JPH0117133B2 - - Google Patents
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- JPH0117133B2 JPH0117133B2 JP58139560A JP13956083A JPH0117133B2 JP H0117133 B2 JPH0117133 B2 JP H0117133B2 JP 58139560 A JP58139560 A JP 58139560A JP 13956083 A JP13956083 A JP 13956083A JP H0117133 B2 JPH0117133 B2 JP H0117133B2
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- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- silicon carbide
- alignment film
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 20
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
＜技術分野＞
本発明は有機高分子配向膜を用いた液晶表示素
子に関する。 ＜従来技術＞ 第１図は従来の液晶表示素子の例を示す。上下
のガラス基板１，１′の内側に電極パターン２，
２′を施すと共にそれを覆つてポリイミド系の有
機高分子配向膜３，３′を設け、この配向膜３，
３′間に液晶５を封入している。４，４′はシール
材である。この例のように、従来、ポリイミドの
ような有機高分子膜を配向膜として用いた液晶表
示素子においては、絶縁抵抗値が大体1016Ωcmの
オーダとなり、酸化ケイ素のような無機質配向膜
の絶縁抵抗値に較べ、104〜106程度抵抗値が高
い。有機高分子膜はこの様な高絶縁性と優れた配
向制御規制力等により液晶表示素子の配向膜とし
て従来用いられてきた。 ところが、ポリイミドなどの有機高分子の配向
膜では、前述のように高い絶縁抵抗値を有する為
に、酸化ケイ素のような無機質配向膜にない欠点
を有していた。すなわち、第１に32Hz以下の低周
波数においてはスレシヨルド電圧が増加し、この
ため液晶分子に実質的に印加される有効電圧が低
下する。したがつて表示パターンの一部のコント
ラストが低下し、あたかも表示パターンの一部が
消えたかの様な状態になりやすく、表示品位上問
題があること。これは特に温度が高い雰位気中で
顕著にみられ、有機高分子配向膜中の不純物イオ
ンと配向膜近傍の液晶中の不純物イオンの影響で
あると考えられている。第２に有機高分子配向膜
はその高絶縁性の為、酸化ケイ素のような無機質
配向膜と較べて消費電流値が高く、このため低消
費電力機器の電池の寿命を短かくすること。以上
の如き欠点を有していた。 ＜発明の目的＞ 本発明は有機高分子配向膜の特色を生かしつ
つ、低周波数でのスレシヨルド電圧の増加による
電圧降下の欠点を解消すると共に、消費電流値の
低減をもたらす液晶表示素子の提供を目的とす
る。 ＜発明の構成＞ 本発明は有機高分子配向膜を用いた液晶表示素
子において、前記配向膜に平均粒径80ｍμ以下の
炭化ケイ素を均一に分散させた液晶表示素子であ
る。炭化ケイ素は非オーム則を有するので、高電
界を使用する機器において電界の集中を防止する
ようなところに用いられている。一方、液晶表示
素子における低周波でのスレシヨルド電圧の増加
もまた電界の集中としてとらえることができる。
それゆえ、液晶表示素子においても配向膜におけ
る電界の局所的集中を防止し、液晶に均一に電界
が印加されることが重要である。この様な観点に
立ち、本発明者らは粒径が80ｍμ以下の精製され
た炭化ケイ素を用い、これを有機高分子配向膜に
均一に分散させることが有効な手段であることを
知得したのである。炭化ケイ素の添加量は６重量
％以上とすることにより消費電流の低減の効果を
生じる。また炭化ケイ素を30重量％以上添加する
ことにより消費電力の低減及び、表示コントラス
トの低下防止の効果を生じる。 第２図は炭化ケイ素を分散させた有機高分子配
向膜３０，３０′を用いて構成した液晶表示素子
の例を示す。符号６で炭化ケイ素粒子を模式的に
示しているが、実際は非常に微細に分散しており
視覚できないものである。他の構成は図１で示す
従来の場合と同じであり、同一部材は同一符号で
示している。 ＜実施例＞ 炭化ケイ素の含有量が異なる４種類のポリイミ
ド系有機高分子配向膜Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを作成し
た。まずポリイミド系有機高分子配向膜の前駆体
である高分子溶液に対し、平均粒径80ｍμ以下の
精製された微粉末炭化ケイ素をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄに
つき各々0.1重量％、1.0重量％、5.0重量％、10.0
重量％添加し、混練する。均一になつたところ
で、この溶液をオフセツト印刷機にてガラスに約
1000Åの膜厚が得られるように印刷する。さらに
これを約300℃で焼成して配向膜を形成した。形
成された配向膜Ａでは炭化ケイ素の含有量が0.6
重量％、配向膜Ｂでは炭化ケイ素の含有量が６重
量％、配向膜Ｃでは30重量％、配向膜Ｄでは60重
量％である。 形成された配向膜Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた液晶
表示素子の3.1V、32Hzでの消費電流値を25℃で
測定した。その結果を表１に示す。また配向膜
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた液晶表示素子の各々につ
いて、2.0Vで16Hz及び32Hzにつき、また3.1Vで
16Hz及び32Hzにつき駆動させたときの液晶の表示
コントラストの状態を24時間後、240時間後に評
価した結果を表１に示す。表示コントラストの評
価は58℃の雰囲気中で行つた。また比較例（従来
例）として炭化ケイ素を添加しないものについて
も同様の試験を行つた。 表１の結果から明らかなように、消費電流値に
おいては、炭化ケイ素を６重量％以上分散させた
試料Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて従来例に対する有効性が
認められた。また炭化ケイ素を30重量％以上分散
させた試料Ｃ、Ｄにおいては消費電流値及び表示
コントラストの点においては有効性が認められ
た。
子に関する。 ＜従来技術＞ 第１図は従来の液晶表示素子の例を示す。上下
のガラス基板１，１′の内側に電極パターン２，
２′を施すと共にそれを覆つてポリイミド系の有
機高分子配向膜３，３′を設け、この配向膜３，
３′間に液晶５を封入している。４，４′はシール
材である。この例のように、従来、ポリイミドの
ような有機高分子膜を配向膜として用いた液晶表
示素子においては、絶縁抵抗値が大体1016Ωcmの
オーダとなり、酸化ケイ素のような無機質配向膜
の絶縁抵抗値に較べ、104〜106程度抵抗値が高
い。有機高分子膜はこの様な高絶縁性と優れた配
向制御規制力等により液晶表示素子の配向膜とし
て従来用いられてきた。 ところが、ポリイミドなどの有機高分子の配向
膜では、前述のように高い絶縁抵抗値を有する為
に、酸化ケイ素のような無機質配向膜にない欠点
を有していた。すなわち、第１に32Hz以下の低周
波数においてはスレシヨルド電圧が増加し、この
ため液晶分子に実質的に印加される有効電圧が低
下する。したがつて表示パターンの一部のコント
ラストが低下し、あたかも表示パターンの一部が
消えたかの様な状態になりやすく、表示品位上問
題があること。これは特に温度が高い雰位気中で
顕著にみられ、有機高分子配向膜中の不純物イオ
ンと配向膜近傍の液晶中の不純物イオンの影響で
あると考えられている。第２に有機高分子配向膜
はその高絶縁性の為、酸化ケイ素のような無機質
配向膜と較べて消費電流値が高く、このため低消
費電力機器の電池の寿命を短かくすること。以上
の如き欠点を有していた。 ＜発明の目的＞ 本発明は有機高分子配向膜の特色を生かしつ
つ、低周波数でのスレシヨルド電圧の増加による
電圧降下の欠点を解消すると共に、消費電流値の
低減をもたらす液晶表示素子の提供を目的とす
る。 ＜発明の構成＞ 本発明は有機高分子配向膜を用いた液晶表示素
子において、前記配向膜に平均粒径80ｍμ以下の
炭化ケイ素を均一に分散させた液晶表示素子であ
る。炭化ケイ素は非オーム則を有するので、高電
界を使用する機器において電界の集中を防止する
ようなところに用いられている。一方、液晶表示
素子における低周波でのスレシヨルド電圧の増加
もまた電界の集中としてとらえることができる。
それゆえ、液晶表示素子においても配向膜におけ
る電界の局所的集中を防止し、液晶に均一に電界
が印加されることが重要である。この様な観点に
立ち、本発明者らは粒径が80ｍμ以下の精製され
た炭化ケイ素を用い、これを有機高分子配向膜に
均一に分散させることが有効な手段であることを
知得したのである。炭化ケイ素の添加量は６重量
％以上とすることにより消費電流の低減の効果を
生じる。また炭化ケイ素を30重量％以上添加する
ことにより消費電力の低減及び、表示コントラス
トの低下防止の効果を生じる。 第２図は炭化ケイ素を分散させた有機高分子配
向膜３０，３０′を用いて構成した液晶表示素子
の例を示す。符号６で炭化ケイ素粒子を模式的に
示しているが、実際は非常に微細に分散しており
視覚できないものである。他の構成は図１で示す
従来の場合と同じであり、同一部材は同一符号で
示している。 ＜実施例＞ 炭化ケイ素の含有量が異なる４種類のポリイミ
ド系有機高分子配向膜Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを作成し
た。まずポリイミド系有機高分子配向膜の前駆体
である高分子溶液に対し、平均粒径80ｍμ以下の
精製された微粉末炭化ケイ素をＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄに
つき各々0.1重量％、1.0重量％、5.0重量％、10.0
重量％添加し、混練する。均一になつたところ
で、この溶液をオフセツト印刷機にてガラスに約
1000Åの膜厚が得られるように印刷する。さらに
これを約300℃で焼成して配向膜を形成した。形
成された配向膜Ａでは炭化ケイ素の含有量が0.6
重量％、配向膜Ｂでは炭化ケイ素の含有量が６重
量％、配向膜Ｃでは30重量％、配向膜Ｄでは60重
量％である。 形成された配向膜Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた液晶
表示素子の3.1V、32Hzでの消費電流値を25℃で
測定した。その結果を表１に示す。また配向膜
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた液晶表示素子の各々につ
いて、2.0Vで16Hz及び32Hzにつき、また3.1Vで
16Hz及び32Hzにつき駆動させたときの液晶の表示
コントラストの状態を24時間後、240時間後に評
価した結果を表１に示す。表示コントラストの評
価は58℃の雰囲気中で行つた。また比較例（従来
例）として炭化ケイ素を添加しないものについて
も同様の試験を行つた。 表１の結果から明らかなように、消費電流値に
おいては、炭化ケイ素を６重量％以上分散させた
試料Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて従来例に対する有効性が
認められた。また炭化ケイ素を30重量％以上分散
させた試料Ｃ、Ｄにおいては消費電流値及び表示
コントラストの点においては有効性が認められ
た。
【表】
【表】
注 ○…良好 △…可 ×…不良
第３図は従来の液晶表示素子のスレシヨルド電
圧の周波数依存性を実線で、また炭化ケイ素を30
重量％以上分散させた試料Ｂ、Ｃにおけるスレシ
ヨルド電圧の周波数依存性を破線で示したもので
ある。図から明らかな様に炭化ケイ素を30重量％
以上分散させたものでは低周波におけるスレシヨ
ルド電圧の増加がみられず、従来の液晶表示素子
に較べてその有効性が顕著である。 ＜発明の効果＞ 本発明によれば、平均粒径80ｍμ以下の炭化ケ
イ素を均一に分散させた有機高分子配向膜を用い
たから、有機高分子配向膜を用いた液晶表示素子
において、その消費電流を低減することができる
と共に、低周波領域におけるスレシヨルド電圧の
増加を防止し、液晶表示パターンのコントラスト
を良好に保持することが可能となる。また配向膜
に炭化ケイ素を６重量％以上添加すれば、液晶表
示素子のの消費電流値の低下による効果を顕著に
発揮させることができる。また配向膜に炭化ケイ
素を30重量％以上添加すれば、液晶表示素子の消
費電流値の低下の効果に加えて液晶表示のコント
ラストの低下防止効果も顕著に発揮させることが
できる。
第３図は従来の液晶表示素子のスレシヨルド電
圧の周波数依存性を実線で、また炭化ケイ素を30
重量％以上分散させた試料Ｂ、Ｃにおけるスレシ
ヨルド電圧の周波数依存性を破線で示したもので
ある。図から明らかな様に炭化ケイ素を30重量％
以上分散させたものでは低周波におけるスレシヨ
ルド電圧の増加がみられず、従来の液晶表示素子
に較べてその有効性が顕著である。 ＜発明の効果＞ 本発明によれば、平均粒径80ｍμ以下の炭化ケ
イ素を均一に分散させた有機高分子配向膜を用い
たから、有機高分子配向膜を用いた液晶表示素子
において、その消費電流を低減することができる
と共に、低周波領域におけるスレシヨルド電圧の
増加を防止し、液晶表示パターンのコントラスト
を良好に保持することが可能となる。また配向膜
に炭化ケイ素を６重量％以上添加すれば、液晶表
示素子のの消費電流値の低下による効果を顕著に
発揮させることができる。また配向膜に炭化ケイ
素を30重量％以上添加すれば、液晶表示素子の消
費電流値の低下の効果に加えて液晶表示のコント
ラストの低下防止効果も顕著に発揮させることが
できる。
第１図は従来例を示す断面図、第２図は本発明
に係る液晶表示素子の例を示す断面図、第３図は
従来の液晶表示素子のスレシヨルド電圧（実線）
と本発明に係る液晶表示素子のスレシヨルド電圧
（破線）を駆動周波数に対してプロツトしたグラ
フである。 １，１′……ガラス基板、２，２′……電極パタ
ーン、３０，３０′……有機高分子配向膜、５…
…液晶、６……炭化ケイ素。
に係る液晶表示素子の例を示す断面図、第３図は
従来の液晶表示素子のスレシヨルド電圧（実線）
と本発明に係る液晶表示素子のスレシヨルド電圧
（破線）を駆動周波数に対してプロツトしたグラ
フである。 １，１′……ガラス基板、２，２′……電極パタ
ーン、３０，３０′……有機高分子配向膜、５…
…液晶、６……炭化ケイ素。
Claims (1)
- １ 有機高分子配向膜を用いた液晶表示素子にお
いて、前記有機高分子配向膜は平均粒径が80μｍ
以下の炭化ケイ素の微粒子が30重量％以上60重量
％以下の含有率で均一に分散されてなることを特
徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13956083A JPS6031119A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13956083A JPS6031119A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031119A JPS6031119A (ja) | 1985-02-16 |
| JPH0117133B2 true JPH0117133B2 (ja) | 1989-03-29 |
Family
ID=15248104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13956083A Granted JPS6031119A (ja) | 1983-07-29 | 1983-07-29 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031119A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6365423A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電界効果型液晶表示パネル |
| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4960696A (ja) * | 1972-10-13 | 1974-06-12 | ||
| JPS5194846A (ja) * | 1975-02-18 | 1976-08-19 | Ekishohyojodenkyoku |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5893915U (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1983
- 1983-07-29 JP JP13956083A patent/JPS6031119A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4960696A (ja) * | 1972-10-13 | 1974-06-12 | ||
| JPS5194846A (ja) * | 1975-02-18 | 1976-08-19 | Ekishohyojodenkyoku |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6031119A (ja) | 1985-02-16 |
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