JPH01136466A - 画像入力方式 - Google Patents
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- JPH01136466A JPH01136466A JP62294059A JP29405987A JPH01136466A JP H01136466 A JPH01136466 A JP H01136466A JP 62294059 A JP62294059 A JP 62294059A JP 29405987 A JP29405987 A JP 29405987A JP H01136466 A JPH01136466 A JP H01136466A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 26
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 15
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- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
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- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ファクシミリ装置等の画像入力方式に関し、
特に基準白色板を用いてシェーディング補正を行う画像
入力方式に関するものである。
特に基準白色板を用いてシェーディング補正を行う画像
入力方式に関するものである。
(従来の技術)
従来、この種の装置の画像の入力回路では、読み取るべ
き原稿を照射する光源の光量や原稿からの反射光を光電
変換素子の受光面に集束させる光学系メ゛透過光量等の
不褐−性によるシェーディングという現象が生pるので
、このシェーディング、の補正が行われる。第8図は従
来のシェーディング補正方式による入力回路の構成例を
示すブロック図である。同図の入力回路は、CCD等の
光電変換素子1、アナログ・ディジタル変換素子(A/
D)2、少なくとも1ライン分のシェーディングデータ
を格納するメモリ3、このメモリ3のアドレスカウンタ
4、シェーディング補馬の演算を行う演算器5から構成
される。、 次、に動作を説明する。
き原稿を照射する光源の光量や原稿からの反射光を光電
変換素子の受光面に集束させる光学系メ゛透過光量等の
不褐−性によるシェーディングという現象が生pるので
、このシェーディング、の補正が行われる。第8図は従
来のシェーディング補正方式による入力回路の構成例を
示すブロック図である。同図の入力回路は、CCD等の
光電変換素子1、アナログ・ディジタル変換素子(A/
D)2、少なくとも1ライン分のシェーディングデータ
を格納するメモリ3、このメモリ3のアドレスカウンタ
4、シェーディング補馬の演算を行う演算器5から構成
される。、 次、に動作を説明する。
まず、原稿の読み取り開始前に図示しない基準白色板を
光電変換素子1により読み取り、読み取ったデータは、
アナログ・ディジタル変換器2により量子化された後に
、アドレスカウンタ4によりメモリ3に記憶される。
光電変換素子1により読み取り、読み取ったデータは、
アナログ・ディジタル変換器2により量子化された後に
、アドレスカウンタ4によりメモリ3に記憶される。
ここで、メモリ3に記憶された基準白色板のシェーディ
ングデータを19mには画素位置を示す、読み取フた補
正餌のデータをDi、補正後のデータをE、とすると、
演算器5は以下の(1)式の計算を行い入力データのシ
ェーディング補正を行う。
ングデータを19mには画素位置を示す、読み取フた補
正餌のデータをDi、補正後のデータをE、とすると、
演算器5は以下の(1)式の計算を行い入力データのシ
ェーディング補正を行う。
ここでSはあらかじめ定めておく定数で、白原稿の読み
取りレベルとなる。つまり、(1)式でり。
取りレベルとなる。つまり、(1)式でり。
をWiとすると、E、=Sとなり、基準の白色板を再び
読み取った場合の量子化レベルは全てSとなる。
読み取った場合の量子化レベルは全てSとなる。
第9図(a)乃至(f)は第8図の従来方式における補
正の様子を示すものである。同図(a)はメモリ3に記
憶された基準白色板のシェーディングデータWlであり
、同図(b)は7様な明るさの原稿を読んだときの補正
餌のデータD、、さらに同図(C)は従来方式によりシ
ェーディング補正されたデータE、である。しかし、こ
のような補正方式において、同図(d)に示す様に、基
準白色板に傷又は汚れがあったり、光電変換素子1に欠
陥が生じた場合、メモリ3に記憶されるデータにはそれ
ぞれ901.902の様な劣化を含むシェーディングデ
ータとなり、同図(e)に示す様に−様な濃度の原稿を
読み取った場合にも光電変換素子1の欠陥(903)が
入る。これらの結果、シェーディング補正後のデータは
、同図(f)に示す様に凸部904.905が生じ、基
準白色板の汚れ等や光電変換素子1の欠陥により出力信
号が劣化してしまう。
正の様子を示すものである。同図(a)はメモリ3に記
憶された基準白色板のシェーディングデータWlであり
、同図(b)は7様な明るさの原稿を読んだときの補正
餌のデータD、、さらに同図(C)は従来方式によりシ
ェーディング補正されたデータE、である。しかし、こ
のような補正方式において、同図(d)に示す様に、基
準白色板に傷又は汚れがあったり、光電変換素子1に欠
陥が生じた場合、メモリ3に記憶されるデータにはそれ
ぞれ901.902の様な劣化を含むシェーディングデ
ータとなり、同図(e)に示す様に−様な濃度の原稿を
読み取った場合にも光電変換素子1の欠陥(903)が
入る。これらの結果、シェーディング補正後のデータは
、同図(f)に示す様に凸部904.905が生じ、基
準白色板の汚れ等や光電変換素子1の欠陥により出力信
号が劣化してしまう。
この様な欠点を除く方式として特開昭61−10826
0号公報によれば、基準白色板を読み取った基準データ
を補正する第2の方式が開示されている。この第2の方
式による入力回路(補正回路)の構成図を第1O図に示
す。同図において、第8図と同一の参照符号は同一性の
ある構成要素を示す。同図の入力回路では第8図のもの
に対し、基準データを補正するために、クロック発生器
6、フリップフロップ等の一画素遅延素子(F/F)
?、基準データの直前(n−1番目)の画素データと現
在(n番目)の画素データを比較する比較器8、及びク
ロック発生器6の出力とF/F7の間に設けられるゲー
ト9が新たに設け、られる。
0号公報によれば、基準白色板を読み取った基準データ
を補正する第2の方式が開示されている。この第2の方
式による入力回路(補正回路)の構成図を第1O図に示
す。同図において、第8図と同一の参照符号は同一性の
ある構成要素を示す。同図の入力回路では第8図のもの
に対し、基準データを補正するために、クロック発生器
6、フリップフロップ等の一画素遅延素子(F/F)
?、基準データの直前(n−1番目)の画素データと現
在(n番目)の画素データを比較する比較器8、及びク
ロック発生器6の出力とF/F7の間に設けられるゲー
ト9が新たに設け、られる。
次に動作を説明する。 。
光電変換素子1により読み取られた基準データ(シェー
ディングデータ)はアナログデジタル変換器2により量
子化され、一画素遅延素子7及びれるクロックパルスに
より、比較器8の出力がハイレベルの時順次、次の画素
を記憶する。ここで比較器8は現在の画素とその前の画
素の量子化レベルの差を計算し、その差が予め定めてお
いた値よりも大きな時は出力をロウレベルとし、ゲート
9により一画素遅延素子7へのクロック入力を阻止する
。この結果、メモリ3に書き込まれるデータは、一画素
遅延素子8のデータが更新されないので直前の画素のデ
ータが書き込まれるれる。このようにして補正された基
準データがメモリに書き込まれると、第8図と同様にし
てシェーディング補正が行なわれる。
ディングデータ)はアナログデジタル変換器2により量
子化され、一画素遅延素子7及びれるクロックパルスに
より、比較器8の出力がハイレベルの時順次、次の画素
を記憶する。ここで比較器8は現在の画素とその前の画
素の量子化レベルの差を計算し、その差が予め定めてお
いた値よりも大きな時は出力をロウレベルとし、ゲート
9により一画素遅延素子7へのクロック入力を阻止する
。この結果、メモリ3に書き込まれるデータは、一画素
遅延素子8のデータが更新されないので直前の画素のデ
ータが書き込まれるれる。このようにして補正された基
準データがメモリに書き込まれると、第8図と同様にし
てシェーディング補正が行なわれる。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、前記従来の第2ρ方式では次のような問
題点がある。
題点がある。
第11図(a)乃至(d)は第10図に示す方式によっ
てシェーブイブ補正を行なうときの様子を説明する図で
ある。同図(a)は、光電変換素子1で基準白色板を読
み取ったときのデータであり、基準白色板の汚れ等(1
101)、光電変換素子1の欠陥(1102)によりシ
ェーディングデータが劣化している。同図(b)は第1
O図の方式により補正された後のメモリ3に記憶された
シェーディングデータであり1101.1102の劣化
した部分のシェーディング値が劣化する前の画素でおき
かえられている(1103.1104)。このシェーデ
ィングデータ(基準データ)で同図(C)に示す様な−
様な濃度の原稿を読み取ったとき、同図(d)に示す様
に、基準白色板の汚れ等による劣化は補正できる(11
06)が、光電変換素子1の欠陥による劣化は補正でき
ない(1107)。
てシェーブイブ補正を行なうときの様子を説明する図で
ある。同図(a)は、光電変換素子1で基準白色板を読
み取ったときのデータであり、基準白色板の汚れ等(1
101)、光電変換素子1の欠陥(1102)によりシ
ェーディングデータが劣化している。同図(b)は第1
O図の方式により補正された後のメモリ3に記憶された
シェーディングデータであり1101.1102の劣化
した部分のシェーディング値が劣化する前の画素でおき
かえられている(1103.1104)。このシェーデ
ィングデータ(基準データ)で同図(C)に示す様な−
様な濃度の原稿を読み取ったとき、同図(d)に示す様
に、基準白色板の汚れ等による劣化は補正できる(11
06)が、光電変換素子1の欠陥による劣化は補正でき
ない(1107)。
即ち、従来の第2の方式では基準白色板の傷や汚れに基
づく画信号の劣化は防止できるが、光電変換素子1に欠
陥が生じた場合には画信号の劣化を防止できないという
問題点があった。
づく画信号の劣化は防止できるが、光電変換素子1に欠
陥が生じた場合には画信号の劣化を防止できないという
問題点があった。
本発明は、以上述べた光電変換素子に欠陥が生じた場合
にも画信号の劣化を防止できるだけではなく積度よくシ
ェーディング補正できる画像入力方式を提供することを
目的とする。
にも画信号の劣化を防止できるだけではなく積度よくシ
ェーディング補正できる画像入力方式を提供することを
目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は前記問題点を解決するために、原稿を光学的に
読み取る読取手段を備えた装置における画像入力方式に
おいて、予め基準白色板を前記読取手段で読み取り、該
読取結果に基づいて白色基準信号を作成する作成手段と
、前記白色基準信号を記憶する記憶手段とを設け、前記
記憶手段から白色基準信号を読み出して前記原稿の入力
画素信号のシェーディング補正を行う際に、n−1番目
の画素位置の白色基準信号と、n−1番目の画素位置の
シェーディング補正後の画素信号を一旦保持しておき、
n番目とn−1番目の画素位置の白色基準信号を比較し
、その差が第1の閾値よりも大きなときには、保持して
おいた前記n−1番目の画素位置のシェーディング補正
後の画素信号をn番目の画素位置のシェーディング補正
後の画素信号とするものである。
読み取る読取手段を備えた装置における画像入力方式に
おいて、予め基準白色板を前記読取手段で読み取り、該
読取結果に基づいて白色基準信号を作成する作成手段と
、前記白色基準信号を記憶する記憶手段とを設け、前記
記憶手段から白色基準信号を読み出して前記原稿の入力
画素信号のシェーディング補正を行う際に、n−1番目
の画素位置の白色基準信号と、n−1番目の画素位置の
シェーディング補正後の画素信号を一旦保持しておき、
n番目とn−1番目の画素位置の白色基準信号を比較し
、その差が第1の閾値よりも大きなときには、保持して
おいた前記n−1番目の画素位置のシェーディング補正
後の画素信号をn番目の画素位置のシェーディング補正
後の画素信号とするものである。
(作用)
本発明は次のように作用する。直前(n−1番目の画素
位置)と現在(n番目の画素位置)の白色基準信号を比
較し、その差が第1の閾値より大きい場合(即ち、光電
変換素子等の読取手段に欠陥がある場合)には、保持し
ておいた直前のシェーディング補正後の画素信号を現在
のシェーディング補正後の画素信号としたので、読取手
段に欠陥がある場合にも、入力画素信号を正確にシェー
ディング補正できるのである。即ち、従来の第2の方式
のように、白色基準信号(シェーディングデータ)自体
を直前のもので補正するのではなく、シェーディング補
正後の画素信号を直前のもので補正するようにしたので
、前記従来技術の問題点を解決でるのである。
位置)と現在(n番目の画素位置)の白色基準信号を比
較し、その差が第1の閾値より大きい場合(即ち、光電
変換素子等の読取手段に欠陥がある場合)には、保持し
ておいた直前のシェーディング補正後の画素信号を現在
のシェーディング補正後の画素信号としたので、読取手
段に欠陥がある場合にも、入力画素信号を正確にシェー
ディング補正できるのである。即ち、従来の第2の方式
のように、白色基準信号(シェーディングデータ)自体
を直前のもので補正するのではなく、シェーディング補
正後の画素信号を直前のもので補正するようにしたので
、前記従来技術の問題点を解決でるのである。
(実施例)
第1図は本発明の方式を適用した第1の実施例の入力回
路のブロック図である。同図において、第8図及び第1
0図と同一の参照符号は同一性のある構成要素を示す。
路のブロック図である。同図において、第8図及び第1
0図と同一の参照符号は同一性のある構成要素を示す。
第1の実施例の入力回路では、第8図の構成要素子の他
に、直前(n−1番目の画素位置)の゛基準データを保
持する一画素遅延素子(F/F)11 、直前の基準デ
ータと現在(n番目の画素位置)の基準データを比較す
る比較器12、直前のシェーディング補正後のデータを
保持する一画素遅延素子(F/F)13 、及び比較器
12の出力に基づいてクロック発生器6からのクロック
パルスをF/F13に供給するゲート14が新たに設け
られる。
に、直前(n−1番目の画素位置)の゛基準データを保
持する一画素遅延素子(F/F)11 、直前の基準デ
ータと現在(n番目の画素位置)の基準データを比較す
る比較器12、直前のシェーディング補正後のデータを
保持する一画素遅延素子(F/F)13 、及び比較器
12の出力に基づいてクロック発生器6からのクロック
パルスをF/F13に供給するゲート14が新たに設け
られる。
次に第1の実施例の動作を説明する。
まず、原稿を読み取る前に図示しない基準白色板を光電
変換素子1により少なくとも1ライン分読み取り、読み
取った基準データはアナログ・ディジタル変換器2によ
り量子化された後にメモリ3に記憶される。
変換素子1により少なくとも1ライン分読み取り、読み
取った基準データはアナログ・ディジタル変換器2によ
り量子化された後にメモリ3に記憶される。
一次に原稿を所定の読取位置にセットし、光電変換素子
1により読み取られた原稿の画素信号はA/D変換奮す
よりアナログ・デジタル変換された素信号と同じ画素位
置の白色基準信号と入力画信、号に刃Jシて先にのべた
ように、(1)式の演算を行いシェーディング補正を行
う。シェーディング補正されたデータ(画素信号)は一
画素遅延素子13に入力される。一画素遅延素子13は
クロック発生器15のクロックパルスにより比較器12
の出力がハイレベルの時、順次、次の画素のデータを記
憶する。
1により読み取られた原稿の画素信号はA/D変換奮す
よりアナログ・デジタル変換された素信号と同じ画素位
置の白色基準信号と入力画信、号に刃Jシて先にのべた
ように、(1)式の演算を行いシェーディング補正を行
う。シェーディング補正されたデータ(画素信号)は一
画素遅延素子13に入力される。一画素遅延素子13は
クロック発生器15のクロックパルスにより比較器12
の出力がハイレベルの時、順次、次の画素のデータを記
憶する。
ここでメモリ3から読み出された白色基準信号(基準デ
ータ)は、一画素遅延素子11、比較器12に入力され
る。比較器12は現在(n番目)の画素とその前(n−
1番目)の画素の量子化レベルの差を計算し、その差が
予め定めておいた第1の閾値(THI)よりも大きな時
は、出力をロウレベルとし、一画素遅延素子13へのク
ロック入力を阻止する。この結果、一画素遅延素子13
より出力されるシェーディング補正後のデータは、一画
素遅延素子13のデータが更新されないので、その前(
n−1番目)の画素のデータであり、このn−1番目の
データがn番目のデータとして出力される。
ータ)は、一画素遅延素子11、比較器12に入力され
る。比較器12は現在(n番目)の画素とその前(n−
1番目)の画素の量子化レベルの差を計算し、その差が
予め定めておいた第1の閾値(THI)よりも大きな時
は、出力をロウレベルとし、一画素遅延素子13へのク
ロック入力を阻止する。この結果、一画素遅延素子13
より出力されるシェーディング補正後のデータは、一画
素遅延素子13のデータが更新されないので、その前(
n−1番目)の画素のデータであり、このn−1番目の
データがn番目のデータとして出力される。
第2図(a)乃至(C)は第1図の入力回路によってシ
ェーディング補正を行うときの様子を説明する図である
。同図(a)は光電変換素子1により図示しない基準白
色板を読み取ったデータであり、光電変換素子1の欠陥
(2旧)によりシェーディングデータ(基準データ)が
劣化している。このシェーディングデータにより、同図
(b)に示す様に、−様な濃度の原稿を読み取り、第1
図に示す入力回路で処理したのが同図(C)であり、光
電変換素子1の欠陥により生じた原稿の画素データの劣
化202は白色基準信号(基準データ)の出力の低下(
2旧)により検出され、その前のシェーディング補正後
のデータでおきかえられるので、出力の画像の劣化を軽
減させることができる。
ェーディング補正を行うときの様子を説明する図である
。同図(a)は光電変換素子1により図示しない基準白
色板を読み取ったデータであり、光電変換素子1の欠陥
(2旧)によりシェーディングデータ(基準データ)が
劣化している。このシェーディングデータにより、同図
(b)に示す様に、−様な濃度の原稿を読み取り、第1
図に示す入力回路で処理したのが同図(C)であり、光
電変換素子1の欠陥により生じた原稿の画素データの劣
化202は白色基準信号(基準データ)の出力の低下(
2旧)により検出され、その前のシェーディング補正後
のデータでおきかえられるので、出力の画像の劣化を軽
減させることができる。
第3図は本発明の画像入力方式による第2の実施例を示
す入力回路のブロック図であり、第4図は第3図の入力
回路によってシェーディング補正を行うときの画素信号
の様子を一示した図である。
す入力回路のブロック図であり、第4図は第3図の入力
回路によってシェーディング補正を行うときの画素信号
の様子を一示した図である。
第3図において第1図及び第10図と同一の参照符号は
同一性のある構成要素を示す。第2の実施例の入力回路
では、第1の実施例のものに対し、直前の基準データを
それぞれ第2の閾値(TI2) 、第23の閾値(T)
13)と比較する比較器A15.816、及びこれらの
比較器に接続されるインバータとオアゲートから成るゲ
ート回路17が設けられると共に、第1O図と同様に基
準データを保持するF/F7、及びこのゲート17の出
力に基づいてクロック発生器6からのクロックパルスを
F/F7に供給するゲート9が設けられる。
同一性のある構成要素を示す。第2の実施例の入力回路
では、第1の実施例のものに対し、直前の基準データを
それぞれ第2の閾値(TI2) 、第23の閾値(T)
13)と比較する比較器A15.816、及びこれらの
比較器に接続されるインバータとオアゲートから成るゲ
ート回路17が設けられると共に、第1O図と同様に基
準データを保持するF/F7、及びこのゲート17の出
力に基づいてクロック発生器6からのクロックパルスを
F/F7に供給するゲート9が設けられる。
次に第2の実施例の動作を説明する。 ・第1図と
同様にして図示しない基準白色板を読み取った基準デー
タ(白色基準信号)は一画素遅延素子7、比較器A15
及び比較器816に入力される。一画素遅延素子7はク
ロック発生器6からゲート9を介して入力されるクロッ
クパルスによりゲート回路17の出力がハイレベルのと
き、順次、次の画素を記憶する。ここで比較器A15、
比較器B16は現在(n番目)の画素とその前(n−1
番目)の画素の量子化レベルの差を計算しその差が第2
の閾値TH2よりも大きな時、比較器Aは出力をロウレ
ベルとし、前記差が第3の閾値Tl−13よりも大きな
時(但し、TI3>1112)比較器816は出力をロ
ウレベルとする。さらに各比較器の出力はゲート回路1
7に入力され、比較器A15の出力がロウレベルで比較
器旧6の出力がハイレベルの時のみゲート回路17の出
力をロウレベルとし、ゲート回路17により、一画素遅
延素子7へのクロック入力を阻止する。
同様にして図示しない基準白色板を読み取った基準デー
タ(白色基準信号)は一画素遅延素子7、比較器A15
及び比較器816に入力される。一画素遅延素子7はク
ロック発生器6からゲート9を介して入力されるクロッ
クパルスによりゲート回路17の出力がハイレベルのと
き、順次、次の画素を記憶する。ここで比較器A15、
比較器B16は現在(n番目)の画素とその前(n−1
番目)の画素の量子化レベルの差を計算しその差が第2
の閾値TH2よりも大きな時、比較器Aは出力をロウレ
ベルとし、前記差が第3の閾値Tl−13よりも大きな
時(但し、TI3>1112)比較器816は出力をロ
ウレベルとする。さらに各比較器の出力はゲート回路1
7に入力され、比較器A15の出力がロウレベルで比較
器旧6の出力がハイレベルの時のみゲート回路17の出
力をロウレベルとし、ゲート回路17により、一画素遅
延素子7へのクロック入力を阻止する。
この結果、メモリ3に書き込まれるデータは一画素遅延
素子7の基準データが更新されないので、前(n−1番
目)゛の画素の基準データがn番目の画素の基準データ
として書き込まれる。
素子7の基準データが更新されないので、前(n−1番
目)゛の画素の基準データがn番目の画素の基準データ
として書き込まれる。
つまり、基準白色板を読み取りA/D変換された出力が
第4図(a)の様な信号の場合、現在の画素とその前の
画素の量子化レベルの差が1.r)12より小さいか又
はT113より大きな時(402)はそのままメモリ3
に書き込まれ(404) 、これらの差が、TI(2よ
り太き(Tl13より小さい時は(401)その前の画
素がメモリ3に書き込まれる。その結果、第4図(b)
に示す様にメモリ3に書き込まれるデータは基準白色板
のゴミ等による劣化は補正される(403)が、光電変
換素子1の欠陥等による出力の大きな低下(404)は
、そのまま補正されずに書き込まれる。このようにメモ
リ3に基準白色信号(基準データ)が書き込まれると、
第1図と同様にしてシェーディング補正が行われる。つ
まり、第4図(b)の基準白色信号により第4図(C)
の様な一様の明るさの原稿の画素信号を読み取ったとき
、その出力画像は第4図(d)の様になり、基準白色信
号が大きく低下している(404)の位置の入力画素信
号(405)はその前の画素でおきかえられるので、出
力画素信号の低下を軽減することが可能である。
第4図(a)の様な信号の場合、現在の画素とその前の
画素の量子化レベルの差が1.r)12より小さいか又
はT113より大きな時(402)はそのままメモリ3
に書き込まれ(404) 、これらの差が、TI(2よ
り太き(Tl13より小さい時は(401)その前の画
素がメモリ3に書き込まれる。その結果、第4図(b)
に示す様にメモリ3に書き込まれるデータは基準白色板
のゴミ等による劣化は補正される(403)が、光電変
換素子1の欠陥等による出力の大きな低下(404)は
、そのまま補正されずに書き込まれる。このようにメモ
リ3に基準白色信号(基準データ)が書き込まれると、
第1図と同様にしてシェーディング補正が行われる。つ
まり、第4図(b)の基準白色信号により第4図(C)
の様な一様の明るさの原稿の画素信号を読み取ったとき
、その出力画像は第4図(d)の様になり、基準白色信
号が大きく低下している(404)の位置の入力画素信
号(405)はその前の画素でおきかえられるので、出
力画素信号の低下を軽減することが可能である。
ここで、第3図において比較器AI’5、B16の閾値
TH2とTH3を同じにすると、ゲート回路17の出力
は単にハイレベルとなり、一画素遅延素子7のクロック
入力は阻止されないので動作は第1図に示した第1の実
施例と同じとなる。さらに比較器816と比較器012
の閾値は同じに設定することも可能である。
TH2とTH3を同じにすると、ゲート回路17の出力
は単にハイレベルとなり、一画素遅延素子7のクロック
入力は阻止されないので動作は第1図に示した第1の実
施例と同じとなる。さらに比較器816と比較器012
の閾値は同じに設定することも可能である。
第5図は本発明の画像入力方式の第3の実施例を示す入
力回路のブロック図である。同図の入力回路は第1図の
ものに対し、基準白色板を複数ライン(Nライン)分を
読み取って平均値を得るために、A/D変換器2とメモ
リ3の間に直前のラインと現在のラインの基準データを
加算する加算器18を設けられる。また、メモリ3は基
準データの入力画素信号をMビットとしたときM+Nビ
ットのビット巾をもつものとする。
力回路のブロック図である。同図の入力回路は第1図の
ものに対し、基準白色板を複数ライン(Nライン)分を
読み取って平均値を得るために、A/D変換器2とメモ
リ3の間に直前のラインと現在のラインの基準データを
加算する加算器18を設けられる。また、メモリ3は基
準データの入力画素信号をMビットとしたときM+Nビ
ットのビット巾をもつものとする。
第6図は第5図の入力回路によってシェーディング補正
を行うときの画信号の様子を示したものである。
を行うときの画信号の様子を示したものである。
第7図は基準白色板を読取り走査するときの走査位置を
説明する図であり、基準白色板701にはゴミ702.
703がついている。この基準白色板を走査位置704
〜706.で走査したときの出力信号が第6図(a)〜
(C)であり、光電変換素子の欠陥による信号の劣化6
02.603.605の他に基準白色板のゴミによる劣
化601.604が生じている。
説明する図であり、基準白色板701にはゴミ702.
703がついている。この基準白色板を走査位置704
〜706.で走査したときの出力信号が第6図(a)〜
(C)であり、光電変換素子の欠陥による信号の劣化6
02.603.605の他に基準白色板のゴミによる劣
化601.604が生じている。
次に第3の実施例の動作を説明する。
第6図の基準白色板701が光電変換素子1により読取
られたときの基準白色信号(基準データ)は、A/D変
換器を介して加算器によりメモリ3内の直前ラインの同
じ画素位置の信号と加算され、その結果をメモリ3の同
じ画素位置のアドレスに書き込まれる。この走査を図示
しない副走査を移動させながら2N回行う。
られたときの基準白色信号(基準データ)は、A/D変
換器を介して加算器によりメモリ3内の直前ラインの同
じ画素位置の信号と加算され、その結果をメモリ3の同
じ画素位置のアドレスに書き込まれる。この走査を図示
しない副走査を移動させながら2N回行う。
メモリ3には2N回の加算された基準白色信号が書き込
まれる。この上位Mビットが演算器5に入力されている
。つまり、演算器5に入力される基準白色信号は2N回
の平均されたデータとなり第6図(d)に示す様に副走
査の走査位置に依存しない光電変換素子1の欠陥による
信号の劣化(606)はそのままのこるが基準白色板7
01についたゴミ等による信号の劣化は低減することが
できる。
まれる。この上位Mビットが演算器5に入力されている
。つまり、演算器5に入力される基準白色信号は2N回
の平均されたデータとなり第6図(d)に示す様に副走
査の走査位置に依存しない光電変換素子1の欠陥による
信号の劣化(606)はそのままのこるが基準白色板7
01についたゴミ等による信号の劣化は低減することが
できる。
ここで基準白色板の小さなゴミの影響を少なくするため
に基準白色板を2N回(行)読み取るときの副走査の解
像度は、第7図からもわかるように原稿を読み取るとき
よりも粗く読むことが有効である。
に基準白色板を2N回(行)読み取るときの副走査の解
像度は、第7図からもわかるように原稿を読み取るとき
よりも粗く読むことが有効である。
この様にしてメモリ3に基準白色信号が書き込まれると
、第1図と同様にしてシェーディング補正が行なわれる
。
、第1図と同様にしてシェーディング補正が行なわれる
。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように本発明によれば、基準白色
板を読み取って得られた白色基準信号を用いて入力画素
信号のシェーディング補正を行う際、n−1番目の画素
位置の白色基準信号と、n−1番目の画素位置のシェー
ディング補正後の画素信号を一旦保持しておき、n番目
とn−1番目の画素位置の白色基準信号を比較してその
差が第1の閾値よりも大きな時は先に保持しておいたn
−1番目のシェーディング補正後の画素信号をn番目の
シェーディング補正後の画素信号とするようにしたので
、光電変換素子等の読取手段に欠陥が生じた場合にも画
質の低下の程度を軽減させることができる。
板を読み取って得られた白色基準信号を用いて入力画素
信号のシェーディング補正を行う際、n−1番目の画素
位置の白色基準信号と、n−1番目の画素位置のシェー
ディング補正後の画素信号を一旦保持しておき、n番目
とn−1番目の画素位置の白色基準信号を比較してその
差が第1の閾値よりも大きな時は先に保持しておいたn
−1番目のシェーディング補正後の画素信号をn番目の
シェーディング補正後の画素信号とするようにしたので
、光電変換素子等の読取手段に欠陥が生じた場合にも画
質の低下の程度を軽減させることができる。
更に、前記白色基準信号を得る際に基準白色板の汚れや
傷と光電変換素子の欠陥とを判別し、基準白色板の汚れ
や傷による白色基準信号の劣化のみを補正した白色基準
信号を得ることにより良好なシェーディング補正の効果
を得ることができる。
傷と光電変換素子の欠陥とを判別し、基準白色板の汚れ
や傷による白色基準信号の劣化のみを補正した白色基準
信号を得ることにより良好なシェーディング補正の効果
を得ることができる。
第1図は本発明の第1の実施例を示す入力回路の構成図
、第2図(a)乃至(C)は第1図の動作説明図、第3
図は本発明の第2の実施例を示す入力回路の構成図、第
4図は第3図の動作説明図、第5図は本発明の第3の実
施例を示す入力回路の構成図、第6図は第5図の動作説
明図、第7図はシェーディングデータ作成時の走査位置
の説明図、第8図は従来方式による入力回路の構成図、
第9図(a)乃至(f)は第8図の動作説明図、第10
図は従来の第2の方式による入力回路の構成図、第11
図(a)乃至(d)は第10図の動作説明図である。 1・−光電変換素子、 2・−アナログ・ディジタル変換器(A/D)、3−メ
モリ、 4・・・アドレスカウンタ、5・・・演算器
、 6・・・クロック発生器、7.11.13−・・
一画素遅延素子(F/F)、9 、 l 4−・・ゲー
ト、 12,15.16−・・比較器、17・・・ゲ
ート回路、t a−・・加算器。
、第2図(a)乃至(C)は第1図の動作説明図、第3
図は本発明の第2の実施例を示す入力回路の構成図、第
4図は第3図の動作説明図、第5図は本発明の第3の実
施例を示す入力回路の構成図、第6図は第5図の動作説
明図、第7図はシェーディングデータ作成時の走査位置
の説明図、第8図は従来方式による入力回路の構成図、
第9図(a)乃至(f)は第8図の動作説明図、第10
図は従来の第2の方式による入力回路の構成図、第11
図(a)乃至(d)は第10図の動作説明図である。 1・−光電変換素子、 2・−アナログ・ディジタル変換器(A/D)、3−メ
モリ、 4・・・アドレスカウンタ、5・・・演算器
、 6・・・クロック発生器、7.11.13−・・
一画素遅延素子(F/F)、9 、 l 4−・・ゲー
ト、 12,15.16−・・比較器、17・・・ゲ
ート回路、t a−・・加算器。
Claims (3)
- (1)原稿を光学的に読み取る読取手段を備えた装置に
おける画像入力方式において、 予め基準白色板を前記読取手段で読み取り、該読取結果
に基づいて白色基準信号を作成する作成手段と、前記白
色基準信号を記憶する記憶手段とを設け、 前記記憶手段から白色基準信号を読み出して前記原稿の
入力画素信号のシェーディング補正を行う際に、n−1
番目の画素位置の白色基準信号と、n−1番目の画素位
置のシェーディング補正後の画素信号とを一旦保持して
おき、n番目とn−1番目の画素位置の白色基準信号を
比較し、その差が第1の閾値よりも大きなときには、保
持しておいた前記n−1番目の画素位置のシェーディン
グ補正後の画素信号をn番目の画素位置のシェーディン
グ補正後の画素信号とすることを特徴とする画像入力方
式。 - (2)前記作成手段は前記読取結果のn−1番目の画素
位置のデータを一旦保持しておき、n番目とn−1番目
の画素位置のデータの差が、第2の閾値よりも大きく、
かつ第3の閾値よりも小さいときには保持しておいた前
記n−1番目の画素位置のデータをn番目の画素位置の
白色基準信号とする特許請求の範囲第1項記載の画像入
力方式。 - (3)前記作成手段は前記基準白色板を複数ライン分読
み取り、該読取結果の平均値を前記白色基準信号とする
特許請求の範囲第1項記載の画像入力方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62294059A JPH01136466A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 画像入力方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62294059A JPH01136466A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 画像入力方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01136466A true JPH01136466A (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=17802752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62294059A Pending JPH01136466A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 画像入力方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01136466A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE43604E1 (en) * | 2004-05-20 | 2012-08-28 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Polycarbonate resin and electrophotographic photosensitive member using same |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP62294059A patent/JPH01136466A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE43604E1 (en) * | 2004-05-20 | 2012-08-28 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Polycarbonate resin and electrophotographic photosensitive member using same |
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