JPH01143233A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH01143233A JPH01143233A JP30095087A JP30095087A JPH01143233A JP H01143233 A JPH01143233 A JP H01143233A JP 30095087 A JP30095087 A JP 30095087A JP 30095087 A JP30095087 A JP 30095087A JP H01143233 A JPH01143233 A JP H01143233A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子の製造方法、特に素子間の電気的
な分離に関する。
な分離に関する。
（従来の技術）
近年、Ｓｉ基板上のＧａＡｓ成長など、■族結晶基板上
にＩＩ−Ｖ）Ｊ化合物半導体層を形成する技術が注目さ
れている。それは、例えばＳｉ能動素子とＧａＡｓ能動
素子のモノリシック集積化など、主に応用面から期待さ
れているからである。しかしながら、■族結晶基板上の
ＩＩＩ−ＶＥＸ化合物半導体層に形成する能動素子の電
気的な分離の方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓ ＭＥＳＦＥＴを形成する場合などと同じ従来の手法
に依らざるをえないであろうｇ即ち、同一ウェハ上に形
成されるＧａＡｓ能動素子の電気的な分離は、反絶縁性
ＧａＡｓ結晶上の所定の領域にマスクを設け、その後イ
オン注入法や拡散法によりマスクを施していない領域に
のみ不純物を導入することにより行なわれている。従っ
て、マスクを施さなかった領域に形成された能動層は、
マスクを設けたことにより不純物が導入されず反絶縁性
のままである領域と反絶縁性基板に囲まれることにより
素子間の分離が達成されている。
にＩＩ−Ｖ）Ｊ化合物半導体層を形成する技術が注目さ
れている。それは、例えばＳｉ能動素子とＧａＡｓ能動
素子のモノリシック集積化など、主に応用面から期待さ
れているからである。しかしながら、■族結晶基板上の
ＩＩＩ−ＶＥＸ化合物半導体層に形成する能動素子の電
気的な分離の方法は、半絶縁性ＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓ ＭＥＳＦＥＴを形成する場合などと同じ従来の手法
に依らざるをえないであろうｇ即ち、同一ウェハ上に形
成されるＧａＡｓ能動素子の電気的な分離は、反絶縁性
ＧａＡｓ結晶上の所定の領域にマスクを設け、その後イ
オン注入法や拡散法によりマスクを施していない領域に
のみ不純物を導入することにより行なわれている。従っ
て、マスクを施さなかった領域に形成された能動層は、
マスクを設けたことにより不純物が導入されず反絶縁性
のままである領域と反絶縁性基板に囲まれることにより
素子間の分離が達成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の技術により素子間の分離を行なう場合は、能動層
と能動層の間の反絶縁層により十分な素子間分離を得る
ために、素子と素子の間隔を広くとる必要があった。こ
の欠点は、現在のところ能動層と能動層の間の反絶縁層
に選択的に能動層とは逆の形の不純物を導入することに
より、ある程度解消されている。しかし、この方法によ
ればプロセスが繁雑になることは明らかである。
と能動層の間の反絶縁層により十分な素子間分離を得る
ために、素子と素子の間隔を広くとる必要があった。こ
の欠点は、現在のところ能動層と能動層の間の反絶縁層
に選択的に能動層とは逆の形の不純物を導入することに
より、ある程度解消されている。しかし、この方法によ
ればプロセスが繁雑になることは明らかである。
本発明の目的は、プロセスを複雑にすることなく容易に
素子間の電気的な分離を可能とする半導体素子の製造方
法を提供することにある。
素子間の電気的な分離を可能とする半導体素子の製造方
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体素子の製造方法は、■族結晶基板上に（
１１０）面と（２１１）面を有する台地状の構造体を表
面に露出させる工程、引き続いて、原子層エピタキシャ
ル成長法によりＩＩＩ ｅ Ｖ族化合物半導体層を形成
する工程を含むことを特徴としている。
１１０）面と（２１１）面を有する台地状の構造体を表
面に露出させる工程、引き続いて、原子層エピタキシャ
ル成長法によりＩＩＩ ｅ Ｖ族化合物半導体層を形成
する工程を含むことを特徴としている。
（作用）
１１ＬＶ族化合物半導体の原子層エピタキシャル成長は
、ＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に基板へ供給
することにより達成される。例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体結晶上に原子層エピタキシャル成長を行なう場合
を想定すれば、基板表面がＩＩＩＩＩＩ元素１原子層吸
着させるという操作を繰り返すことによって成長が進行
する。従って、表面が単一の元素からなる面であるとこ
ろの例えば（１００）面上に原子層エピタキシャル成長
を行なえば、点欠陥の発生は極めて低い。一方、表面が
ＩＩＩ族元素と■族元素からなる面であるところの例え
ば（１１０）面上に原子層エピタキシャル成長を行なっ
た場合は状況が異なる。ここで、表面がＩＩＩ族元素と
Ｖ族元素が共存する面に、ＩＩＩ族原料ガスが供給され
た場合を想定する。供給されたＩＩＩ族元素と基板表面
のＶ族元素が結合する場合が、最も系の化学的、電気的
エネルギーを最小にするため、最も起りやすい反応であ
る。しかし、ＩＩＩ族元素とＶ族元素が共存する面では
、基板表面のＩＩＩ族元素と供給されたＩＩＩ族元素が
結合する場合なども有り得る。従って、この面を用いた
場合は、ＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に基板
へ供給する原子層エピタキシャル成長法によっても、例
えば、ＩＩＩ族位面位置孔、Ｖ族位置の空孔、ＩＩＩ族
位面位置族元素が置換した欠陥、Ｖ族位置にＩＩＩ族元
素が置換した欠陥などの点欠陥が発生する。以上は例と
して基板にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を用いその上
にＩＩＩ ＋ Ｖ族化合物半導体結晶を原子層エピタキ
シャル成長する場合について示した。ところで、■族生
導体結晶を基板として用い、その上にＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を成長する場合でも、エピタキシャル成長が可
能であることは、例えばＳｉ基板上のＧａＡｓ成長やＧ
ｅ基板上のＧａＡｓ成長などで示されている。例えばＳ
ｉ基板上のＧａＡｓ成長では、約４％の格子不整合にも
かかわらず、格子軸のそろった成長及び伝導形の制御も
可能である。従って、ＳｉやＧｅなどのＩＩＩ族半導体
結晶基板の（１００）面または（１１０）面上にＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体結晶を原子層エピタキシャル成長し
た場合でも、上で示した原子層エピタキシャル成長によ
るＩＩＩ ｅ Ｖ族化合物半導体層の（１００）面及び
（１１０）面での効果は同様に得られる。しかしながら
、５ｉ（１００）囲碁板上のＧａＡｓ成長では、ｎｏｎ
ｐｏｌａｒ結晶上へのｐｏｌａｒ結晶成長で特有なアン
チフェーズ・ドメイン（ａｎｔｉｐｈａｓｅｄｏｍａｉ
ｎ）の問題が生じる。
、ＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に基板へ供給
することにより達成される。例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物
半導体結晶上に原子層エピタキシャル成長を行なう場合
を想定すれば、基板表面がＩＩＩＩＩＩ元素１原子層吸
着させるという操作を繰り返すことによって成長が進行
する。従って、表面が単一の元素からなる面であるとこ
ろの例えば（１００）面上に原子層エピタキシャル成長
を行なえば、点欠陥の発生は極めて低い。一方、表面が
ＩＩＩ族元素と■族元素からなる面であるところの例え
ば（１１０）面上に原子層エピタキシャル成長を行なっ
た場合は状況が異なる。ここで、表面がＩＩＩ族元素と
Ｖ族元素が共存する面に、ＩＩＩ族原料ガスが供給され
た場合を想定する。供給されたＩＩＩ族元素と基板表面
のＶ族元素が結合する場合が、最も系の化学的、電気的
エネルギーを最小にするため、最も起りやすい反応であ
る。しかし、ＩＩＩ族元素とＶ族元素が共存する面では
、基板表面のＩＩＩ族元素と供給されたＩＩＩ族元素が
結合する場合なども有り得る。従って、この面を用いた
場合は、ＩＩＩ族原料ガスとＶ族原料ガスを交互に基板
へ供給する原子層エピタキシャル成長法によっても、例
えば、ＩＩＩ族位面位置孔、Ｖ族位置の空孔、ＩＩＩ族
位面位置族元素が置換した欠陥、Ｖ族位置にＩＩＩ族元
素が置換した欠陥などの点欠陥が発生する。以上は例と
して基板にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を用いその上
にＩＩＩ ＋ Ｖ族化合物半導体結晶を原子層エピタキ
シャル成長する場合について示した。ところで、■族生
導体結晶を基板として用い、その上にＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体を成長する場合でも、エピタキシャル成長が可
能であることは、例えばＳｉ基板上のＧａＡｓ成長やＧ
ｅ基板上のＧａＡｓ成長などで示されている。例えばＳ
ｉ基板上のＧａＡｓ成長では、約４％の格子不整合にも
かかわらず、格子軸のそろった成長及び伝導形の制御も
可能である。従って、ＳｉやＧｅなどのＩＩＩ族半導体
結晶基板の（１００）面または（１１０）面上にＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体結晶を原子層エピタキシャル成長し
た場合でも、上で示した原子層エピタキシャル成長によ
るＩＩＩ ｅ Ｖ族化合物半導体層の（１００）面及び
（１１０）面での効果は同様に得られる。しかしながら
、５ｉ（１００）囲碁板上のＧａＡｓ成長では、ｎｏｎ
ｐｏｌａｒ結晶上へのｐｏｌａｒ結晶成長で特有なアン
チフェーズ・ドメイン（ａｎｔｉｐｈａｓｅｄｏｍａｉ
ｎ）の問題が生じる。
ｎｏｎｐｏｌａｒ結晶であるＳｉにおいては、成長時に
結晶格子の周期のずれた成長が生じた場合でも構成元素
がＳｉだけである為、不都合は生じない。一方、ＧａＡ
ｓ成長では、結晶格子の周期がずれた成長が生じた場合
は、例えばＧａ−Ａｓ−Ａｓ−Ｇａ又はＡｓ−Ｇａ−Ｇ
ａ−Ａｓとなり、結晶欠陥となる。いわゆるアンチフェ
ーズ・ドメインの問題である。この問題を解決する為、
５ｉ（２１１）囲碁板を使用することが提案された。ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス＜Ｊ。
結晶格子の周期のずれた成長が生じた場合でも構成元素
がＳｉだけである為、不都合は生じない。一方、ＧａＡ
ｓ成長では、結晶格子の周期がずれた成長が生じた場合
は、例えばＧａ−Ａｓ−Ａｓ−Ｇａ又はＡｓ−Ｇａ−Ｇ
ａ−Ａｓとなり、結晶欠陥となる。いわゆるアンチフェ
ーズ・ドメインの問題である。この問題を解決する為、
５ｉ（２１１）囲碁板を使用することが提案された。ジ
ャーナル・オブ・アプライド・フィジックス＜Ｊ。
Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 ５８ ＜ ６ ＞ ＜ １９
８５≧２１９５ ＞ （２１１）基板表面上には、２本
のボンドで結合するサイトと１本のボンドで結合するサ
イトがあり、次に吸着する原子、例えばＩＩＩ族元素や
ＧａやＶ族元素のＡｓなどのイオン性の差により結合サ
イトがそれぞれ選択され、成長に伴うＩＩＩ族位面位置
族元素が置換した欠陥、Ｖ族位置にＩＩＩ族元素が置換
した欠陥の生成やアンチフェーズ・ドメインの発生は無
い。
８５≧２１９５ ＞ （２１１）基板表面上には、２本
のボンドで結合するサイトと１本のボンドで結合するサ
イトがあり、次に吸着する原子、例えばＩＩＩ族元素や
ＧａやＶ族元素のＡｓなどのイオン性の差により結合サ
イトがそれぞれ選択され、成長に伴うＩＩＩ族位面位置
族元素が置換した欠陥、Ｖ族位置にＩＩＩ族元素が置換
した欠陥の生成やアンチフェーズ・ドメインの発生は無
い。
また、（２１１）成長面には絶えずＩＩＩ族元素とＶ族
元素が混在する為、成長面では電荷中性を保ったまま成
長が進行するという特徴を有している。故に、５ｉ（２
１１）囲碁板を（１００）囲碁板の代りに使用すること
により、５ｉ（１００）囲碁板を使用する場合のアンチ
フェーズ・ドメインの問題も避けられるばかりではなく
、完全な原子層エピタキシャル成長も可能となる。従っ
て、上で示したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶基板を用
いた場合の（１００）面及び（１１０）面での効果は、
ＳｉやＧｅなどの■族結晶基板の（２１１）面及び（１
１０）面を用いた場合でもそれぞれ同様に得られる。
元素が混在する為、成長面では電荷中性を保ったまま成
長が進行するという特徴を有している。故に、５ｉ（２
１１）囲碁板を（１００）囲碁板の代りに使用すること
により、５ｉ（１００）囲碁板を使用する場合のアンチ
フェーズ・ドメインの問題も避けられるばかりではなく
、完全な原子層エピタキシャル成長も可能となる。従っ
て、上で示したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶基板を用
いた場合の（１００）面及び（１１０）面での効果は、
ＳｉやＧｅなどの■族結晶基板の（２１１）面及び（１
１０）面を用いた場合でもそれぞれ同様に得られる。
ところで、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体では点欠陥、例え
ばＩＩＩ族位面位置孔、Ｖ族位置の空孔、ＩＩＩ族位面
位置族元素が置換した欠陥、Ｖ族位置にＩＩＩ族元素が
置換した欠陥は、禁制帯中に深い準位を形成することが
計算より指摘されている。フィジカル・レビュー ・Ｂ
（Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｂ ３１ （１９８５） ９
６８）特にＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ、 ＧａＡｓＰ系で
は、点欠陥に起因したＥＬ２と呼ばれる深い準位が高濃
度存在することが知られている。エレクトロニクス・レ
ターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ。
ばＩＩＩ族位面位置孔、Ｖ族位置の空孔、ＩＩＩ族位面
位置族元素が置換した欠陥、Ｖ族位置にＩＩＩ族元素が
置換した欠陥は、禁制帯中に深い準位を形成することが
計算より指摘されている。フィジカル・レビュー ・Ｂ
（Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｂ ３１ （１９８５） ９
６８）特にＧａＡｓやＡｌＧａＡｓ、 ＧａＡｓＰ系で
は、点欠陥に起因したＥＬ２と呼ばれる深い準位が高濃
度存在することが知られている。エレクトロニクス・レ
ターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ。
１３ （１９７７） １９１）禁制帯の特に中央付近に
準位が高濃度存在する半導体中では、浅いドナーやアク
セプタ準位から活性したキャリアが深い準位に捕獲され
る。従って、半導体は電気的に補償され、高抵抗化する
。この現象は、深い準位の濃度が浅いドナーやアクセプ
タ準位の濃度より高い場合に生じる為、意図的に浅いド
ナーやアクセプタ準位を形成する不純物を導入または添
加した場合であっても、その濃度が深い準位の濃度より
低ければ、高抵抗化は達成されたままである。故に例え
ば（１１０）Ｑ上のエピタキシャル成長では、点欠陥が
発生する為、（１１０）面上の半導体中には深い準位が
発生し、半導体は高抵抗化する。一方、アンチフェーズ
・ドメインの問題がない（２１１）面上に原子層エピタ
キシャル成長を行なえば、点欠陥の発生は極めて低い為
、深い準位はほとんど発生しない。
準位が高濃度存在する半導体中では、浅いドナーやアク
セプタ準位から活性したキャリアが深い準位に捕獲され
る。従って、半導体は電気的に補償され、高抵抗化する
。この現象は、深い準位の濃度が浅いドナーやアクセプ
タ準位の濃度より高い場合に生じる為、意図的に浅いド
ナーやアクセプタ準位を形成する不純物を導入または添
加した場合であっても、その濃度が深い準位の濃度より
低ければ、高抵抗化は達成されたままである。故に例え
ば（１１０）Ｑ上のエピタキシャル成長では、点欠陥が
発生する為、（１１０）面上の半導体中には深い準位が
発生し、半導体は高抵抗化する。一方、アンチフェーズ
・ドメインの問題がない（２１１）面上に原子層エピタ
キシャル成長を行なえば、点欠陥の発生は極めて低い為
、深い準位はほとんど発生しない。
従って、この（２１１）面上の半導体はｒ云導形の制御
が可能であり、能動層として使用することができる。以
上の理由により、原子層エピタキシャル成長によれば、
（２１１）面上の半導体を能動層として、（１１０）面
上の半導体を絶縁層として使用することができる。これ
らの面の形成には、反応性イオンエツチング法等が適用
でき加工も容易である。しかも、絶縁層を長くとること
により絶縁性を高めることができる為、素子の高集積化
が可能である。
が可能であり、能動層として使用することができる。以
上の理由により、原子層エピタキシャル成長によれば、
（２１１）面上の半導体を能動層として、（１１０）面
上の半導体を絶縁層として使用することができる。これ
らの面の形成には、反応性イオンエツチング法等が適用
でき加工も容易である。しかも、絶縁層を長くとること
により絶縁性を高めることができる為、素子の高集積化
が可能である。
（実施例）
本発明の実施例を、第１図を参照して説明する。
第１図で（ａ）は、ｐ−形５ｉ（２１１）基板１１上に
、ＡＺ２４００レジストを２００°Ｃで熱処理しマスク
１２を形成したウェハの外観図である。マスクの形状は
一辺が１１００ｐの正方形であり、平行な一組の２辺は
、（２１１）基板面と垂直な（酊１）面１３と平行な方
向である。マスク同士の間隔は１０ｐｍである。次に、
このウェハ（０１１）面１４とプラズマ電極が垂直とな
るように固定した。第１図で（ｂ）に示すように、プラ
ズマ電極に垂直な方、向は＜１００＞方向１５である。
、ＡＺ２４００レジストを２００°Ｃで熱処理しマスク
１２を形成したウェハの外観図である。マスクの形状は
一辺が１１００ｐの正方形であり、平行な一組の２辺は
、（２１１）基板面と垂直な（酊１）面１３と平行な方
向である。マスク同士の間隔は１０ｐｍである。次に、
このウェハ（０１１）面１４とプラズマ電極が垂直とな
るように固定した。第１図で（ｂ）に示すように、プラ
ズマ電極に垂直な方、向は＜１００＞方向１５である。
その後、５％のＣＨＦ３を含んだＳＦ６ガス８０ｍＴｏ
ｒｒの雰囲気中において０．２Ｗ／ｃｍ２の出力で１０
分間反応性イオンエツチングを行なった。第１図で（Ｃ
）は、反応性イオンエツチングを施した後のウェハの外
観図である。
ｒｒの雰囲気中において０．２Ｗ／ｃｍ２の出力で１０
分間反応性イオンエツチングを行なった。第１図で（Ｃ
）は、反応性イオンエツチングを施した後のウェハの外
観図である。
形成された台地状の構造体１６．１７の高さは約１１１
ｍであり、それぞれ４つの側面１８は、（１１０）と等
価な面である。このウェハにおいてＩＩＩ族原料ガスに
ＧａＣ１、Ｖ族原料ガスにＡｓＨ３を用いた４５０°Ｃ
における各層２０００回の原子層エピタキシャル成長を
行った。第１図で（ｄ）は、成長後のウェハの断面図で
あり、斜研磨より求めたＧａＡｓ成長層１９の膜厚は、
（２１１）面上で７０００人、（１１０）面上で４００
０人であった。第１図で（ｅ）は、このウェハの各台地
状構造体の上部の４つの端にＡｕＧｅによるオーミック
コンタクト２０を形成した様子を示した図である。同じ
（２１１）面上に形成されたオーミックコンタクト間で
は導通が認められ、ホール測定より伝導形はｎ形でキャ
リア濃度がＩ Ｘ １０１６ｃｍ−３であることが分か
った。一方、隣り合った台地状の成長層間では導通は認
められず、完全に・素子間の電気的分離が達成できたこ
とを確認した。以上のように、本発明によれば、プロセ
スを複雑にすることなく容易に素子間の電気的な分離が
可能となる。
ｍであり、それぞれ４つの側面１８は、（１１０）と等
価な面である。このウェハにおいてＩＩＩ族原料ガスに
ＧａＣ１、Ｖ族原料ガスにＡｓＨ３を用いた４５０°Ｃ
における各層２０００回の原子層エピタキシャル成長を
行った。第１図で（ｄ）は、成長後のウェハの断面図で
あり、斜研磨より求めたＧａＡｓ成長層１９の膜厚は、
（２１１）面上で７０００人、（１１０）面上で４００
０人であった。第１図で（ｅ）は、このウェハの各台地
状構造体の上部の４つの端にＡｕＧｅによるオーミック
コンタクト２０を形成した様子を示した図である。同じ
（２１１）面上に形成されたオーミックコンタクト間で
は導通が認められ、ホール測定より伝導形はｎ形でキャ
リア濃度がＩ Ｘ １０１６ｃｍ−３であることが分か
った。一方、隣り合った台地状の成長層間では導通は認
められず、完全に・素子間の電気的分離が達成できたこ
とを確認した。以上のように、本発明によれば、プロセ
スを複雑にすることなく容易に素子間の電気的な分離が
可能となる。
以上、実施例においてはＳｉ結晶基板を例にとって示し
たが、基板はＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の原子層エピ
タキシャル成長が可能な他の■族結晶基板、例えばＧｅ
結晶などにも本発明は適用できる。また基板の面指数も
、実施例においては（２１１）面を例にとって示したが
、（２１１）面に限られたものではなく、（１１０）面
や他の面指数でも良い。要は、基板上に（２１１）面と
（１１０）面を接する面として形成できれば、本発明の
効果が期待できることは作用で示したように明らかであ
る。また実施例においては、ＩＩＩ族原材原料ガスａＣ
１、Ｖ族原料ガスにＡｓＨ３を用いた原子層エピタキシ
ャル成長手法について示したが、他の原子層エピタキシ
ャル成長手法、例えばＩＩＩ族原材原料ガスａ（ＣＨ３
）ａ、Ｖ族原料ガスにＡｓＨ３を用いた原子層エピタキ
シャル成長手法においても実施可能であることは明らか
である。さらに、台地状の構造体を形成させる為にＣＨ
Ｆ３とＳＦ６から成るガスにより反応性イオンエツチン
グを行ったが、エツチングの手段はこれに限られたもの
ではなく、等方向にエツチングできれば、他の手段で良
い。
たが、基板はＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体の原子層エピ
タキシャル成長が可能な他の■族結晶基板、例えばＧｅ
結晶などにも本発明は適用できる。また基板の面指数も
、実施例においては（２１１）面を例にとって示したが
、（２１１）面に限られたものではなく、（１１０）面
や他の面指数でも良い。要は、基板上に（２１１）面と
（１１０）面を接する面として形成できれば、本発明の
効果が期待できることは作用で示したように明らかであ
る。また実施例においては、ＩＩＩ族原材原料ガスａＣ
１、Ｖ族原料ガスにＡｓＨ３を用いた原子層エピタキシ
ャル成長手法について示したが、他の原子層エピタキシ
ャル成長手法、例えばＩＩＩ族原材原料ガスａ（ＣＨ３
）ａ、Ｖ族原料ガスにＡｓＨ３を用いた原子層エピタキ
シャル成長手法においても実施可能であることは明らか
である。さらに、台地状の構造体を形成させる為にＣＨ
Ｆ３とＳＦ６から成るガスにより反応性イオンエツチン
グを行ったが、エツチングの手段はこれに限られたもの
ではなく、等方向にエツチングできれば、他の手段で良
い。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、プロセスを複雑にするこ
となく容易に素子間の電気的な分離が可能になるばかり
ではなく、ウェハ上の素子の集積度も高めることができ
る。
となく容易に素子間の電気的な分離が可能になるばかり
ではなく、ウェハ上の素子の集積度も高めることができ
る。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）、 （ｅ
）は、本発明により素子間の電気的な分離を行なう方法
の概念を示す図である。 １１．５ｉ（２１１）囲碁板、１２・・・マスク、１ｓ
・（ｏｊｇ面、１４・・・（０１１）面、１５・・・＜
１００＞方向、１６．１７・・・構造体、１８・（１１
０）側面、１９・ＧａＡｓ成長層、２０・ＡｕＧｅオー
ミックコンタクト
）は、本発明により素子間の電気的な分離を行なう方法
の概念を示す図である。 １１．５ｉ（２１１）囲碁板、１２・・・マスク、１ｓ
・（ｏｊｇ面、１４・・・（０１１）面、１５・・・＜
１００＞方向、１６．１７・・・構造体、１８・（１１
０）側面、１９・ＧａＡｓ成長層、２０・ＡｕＧｅオー
ミックコンタクト
Claims (1)
- （１）IV族結晶基板上に（１１０）面と（２１１）面を
有する台地状の構造体を表面に露出させる工程、引き続
いて、原子層エピタキシャル成長法によりIII−Ｖ族化
合物半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半
導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30095087A JPH01143233A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30095087A JPH01143233A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143233A true JPH01143233A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17891039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30095087A Pending JPH01143233A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01143233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9012334B2 (en) | 2001-02-02 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP30095087A patent/JPH01143233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9012334B2 (en) | 2001-02-02 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
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