JPH01160011A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01160011A JPH01160011A JP31739987A JP31739987A JPH01160011A JP H01160011 A JPH01160011 A JP H01160011A JP 31739987 A JP31739987 A JP 31739987A JP 31739987 A JP31739987 A JP 31739987A JP H01160011 A JPH01160011 A JP H01160011A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法、例えば半導体基板に形成された
不純物拡散層とコンタクトをとる電極を選択的に成長し
た高融点金属の三層構造で形成する方法に関し、 半導体基板とコンタクトをとる電極を、半導体基板の侵
食なく、半導体基板とのコンタクト抵抗を低（抑え、し
かも半導体基板との密着性に優れた電極を形成する方法
を提供することを目的とし、半導体基板上のコンタクト
ホールを埋めて該半導体基板とコンタクトをとる電極の
形成において、第１の温度でハロゲン化高融点金属を水
素還元して第１の高融点金属膜を成長する工程、次いで
前記と同じ温度で同金属のシリサイド膜を成長する工程
、および前記第１の温度より高い第２の温度で前記シリ
サイド膜上に高融点金属を成長する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法を含み構成する。
不純物拡散層とコンタクトをとる電極を選択的に成長し
た高融点金属の三層構造で形成する方法に関し、 半導体基板とコンタクトをとる電極を、半導体基板の侵
食なく、半導体基板とのコンタクト抵抗を低（抑え、し
かも半導体基板との密着性に優れた電極を形成する方法
を提供することを目的とし、半導体基板上のコンタクト
ホールを埋めて該半導体基板とコンタクトをとる電極の
形成において、第１の温度でハロゲン化高融点金属を水
素還元して第１の高融点金属膜を成長する工程、次いで
前記と同じ温度で同金属のシリサイド膜を成長する工程
、および前記第１の温度より高い第２の温度で前記シリ
サイド膜上に高融点金属を成長する工程を含むことを特
徴とする半導体装置の製造方法を含み構成する。
本発明は、半導体装置の製造方法、例えば半導体基板に
形成された不純物拡散層とコンタクトをとる電極を選択
的に成長した高融点金属の三層構造で形成する方法に関
する。
形成された不純物拡散層とコンタクトをとる電極を選択
的に成長した高融点金属の三層構造で形成する方法に関
する。
第３図を参照すると、半導体基板１１上に例えぼりん・
シリケートガラス（ＰＳＧ）の絶縁膜１２が形成され、
この絶縁膜１２にコンタクトホール１３が開けられ、コ
ンタクトホール１３を通しての不純物のイオン注入によ
って拡散Ｎ１４がセルファライン（自己整合）で形成さ
れている。この拡散層１４の引出し用の電極１５を、コ
ンタクトホール埋め込み技術の一つである選択的な高融
点金属の選択的成長で形成する技術が開発され、例えば
粁６を水素で還元してタングステン（Ｗ）でコンタクト
ホール１４を埋め込む電極１５を形成する。
シリケートガラス（ＰＳＧ）の絶縁膜１２が形成され、
この絶縁膜１２にコンタクトホール１３が開けられ、コ
ンタクトホール１３を通しての不純物のイオン注入によ
って拡散Ｎ１４がセルファライン（自己整合）で形成さ
れている。この拡散層１４の引出し用の電極１５を、コ
ンタクトホール埋め込み技術の一つである選択的な高融
点金属の選択的成長で形成する技術が開発され、例えば
粁６を水素で還元してタングステン（Ｗ）でコンタクト
ホール１４を埋め込む電極１５を形成する。
ところが、Ｗは下地のシリコン（Ｓｉ）と還元反応を起
すため、Ｗ ｆ）＜ Ｓ ｉを図に破線１６で示すよう
に侵食し、拡散層１４によって形成される接合を破壊す
る問題が発生した。
すため、Ｗ ｆ）＜ Ｓ ｉを図に破線１６で示すよう
に侵食し、拡散層１４によって形成される接合を破壊す
る問題が発生した。
その問題を解決するために、本出願人は選択シリサイド
によるエンクロソチメントバリアを開発した。第４図を
参照すると、コンタクトボール１４内に先ずタングステ
ンシリサイド（ＷＳｉｘ）膜１７を成長し、次いでＷの
電極１５を成長するのである。
によるエンクロソチメントバリアを開発した。第４図を
参照すると、コンタクトボール１４内に先ずタングステ
ンシリサイド（ＷＳｉｘ）膜１７を成長し、次いでＷの
電極１５を成長するのである。
この技術によって第３図を参照して説明した問題点は解
決された。
決された。
第４図に示ずＷＳｉｘとＷの２層構造によると、第３図
を参照して説明したＷによる基板Ｓｔの侵食の問題は解
決された。しかし、 （ｌｌｓｉに対する選択シリサイドの密着性が悪く、（
２）選択シリサイド（ＷＳｉｘ１７）とＳｉのコンタク
ト抵抗が高くなる という２つの問題があることが確認された。
を参照して説明したＷによる基板Ｓｔの侵食の問題は解
決された。しかし、 （ｌｌｓｉに対する選択シリサイドの密着性が悪く、（
２）選択シリサイド（ＷＳｉｘ１７）とＳｉのコンタク
ト抵抗が高くなる という２つの問題があることが確認された。
そこで本発明は、半導体基板とコンタクトをとる電極を
、半導体基板の侵食なく、半導体基板とのコンタクト抵
抗を低く抑え、しかも半導体基板との密着性に優れた電
極を形成する方法を提供することを目的とする。
、半導体基板の侵食なく、半導体基板とのコンタクト抵
抗を低く抑え、しかも半導体基板との密着性に優れた電
極を形成する方法を提供することを目的とする。
上記問題点は、半導体基板上のコンタクトホールを埋め
て該半導体基板とコンタクトをとる電極の形成において
、第１の温度でハロゲン化金属を水素還元して第１の高
融点金属膜を成長する工程、次いで前記と同じ温度でシ
リサイド膜を成長する工程、および前記第１の温度より
高い第２の温度でシリサイド膜上に高融点金属を成長す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
よって解決される。
て該半導体基板とコンタクトをとる電極の形成において
、第１の温度でハロゲン化金属を水素還元して第１の高
融点金属膜を成長する工程、次いで前記と同じ温度でシ
リサイド膜を成長する工程、および前記第１の温度より
高い第２の温度でシリサイド膜上に高融点金属を成長す
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に
よって解決される。
本発明の方法においては、第４図に示した選択シリサイ
ド（ＷＳｉｘ）の下に、Ｓｔの侵食を最低限に抑えるた
めに、低温（２１０℃以下）で、ハロゲン化金属（ＷＦ
６など）をＨ２還元させて高融点金属（Ｗ）の薄膜を形
成し、それによって−ＳｉｘとＳｉの密着性を改善し、
コンタクト抵抗を下げるようにする。次いで、同じく低
温でＷＳｉｘを２０００人程度０膜厚に成長してＳｉ侵
食の対策とし、最後に高温（３６０〜４００°Ｃ）でＷ
を選択的に高速成長することにより、Ｓｉ侵食を最小限
に抑えた電極を形成するもので、最初のＷの薄膜は成膜
がおこる最低の温度で成長させる。シリサイドはこの温
度では選択性をもち、短時間で高膜厚の成膜が可能であ
る。
ド（ＷＳｉｘ）の下に、Ｓｔの侵食を最低限に抑えるた
めに、低温（２１０℃以下）で、ハロゲン化金属（ＷＦ
６など）をＨ２還元させて高融点金属（Ｗ）の薄膜を形
成し、それによって−ＳｉｘとＳｉの密着性を改善し、
コンタクト抵抗を下げるようにする。次いで、同じく低
温でＷＳｉｘを２０００人程度０膜厚に成長してＳｉ侵
食の対策とし、最後に高温（３６０〜４００°Ｃ）でＷ
を選択的に高速成長することにより、Ｓｉ侵食を最小限
に抑えた電極を形成するもので、最初のＷの薄膜は成膜
がおこる最低の温度で成長させる。シリサイドはこの温
度では選択性をもち、短時間で高膜厚の成膜が可能であ
る。
なお上記した温度範囲は実験によって最適と認められた
温度である。
温度である。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明の方法で形成された電極の断面図、第２
図は本発明方法のシーフェンスを示す線図で、横軸に時
間ｔを、縦軸に温度を〔°Ｃ〕でとる。
図は本発明方法のシーフェンスを示す線図で、横軸に時
間ｔを、縦軸に温度を〔°Ｃ〕でとる。
半導体基板１１上に絶縁膜１２を形成し、それにコンタ
クトホール１３を開け、不純物のイオン注入などによっ
て拡散層１４を形成するまでの工程は従来例の場合と同
様である。
クトホール１３を開け、不純物のイオン注入などによっ
て拡散層１４を形成するまでの工程は従来例の場合と同
様である。
本発明の方法は、同一リアクタ−（反応炉）内で、温度
とガスの制御によって実施される利点があるもので、加
熱方法は赤外線（ＪＲ）ランプを用い、各プロセスの間
はポンプで排気してそれぞれリアクター内を真空にひく
。
とガスの制御によって実施される利点があるもので、加
熱方法は赤外線（ＪＲ）ランプを用い、各プロセスの間
はポンプで排気してそれぞれリアクター内を真空にひく
。
第１図に示す半導体基板をリアクター（図示せず）内に
配置し、室温から１５０〜２１０℃の範囲内の温度にま
で昇温し、−Ｆ６ ＋ Ｈ２（ＷＦ６／ Ｈ２の流量比
は１／１００）を導入し、第１層タングステン（Ｗ）膜
１８を約１００人の膜厚に成長する。この段階は第２図
にＩで示す。
配置し、室温から１５０〜２１０℃の範囲内の温度にま
で昇温し、−Ｆ６ ＋ Ｈ２（ＷＦ６／ Ｈ２の流量比
は１／１００）を導入し、第１層タングステン（Ｗ）膜
１８を約１００人の膜厚に成長する。この段階は第２図
にＩで示す。
次いでリアクター内を真空にひき（第２図にＰで示す）
、前と同じ１５０〜２１０℃の範囲内の温度で畦６にＳ
ｉを含むガス、例えばシラン（５ｉＨ１）とＨ２を加え
（ＷＦ６＋ ５ｉＨｑ ＋ Ｈ２）でリアクター内に導
入し、前に成長した第１層Ｗ膜の上にＷＳｉｘ膜１７を
１０００人の膜厚に成長する。なお、前記ガスの流量比
は 讐Ｆ６ ： ５ｉＨ１： Ｈ２＝１０： ７．５
： ７５０、 （７） とする。この段階は第２図に■で示す。
、前と同じ１５０〜２１０℃の範囲内の温度で畦６にＳ
ｉを含むガス、例えばシラン（５ｉＨ１）とＨ２を加え
（ＷＦ６＋ ５ｉＨｑ ＋ Ｈ２）でリアクター内に導
入し、前に成長した第１層Ｗ膜の上にＷＳｉｘ膜１７を
１０００人の膜厚に成長する。なお、前記ガスの流量比
は 讐Ｆ６ ： ５ｉＨ１： Ｈ２＝１０： ７．５
： ７５０、 （７） とする。この段階は第２図に■で示す。
次いで再度リアクター内を真空にひいて（第２図にＰで
示す）、３６０〜４００°Ｃの範囲内の温度にまで昇温
し、ＷＦ６＋ ８２ （流量比は段階Ｉの場合と同じ
〕を導入し、タングステンでコンタクトホールを埋める
電極１５を形成する。この段階は第２図に■で示す。
示す）、３６０〜４００°Ｃの範囲内の温度にまで昇温
し、ＷＦ６＋ ８２ （流量比は段階Ｉの場合と同じ
〕を導入し、タングステンでコンタクトホールを埋める
電極１５を形成する。この段階は第２図に■で示す。
上記の方法で形成した電極の密着性は、図示の電極が形
成された半導体基板にエツチングテープを貼り付け、そ
れを剥がす試験で評価した。第４図に示す電極を形成し
た半導体基板をこの方法で試験したところ、局所的に電
極が剥がれ密着性の良くない電極の存在が認められたが
、本発明の方法で形成した電極は１個も剥がされること
がなく、密着性がきわめてよい（不良品はゼロに近い）
ことが確認された。
成された半導体基板にエツチングテープを貼り付け、そ
れを剥がす試験で評価した。第４図に示す電極を形成し
た半導体基板をこの方法で試験したところ、局所的に電
極が剥がれ密着性の良くない電極の存在が認められたが
、本発明の方法で形成した電極は１個も剥がされること
がなく、密着性がきわめてよい（不良品はゼロに近い）
ことが確認された。
以上のように本発明によれば、シリサイドと下地の半導
体基板と密着が改善され、コンタクト抵抗がシリサイド
／シリコンに比べ改善され、Ｓｔの侵食に対しバリア性
をもった電極が形成され、半導体装置における電極の信
頼性が向上せしめられる効果がある。
体基板と密着が改善され、コンタクト抵抗がシリサイド
／シリコンに比べ改善され、Ｓｔの侵食に対しバリア性
をもった電極が形成され、半導体装置における電極の信
頼性が向上せしめられる効果がある。
第１図は本発明実施例断面図、
第２図は本発明方法のシーフェンス線図、第３図は従来
例の問題点を示す断面図、第４図は他の従来例断面図で
ある。 図中、 １１は半導体基板、 １２は絶縁膜、 １３はコンタクトホール、 １４は拡散層、 １５はＷ電極、 １６ば侵食を示す破線、 １７は誓Ｓｉｘ膜、 １８は第１１ｉ！Ｗ膜 を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 −ｊ−都酵廊４や１餌飼旧 第１図 １彦［°ＣＩ ■ １１ 判−幕隈 第３図 Ｊ− ←ヤ 峯汐♂朗ガシ云、シー７エ〉ス千呟図 第２図 〜切二咋へＬ？イクリ門断がｂ凱 第４図
例の問題点を示す断面図、第４図は他の従来例断面図で
ある。 図中、 １１は半導体基板、 １２は絶縁膜、 １３はコンタクトホール、 １４は拡散層、 １５はＷ電極、 １６ば侵食を示す破線、 １７は誓Ｓｉｘ膜、 １８は第１１ｉ！Ｗ膜 を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 −ｊ−都酵廊４や１餌飼旧 第１図 １彦［°ＣＩ ■ １１ 判−幕隈 第３図 Ｊ− ←ヤ 峯汐♂朗ガシ云、シー７エ〉ス千呟図 第２図 〜切二咋へＬ？イクリ門断がｂ凱 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板（１１）上のコンタクトホール（１３）を
埋めて該半導体基板とコンタクトをとる電極の形成にお
いて、 第１の温度でハロゲン化高融点金属を水素還元して第１
の高融点金属膜（１８）を成長する工程、次いで前記と
同じ温度で同金属のシリサイド膜（１７）を成長する工
程、および 前記第１の温度より高い第２の温度で前記シリサイド膜
（１７）上に高融点金属（１５）を成長する工程を含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317399A JP2582596B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317399A JP2582596B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01160011A true JPH01160011A (ja) | 1989-06-22 |
| JP2582596B2 JP2582596B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=18087812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317399A Expired - Fee Related JP2582596B2 (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582596B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333227A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5489552A (en) * | 1994-12-30 | 1996-02-06 | At&T Corp. | Multiple layer tungsten deposition process |
| US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
| EP1055746A1 (en) * | 1999-05-24 | 2000-11-29 | Lucent Technologies Inc. | Method of chemical vapor depositing tungsten films |
| JP2008127821A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Teikin Kk | 保護装置および車止め装置 |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP62317399A patent/JP2582596B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
| JPH04333227A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5489552A (en) * | 1994-12-30 | 1996-02-06 | At&T Corp. | Multiple layer tungsten deposition process |
| EP1055746A1 (en) * | 1999-05-24 | 2000-11-29 | Lucent Technologies Inc. | Method of chemical vapor depositing tungsten films |
| US6294468B1 (en) | 1999-05-24 | 2001-09-25 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of chemical vapor depositing tungsten films |
| JP2008127821A (ja) * | 2006-11-20 | 2008-06-05 | Teikin Kk | 保護装置および車止め装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582596B2 (ja) | 1997-02-19 |
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