JPS61267734A - 液晶電気光学装置 - Google Patents
液晶電気光学装置Info
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- JPS61267734A JPS61267734A JP60110667A JP11066785A JPS61267734A JP S61267734 A JPS61267734 A JP S61267734A JP 60110667 A JP60110667 A JP 60110667A JP 11066785 A JP11066785 A JP 11066785A JP S61267734 A JPS61267734 A JP S61267734A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶組成物の散乱現象を利用した液晶
電気光学装置の高情報量化に関するものである。
電気光学装置の高情報量化に関するものである。
（発明の概要〕
本発明は強ｌｌ１１ｉＬ性液晶組成吻の光散乱状態を印
加電場により制御する液晶電気光学４＆置において、ア
クティブマトリクス駆動手段を設虐したことにより、高
情報量の表現を可能にしたものである。
加電場により制御する液晶電気光学４＆置において、ア
クティブマトリクス駆動手段を設虐したことにより、高
情報量の表現を可能にしたものである。
強ｍ’ｒｔ性液晶の光散乱状態を印加電場によって制御
する電気光学効果（以下、Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ＬｉｇｕｌｄＣｒｙｓｔａｌ ８０ａｔｔｅｒｉｎｇ効
果、ＩＰＬ８効果と称する）は、Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃｓ ５９ 、 Ｐ、 １４５〜１６０．１９８４
に記述されるように、単一セルによる態動か確認され
ている。
する電気光学効果（以下、Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ＬｉｇｕｌｄＣｒｙｓｔａｌ ８０ａｔｔｅｒｉｎｇ効
果、ＩＰＬ８効果と称する）は、Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃｓ ５９ 、 Ｐ、 １４５〜１６０．１９８４
に記述されるように、単一セルによる態動か確認され
ている。
しかし、前述の従来技術ではＦＬ８効来が明瞭なしきい
値をも友ないため情報表現に対して、スタチック駆動さ
れた表示エレメントを複数個組合せる他なく、高情報量
の表現は不可能であった。
値をも友ないため情報表現に対して、スタチック駆動さ
れた表示エレメントを複数個組合せる他なく、高情報量
の表現は不可能であった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、ＰＬ８効果を高情＠麓表現に応用した
液晶電気光字ｆｃＩｔを提供することにある。
とするところは、ＰＬ８効果を高情＠麓表現に応用した
液晶電気光字ｆｃＩｔを提供することにある。
本発明の液晶電気光学装置は、ＦＬＳ効果を用いる液晶
パネルの駆動手段としてスイッチング素子エレメントを
各表示画素に配したアクティブマトリクスを有すること
を特徴としている。
パネルの駆動手段としてスイッチング素子エレメントを
各表示画素に配したアクティブマトリクスを有すること
を特徴としている。
本発明は単一セルでの動作のみ可能なＩＦＬ８効果を、
アクティブマトリクスによって駆動を行なうものである
。アクティブマトリクスは各画素に対してスイッチング
素子を有しており、非常に短かい選択時間であっても、
各画素に配置されたスイッチング素子によって１００１
に近いデユーティ−比での駆動が可能となる。このため
ＩＦＬＳ効果を用いた高情報１に表現可能な液晶電気光
学装置が実現される。
アクティブマトリクスによって駆動を行なうものである
。アクティブマトリクスは各画素に対してスイッチング
素子を有しており、非常に短かい選択時間であっても、
各画素に配置されたスイッチング素子によって１００１
に近いデユーティ−比での駆動が可能となる。このため
ＩＦＬＳ効果を用いた高情報１に表現可能な液晶電気光
学装置が実現される。
以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
実施例１
実施例１はアクティブマトリクス素子としてＴｙＴ（薄
膜トランジスタ）を用いたＦＬ８効来パネルの場合であ
る。
膜トランジスタ）を用いたＦＬ８効来パネルの場合であ
る。
第１図は一部を吹り出した斜視図である。各画素に対応
して画素電極（す、ＴＩＰＴ■が設置され、対向基板■
上の共通電極■との間に強誘電性液晶組成物■をはさん
だ構成となっている。
して画素電極（す、ＴＩＰＴ■が設置され、対向基板■
上の共通電極■との間に強誘電性液晶組成物■をはさん
だ構成となっている。
本実権例の場合、ＴＩＦＴ■は石英ガラス基板上のポリ
シリコンＴＩＦＴであり、市販のアクティブマトリクス
型液晶ポケットテレビに用いられているものと同様に形
成されたものである。他の構成部材についても同様であ
る。
シリコンＴＩＦＴであり、市販のアクティブマトリクス
型液晶ポケットテレビに用いられているものと同様に形
成されたものである。他の構成部材についても同様であ
る。
強誘電性液晶組成物■は本実施例の場合、ＬＩＯＢＡＭ
ＢＯを用い、基板の配向処理として有機膜のラビング処
理を施している。パネル間のギャップは２Δμ鶏である
。ギャップは必要となる散乱の大きさ、駆動電圧によっ
て適宜選択される。
ＢＯを用い、基板の配向処理として有機膜のラビング処
理を施している。パネル間のギャップは２Δμ鶏である
。ギャップは必要となる散乱の大きさ、駆動電圧によっ
て適宜選択される。
また同じギャップでも光路を２倍にしより強い光散乱を
得るために、画素電極■あるいは共通電極■を光反射性
電極、例えばアルミニウムや銀のような金属薄膜を極に
することも有効である。
得るために、画素電極■あるいは共通電極■を光反射性
電極、例えばアルミニウムや銀のような金属薄膜を極に
することも有効である。
次に駆動について説明する。第２図はＦ’ｌ、Ｓ効果Ｔ
ＩＦＴ液晶パネルの駆動例を示す図である。本実施例の
場合、ＢＯＢＡＭＢＯＯＩＦＬＳ効果を用いているため
、液晶層には故溝気〜数１０ｍ□□□周期の極性反転し
た電圧と直流電圧を印加する必要がある。極性反転周期
は液晶の分子運動の速度、自発分極の大きさに依存して
いる。本実施例の条件は約８０℃に液晶パネルのａ駁を
保ち液晶をカイラルスメクチック相とし友状態で５１Ｈ
ｚの極性反転電界をかけ友。この極性反転電界は、第２
図に示すようにフィールド（液晶パネル全面を点順次、
あるいは線順次にアドレスする時間）■。
ＩＦＴ液晶パネルの駆動例を示す図である。本実施例の
場合、ＢＯＢＡＭＢＯＯＩＦＬＳ効果を用いているため
、液晶層には故溝気〜数１０ｍ□□□周期の極性反転し
た電圧と直流電圧を印加する必要がある。極性反転周期
は液晶の分子運動の速度、自発分極の大きさに依存して
いる。本実施例の条件は約８０℃に液晶パネルのａ駁を
保ち液晶をカイラルスメクチック相とし友状態で５１Ｈ
ｚの極性反転電界をかけ友。この極性反転電界は、第２
図に示すようにフィールド（液晶パネル全面を点順次、
あるいは線順次にアドレスする時間）■。
・毎にＴＰＴのソース配線■にトランスミッションゲー
ト■を通して加わるビデオ信号０を反転して作られる。
ト■を通して加わるビデオ信号０を反転して作られる。
これを散乱信号Ｏと称し、第２図中に斜線で示した。共
通電極■はこのときビデオ信号のほぼ中間の電位をとっ
ている。したがって、散乱状態に対応した画素には、フ
ィールド毎に極性の反転した電位か書き込まれ、強誘′
１性液晶には散乱を誘起する反転電圧が加わることにな
る。
通電極■はこのときビデオ信号のほぼ中間の電位をとっ
ている。したがって、散乱状態に対応した画素には、フ
ィールド毎に極性の反転した電位か書き込まれ、強誘′
１性液晶には散乱を誘起する反転電圧が加わることにな
る。
これに対し直流電圧の印カロはビデオ信号をフィールド
毎に反転せずに与えればよい。ｗＪ２図のビデオ信号の
０の部分である。
毎に反転せずに与えればよい。ｗＪ２図のビデオ信号の
０の部分である。
つまりビデオ信号００発生は、２フイールド毎の信号フ
ィールド・において、表示データに従ってＯｖとＶＶの
閣で選択され、さらに全ＯＮフィールド■ではＶＶまた
はＯｖが加わるようにして行なわれる。
ィールド・において、表示データに従ってＯｖとＶＶの
閣で選択され、さらに全ＯＮフィールド■ではＶＶまた
はＯｖが加わるようにして行なわれる。
さらにこれらは液晶の劣下を防止するために、Ｎフィー
ルド毎に反転されている。第２図中の■及び＠カ１これ
を示している。
ルド毎に反転されている。第２図中の■及び＠カ１これ
を示している。
第２図中にはゲート配線■側の信号を省略しであるが、
これは市販のポケット液晶テレビに用いられているもの
と同様、順次選択されるようなパルスｄｉ印加される。
これは市販のポケット液晶テレビに用いられているもの
と同様、順次選択されるようなパルスｄｉ印加される。
これらは日ｄエレクトロニクス９月１０日号（１９８４
）Ｐ２１１を参照されたい。
）Ｐ２１１を参照されたい。
また第２図のビデオ信号は説明を簡単にするためＯｖあ
るいはＶ７の２櫃信号を加えたが、電圧振巾０からＶＶ
の間で変調し、散乱強度の変化を与えることかできる。
るいはＶ７の２櫃信号を加えたが、電圧振巾０からＶＶ
の間で変調し、散乱強度の変化を与えることかできる。
この時のビデオ信号の例を第３図に示す。
以上述べ友ようにＦｌ、＋８効果をＴＵＦＴアクテイブ
マトリクスｌ＃ｈ動手段により多画素の表現に応用する
ことが可能となった。本実施例はＴＰＴを採用した例で
あるが、同様な３端子スイツチ素子であれば応用可能で
ある。また界面配向によるメモリー性などが残る場合は
必ずしも画ｔＡｔ極に直流電圧と交流電圧のいずれかが
常に印加されている必要はない。
マトリクスｌ＃ｈ動手段により多画素の表現に応用する
ことが可能となった。本実施例はＴＰＴを採用した例で
あるが、同様な３端子スイツチ素子であれば応用可能で
ある。また界面配向によるメモリー性などが残る場合は
必ずしも画ｔＡｔ極に直流電圧と交流電圧のいずれかが
常に印加されている必要はない。
実施例２
実施例２はＴクチイブマトリクス素子として２端子双方
向性スイツチング素子であるＭ工Ｍ（金属−絶縁体一金
、礪ンダイオード０を用いた場合である。
向性スイツチング素子であるＭ工Ｍ（金属−絶縁体一金
、礪ンダイオード０を用いた場合である。
側３図は画素等価回路図、第４図は斜視図である。Ｍ工
Ｍダイオード０は表示データを転送するデータＩ！［相
］と画Ｘｔ他■の間に設けられ、強誘電性液晶組成物■
を挾んで走査電極部が対している。
Ｍダイオード０は表示データを転送するデータＩ！［相
］と画Ｘｔ他■の間に設けられ、強誘電性液晶組成物■
を挾んで走査電極部が対している。
この一画素分の等価回路を（ｂ）に示した。強＃Ｉｊ電
性液晶は実施例１と同じ１ｊＯＥＡＭＢＯを用いた。配
向処理、ギャップも同一である。Ｍ工ＭダイオードはＴ
ａ−Ｔａ１Ｏ，−Ｏｒから成り、第５図に示すような双
方向性の非線型特性を有している。Ｍ工Ｍダイオードの
製造法、パネル構成は、特開昭５５−１６１２７５やＰ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＪＡＰＡＮ Ｄ工５ＰＬ
ＡＹ’８３ Ｆ、４０４ に記述されるものと同等で
ある。
性液晶は実施例１と同じ１ｊＯＥＡＭＢＯを用いた。配
向処理、ギャップも同一である。Ｍ工ＭダイオードはＴ
ａ−Ｔａ１Ｏ，−Ｏｒから成り、第５図に示すような双
方向性の非線型特性を有している。Ｍ工Ｍダイオードの
製造法、パネル構成は、特開昭５５−１６１２７５やＰ
ｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＪＡＰＡＮ Ｄ工５ＰＬ
ＡＹ’８３ Ｆ、４０４ に記述されるものと同等で
ある。
次に態動について説明する。第６図はＩＰＩ、Ｓ効果Ｍ
工Ｍ液晶パネルの駆動例を示している。（ａ）は３列目
のデータ線上のデータ信号波形、（ａ）は同じく４列目
のデータ信号波形、（ｂ） ＊ （ｅ）はそれぞれ画素
（ａｔ５）ｔ（ａｓａ）に〃口わる電圧波形、（ｃ）（
ｆ）はそれぞれ画素の液晶ＪｅｌＣａ 、 ５ ） 、
（４，４）＆Ｃ７Ｊｌｌわる電圧波形を示している。ま
た（ωは、４行目の走査電極信号波形である。これらの
信号発生は従来の単純マトリクス型液晶表示装置と同様
に行なうことができる。
工Ｍ液晶パネルの駆動例を示している。（ａ）は３列目
のデータ線上のデータ信号波形、（ａ）は同じく４列目
のデータ信号波形、（ｂ） ＊ （ｅ）はそれぞれ画素
（ａｔ５）ｔ（ａｓａ）に〃口わる電圧波形、（ｃ）（
ｆ）はそれぞれ画素の液晶ＪｅｌＣａ 、 ５ ） 、
（４，４）＆Ｃ７Ｊｌｌわる電圧波形を示している。ま
た（ωは、４行目の走査電極信号波形である。これらの
信号発生は従来の単純マトリクス型液晶表示装置と同様
に行なうことができる。
ここで各信号波形について詳しく説明する。
ＩＦＬ８効来は実施例１でも述べたように交流電圧と直
ａ電圧の切換が必要である。本実施例の場合、フレーム
（全画素をアドレスする時間〕■、・毎に極性反転が可
能とする駆動とした。走査電極信号（第６図（ω）は通
常の単純マトリクス液晶パネルの２フレ一ム交流方式と
同等である。データ線信号（第６図（ａ） 、 （ｂ）
）は、全ＯＮフレーム◎と信−号フレーム［相］を交
互にとるようになっている。全ＯＮフレームａ多では、
２フレ一ム交流方式のＯＮレベルをとる。信号フレーム
［相］では、散乱つまり交流電圧とする場合はＯＮレベ
ルリ、非散乱すなわち直流電圧とする場合はＯＦＦレベ
ルのをとるようにしている。信号フレームは通常の単純
マトリクス液晶パネルと同じ考え方である。このように
して画素には第６図（ｂ） 、 （ｅ）に示す電圧が印
加される。画素（４、５） 、！−素（４，４）に加わ
る電圧でｔｉＪ素回路での作動が異ｆＬふのに、＠の選
択期間である。画素（ａ、５）は（ゆの選択期間に負側
に新たに書き込まれるのに対し、画素（ａｓ’）は＠の
選択期間にＭ工ＭダイオードＯＦＦしたままであり、強
＋１鑞性液晶１−は正側の電圧を保持し続ける。この結
果直流電圧と交流電圧の表示データに従ったｆ調が可能
となつ九。不実７ｍ？ｌＪではフレームの反転周波数は
実施例１と同じ（５０Ｅｚとした。また液晶の劣下を防
止するためにＮフィールド毎に第６図の信号波形をすべ
て反転し、反転した直流電圧の印加をすることもできる
。
ａ電圧の切換が必要である。本実施例の場合、フレーム
（全画素をアドレスする時間〕■、・毎に極性反転が可
能とする駆動とした。走査電極信号（第６図（ω）は通
常の単純マトリクス液晶パネルの２フレ一ム交流方式と
同等である。データ線信号（第６図（ａ） 、 （ｂ）
）は、全ＯＮフレーム◎と信−号フレーム［相］を交
互にとるようになっている。全ＯＮフレームａ多では、
２フレ一ム交流方式のＯＮレベルをとる。信号フレーム
［相］では、散乱つまり交流電圧とする場合はＯＮレベ
ルリ、非散乱すなわち直流電圧とする場合はＯＦＦレベ
ルのをとるようにしている。信号フレームは通常の単純
マトリクス液晶パネルと同じ考え方である。このように
して画素には第６図（ｂ） 、 （ｅ）に示す電圧が印
加される。画素（４、５） 、！−素（４，４）に加わ
る電圧でｔｉＪ素回路での作動が異ｆＬふのに、＠の選
択期間である。画素（ａ、５）は（ゆの選択期間に負側
に新たに書き込まれるのに対し、画素（ａｓ’）は＠の
選択期間にＭ工ＭダイオードＯＦＦしたままであり、強
＋１鑞性液晶１−は正側の電圧を保持し続ける。この結
果直流電圧と交流電圧の表示データに従ったｆ調が可能
となつ九。不実７ｍ？ｌＪではフレームの反転周波数は
実施例１と同じ（５０Ｅｚとした。また液晶の劣下を防
止するためにＮフィールド毎に第６図の信号波形をすべ
て反転し、反転した直流電圧の印加をすることもできる
。
以上は簡単のために２１１に表現の場合について述べた
が、階ｆＡ表現も可能である。これは、紋乱強［Ｌ／Ｉ
ペルの変ｙＪ＠をＯＮレベル＠とＯＦＦレペルロの間で
振巾変調することによって実現される。この場合の駆動
は実施列１の５鴻子の場合と類似となる。
が、階ｆＡ表現も可能である。これは、紋乱強［Ｌ／Ｉ
ペルの変ｙＪ＠をＯＮレベル＠とＯＦＦレペルロの間で
振巾変調することによって実現される。この場合の駆動
は実施列１の５鴻子の場合と類似となる。
以上述べたように２ｉ４１子双方向性スイツチング素子
の一例としてＭ工ＭダイオードをＦＬ８効来の連動素子
に採用することによって、多画素の表現か可能となった
。
の一例としてＭ工ＭダイオードをＦＬ８効来の連動素子
に採用することによって、多画素の表現か可能となった
。
実施例Ｓ
実施例３は駆動マトリクス素子に複数のスイッチング素
子を用いたＦ′Ｌ８効果液晶パネルの場合である。
子を用いたＦ′Ｌ８効果液晶パネルの場合である。
バネｎ、 Ｏ構成はアクティブマトリクス基板と強誘電
性液晶組成物層、対向基板であり実施例１、実施例２と
同じであるので省略する。第７図（ａ）に一画素の機能
ダイヤグラム、第７図（ｂ）にトランジスタを２１！ｌ
用いた場合の等価回路図を示す。選択回路［相］によっ
て１−Ｊの選択、非選択が決定され、保持回路ので次の
選択信号が加わるまで前の状態が保持される。保持され
た情報によりスイッチ回路［相］が働き、画素電極■に
印加される信号が切換えられる。これらの機能を１画素
中に収める九めに素子数はできるだけ少ないことか望ま
しい。第７図（１））Ｆｉそ■九めの簡単な実際の回路
を示す。選択回路は選択用トランジスタの、保持回路は
保持用キャパシタ［株］、スイッチ回路はスイッチング
トランジスタ［相］によって機能している。■はＦＬ８
効果の直流電圧を印カロする九めの直流電圧源、＠は強
ｄｔ性液晶層に５１！流電圧を印〃口する九めの父ａ’
ｉｔＩＥｍ−ｔ’アル。
性液晶組成物層、対向基板であり実施例１、実施例２と
同じであるので省略する。第７図（ａ）に一画素の機能
ダイヤグラム、第７図（ｂ）にトランジスタを２１！ｌ
用いた場合の等価回路図を示す。選択回路［相］によっ
て１−Ｊの選択、非選択が決定され、保持回路ので次の
選択信号が加わるまで前の状態が保持される。保持され
た情報によりスイッチ回路［相］が働き、画素電極■に
印加される信号が切換えられる。これらの機能を１画素
中に収める九めに素子数はできるだけ少ないことか望ま
しい。第７図（１））Ｆｉそ■九めの簡単な実際の回路
を示す。選択回路は選択用トランジスタの、保持回路は
保持用キャパシタ［株］、スイッチ回路はスイッチング
トランジスタ［相］によって機能している。■はＦＬ８
効果の直流電圧を印カロする九めの直流電圧源、＠は強
ｄｔ性液晶層に５１！流電圧を印〃口する九めの父ａ’
ｉｔＩＥｍ−ｔ’アル。
次に簡単に動作を説明する。ソース線■とゲート配線に
は画素選択のためのアドレクングパルスが印加され、一
画面の生成毎に１回当事画素が選択される。選択された
際の表示情報は、ソース線から保持用キャパシタ参Ｋｔ
圧として与えられ、保持用キャパシタは次の選択まで情
報を保持している。ここまでの動作は実施例１の３端子
スイツチング了クチイブマトリクスと同じように行なわ
れる。次にスイッチングトランジスタのは保持用キャパ
シタ→の電圧によってゲート電圧か制御され、０Ｎ−０
１ＦＦする。スイッチングトランジスタ＠のソースには
液晶１−１共通電極■を通して交流電圧源と直ａ電圧源
がつながれている。スイッチングトランジスタのＯＮ抵
抗とＯＦＦ’抵抗は液晶層の等価並列抵抗をはさんで設
計され、又流電圧源の見損周期は液晶層の並列等価時定
数より短く、またその振巾は直流電圧源の電圧よりも大
きく設定されている。この友めスイッチングトランジス
タの０ＩＪ−ＯＦＦに伴い、属８図（ａ） Ｋ示す、よ
うにＯＮ時には直流電圧と交ａ１に圧のほとんどが液晶
層部）ＪｒＪ電圧秒となり、交流電圧の振巾が直流電圧
より大きいため、液晶Ｉ−にはＩＰＬ８効果の散乱に十
分な交流電圧がかかる。０ＦＩＦ時には第８図（１））
に示すように、交流成分の大部分はスイッチングトラン
ジスタ印加電圧・となり、・液晶層には直流電圧成分か
印刀口される。このように液晶層のイノビーダンスを利
用することによって、簡単な２つのトランジスタ構成で
ＰＬＢ効果に必要な交流に直流電圧の切換が可能となっ
た。
は画素選択のためのアドレクングパルスが印加され、一
画面の生成毎に１回当事画素が選択される。選択された
際の表示情報は、ソース線から保持用キャパシタ参Ｋｔ
圧として与えられ、保持用キャパシタは次の選択まで情
報を保持している。ここまでの動作は実施例１の３端子
スイツチング了クチイブマトリクスと同じように行なわ
れる。次にスイッチングトランジスタのは保持用キャパ
シタ→の電圧によってゲート電圧か制御され、０Ｎ−０
１ＦＦする。スイッチングトランジスタ＠のソースには
液晶１−１共通電極■を通して交流電圧源と直ａ電圧源
がつながれている。スイッチングトランジスタのＯＮ抵
抗とＯＦＦ’抵抗は液晶層の等価並列抵抗をはさんで設
計され、又流電圧源の見損周期は液晶層の並列等価時定
数より短く、またその振巾は直流電圧源の電圧よりも大
きく設定されている。この友めスイッチングトランジス
タの０ＩＪ−ＯＦＦに伴い、属８図（ａ） Ｋ示す、よ
うにＯＮ時には直流電圧と交ａ１に圧のほとんどが液晶
層部）ＪｒＪ電圧秒となり、交流電圧の振巾が直流電圧
より大きいため、液晶Ｉ−にはＩＰＬ８効果の散乱に十
分な交流電圧がかかる。０ＦＩＦ時には第８図（１））
に示すように、交流成分の大部分はスイッチングトラン
ジスタ印加電圧・となり、・液晶層には直流電圧成分か
印刀口される。このように液晶層のイノビーダンスを利
用することによって、簡単な２つのトランジスタ構成で
ＰＬＢ効果に必要な交流に直流電圧の切換が可能となっ
た。
実際のマ） ＩＪクス素子は、実施例１と同じくＴＦＴ
や、８１基板上に形成されるＭＯ，Ｓ）ランジスタによ
って構成される。ま九これらの画素選択の手法は、前述
し７’ｈＭ晶ポケットテレビと同等に行なっている。
や、８１基板上に形成されるＭＯ，Ｓ）ランジスタによ
って構成される。ま九これらの画素選択の手法は、前述
し７’ｈＭ晶ポケットテレビと同等に行なっている。
さらに液晶の劣下を防止するために、Ｎフィールド毎に
直流電圧源■の極性を反転し、Ｎフィールド毎の交流駆
動としてもよい。
直流電圧源■の極性を反転し、Ｎフィールド毎の交流駆
動としてもよい。
以上述べたように本発明によれば、Ｆ’ＬＳ効果をアク
ティブマトリクスによって駆動することによって、ＦＬ
ＥＩ効果の優れた特性を持つ多画素を有した高情報彼対
応の電気光学装置を実現できる。
ティブマトリクスによって駆動することによって、ＦＬ
ＥＩ効果の優れた特性を持つ多画素を有した高情報彼対
応の電気光学装置を実現できる。
第１図Ｆ′１ＦＬ８効果ＴＦＴ液晶パネルの斜視図。
＠２図はＦＬＳ効果ＴＦＴ液晶パネルの駆動図。
第Ｓ図は振巾変調した場合のビデオ信号図。
第４図（ａ）はＩＰＩ、Ｓ効果ＭＩＭ液晶パネルの画素
等価回路図。 第４図（ｂ）はＦＬＹ効果ＭＩＭ液晶パネルの斜視図。 第５図はＭ工Ｍの電流−電圧特性図。 第６図はＦＬ８効果Ｍ工Ｍ液晶パネルの駆動波形図。 ４７図（ａ）は１画素の機能ダイアグラム図。 第７図（１））は２トランジスタによる等価回路図。 第８図（ａ） 、 （１））は液晶層とトランジスタに
印ヵロされる電圧波形図。 １・・・画素電極 ２・・・ＴＰＴ ４・・・共通電極 ５・・・強誘電性液晶組成物 １７・・・Ｍ工Ｍ ２４・・・選択回路 ２５・・・保持回路 ２６・・・スイッチ回路 ＦＬ５効巣ＴＦＴ俄晶 へ０ネ】い斜亀図 第１図 第３図 第４図（Ａ） 第４図０＋） 第６図 Ｉ ｄｉｂＪｅ ｒｓ ＆ｔｔ ｑイア７゛うａＵへ第
７図＜ｃＬ） ２ムランゾスダ＋−Ｊう冴イＩＩＥＩＩＢ：Ｊシト図第
７図（ｂ） ３λ、Ｖ備品
等価回路図。 第４図（ｂ）はＦＬＹ効果ＭＩＭ液晶パネルの斜視図。 第５図はＭ工Ｍの電流−電圧特性図。 第６図はＦＬ８効果Ｍ工Ｍ液晶パネルの駆動波形図。 ４７図（ａ）は１画素の機能ダイアグラム図。 第７図（１））は２トランジスタによる等価回路図。 第８図（ａ） 、 （１））は液晶層とトランジスタに
印ヵロされる電圧波形図。 １・・・画素電極 ２・・・ＴＰＴ ４・・・共通電極 ５・・・強誘電性液晶組成物 １７・・・Ｍ工Ｍ ２４・・・選択回路 ２５・・・保持回路 ２６・・・スイッチ回路 ＦＬ５効巣ＴＦＴ俄晶 へ０ネ】い斜亀図 第１図 第３図 第４図（Ａ） 第４図０＋） 第６図 Ｉ ｄｉｂＪｅ ｒｓ ＆ｔｔ ｑイア７゛うａＵへ第
７図＜ｃＬ） ２ムランゾスダ＋−Ｊう冴イＩＩＥＩＩＢ：Ｊシト図第
７図（ｂ） ３λ、Ｖ備品
Claims (1)
- 相対する２枚の基板間に強誘電性液晶組成物を挾持して
成る液晶パネルに、電界を印加し該液晶パネルの光散乱
状態を制御する液晶電気光学装置において、アクティブ
マトリクス駆動手段を有することを特徴とする液晶電気
光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60110667A JPS61267734A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 液晶電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60110667A JPS61267734A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 液晶電気光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267734A true JPS61267734A (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=14541409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60110667A Pending JPS61267734A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 液晶電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267734A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01182885A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Asahi Glass Co Ltd | 画像表示装置 |
| JPH02500621A (ja) * | 1987-08-27 | 1990-03-01 | ヒューズ・エアクラフト・カンパニー | Ａｃ動作用付勢マトリックスセル |
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-
1985
- 1985-05-23 JP JP60110667A patent/JPS61267734A/ja active Pending
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