＷ２の電流１１．Ｉ
２は、第８図（ｍ）　、　（４）に示すように、負方向
から始まり、正方向で遮断している。これは、インダク
タンスＬ０、コンデンサＣ０による共振回路の共振周波
数よりも、スイッチング素子ｓｗ、、ｓｗ２のドライブ
周波数を高く設定しているためである。このように設定
すると、例えばスイッチング素子ＳＷ１がオフしたとき
に、負荷回路による共振電流は、スイッチング素子ＳＷ
２をまず負方向に流れることになり、続いてスイッチン
グ素子ＳＷ２の正方向に流れる。スイッチング素子ＳＷ
２がオフする時にも同様に、負荷回路による共振電流は
スイッチング素子ＳＷ、をまず負方向に流れ、続いてス
イッチング素子Ｓ　Ｗ　＋の正方向に流れる。このとき
、各スイッチング素子ｓｗ、、ｓｗ２の素子電圧Ｖ５．
Ｖ、は、夫々がオフする時に高電圧へ移行する。

直流電源■の両端に接続された抵抗Ｒ１，コンデンサＣ
５の直列回路は発振回路５及びドライバ回路２を含む下
側回路の電源回路であり、スイッチ　　　゛ング素子Ｓ
Ｗｌの両端に接続された抵抗Ｒ２，コンデンサＣ２の直
列回路はドライバ回路１を含む上側回路の電源回路であ
る。コンデンサＣ３、Ｃ４はスイッチング素子ＳＷ、、
ＳＷ２の容量成分である。

コンデンサＣ８にて給電される発振回路５は、２つのド
ライブ信号ｖＡ、ｖ日を出力している。ドライブ信号ｖ
Ａはドライバ回路２に入力され、ドライブ信号ＶＢは信
号伝達回路を介して、ドライバ回路１に入力される。信
号伝達回路は、トランジスタＴ　ｒ　＋　＋　Ｔ　ｒ　
ｚ　＋　Ｔ　ｒ　３　、　Ｔ　ｒ　４、ダイオードＤ＋
、抵抗Ｒ５よりなり、トランス等の絶縁素子を用いない
て信号伝達を行っている。トランジスタＴｒ。

Ｔｒ、はカレントミラー回路３を構成し、トランジスタ
Ｔ　ｒ　３　＋　Ｔ　ｒ　４はカレントミラー回路４を
構成している０発振回路５から出力されるドライブ信号
Ｖ８は、カレントミラー回路３の一方のトランジスタＴ
ｒｌに入力され、カレントミラー回路３の他方のトラン
ジスタＴｒ２の出力は、カレントミラー回路４の一方の
トランジスタＴｒ３に入力されている。カレントミラー
回路４の他方のトランジスタＴｒ４は抵抗Ｒ１を直列に
接続されて、コンデンサＣ２の両端に接続されている。

各トランジスタＴ　ｒ　＋〜Ｔｒ＜の電流増幅率ｈｆｅ
が十分に大きいものとすると、ドライブ信号ＶＢによっ
てトランジスタＴｒ。

に流れる入力電流１口′とほぼ同じ電流が信号伝達電流
ＩＢとしてトランジスタＴ　ｒ、　、　Ｔ　ｒ　、に流
れ、また、トランジスタＴｒ、に流れる信号伝達電流Ｉ
。

とほぼ同じ電流がトランジスタＴｒ４に出力電流工。

となって流れる。ドライブ信号ＶＢが高レベルのときに
は、トランジスタＴ　ｒ　＋　、　Ｔ　ｒ　２が導通し
て、信号伝達電流Ｉ日が流れ、トランジスタＴｒ３．Ｔ
ｒ４も導通する。トランジスタＴｒ＜が導通すると、抵
抗Ｒ３に出力電流■４が流れ１．抵抗Ｒ３の両端に電圧
降下が生じて、ドライバ回路１の入力信号Ｖ。

が高レベルとなる。ドライブ信号ＶＢが低レベルのとき
には、ドライバ回路１の入力信号ｖ４は低レベルとなる
。なお、各カレントミラー回路３゜４のトランジスタＴ
ｒ、〜Ｔｒ４は高速動作を行うために、不飽和領域で動
作している。

ダイオードＤ１はトランジスタＴｒ２がオフしたときに
、トランジスタＴｒ２のコレクタ・エミッタ間の浮遊容
量成分Ｃｓに充電された蓄積電荷を放出するバイパス経
路を形成して、トランジスタＴｒ３のベース・エミッタ
間逆電圧を低減するために設けられている。

この従来例では、トランスや、フォトカブラ等の絶縁素
子を用いないで、発振回路５とは異電位側のドライバ回
路１に、ドライブ信号ＶＢに同期した入力信号■、を伝
達することができ、制御回路のＩＣ化に適した構成とな
っている。しかしながら、この従来例にあっては、ドラ
イブ信号■８が低レベルであるときに、素子電圧Ｖ、が
上昇すると、コンデンサＣ２及びカレントミラー回路４
における一方のトランジスタＴｒ２を介して、トランジ
スタＴｒ２の容量成分Ｃｓへの充電電流が流れて、これ
が信号伝達電流■Ｂのような作用をなし、誤動作を生じ
ることがあった。

以下、第８図を参照しながら、この動作について説明す
る。まず、時ｍｔｏでドライブ信号ＶＢ（第８図（ｂ）
）が低レベルになると、カレントミラー回路３．４の電
流ＩＢ’、ＩＢ、Ｉ＜（同図（ｃ）　、　（ｄ）　、　
（ｅ））が流れなくなり、ドライバ回路１の入力信号Ｖ
　４　（同図（ｆ））が低レベル、ドライバ回路１の出
力信号Ｖ＋（同図（ｈ））が低レベルとなり、スイッチ
ング素子ＳＷ、はオフする。このとき、素子電圧Ｖ　３
　、　Ｖ　ｓ　（同図（ｉ）、（ｊ））はスイッチング
素子ＳＷ＋、ＳＷ２の容量成分Ｃ３、Ｃ＜によって傾斜
的に変化し、その電流は時刻り以降は負荷回路の共振作
用によって負方向の電流■２（同図（１））となって流
れ、時刻【２以降は、ドライブ信号ＶＡ（同図（ａ））
が高レベルとなることによりスイッチング素子ＳＷ２が
オンして、正方向に流れる。素子電圧■、゛の低下に伴
い、カレントミラー回路３のトランジスタＴｒ２の浮遊
容量Ｃｓの充電電圧ＶＳ（同図（ｋ））も同期して低下
し、この容量成分Ｃｓからの電荷の放電は、ダイオード
Ｄ、及びコンデンサＣ２を介して行われる０時刻ｔ３に
おいて、ドライブ信号ｖＡが低レベルとなると、ドライ
バ回路２の出力信号Ｖｚ（同図（ｇ））が低レベルとな
り、スイッチング素子ｓｗ２がオフし、負荷回路の共振
作用によって素子電圧■、は上昇して行く、このとき、
容量成分Ｃｓがカレントミラー回路４を通じて充電され
、その充電電圧■６も上昇していく。ここで、カレント
ミラー回路４から容量成分Ｃｓへの充電電流は、ドライ
ブ信号ＶＢによる信号伝達電流■Ｂと同じ経路に流れる
ことになるので、出力電流工、が流れて、ドライバ回路
１への入力信号Ｖ、のレベルが上昇し、時刻ｔ４でドラ
イバ回路１の出力信号Ｖ１が高レベルとなる。故にスイ
ッチング素子Ｓｗｌはオンとなるが、この時点では素子
電圧Ｖ、、Ｖ、は変化している途中であるため、容量成
分Ｃ、、ｃ　４の急速な充放電が行われる。この電流は
波高値の高いもので、スイッチング損失となり、時には
スイッチング素子ｓｗ、、ｓｗ２の破壊や雑音の発生原
因となったりする０時Ｍｔｓ以降はドライブ信号ＶＢが
高レベルとなるので、スイッチング素子ｓｗ１はオンし
続け、電流Ｉｌ（第８図（ｍ））が正方向に流れ払０時
刻ｔ６でドライブ信号ＶＢが低レベルとなり、再びスイ
ッチング素子ＳＷ１がオフして、以下、この繰り返しで
負荷回路に高周波電力を供給するものである。

以上の説明から分かるように、この従来例にあっては、
ドライブ信号ＶＢが低レベルであっても、素子電圧Ｖ、
の上昇によって容量成分Ｃｓへの充電電流が流れて、こ
れが恰も信号伝達電流ＩＢのように作用するために、ス
イッチング素子ＳＷ１がオンしてしまうという問題があ
り、信頼性の改善が望まれていた。

（発明の目的） 本発明は上述のような点に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、信号伝達回路の容量成分への
充電電流が恰も信号伝達電流のように作用することを防
止して、信頼性を向上せしめたインバータ装置を提供す
ることにある。

（発明の開示） 本発明に係るインバータ装置の構成を、第１図実施例に
ついて説明すると、直流電源■に第１及び第２のスイッ
チング素子ｓｗ、、ｓｗ、の直列回路を接続し、第１及
び第２のスイッチング素子ＳＷ＋、ＳＷ２にてスイッチ
ングされた出力により交流駆動される負荷回路を備え、
第１のスイッチング素子ＳＷ、をオン・オフさせる第１
のドライブ信号ＶＢと、第２のスイッチング素子ＳＷ２
を第１のスイッチング素子ＳＷ１と同時にはオンしない
ようにオン・オフさせる第２のドライブ信号■Ａとを発
生する発振回路５を、第２のスイッチング素子ＳＷ２と
同電位側に備え、発振回路５から第１のスイッチング素
子ＳＷ、に第１のドライブ信号Ｖ日を絶縁素子を介さず
に電流信号■８として伝達する信号伝達回路（カレント
ミラー回路３，４）を備えて成るインバータ装置におい
て、信号伝達回路の容量成分Ｃｓへの充電電流が流れて
いる間は、第１のスイッチング素子ＳＷ１をオンさせる
信号■、の伝達を禁止するゲート回路（Ａ　Ｎ　Ｄゲー
トＧ、）を設けたことを特徴とするものである。

本発明にあっては、このように、信号伝達回路の容量成
分Ｃｓへの充電電流が流れている間は、第１のスイッチ
ング素子ＳＷ１をオンさせる信号Ｖ、の伝達を禁止する
ようにしたので、容量成分Ｃｓへの充電電流によって第
１のスイッチング素子ＳＷ１が間違ってオンするような
不都合を防止できるものである。

以下、本発明の実施例について説明する。なお、実施例
回路において、従来例回路と同一の機能を有する部分に
は同一の符号を付して重複する説明は省略する。

爽ｊｉＪＬＬ 第１図は本発明の一実施例の回路図であり、第２図はそ
の動作波形図である０本実施例にあっては、第７図従来
例において、ドライバ回路１への入力信号■、をＡＮＤ
ゲートＧ＋の一方の入力とし、ＡＮＤゲートＧ１の出力
をドライバ回路１の入力信号Ｖ９としたものである。Ａ
ＮＤゲートＧ、の他方の入力には、素子電圧Ｖ、が上昇
して安定したときに高レベルとなるゲート信号Ｖ８が入
、力されている。このゲート信号■、を作成するために
、抵抗Ｒ４、Ｒｓ　、　Ｒｓ及びトランジスタＴｒｓを
設けている。抵抗Ｒ４、Ｒｓの直列回路は、スイッチン
グ素子ＳＷｔの両端に接続されている。抵抗Ｒ６の両端
には、直流電源Ｖの電圧Ｖから素子電圧■、を差し引い
た電圧（Ｖ　　Ｖ３）を分圧した電圧信号Ｖ。

が得られる。抵抗Ｒ，とトランジスタＴｒｓの直列回路
は上側回路の電源となるコンデンサＣ２の両端に並列接
続されている。トランジスタＴｒ５のベースは抵抗Ｒ，
，Ｒｓの接続点に接続されている。

前記ゲート信号■、はトランジスタＴｒｓのコレクタ電
位として得られるものである。素子電圧■。

が上昇して安定すると、電圧（Ｖ　　Ｖａ）を分圧した
電圧信号ｖフは低レベルとなり、トランジスタＴｒｓが
オフとなり、ゲート信号■８は高レベルとなる。素子電
圧Ｖ、が上昇している途中の状態では、電圧（ｖ　　Ｖ
３）を分圧した電圧信号Ｖ、は低レベルではないので、
トランジスタＴ　ｒ　ｓがオンとなり、ゲート信号■、
は低レベルとなる。したがって、素子電圧Ｖ、が上昇し
ている途中の状態では、たとえ、入力信号ｖ４が高レベ
ルとなっても、ドライバ回路１の入力信号Ｖ、が高レベ
ルとなることはないものである。

以下、第２図を参照しながら上記の動作について詳説す
る６時刻ｔ。において、ドライブ信号ＶＢ（第２図（ｂ
））が低レベルになると、電流Ｔ　Ｂ’　ｒ　Ｉ　Ｂ（
同図（ｃ）　、　（ｄ）　）が流れなくなり、ＡＮＤゲ
ートＧ１の入力信号Ｖ４（同図（ｅ））が低レベルとな
り、ドライバ回路１の入力信号Ｖ　Ｓ　（同図（ｈ））
及びその出力信号Ｖ　＋　（同図（ｊ））が低レベルと
なって、スイッチング素子ＳＷｌがオフする。このとき
、負荷回路に流れていた電流は、スイッチング素子ＳＷ
、の負方向に流れて、スイッチング素子ＳＷ２の素子電
圧Ｖ　）　（同図（ｋ））は傾斜的に減少する。素子電
圧Ｖ、が減少することにより、電圧（Ｖ　　Ｖ３）が上
昇し、電圧信号Ｖ７（同図（ｒ））は低レベルではなく
なるので、トランジスタＴｒｓがオンして、ゲート信号
ＶＳ（同図（ｇ））は低レベルとなる０時刻ｔ１でドラ
イブ信号ＶＡ（同図（ａ））が高レベルになると、スイ
ッチング素子ＳＷ２がオンして、電流Ｉ２（同図（ｎ）
）が正方向に流れる。やがて、時刻ｔ２になると、ドラ
イブ信号ｖＡは低レベルとなり、ドライバ回路２の出力
信号Ｖ２（同図（ｉ））が低レベルとなって、スイッチ
ング素子ＳＷ２はオフとなる。このとき、負荷回路を流
れていた電流は共振作用により流れ続けようとし、スイ
ッチング素子ＳＷ１を負方向に流れ、素子電圧■、が上
昇して行く、これに同期して、容量成分Ｃｓの充電電圧
ＶＳ（同図（１））も上昇して行く、容量成分Ｃｓの充
電電圧ｖ６の上昇に伴う充電電流により、ドライブ信号
■８が低レベルであるにも拘わらず、電流ＩＢが流れて
、ＡＮＤゲートＧ１の入力信号Ｖ　４　（同図（ｅ））
のレベルが上昇し、時刻ｔ３では入力信号Ｖ、が高レベ
ルとなるが、充電電圧Ｖ６の上昇中においては、電圧信
号Ｖ、は低レベルではなく、トランジスタＴｒ５がオン
しており、ゲート信号■８は低レベルであるので、入力
信号Ｖ、はＡＮＤゲートＧ、を通過せず、ドライバ回路
１の入力信号ｖｇは高レベルにはならない。したがって
、ドライバ回路１の出力信号Ｖ、が高レベルになること
もなく、スイッチング素子ＳＷ１が正方向にオンするこ
とはない。

時刻ｔ４でドライブ信号Ｖ日が高レベルとなり、電流ｔ
Ｄ＋に応した電流ＩＢが流れ、且つ、素子電圧Ｖ、が上
昇を完了して電圧信号ｖ７が低レベルになると、トラン
ジスタＴｒ５がオフしてゲート信号Ｖ８が高レベルとな
り、入力信号■４がＡＮＤゲートＧ１を通過して、ドラ
イバ回Ｆａ１の入力信号Ｖ、が高レベルとなる。このた
め、ドライバ回路１の出力信号Ｖ、が高レベルとなって
、スイッチング素子Ｓ　Ｗ　＋がオンして、電流Ｉ＋（
同図（、））が正方向に流れる０次に、時刻ｔ、でドラ
イブ信号Ｖ日が低レベルとなってスイッチング素子ＳＷ
ｌが再びオフし、この繰り返しによって、負荷Ｚに電力
が供給されるものである。

以上のように、本実施例にあっては、容量成分Ｃｓの充
電電圧Ｖ６と同期する素子電圧Ｖ、が上昇を完了してい
ないときには、ゲート信号Ｖ＠を低レベルとして、ドラ
イバ回路１への入力信号■。

を低レベルに保持するようにしたので、従来例のように
、素子電圧Ｖ、の上昇途中でドライバ回路１の出力信号
Ｖ、が高レベルとなるような不都合は防止できるもので
ある。

Ｋ１１え 第３図は本発明の第２実施例の回路図であり、第４図は
その動作波形図である０本実施例にあっては、カレント
ミラー回路３．４を含む信号伝達回路と等価なダミーの
信号伝達回路を設けて、このダミーの信号伝達回路に電
流Ｉｃが流れているときには、ＡＮＤゲートＧ１の信号
通過を禁止するようにしたものである。

ダミーの信号伝達回路は、トランジスタＴｒｇ。

Ｔ　ｒ　、　、　Ｔ　ｒ、、ダイオードＤ２、及び抵抗
Ｒ７よりなり、これらは、それぞれトランジスタＴ　ｒ
　ｙ　、　Ｔ　ｒ　４１Ｔｒ２、ダイオードＤ、、及び
抵抗Ｒ１と同一の特性の素子を使用し、且つ、同一の接
続関係で接続しである。ただし、トランジスタＴｒａの
ベース・エミッタ間はショートさせである。抵抗Ｒｔの
両端に生じる電圧信号■、と、抵抗Ｒ１の両端に生じる
電圧信号Ｖ、は、ＮＡＮＤゲートＧ２に入力されている
。ＮＡＮＤゲートＧ２の出力は、ゲート信号Ｖ、とじて
、ＡＮＤゲートＧ、の片側の入力とされている。

この回路にあっては、トランジスタＴｒｓは、トランジ
スタＴｒｚの容量成分Ｃｓとほぼ同じ容量成分Ｃｓ’を
持つことになる。故に、素子電圧Ｖ、の上昇時には、容
量成分Ｃｓ及びＣｓ’への充電電流による不必要な出力
は、電圧信号ｖ４とｖ７に共通に現れることになり、こ
のとき、ＮＡＮＤゲートＧ２から出力されるゲート信号
■８は低レベルとなる。また、ドライブ信号ＶＢが高レ
ベルとなって、電流ｒ　、＋　、　１．が流れたときに
生じる正規の出力は、電圧信号■４にのみ現れ、電圧信
号Ｖ、には現れない、このとき、ＮＡＮＤゲー）　Ｇ　
２から出力されるゲート信号ｖ８は高レベルとなる。

以下、第４図を参照しながら、上記の動作について詳説
する０時刻計。において、ドライブ信号ＶＢ（第４図（
ｂ））が低レベルとなると、電流Ｉ　Ｂ’　、　Ｉ。

（同図（ｃ）、（ｄ））が流れなくなり、電圧信号Ｖ　
４（同図（「））は低レベルとなり、ドライバ回路１の
入力信号Ｖ　Ｓ　（同図（ｉ））及び出力信号Ｖ　＋　
（同図（ｋ））は低レベルとなり、スイッチング素子Ｓ
Ｗ１はオフする。このとき、素子電圧Ｖ、（同図（１）
）はスイッチング素子ＳＷ、、ＳＷ２の容量成分Ｃ，，
Ｃ，によって傾斜的に減少して行く、負荷回路に流れて
いた電流は共振作用により流れ続けようとし、スイッチ
ング素子ＳＷ２を負方向に流れる。また、容量成分Ｃｓ
及びＣｓ’の電荷は、ダイオードＤ、及びＤ２を通じ、
コンデンサＣ２を介して放出される。時刻ｔ、でドライ
ブ信号’Ｖ　Ａ（同図（ａ））が高レベルとなり、出力
信号Ｖ２（同図（ｊ））が高レベルとなって、スイッチ
ング素子ＳＷｚがオンして、電流Ｉ２（同図（ｎ））が
正方向に流れる０時刻計２になると、ドライブ信号ｖＡ
が低レベルとなり、スイッチング素子ＳＷ２はオフし、
負荷回路に流れていた電流は共振作用により流れ続けよ
うとし、スイッチング素子ＳＷ１を負方向に流れること
になる。素子電圧■、は、先程とは逆に傾斜的に増加し
て行き、容量成分Ｃｓ、Ｃｓ’の各充電電圧Ｖ　ｓ　、
　Ｖ　＋　ｏ　（同図（ｍ）　）もそれぞれ上昇して行
く、このとき、電流Ｉ　８．　Ｔｃ（同図（ｄ）　、　
（ｅ）　）により、カレントミラー回路４．６のトラン
ジスタＴｒ４．Ｔｒｒに電流が流れ、時刻ｔ３にて電圧
信号Ｖ　４　、　Ｖ　７　（同図（ｆ）、（ｇ））が共
に高レベルとなる。これにより、ゲート信号ｖｅ（同図
（ｈ））は低レベルとなるため、電圧信号Ｖ　４　（同
図（ｆ））が高レベルであるにも拘わらず、ドライバ回
路１の入力信号Ｖ　Ｓ　（同図（ｉ））は低レベルに保
持され、スイッチング素子ＳＷ１はオンしない。

時刻ｔ４で容量成分Ｃｓ、Ｃｓ’は充電完了となり、電
流ＩＣが流れなくなり、電圧信号Ｖ、は低レベルとなる
。したがって、ゲート信号■、は高レベルとなる。一方
、ドライブ信号Ｖ日が高レベルとなり、電流ＨＤ＋に基
づく電流Ｉ、が流れることにより、電圧信号Ｖ４は高レ
ベルを維持し続ける。この電圧信号Ｖ、はＡＮＤゲート
Ｇ１を通過して、ドライバ回路ｌの入力信号Ｖ、となり
、ドライバ回路１の電圧信号Ｖ、が高レベルとなること
により、スイッチング素子ｓｗ、がオンとなり、電流工
＋（同図（０））が正方向に流れる。その後、時刻ｔ、
でドライブ信号ＶＢが再び低レベルとなり、以下、この
繰り返しにより負荷Ｚに高周波電力を供給するものであ
る。

このように、本実施例にあっては、実際の信号伝達回路
と等価なダミーの信号伝達回路を設けて、容量成分Ｃｓ
への充電電流が流れている期間中は、スイッチング素子
ＳＷＩがオンされないようにしたので、信頼性を高くす
ることができるものである。

Ｋ１λｌ 第５図は本発明の第３実施例の要部回路図である０本実
施例にあっては、第３図の回路におけるトランジスタＴ
ｒ、を、トランジスタＴｒ２の容量成分Ｃ３とほぼ同じ
容量のコンデンサＣ，に置き換えたものであり、その他
の回路構成及び動作については、第３図の回路と同様で
ある。この場合にも、素子電圧■、の上昇による容量成
分Ｃｓへの充電電流を、コンデンサＣ８への充電電流と
して検出することができ、同様の効果が期待できるもの
である。

大１１０゜ 第６図は本発明の第４実施例の要部回路図である０本実
施例にあっては、信号伝達回路として、不飽和領域で動
作するカレントミラー回路３．４の代わりに、飽和領域
で動作するスイッチング回路を用いている。この信号伝
達回路にあっては、トランジスタＴｒ、は抵抗Ｒ１を直
列に接続されて、コンデンサＣ２（図示せず）の両端に
接続されている。トランジスタＴｒｎのベース・エミッ
タ間には、抵抗Ｒ５が接続されている。トランジスタＴ
ｒ４のベースは、トランジスタＴｒ２のコレクタに接続
されている。ドライブ信号ＶＢが高レベルのときには、
抵抗Ｒ８を介してトランジスタＴｒ２にベース電流が流
れて、トランジスタＴｒ２がオンする。このとき、抵抗
Ｒ１を介して電流が流れ、抵抗Ｒ９に生じる電圧により
、トランジスタＴｒ４がオンし、抵抗Ｒ１に電流が流れ
、抵抗Ｒ１に信号ｖ４が生じて、信号伝達が行われる。

ドライブ信号ＶＢが低レベルのときには、信号■４も低
レベルとなる。

このような信号伝達回路においても、トランジスタＴｒ
ｚがオフしている状態において、そのコレクタ・エミッ
タ間の容量成分Ｃｓへの充電電流により、信号Ｖ、が高
レベルとなることがあるので、本発明を適用する意義が
ある。そこで、本実施例にあっては、トランジスタＴ　
ｒ　７　、　Ｔ　ｒ　＠、ダイオードＤ２、及び抵抗Ｒ
９゜よりなるダミーの信号伝達回路を設けている。これ
らは、それぞれトランジスタＴｒ、、Ｔｒ、、ダイオー
ドＤ１、及び抵抗Ｒ５と同一の特性の素子を使用し、且
つ、同一の接続関係で接続しである。ただし、トランジ
スタＴｒ、のベース・エミッタ間はショートさせである
０本実施例の動作は第３図回路と同様である。

なお、フルブリッジ構成のインバータ装置、つまり、第
３及び第４のスイッチング素子の直列回路を直流電源Ｖ
と並列に接続し、負荷回路を第１及び第２のスイッチン
グ素子の接続点と第３及び第４のスイッチング素子の接
続点との間に接続し、互いに対角方向のスイッチング素
子を同時にオン・オフし、負荷回路に交番する電流を供
給するようにしたインバータ装置においても、本発明を
適用することができる。

（発明の効果） 本発明は上述のように、直列接続された第１及び第２の
スイッチング素子を有し、第２のスイッチング素子と同
電位の発振回路から電位の異なる第１のスイッチング素
子へ絶縁素子を介さずに信号伝達を行うようにしたイン
バータ装置において、信号伝達回路の容量成分への充電
電流が流れている間は、第１のスイッチング素子をオン
させる信号の伝達を禁止するゲート回路を設けたので、
信号伝達回路の容量成分に流れる充電電流により第１の
スイッチング素子が間違ってオンするような不都合を防
止でき、信顆性の向上を図れるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は同上の動
作波形図、第３図は本発明の第２実施例の回路図、第４
図は同上の動作波形図、第５図は本発明の第３実施例の
要部回路図、第６図は本発明の第４実施例の要部回路図
、第７図は従来例の回路図、第８図は同上の動作波形図
である。 ■は直流電源、ｓｗ、、ｓｗ、はスイッチング素子、３
，４はカレントミラー回路、５は発振回路、ｖＡ、ｖ８
はドライブ信号、Ｃｓ、Ｃｓ’は容量成分、Ｇ、はＡＮ
Ｄゲートである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）直流電源に第１及び第２のスイッチング素子の直
   列回路を接続し、第１及び第２のスイッチング素子にて
   スイッチングされた出力により交流駆動される負荷回路
   を備え、第１のスイッチング素子をオン・オフさせる第
   １の信号と、第２のスイッチング素子を第１のスイッチ
   ング素子と同時にはオンしないようにオン・オフさせる
   第２の信号とを発生する発振回路を、第２のスイッチン
   グ素子と同電位側に備え、発振回路から第１のスイッチ
   ング素子に第１の信号を絶縁素子を介さずに電流信号と
   して伝達する信号伝達回路を備えて成るインバータ装置
   において、信号伝達回路の容量成分への充電電流が流れ
   ている間は、第１のスイッチング素子をオンさせる信号
   の伝達を禁止するゲート回路を設けたことを特徴とする
   インバータ装置。