JP2002090714A5 - - Google Patents
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- 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された誘電率異方性が正または負の液晶組成物からなる液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
最大輝度の１０％となる交流駆動電圧に加えて直流電圧を０．５Ｖ３０分印加しつづけ、直流電圧をｏｆｆした後の残像の時間−緩和特性を下式（１）で定義した回帰曲線で回帰処理を施し、得られた緩和時定数が５分以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【数１】Ｂ＝Ａｅｘｐ（−ｔ／τ） ………（１）
ここで、Ｂは輝度、Ａは定数、ｔは時間、τ＝２．８０９８である。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
正の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が比誘電率３．８以下の有機膜のみであり、その膜厚が２００ｎｍ以上３．０μｍ以下であり、液晶駆動電極の電極間隔が５〜１０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
正の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が有機膜と無機膜の複合構造になっており、その有機膜の膜厚が５０〜２００ｎｍ、比誘電率が３．８以下であり、無機膜の膜厚が１μｍ〜３μｍ、比誘電率が４〜９であり、液晶駆動電極の電極間隔が１０〜２０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
正の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が有機膜と無機膜の複合構造になっており、その有機膜の膜厚が２００ｎｍ〜３μｍ、比誘電率が３．８以下であり、無機膜の膜厚が２００ｎｍ〜１μｍ、比誘電率が４〜９であり、液晶駆動電極の電極間隔が１０〜２０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
正の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が有機膜と無機膜の複合構造になっており、その有機膜の膜厚が５０ｎｍ〜２００ｎｍ、比誘電率が３．８以下であり、無機膜の膜厚が２００ｎｍ〜１μｍ、比誘電率が４〜９であり、液晶駆動電極の電極間隔が５〜１０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
負の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が比誘電率３．８以下の有機膜のみであり、その膜厚が２００ｎｍ以上３．０μｍ以下であり、液晶駆動電極の電極間隔が２〜５μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
負の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が有機膜と無機膜の複合構造になっており、その有機膜の膜厚が５０〜２００ｎｍ、比誘電率が３．８以下であり、無機膜の膜厚が１μｍ〜３μｍ、比誘電率が４〜９であり、液晶駆動電極の電極間隔が５〜１０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
負の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が有機膜と無機膜の複合構造になっており、その有機膜の膜厚が２００ｎｍ〜３μｍ、比誘電率が３．８以下であり、無機膜の膜厚が２００ｎｍ〜１μｍ、比誘電率が４〜９であり、液晶駆動電極の電極間隔が５〜１０μｍであることを特徴とする液晶表示装置。 - 少なくとも一方が透明な一対の基板と、前記一対の基板の互いに対向する面上に形成された液晶配向制御層と、前記一対の基板間に前記液晶配向制御層に接触するようにして配置された液晶層と、前記一対のうちの一方の基板に絶縁膜を介して形成された画素電極及び対向電極と、前記画素電極と対向電極に接続されたアクティブ素子とを含むアクティブ・マトリクス型液晶表示装置において、
負の誘電率異方性をもつ液晶を使用し、前記電極と液晶層との間に存在する絶縁膜層が有機膜と無機膜の複合構造になっており、その有機膜の膜厚が５０ｎｍ〜２００ｎｍ、比誘電率が３．８以下であり、無機膜の膜厚が２００ｎｍ〜１μｍ、比誘電率が４〜９であり、液晶駆動電極の電極間隔が２〜５μｍであることを特徴とする液晶表示装置。
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