JPH01135030A - 化合物半導体装置 - Google Patents

化合物半導体装置

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JPH01135030A JP29331787A JP29331787A JPH01135030A JP H01135030 A JPH01135030 A JP H01135030A JP 29331787 A JP29331787 A JP 29331787A JP 29331787 A JP29331787 A JP 29331787A JP H01135030 A JPH01135030 A JP H01135030A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は化合物半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
最近の半導体装置の高周波応用の普及に伴い、その信頼
性の同上がますます重要となってきた。
従来のマイクロ波等の高周波用半導体装置としてＧａＡ
ｓ等の化合物半導体音用いた電界効果トランジスタが多
く使用されている。
この種の化合物半導体装置では、従来からその実装基板
にはんだ付などで載置するに際のソース１！極と実装基
板１１ｎの接地電極との接続において、寄生インダクタ
ンスによる高周波特性の低下をさける構造がとられてい
た。
すなわち、化合物半導体装置のソース電極層に対応する
部分に半導体基板の裏面１１１１１から貫通穴（以下バ
イアホールという）全開孔し、このバイアホール全通し
てソース電極層全実装基板の接地電極層に電気的に接続
する構造を採用していた。
第３図は従来の化合物半導体装置の一例の断面図である
。
化合物半導体装置は、半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌとその上
層の活性層２と、゛その上のショットキー接合のゲート
電極３とソース及びドレインの各電極４及び５と、それ
らの電極４．５に接続するソース及びドレインの各上部
電極層６及び７を含んで構成している。
半絶縁性ＧａＡｓ基板１０表面のソース上部電極＃６に
対応してＧ　２１　Ａ　５基板１の裏面側にバイアホー
ルｌａｋ開孔し、このバイアホール１の内側面からＧａ
Ａｓ基板１の裏面にわたって金めつきの裏面電極層９を
形成し、内側導電層９ａがソース上部電極層６と裏面電
極層９を電気的に接続している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第４図は従来の問題点勿説明するために示した実装基板
に載置した化合物半導体装置の断面俣弐図である。
実装基板１１の表面に半絶縁性ＧａＡｓ基板ｌの裏面電
極層９をはんだ層１２でろう付して化合物半導体装置す
る。
この工程で、バイアホール１ａの内側面にははんだ付着
部２ａに示すようにはんだ材が盛り上９１その冷却と凝
縮時の機械的応力でバイアホールの入床部の近傍のＧａ
Ａｓ基板の薄い場所にクジツク部１３が生じ化合物半導
体装置の品質が劣化する。
上述した従来の化合物半導体装置は、バイアホールの内
側に導電層が露出して、実装基板に実装する場合のはん
だ付着によりその固化時の機械的応力で半絶縁性基板の
表面（ＩＩｌｌの薄い部分が破損するとい９開動があっ
た。
本発明の目的は、実装基板にはんだ付する院に品質劣化
のない化合物半導体装置を提供する墨にある。
〔問題点を解決するための手段〕
不発明の化合物半導体装置は、半絶縁性基板の表面側に
形成した表面電極層と、前記半絶縁性基板の裏面側に形
成した裏面電極Ｉ曽と、前記半絶縁性基板全開孔してそ
の内１１１１１面全導電層で番い前記二つの表面及び裏
面電極層間全電気的に接続するバイアホールとを有する
化合物半導体装置において、前記バイアホールの前記導
電層の表面に、該表面を覆ってはんだ材になじまない絶
縁膜または金属７ＩＩを設けて構成されている。
〔実施例〕
次に、不発明の実施例を図面全参照して説明す、る。
第１図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明の一実施例を説明する友
めの工程順に示した半導体チップの断面図である。
先ず、第１図ｔａ＋に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１に活性ＮｌＩ２を形成し、この上にショットキ接合
のゲート電極３とオーミック接触のソース及びドレイン
の各電極４及び５をそれぞれ形成する。
そして、ＧａＡ３基板１上にソース及びドレインの各電
極４及び５に接続してソース及びドレイ／の上部電極層
６及び７をそれぞれ形成する。
次にゲート電極３を保護膜８で被覆する。
次に、第１図（ｂｌに示すように、ソース上部電極層６
に対応して、Ｇ３Ａ３基板１の表面イロ１１から断面テ
ーパ状に開孔して入床がソース上部電極層６に接するバ
イアホールｌａｔ”設ケル。
そして、このバイアホール１ａの内側１面及びＧａＡ、
基板１の裏面に金めつきの内側導電層９ａ及び表面電極
層９全形成する。
このとき、裏面Ｊｆｊ１．極層９はバイアホール１ａの
内り１１導電島９ａ金介して表面のソース上部電極層６
に電気接続される。
このように従来と同様の方法で第１図（ｂｌに示す半導
体チ・・ブｆｔ製造する。
最後に、第１図ｔｃ＋に示すように、バイアホール１ａ
の内側導電層９ａをはんだ材になじみ難い金属りとして
ＴｉＮ膜１０を形成する。
第２図は不発明の詳細な説明するｔめに示した実装基板
に載置した化合物半導体装置の２１ｆ面模式図である。
バイアホール１ａの内１ｕ１１面の表面のＴｉＮ膜は、
はんだを付着しないので、はんだ層１２の冷却時に半絶
縁性ＧａＡｓ層１の上層部に熱による機械的応力がかか
らず、従ってバイアホール１ａの火床部近傍にクラック
の発生することはない。
不実施例では、はんだ材になじみ難い金属層としてＴｉ
Ｎを用いたがＴ、でもよく、また金属層の代りに５ｉ０
２．ＳｉＮ膜等の絶縁膜を用いても良い。
〔発明の効果〕
以上説明したように不発明は、半絶縁性基板内のパイ７
ホールの導電層の表面にはんだ付性のよくない物質を設
けることにより、実装基板にはんだ付する際に品質劣化
のない化合物半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）〜ｔｅｌは不発明の一実施例を説明する友
めの工程順に示した半導体チップの断面図、第２図は不
発明の詳細な説明するために示した実装基板に載置した
化合物半導体装置の断面模式図、第３図は従来の化合物
半導体装置の一例の断面図、第４図は従来の問題点を説
明する友めに示した実装基板に載置した化合物半導体装
置の断面模式図である。 １・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、１ａ・・・バイアホー
ル、６・・・ノース上部電極層、９・・・裏面電極層、
９ａ・・・内側導電層、１０・・・’ｌ’ｉＮ膜。 代呼人　弁理士　　内　原　　　晋 弗　ＩＩ！Ｉ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　半絶縁性基板の表面側に形成した表面電極層と、前記
    半絶縁性基板の裏面側に形成した裏面電極層と、前記半
    絶縁性基板を開孔してその内側面を導電層で覆い前記二
    つの表面及び裏面電極層間を電気的に接続するバイアホ
    ールとを有する化合物半導体装置において、前記バイア
    ホールの前記導電層の表面に、該表面を覆ってはんだ材
    になじまない絶縁膜または金属層を設けたことを特徴と
    する化合物半導体装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211137A (ja) * 1990-01-10 1992-08-03 Hughes Aircraft Co 集積回路はんだダイ結合構造および方法
CN102280470A (zh) * 2010-06-10 2011-12-14 富士电机株式会社 半导体器件和半导体器件制造方法
JP2013505594A (ja) * 2009-09-23 2013-02-14 ユナイティッド モノリスィック セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電子モジュールの製造方法、および、電子モジュール
JP2016082050A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 光半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60161651A (ja) * 1984-02-02 1985-08-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS62128179A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Nec Corp 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60161651A (ja) * 1984-02-02 1985-08-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPS62128179A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Nec Corp 半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04211137A (ja) * 1990-01-10 1992-08-03 Hughes Aircraft Co 集積回路はんだダイ結合構造および方法
JP2013505594A (ja) * 2009-09-23 2013-02-14 ユナイティッド モノリスィック セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電子モジュールの製造方法、および、電子モジュール
CN102280470A (zh) * 2010-06-10 2011-12-14 富士电机株式会社 半导体器件和半导体器件制造方法
JP2011258833A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2016082050A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 ウシオオプトセミコンダクター株式会社 光半導体装置

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