JPH06208111A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPH06208111A
JPH06208111A JP1973193A JP1973193A JPH06208111A JP H06208111 A JPH06208111 A JP H06208111A JP 1973193 A JP1973193 A JP 1973193A JP 1973193 A JP1973193 A JP 1973193A JP H06208111 A JPH06208111 A JP H06208111A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode
insulating film
film
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP1973193A
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English (en)
Inventor
Masao Ogawara
雅夫 大河原
Hiroshi Hoshino
博史 星野
Takeshi Fukui
毅 福井
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Kyocera Display Corp
Original Assignee
Kyocera Display Corp
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Publication of JPH06208111A publication Critical patent/JPH06208111A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】液晶表示素子において、高温雰囲気中に放置し
た場合に発生するVthムラを防止する。 【構成】一対の電極付き基板間に液晶層を挟持してなる
液晶表示素子において、少なくとも一方の基板は電極と
配向膜との間に絶縁膜を有してなり、該絶縁膜の体積抵
抗率が、107 〜1011Ωcmである。特に、絶縁膜
は、導電性粒子を含む絶縁性の無機酸化物からなること
が好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、いわゆるスーパーツイ
ステッドネマチック(STN)モードや薄膜トランジス
ター駆動のツイステッドネマチックモード(TN)の開
発の進展により、例えば、ワープロやパソコンの表示部
品として必要欠くべからざるものになっている。
【0003】従来、液晶表示パネルにおいては、環境湿
度の影響を受け、高湿度中に放置することにより、表示
部分にムラが発生する現象が認められている。この現象
は水分が介在することにより発生しやすいことが知ら
れ、表示パネルを乾燥状態におくと発生しにくいことが
知られている。
【0004】水分による表示ムラには2種類あると考え
られる。すなわち、水分が端子にリード部に付着して短
時間で発生するムラと、シール材を通して長時間を経て
発生するムラの2種類である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】短時間で発生する表示
ムラを防止するために、完成した液晶表示装置の輸送の
ための袋などには乾燥剤を入れるなどの方法が行われて
いるが、これでは十分ではなく、袋から出した時に高湿
度であると数時間で表示ムラが発生してしまうという問
題点があった。また、長期で発生するムラに対しては、
シール材の外側に各種のポリマーが塗布されているが、
従来のものでは十分な効果があるとはいえない。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の問題点を
解決すべくなされたものであり、一対の電極付き基板間
に液晶層を挟持してなる液晶表示素子において、少なく
とも一方の基板は電極と配向膜との間に絶縁膜を有して
なり、該絶縁膜の体積抵抗率が、107 〜1011Ωcm
であることを特徴とする液晶表示素子、特に、絶縁膜
は、導電性粒子を含む絶縁性の無機酸化物からなること
を特徴とする前記液晶表示素子を提供するものである。
【0007】ねじれネマチック型液晶表示素子において
は、電極の上に、絶縁膜を形成することが多い。絶縁膜
は、通常、いわゆるゾルゲル法で製造される無機酸化物
膜で、組成としてはシリカ、チタニア、ジルコニア、な
どの混合物である。絶縁膜は、それぞれに対応する、ア
ルコキシ金属化合物、オキシ酸金属塩の溶液をガラス基
板上に印刷し、焼成して形成される。
【0008】従来は、これらの組成の体積抵抗率は短絡
防止のため、1012Ωcm以上で用いられていた。
【0009】本発明では、絶縁膜は体積抵抗率を107
〜1011Ωcmとされるが、このために導電性の粒子を
添加することが好ましい。導電性の粒子としては、酸化
錫、酸化インジウム、酸化アンチモン等が挙げられる。
絶縁膜にこれらを加える方法としてはたとえば以下のよ
うな方法がある。つまり第1には、導電性粒子の前駆体
である低分子化合物、例えばオキシ酸塩を短絡防止成分
の溶液に加える方法、第2には、導電性微粒子を短絡防
止成分に分散させる方法である。
【0010】絶縁膜の体積抵抗率としては被覆厚み等に
もよるが、107 〜1011Ωcm好ましくは、107
1010Ωcm程度とされるのがよい。また、絶縁膜の厚
みは、10〜500nm、望ましくは、40〜100n
mであることが好ましい。比抵抗が低すぎる場合には電
流が増大して消費電流の増加あるいは駆動波形の歪みが
発生し、表示ムラの原因となる。また、線間の液晶にも
電圧がかかり半点灯の状態となってしまう(いわゆるに
じみ現象)が発生するおそれがある。また、比抵抗が高
すぎる場合には本発明の効果が十分に現れにくくなる。
【0011】本発明は、表示モード、駆動形式にかかわ
ることなく、通常用いられる液晶表示素子一般に適用可
能であるが面内の電極の線間が、100μm以下、特に
30μm以下のマトリクス配置の液晶表示素子に適用す
ると効果が大きい。
【0012】使用する液晶層は、従来のツイステッドネ
マチック液晶表示素子、スーパーツイステッド液晶表示
素子、その他の液晶表示素子の液晶層と同じ構成の液晶
層である。例えばスーパーツイステッド液晶表示素子の
場合、具体的には、ほぼ平行に配置された一対の透明電
極基板間に旋光性物質を含有した誘電異方性が正のネマ
チック液晶を挟持し、両電極間での液晶分子のねじれ角
を160〜300°とされる。
【0013】上記液晶層を挟持した液晶セルの基本構成
は以下のようになる。プラスチック、ガラス等の基板の
表面に、所望のパターンでパターニングされたITO
(In23 −SnO2 )、SnO2 等の透明電極が設
けられて電極付きの基板とされる。電極層は、表示に対
応して電極群が対向したマトリクス配置しており、これ
により各ドット毎にオンオフを制御可能とされる。電極
層の形成方法としては、特にこれに限るものではない
が、層厚を均一にする見地からは、蒸着法、スパッタ法
等が好ましく用いられる。
【0014】また、本発明においては、必要に応じて電
極の上もしくは下に、TFT、MIM、薄膜ダイオード
等の能動素子、位相差膜、偏光膜、反射膜、光導電膜等
が形成されていてもよい。
【0015】この電極付き基板の表面には表面をラビン
グされたポリイミド、ポリアミド等の膜や、斜め蒸着さ
れたSiO等の膜からなる配向制御膜が形成される。表
示モードによっては垂直配向剤を塗布する必要のある場
合もある。上記の基板が2枚準備されて、前記した液晶
層を挟持するようにされる。
【0016】なお、透明電極にAl、Cr、Ti等の低
抵抗のリード電極を併設したり、カラーフィルターを電
極の上もしくは下に積層してもよい。
【0017】この基板の両外側に一対の偏光板を配置す
る。この偏光板自体もセルを構成する基板の外側に配置
することが一般的であるが、性能が許せば、基板自体を
偏光板で構成したり、基板と電極との間に偏光層として
設けてもよい。
【0018】また、カラーフィルターを併用することも
可能である。このカラーフィルターは、セル内面に形成
することにより、視角によるズレを生じなく、より精密
なカラー表示が可能となる。具体的には、電極の下側に
形成されてもよいし、電極の上側に形成されてもよい。
また、色を補正するためのカラーフィルターや、カラー
偏光板を併用したり、液晶中に色素を添加したり、ある
いは特定の波長分布を有する照明を用いたりしてもよ
い。
【0019】このような構成の液晶セルの電極に電圧を
印加するための駆動手段を液晶セルに接続し、駆動を行
う。すなわち、基板端部に導出した接続端子部分に、異
方性導電ゴムを介したり、ヒートシール、異方性導電接
着剤を用いて、フレキシブル基板等からなる外部回路基
板を接続したり、TAB基板を接続したりする。
【0020】本発明では透過型でも反射型でも適用可能
であり、その応用範囲が広い。なお、透過型で使用する
場合には裏側に光源を配置する。もちろん、これにも導
光体、カラーフィルターを併用してもよい。さらに、透
過型で使用する場合、画素以外の背景部分を印刷等によ
る遮光膜で覆うこともできる。また、遮光膜を用いると
ともに、表示したくない部分に選択電圧を印加するよう
に、逆の駆動をすることもできる。
【0021】本発明は、この外、本発明の効果を損なわ
ない範囲内で、通常の液晶表示素子で使用されている種
々の技術が適用可能である。
【0022】
【作用】パネルの部分の等価回路の模式図を図1に示
す。湿度が上昇するとガラス基板上には吸着水が発生す
ることが知られており、この吸着水が電解質の作用をす
ることにより、隣り合う電極を電極とした電池が形成さ
れるものと考えられる。実際に発生する電圧をデジタル
ボルトメータで測定すると最大0.1V程度の直流電圧
が発生している部分があることが確認された。
【0023】このように形成される電池には内部抵抗が
存在する。この抵抗値が高い場合には電流を流すと、電
圧降下により、実際に液晶部分にかかる電圧が低下する
ことになる。このような電池の内部抵抗は吸着した水分
の抵抗で主に決まり、吸着水の膜厚はせいぜい数10n
m以下であることからすると、電池の内部抵抗はかなり
高くなっていることが予想される。
【0024】本発明の構成によれば、電極端子間を比較
的導電率の高い絶縁膜で接続することになるので、電池
の内部抵抗を実質的に小さくすることになり、電池によ
って液晶部分に印加される電圧を減少させることができ
るものと考えられる。
【0025】必要な電圧の減少率を測定したところ、発
生する電圧の大きさが0.05V以下になればVthムラ
が実用上発生しないことが認められた。液晶部分の等価
回路は正確には容量と抵抗の並列回路で表現できるが、
直流が印加される本発明で扱うような場合では抵抗部分
だけを考慮すればよい。液晶の直流抵抗は1011Ω程度
と高いため、必要な絶縁膜の抵抗を算出するために液晶
の抵抗はあまり考慮する必要はなく、電池により発生す
る電圧0.1Vを半減するために絶縁膜の持つ抵抗値は
ほぼ電池の内部抵抗と同等であればよいことになる。
【0026】電池の内部抵抗は不明確であるが、絶縁膜
の抵抗は、電極の線間距離や、被覆厚み等によるもの
の、通常の液晶表示素子の構成では余り影響は大きくな
い。接続端子間の抵抗が通常の条件(30μm幅の線間
で、絶縁膜厚さ50nm程度)で、6×109 〜6×1
13Ω/cm程度、好ましくは、6×109 〜6×10
12Ω/cm程度でよいことが認められた。
【0027】
【実施例】チタン、けい素のアルコキシドからなる絶縁
膜形成用の液であるNHC(商品名:日産化学工業社
製)にアンチモンドープした酸化錫微粒子T−1(商品
名:三菱マテリアル社製、粒径20nm)を添加量を変
えて加え、ボールミルで分散させたのち、0.2μmの
フィルターで濾過して、種々の絶縁膜用の液を調整し
た。
【0028】ガラス基板上に面抵抗15Ω程度のITO
のストライプパターンを形成し(電極幅150μm、線
間幅30μm)、この上に前記絶縁膜用の液を印刷し、
UV3000mJ照射後300℃で焼成して製膜し、更
に、その上に、ポリイミドLQ1800(商品名:日立
化成工業社製)を0.06μmの厚さになるように塗
布、焼成して膜形成した。
【0029】絶縁膜の膜厚は、約50nmであり、この
体積抵抗率は表1に示したようになった。
【0030】この基板を静電植毛のナイロン糸ラビング
布を用いてラビングした。このような基板を2枚用意し
た。1枚にはスペーサーを100個/mm2 程度散布
し、他の1枚にはセルの周辺に注入孔をのこしてシール
材(商品名ストラクトボンド:三井東圧化学社製)を印
刷して形成した。
【0031】両基板を熱圧着してセル形成した後、液晶
ZLI−2293(商品名:メルク社製)を封入して液
晶パネルを作製した。
【0032】このようにして処理したパネルを異方性導
電ゴムで導電接続を取り駆動回路を組み立てた。このよ
うにして作製したモジュールを20℃、90%の高湿度
中に24時間放置した後に点灯した場合の表示ムラの様
子を表1に示す。なお、表1のうちで、体積抵抗率2×
1012Ωcmのものは、比較のために絶縁膜として、N
HCのみを用いたものを組み立てたモジュールである。
【0033】
【表1】
【0034】これにより、例1においてはにじみ現象が
発生しているが、例2〜例5では発生は見られない。ま
た、体積抵抗率が1011Ωcm以下で、表示ムラの改善
効果があることがわかる。
【0035】
【発明の効果】本発明の構成は、高温雰囲気中に放置し
た場合に発生するVthムラを防止する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶表示素子の隣り合う2つの端子間の模式的
な等価回路図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一対の電極付き基板間に液晶層を挟持して
    なる液晶表示素子において、少なくとも一方の基板は電
    極と配向膜との間に絶縁膜を有してなり、該絶縁膜の体
    積抵抗率が、107 〜1011Ωcmであることを特徴と
    する液晶表示素子。
  2. 【請求項2】絶縁膜は、導電性粒子を含む絶縁性の無機
    酸化物からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表
    示素子。
JP1973193A 1993-01-12 1993-01-12 液晶表示素子 Pending JPH06208111A (ja)

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JP1973193A JPH06208111A (ja) 1993-01-12 1993-01-12 液晶表示素子

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JP1973193A JPH06208111A (ja) 1993-01-12 1993-01-12 液晶表示素子

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017699A1 (fr) * 1998-09-21 2000-03-30 Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. Affichage reflectif a cristaux liquides
JP2007148136A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Optrex Corp 液晶表示素子

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