JPH01154540A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01154540A JPH01154540A JP31225987A JP31225987A JPH01154540A JP H01154540 A JPH01154540 A JP H01154540A JP 31225987 A JP31225987 A JP 31225987A JP 31225987 A JP31225987 A JP 31225987A JP H01154540 A JPH01154540 A JP H01154540A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- resin
- melting point
- semiconductor device
- plastic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 32
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に樹脂封止型半導体装置
の構造に関する。
の構造に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置は、リードフレーム及び
これに搭載した半導体素子チップをプラスチッチ等の樹
脂材で封止してパッケージを構成している。この樹脂材
としては、後工程或いは使用時における高温状態におい
ても封止状態を確保するために、融点の高い樹脂、例え
ば高融点プラスチックが用いられている。
これに搭載した半導体素子チップをプラスチッチ等の樹
脂材で封止してパッケージを構成している。この樹脂材
としては、後工程或いは使用時における高温状態におい
ても封止状態を確保するために、融点の高い樹脂、例え
ば高融点プラスチックが用いられている。
上述した従来の半導体装置のパッケージは、高融点プラ
スチックで構成されているため、この半導体装置をプリ
ント基板等に実装する際の半田リフロー温度により半導
体装置のプラスチック部が加熱され高温になる。このた
め、高融点プラスチックにクランクが発生し易く、半導
体装置の耐湿性が劣化するという問題がある。
スチックで構成されているため、この半導体装置をプリ
ント基板等に実装する際の半田リフロー温度により半導
体装置のプラスチック部が加熱され高温になる。このた
め、高融点プラスチックにクランクが発生し易く、半導
体装置の耐湿性が劣化するという問題がある。
本発明は、樹脂封止パッケージにおけるクランクの発生
を防止して耐湿性を向上できる半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
を防止して耐湿性を向上できる半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
本発明の半導体装置は、少なくとも半導体素子チップを
封止するパッケージを高融点樹脂材で構成し、かつその
パッケージの一部を低融点樹脂材で構成し、高融点樹脂
の温度上昇を低融点樹脂材の軟化、溶融により抑制する
構成としている。
封止するパッケージを高融点樹脂材で構成し、かつその
パッケージの一部を低融点樹脂材で構成し、高融点樹脂
の温度上昇を低融点樹脂材の軟化、溶融により抑制する
構成としている。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
半導体素子チップ１は導電性材料のリードフレーム２上
に搭載され、その内部リードとともに樹脂封止されてパ
ッケージを構成している。ここで、このパッケージを構
成する樹脂としては、前記半導体素子チップ１の周囲を
高融点プラスチック３で構成し、かつこの高融点プラス
チック３の周囲を融点が比較的に低い（約２２０°Ｃ前
後）低融点プラスチック４で包囲させた構成としている
。
に搭載され、その内部リードとともに樹脂封止されてパ
ッケージを構成している。ここで、このパッケージを構
成する樹脂としては、前記半導体素子チップ１の周囲を
高融点プラスチック３で構成し、かつこの高融点プラス
チック３の周囲を融点が比較的に低い（約２２０°Ｃ前
後）低融点プラスチック４で包囲させた構成としている
。
この構成によれば、半導体装置がプリント基板の実装時
に半田リフロー熱によって加熱された場合でも、この熱
は低融点プラスチック４を軟化させ、或いはその一部を
融解し、更に気化させるエネルギとして消費される。こ
のため、高融点プラスチック３における温度の上昇を抑
制し、高融点プラスチックにおけるクランクの発生を防
止できる。これにより、半導体装置の耐湿性を向上し、
その信頼性を向上できる。
に半田リフロー熱によって加熱された場合でも、この熱
は低融点プラスチック４を軟化させ、或いはその一部を
融解し、更に気化させるエネルギとして消費される。こ
のため、高融点プラスチック３における温度の上昇を抑
制し、高融点プラスチックにおけるクランクの発生を防
止できる。これにより、半導体装置の耐湿性を向上し、
その信頼性を向上できる。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
この実施例では半導体素子チップ１及びリードフレーム
２を封止する高融点プラスチック３の内部の一部に低融
点プラスチック４の領域を設けた構成としている。
２を封止する高融点プラスチック３の内部の一部に低融
点プラスチック４の領域を設けた構成としている。
この実施例では、加熱によって）８融される低融点プラ
スチック４が高融点プラスチック３で取り囲まれている
ため、低融点プラスチック４が加熱溶融された場合でも
局部的に気化してなくなることはなく、低融点プラスチ
ック４との間で十分な熱交換が行われる。この実施例に
おいても前記実施例と同様に、クラックの発生を防止で
き、耐湿性が向上できるとともに、耐熱性も向上するこ
とができる。
スチック４が高融点プラスチック３で取り囲まれている
ため、低融点プラスチック４が加熱溶融された場合でも
局部的に気化してなくなることはなく、低融点プラスチ
ック４との間で十分な熱交換が行われる。この実施例に
おいても前記実施例と同様に、クラックの発生を防止で
き、耐湿性が向上できるとともに、耐熱性も向上するこ
とができる。
以上説明したように本発明は、半導体素子チップを封止
するパッケージを高融点樹脂材で構成し、かつそのパッ
ケージの一部を低融点樹脂材で構成しているので、半導
体装置が加熱される状態におかれても、高融点樹脂の温
度上昇を低融点樹脂材の軟化、溶融により抑制すること
ができ、パッケージにおけるクラックの発生を防止して
半導体装置の信頬性を向上することができる効果がある
。
するパッケージを高融点樹脂材で構成し、かつそのパッ
ケージの一部を低融点樹脂材で構成しているので、半導
体装置が加熱される状態におかれても、高融点樹脂の温
度上昇を低融点樹脂材の軟化、溶融により抑制すること
ができ、パッケージにおけるクラックの発生を防止して
半導体装置の信頬性を向上することができる効果がある
。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は他の実
施例の縦断面図である。 １・・・半導体素子チップ、２・・・リードフレーム、
３・・・高融点プラスチック、４・・・低融点プラスチ
ック。 第１図 １−！ｒ・ソフ。 第２図
施例の縦断面図である。 １・・・半導体素子チップ、２・・・リードフレーム、
３・・・高融点プラスチック、４・・・低融点プラスチ
ック。 第１図 １−！ｒ・ソフ。 第２図
Claims (1)
- （１）少なくとも半導体素子チップを封止するパッケー
ジを高融点樹脂材で構成してなる半導体装置において、
前記パッケージの一部を低融点樹脂材で構成したことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31225987A JPH01154540A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31225987A JPH01154540A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01154540A true JPH01154540A (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=18027085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31225987A Pending JPH01154540A (ja) | 1987-12-11 | 1987-12-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01154540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015228422A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-11 JP JP31225987A patent/JPH01154540A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015228422A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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