JPH0115048B2 - - Google Patents
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- JPH0115048B2 JPH0115048B2 JP2955282A JP2955282A JPH0115048B2 JP H0115048 B2 JPH0115048 B2 JP H0115048B2 JP 2955282 A JP2955282 A JP 2955282A JP 2955282 A JP2955282 A JP 2955282A JP H0115048 B2 JPH0115048 B2 JP H0115048B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置、さらに詳しくは配向膜
に関するものである。
に関するものである。
液晶表示装置は、液晶を相対向する電極基板で
挾持し、該電極基板の電極に電界を印加すること
により液晶に電気−光学的作用を起こさせ表示を
行うものである。
挾持し、該電極基板の電極に電界を印加すること
により液晶に電気−光学的作用を起こさせ表示を
行うものである。
電極基板には液晶を水平配向若しくは垂直配向
させる配向膜がコーテイングしてあり、液晶の初
期状態を設定する。
させる配向膜がコーテイングしてあり、液晶の初
期状態を設定する。
TN−FEM型液晶表示装置においては、液晶
を電極基板に水平配向させ、相対向する電極基板
間で90゜ツイストさせる。このようなTN−FEM
型液晶表示装置に用いられる配向膜としては、酸
化ケイ素（SiO2）、酸化チタン（TiO2）等の無機
材料膜、及びポリイミド、ポリアミド若しくはポ
リビニルアルコール等の有機材料膜が知られてい
る。
を電極基板に水平配向させ、相対向する電極基板
間で90゜ツイストさせる。このようなTN−FEM
型液晶表示装置に用いられる配向膜としては、酸
化ケイ素（SiO2）、酸化チタン（TiO2）等の無機
材料膜、及びポリイミド、ポリアミド若しくはポ
リビニルアルコール等の有機材料膜が知られてい
る。
実際に上記の配向膜のうち使用されるものはポ
リイミドの有機材料膜が多い。というのは、ポリ
イミド有機材料膜は、スピナー法、デイツピング
法及び印刷法等で容易に形成できるからである。
これに対して無機材料膜は、蒸着やスパツタリン
グ等の大型設備を利用して形成しなければならな
い。
リイミドの有機材料膜が多い。というのは、ポリ
イミド有機材料膜は、スピナー法、デイツピング
法及び印刷法等で容易に形成できるからである。
これに対して無機材料膜は、蒸着やスパツタリン
グ等の大型設備を利用して形成しなければならな
い。
ところが、ポリイミド有機材料の配向膜を用い
ると、特に高温通電時に、表示の視野角が逆転す
る不良現象、いわゆるリバーステイルト
（Reversetilt）が発生しやすい短所がある。
ると、特に高温通電時に、表示の視野角が逆転す
る不良現象、いわゆるリバーステイルト
（Reversetilt）が発生しやすい短所がある。
配向膜としてポリイミド有機材料膜を用いた場
合印加電界の周波数ｆとしきい値電圧（Vth）は
第１図のような関係を有する。即ち、極性の大き
い液晶分子であるメタジオキサン系液晶分子若し
くはシアノエステル系液晶分子を混合した液晶
（Ａ：メタジオキサン系液晶分子50wt.％＋フエニ
ルシクロヘキサン系液晶分子50wt.％、Ｂ：シア
ノエステル系液晶分子30wt.％＋フエニルシクロ
ヘキサン系液晶分子70wt.％）は、無極性の液晶
（Ｃ：フエニルシクロヘキサン系液晶）に比較し、
低周波電界印加時のしきい値上昇が著しい。この
現象は特に60℃以上の高温通電試験で発生し易
い。
合印加電界の周波数ｆとしきい値電圧（Vth）は
第１図のような関係を有する。即ち、極性の大き
い液晶分子であるメタジオキサン系液晶分子若し
くはシアノエステル系液晶分子を混合した液晶
（Ａ：メタジオキサン系液晶分子50wt.％＋フエニ
ルシクロヘキサン系液晶分子50wt.％、Ｂ：シア
ノエステル系液晶分子30wt.％＋フエニルシクロ
ヘキサン系液晶分子70wt.％）は、無極性の液晶
（Ｃ：フエニルシクロヘキサン系液晶）に比較し、
低周波電界印加時のしきい値上昇が著しい。この
現象は特に60℃以上の高温通電試験で発生し易
い。
近時、液晶表示装置の消費電力の低減を図るた
め、液晶表示装置の駆動電圧の周波数を小さくす
る傾向がある。しかし、そのために使用する液晶
によつてはしきい値が大きくなり、液晶表示装置
の表示効果を十分に発揮できなくなるという欠点
が生じていた。
め、液晶表示装置の駆動電圧の周波数を小さくす
る傾向がある。しかし、そのために使用する液晶
によつてはしきい値が大きくなり、液晶表示装置
の表示効果を十分に発揮できなくなるという欠点
が生じていた。
本発明は上記の事項に鑑み、ポリイミド有機材
料膜を配向膜とし、不良現象の生じない、低周波
数電界を印加してもしきい値電圧が上昇しない液
晶表示装置を提供することを目的とする。
料膜を配向膜とし、不良現象の生じない、低周波
数電界を印加してもしきい値電圧が上昇しない液
晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明の構成を実施例とともに説明する。
第２図は本発明に係る液晶表示装置であり、相
対向する基板１ａ，１ｂ及びスペーサ２で液晶３
を気密封止する。基板１ａ，１ｂには液晶３に電
界を印加する電極４ａ，４ｂが形成され、基板１
ａ，１ｂ及び電極４ａ，４ｂ上には、以下詳述す
るポリイミド有機材料から成る配向膜５ａ，５ｂ
がコーテイングされている。基板１ａ，１ｂの外
側には偏光板６ａ，６ｂが配設してある。
対向する基板１ａ，１ｂ及びスペーサ２で液晶３
を気密封止する。基板１ａ，１ｂには液晶３に電
界を印加する電極４ａ，４ｂが形成され、基板１
ａ，１ｂ及び電極４ａ，４ｂ上には、以下詳述す
るポリイミド有機材料から成る配向膜５ａ，５ｂ
がコーテイングされている。基板１ａ，１ｂの外
側には偏光板６ａ，６ｂが配設してある。
本発明に使用する配向膜５ａ，５ｂは、周波数
が10Hzの電界を印加した場合、インピーダンスが
１×104Ω／cm2以下である。
が10Hzの電界を印加した場合、インピーダンスが
１×104Ω／cm2以下である。
上記の設定理由を述べる。
既述した不良現象の発生の有無に開して、従来
の配向膜（不良現象が発生する）と本発明の使用
する配向膜５ａ，５ｂ（不良現象は発生しない）
につき、その周波数（ｆ）−インピーダンス（ｚ）
特性を調べると第３図の様になつた。
の配向膜（不良現象が発生する）と本発明の使用
する配向膜５ａ，５ｂ（不良現象は発生しない）
につき、その周波数（ｆ）−インピーダンス（ｚ）
特性を調べると第３図の様になつた。
ここで従来及び本発明に使倫した液晶は、メタ
ジオキサン系液晶分子若しくはシアノエステル系
液晶分子を混合した極性の大きい液晶、例えば前
述した組成ＡあるいはＢの液晶である。また、従
来の配向膜は単にポリイミドのプレポリマーで
1000Åの塗膜を形成し、この塗膜を310℃で焼成
したものである。本発明では、後に詳しく説明す
るように、ポリイミドのプレポリマーに所定量の
黒鉛、あるいはテトラシアノキシジソタン
TCNQを添加、混合、またはポリイミドのプレ
ポリマーを150℃以下で焼成すること等によつて
形成する。
ジオキサン系液晶分子若しくはシアノエステル系
液晶分子を混合した極性の大きい液晶、例えば前
述した組成ＡあるいはＢの液晶である。また、従
来の配向膜は単にポリイミドのプレポリマーで
1000Åの塗膜を形成し、この塗膜を310℃で焼成
したものである。本発明では、後に詳しく説明す
るように、ポリイミドのプレポリマーに所定量の
黒鉛、あるいはテトラシアノキシジソタン
TCNQを添加、混合、またはポリイミドのプレ
ポリマーを150℃以下で焼成すること等によつて
形成する。
従来の配向膜による周波数（ｆ）−インピーダ
ンス（ｚ）曲線Ｘと、本発明に使用する配向膜５
ａ，５ｂによる周波数（ｆ）−インピーダンス
（ｚ）曲線Ｙを比較すると、いずれの曲線Ｘ，Ｙ
も周波数（ｆ）が10Hzより大きくなるに従いイン
ピーダンス（ｎ）が逓減するが、周波数（ｆ）が
10Hzのとき、従来の配向膜のインピーダンス
（ｚ）は105Ω／cm2であるのに対し、本発明の配向
膜５ａ，５ｂのインピーダンス（ｚ）は104Ω／
cm2である。
ンス（ｚ）曲線Ｘと、本発明に使用する配向膜５
ａ，５ｂによる周波数（ｆ）−インピーダンス
（ｚ）曲線Ｙを比較すると、いずれの曲線Ｘ，Ｙ
も周波数（ｆ）が10Hzより大きくなるに従いイン
ピーダンス（ｎ）が逓減するが、周波数（ｆ）が
10Hzのとき、従来の配向膜のインピーダンス
（ｚ）は105Ω／cm2であるのに対し、本発明の配向
膜５ａ，５ｂのインピーダンス（ｚ）は104Ω／
cm2である。
即ち、印加電界の周波数（ｆ）が10Hzのとき
に、配向膜のインピーダンス（ｚ）が104Ω／cm2
を境にして、104Ω／cm2以上ならその配向膜は不
良現象を示し、104Ω／cm2以下ならその配向膜は
不良現象を示さない。
に、配向膜のインピーダンス（ｚ）が104Ω／cm2
を境にして、104Ω／cm2以上ならその配向膜は不
良現象を示し、104Ω／cm2以下ならその配向膜は
不良現象を示さない。
本発明に使用する配向膜５ａ，５ｂの具体的な
構成を実施例１乃至４にわたつて掲げる。
構成を実施例１乃至４にわたつて掲げる。
実施例 １
ポリイミドのプレポリマー（重量100）に対し
て、導電性粉体の黒鉛粉末（重量10）を添加して
1000Åの塗膜を形成し、該塗膜を300℃で焼成し
ポリイミド膜から成る配向膜を形成した。
て、導電性粉体の黒鉛粉末（重量10）を添加して
1000Åの塗膜を形成し、該塗膜を300℃で焼成し
ポリイミド膜から成る配向膜を形成した。
実施例 ２
ポリイミドのプレポリマー（重量100）に対し
て、テトラシアノキシジソタンTCNQ（重量20）
を混合し、1000Åの塗膜を形成し、配向膜を形成
した。
て、テトラシアノキシジソタンTCNQ（重量20）
を混合し、1000Åの塗膜を形成し、配向膜を形成
した。
実施例 ３
ポリイミドのプレポリマーを基板上に塗付し、
150℃以下で低温焼成を行いポリイミド膜を形成
した。
150℃以下で低温焼成を行いポリイミド膜を形成
した。
液晶表示装置の周波数（ｆ）−しきい値（Vth）
特性を、従来の配向膜と本発明に使用する配向膜
５ａ，５ｂにつき調べると第４図の様になつた。
なお、液晶は先述の液晶Ａを使用した。
特性を、従来の配向膜と本発明に使用する配向膜
５ａ，５ｂにつき調べると第４図の様になつた。
なお、液晶は先述の液晶Ａを使用した。
従来の配向膜による周波数（ｆ）−しきい値電
圧（Vth）曲線X′は低周波数になるに従いしきい
値電圧（Vth）が急上昇するが、本発明に使用す
る配向膜５ａ，５ｂによる周波数（ｆ）−しきい
値電圧（Vth）曲線Y′はほぼ一定値を示してお
り、しかもその一定値は約0.8Vであり十分低い
しきい値である。
圧（Vth）曲線X′は低周波数になるに従いしきい
値電圧（Vth）が急上昇するが、本発明に使用す
る配向膜５ａ，５ｂによる周波数（ｆ）−しきい
値電圧（Vth）曲線Y′はほぼ一定値を示してお
り、しかもその一定値は約0.8Vであり十分低い
しきい値である。
以上の様に本発明によれば、特にポリイミドの
有機材料膜を配向膜とした液晶表示装置におい
て、不良現象が生じなく、低周波数電界でもしき
い値電圧の低い高性能液晶表示装置を得ることが
できる。
有機材料膜を配向膜とした液晶表示装置におい
て、不良現象が生じなく、低周波数電界でもしき
い値電圧の低い高性能液晶表示装置を得ることが
できる。
第１図は液晶の違いによる液晶表示装置の印加
電界の周波数（ｆ）としきい値電圧（Vth）特性
曲線図、第２図は本発明に係る液晶表示装置の側
断面図、第３図は従来の配向膜若しくは本発明に
使用する配向膜による液晶表示装置の印加電界周
波数（ｆ）とインピーダンス（ｚ）特性曲線図、
第４図は従来の配向膜若しくは本発明に使用する
配向膜による液晶表示装置の印加電界周波数
（ｆ）としきい値電圧（Vth）特性曲線図である。 １ａ，１ｂ……基板、２……スペーサ、３……
液晶、４ａ，４ｂ……電極、５ａ，５ｂ……配向
膜、６ａ，６ｂ……偏光板。
電界の周波数（ｆ）としきい値電圧（Vth）特性
曲線図、第２図は本発明に係る液晶表示装置の側
断面図、第３図は従来の配向膜若しくは本発明に
使用する配向膜による液晶表示装置の印加電界周
波数（ｆ）とインピーダンス（ｚ）特性曲線図、
第４図は従来の配向膜若しくは本発明に使用する
配向膜による液晶表示装置の印加電界周波数
（ｆ）としきい値電圧（Vth）特性曲線図である。 １ａ，１ｂ……基板、２……スペーサ、３……
液晶、４ａ，４ｂ……電極、５ａ，５ｂ……配向
膜、６ａ，６ｂ……偏光板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 相対向する基板上に電極を形成し、基板及び
電極上に液晶を水平配向させる液晶配向膜をコー
テイングしてなるTN−FEM液晶表示装置にお
いて、 メタジオキサン系液晶分子若しくはシアノエス
テル系液晶分子を混合した極性の大きい液晶とポ
リイミド有機材料の配向膜を組み合わせてなり、
前記ポリイミド有機材料の配向膜は、印加電圧の
周波数が10Hzのとき、インピーダンスが1.0×104
Ω／cm2以下となる配向膜としたことを特徴とする
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029552A JPS58145917A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57029552A JPS58145917A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58145917A JPS58145917A (ja) | 1983-08-31 |
| JPH0115048B2 true JPH0115048B2 (ja) | 1989-03-15 |
Family
ID=12279302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57029552A Granted JPS58145917A (ja) | 1982-02-24 | 1982-02-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58145917A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108445676B (zh) * | 2017-02-16 | 2020-09-25 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105224A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS56167184A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Liquid crystal matrix device |
-
1982
- 1982-02-24 JP JP57029552A patent/JPS58145917A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105224A (en) * | 1979-02-06 | 1980-08-12 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS56167184A (en) * | 1980-05-28 | 1981-12-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Liquid crystal matrix device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58145917A (ja) | 1983-08-31 |
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