JP2711801B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓショットキー
ゲート電界効果トランジスタなどのＵＨＦ帯以上で用い
られる電力増幅用半導体増幅素子のパッケージ構造に関
するものである。
ゲート電界効果トランジスタなどのＵＨＦ帯以上で用い
られる電力増幅用半導体増幅素子のパッケージ構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ半導体を利用したショットキー
ゲート電界効果トランジスタ（以下、ＭＥＳＦＥＴとい
う）は、従来のシリコン半導体を用いた半導体増幅素子
よりも高周波特性が優れており、ＵＨＦ帯以上の高周波
でも高い利得を得ることができ、また、高い周波数にお
いても比較的大電力を高い効率で増幅できる。このた
め、低消費電力が要求される移動体通信機器の電力増幅
に多用されている。
ゲート電界効果トランジスタ（以下、ＭＥＳＦＥＴとい
う）は、従来のシリコン半導体を用いた半導体増幅素子
よりも高周波特性が優れており、ＵＨＦ帯以上の高周波
でも高い利得を得ることができ、また、高い周波数にお
いても比較的大電力を高い効率で増幅できる。このた
め、低消費電力が要求される移動体通信機器の電力増幅
に多用されている。
【０００３】このようなＭＥＳＦＥＴのパッケージとし
て図４に示すものが知られている。半絶縁性ＧａＡｓか
らなる半導体基板１１の上面に設けられたＭＥＳＦＥＴ
を構成するソース電極１３、ドレイン電極１４およびゲ
ート電極１５が設けられている。半導体基板１１は接地
リード３０の一端に固定されている。ソース電極１３と
接地リード３０が接地用ボンディングワイヤ３３により
接続されている。ドレイン電極１４、ゲート電極１５
は、ドレインリード５０、ゲートリード４０にボンディ
ングワイヤ５３、４３により接続されている。ゲートリ
ード４０、ドレインリード５０は、接地リード３０をは
さむように設けられ、ゲートリード４０、ドレインリー
ド５０および接地リード３０は、同じ方向に延びてい
る。そして、接地リード３０、ゲートリード４０および
ドレインリード５０のおもて面、ならびに半導体基板１
１は、エポキシ系樹脂からなるモールド６０（封止材）
により封止されている。接地リード３０、ゲートリード
４０およびドレインリード５０の裏面は、モールド６０
の裏側の表面に露出している。
て図４に示すものが知られている。半絶縁性ＧａＡｓか
らなる半導体基板１１の上面に設けられたＭＥＳＦＥＴ
を構成するソース電極１３、ドレイン電極１４およびゲ
ート電極１５が設けられている。半導体基板１１は接地
リード３０の一端に固定されている。ソース電極１３と
接地リード３０が接地用ボンディングワイヤ３３により
接続されている。ドレイン電極１４、ゲート電極１５
は、ドレインリード５０、ゲートリード４０にボンディ
ングワイヤ５３、４３により接続されている。ゲートリ
ード４０、ドレインリード５０は、接地リード３０をは
さむように設けられ、ゲートリード４０、ドレインリー
ド５０および接地リード３０は、同じ方向に延びてい
る。そして、接地リード３０、ゲートリード４０および
ドレインリード５０のおもて面、ならびに半導体基板１
１は、エポキシ系樹脂からなるモールド６０（封止材）
により封止されている。接地リード３０、ゲートリード
４０およびドレインリード５０の裏面は、モールド６０
の裏側の表面に露出している。
【０００４】接地リード３０、ゲートリード４０、ドレ
インリード５０の裏面は同一平面であり、この面を配線
基板に密着させることにより、表面実装が可能となるの
で高密度に実装できる。また、半導体基板１１が搭載さ
れた接地リード３０の裏側の領域は、封止材に覆われず
に露出しており、配線基板およびその上の接地配線に密
着されるため、半導体基板１１で発生した熱が効率よく
放散する。
インリード５０の裏面は同一平面であり、この面を配線
基板に密着させることにより、表面実装が可能となるの
で高密度に実装できる。また、半導体基板１１が搭載さ
れた接地リード３０の裏側の領域は、封止材に覆われず
に露出しており、配線基板およびその上の接地配線に密
着されるため、半導体基板１１で発生した熱が効率よく
放散する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなパッケージでは、熱的には良好であるが、予想され
るよりも悪い高周波特性しか得られなかった。すなわ
ち、入力となるゲートリードと出力となるドレインリー
ドが、接地部分をはさんで配線基板の厚さと同程度の近
距離で隣接している。このため、比較的誘電率の高い配
線基板を介して入出力間が電気的に結合されるため、負
帰還がかかり、予想されるほどの利得が得られない。
うなパッケージでは、熱的には良好であるが、予想され
るよりも悪い高周波特性しか得られなかった。すなわ
ち、入力となるゲートリードと出力となるドレインリー
ドが、接地部分をはさんで配線基板の厚さと同程度の近
距離で隣接している。このため、比較的誘電率の高い配
線基板を介して入出力間が電気的に結合されるため、負
帰還がかかり、予想されるほどの利得が得られない。
【０００６】本発明の目的は、上記の課題を解決したも
ので、小型で、放熱に優れ、パッケージに収めることで
高周波特性が劣化せず、加えて、表面実装技術に適した
パッケージ構造を提供するものである。
ので、小型で、放熱に優れ、パッケージに収めることで
高周波特性が劣化せず、加えて、表面実装技術に適した
パッケージ構造を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、（ａ）一方の主面が同一の平面を形成する一対の入
出力リードと、（ｂ）一方の主面が、前記平面と同一面
を形成し、前記入出力リードの間に設けられた接地リー
ドと、（ｃ）前記接地リードの他方の主面に搭載された
半導体基板と、（ｄ）前記半導体基板上の増幅素子を構
成する一対の入出力電極および接地電極と、（ｅ）前記
一対の入出力電極および前記接地電極と、前記一対の入
出力リードおよび前記接地リードをそれぞれ接続する接
続配線と、（ｆ）前記半導体基板の搭載された領域に対
応する前記接地リードの一方の主面を露出し、前記入出
力リードが互いに対向する方向に露出するように、前記
半導体基板、接続配線および前記接地リードの他方の主
面を封止する絶縁封止材とを含むものであり、特に、前
記平面における前記絶縁封止材の形状がほぼ矩形であ
り、４角のうち１つが他と異なった形状であることが望
ましい。
は、（ａ）一方の主面が同一の平面を形成する一対の入
出力リードと、（ｂ）一方の主面が、前記平面と同一面
を形成し、前記入出力リードの間に設けられた接地リー
ドと、（ｃ）前記接地リードの他方の主面に搭載された
半導体基板と、（ｄ）前記半導体基板上の増幅素子を構
成する一対の入出力電極および接地電極と、（ｅ）前記
一対の入出力電極および前記接地電極と、前記一対の入
出力リードおよび前記接地リードをそれぞれ接続する接
続配線と、（ｆ）前記半導体基板の搭載された領域に対
応する前記接地リードの一方の主面を露出し、前記入出
力リードが互いに対向する方向に露出するように、前記
半導体基板、接続配線および前記接地リードの他方の主
面を封止する絶縁封止材とを含むものであり、特に、前
記平面における前記絶縁封止材の形状がほぼ矩形であ
り、４角のうち１つが他と異なった形状であることが望
ましい。
【０００８】また、本発明による半導体装置の製造方法
は、（ａ）一方の主面が同一の平面を形成するように一
対の入出力リードおよび接地リードを形成し、（ｂ）半
導体基板の一方の主面に増幅素子を構成する一対の入出
力電極および接地電極を形成し、（ｃ）前記接地リード
の他方の主面に、前記半導体基板の他方の主面を搭載
し、（ｄ）前記一対の入出力電極および前記接地電極
と、前記一対の入出力リードおよび前記接地リードをそ
れぞれ接続配線により接続し、（ｅ）前記半導体基板の
搭載された領域に対応する前記接地リードの一方の主面
を露出し、前記入出力リードが互いに対向する方向に露
出するように、前記半導体基板、接続配線および前記接
地リードの他方の主面を絶縁封止材により封止するもの
である。
は、（ａ）一方の主面が同一の平面を形成するように一
対の入出力リードおよび接地リードを形成し、（ｂ）半
導体基板の一方の主面に増幅素子を構成する一対の入出
力電極および接地電極を形成し、（ｃ）前記接地リード
の他方の主面に、前記半導体基板の他方の主面を搭載
し、（ｄ）前記一対の入出力電極および前記接地電極
と、前記一対の入出力リードおよび前記接地リードをそ
れぞれ接続配線により接続し、（ｅ）前記半導体基板の
搭載された領域に対応する前記接地リードの一方の主面
を露出し、前記入出力リードが互いに対向する方向に露
出するように、前記半導体基板、接続配線および前記接
地リードの他方の主面を絶縁封止材により封止するもの
である。
【０００９】
【作用及び効果】本発明によれば、入出力および接地リ
ードが同一平面を形成し、半導体基板の搭載された領域
に対応する接地リードが露出しているので、平面実装に
適し、かつ、半導体基板からの放熱も容易である。同時
に、入出力リードが互いに対向する方向に露出し、その
間に半導体基板を搭載した接地リードが露出しているの
で、入出力間の干渉が充分に小さくなる。したがって、
パッケージに収めた際にも高周波特性が劣化せず、か
つ、放熱に優れ、加えて、小型で、表面実装技術に適す
る構造である。
ードが同一平面を形成し、半導体基板の搭載された領域
に対応する接地リードが露出しているので、平面実装に
適し、かつ、半導体基板からの放熱も容易である。同時
に、入出力リードが互いに対向する方向に露出し、その
間に半導体基板を搭載した接地リードが露出しているの
で、入出力間の干渉が充分に小さくなる。したがって、
パッケージに収めた際にも高周波特性が劣化せず、か
つ、放熱に優れ、加えて、小型で、表面実装技術に適す
る構造である。
【００１０】また、ほぼ矩形の絶縁封止材の形状で、４
角のうち１つが他と異なった形状であるため、各リード
の識別が容易であり、実装の自動化に適したものであ
る。
角のうち１つが他と異なった形状であるため、各リード
の識別が容易であり、実装の自動化に適したものであ
る。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例であるＭＥＳＦＥＴを図１
乃至図３を用いて以下詳細に説明する。図１および図２
は、樹脂封止前の平面組立図およびその断面図である。
図３は、樹脂封止後の底面図である。
乃至図３を用いて以下詳細に説明する。図１および図２
は、樹脂封止前の平面組立図およびその断面図である。
図３は、樹脂封止後の底面図である。
【００１２】まず、１．２ＧＨｚ電力増幅用のＭＥＳＦ
ＥＴ素子１０を作製する。矩形（長辺０．９ｍｍ、短辺
０．７ｍｍ）の半絶縁性のＧａＡｓからなる半導体基板
１１（厚さ０．１ｍｍ）の表面に活性層１２をイオン注
入法により形成する。この活性層１２上にオーミック電
極からなるソース電極１３およびドレイン電極１４を形
成し、これらの間の活性層１２にショットキー接合する
Ｔｉ／Ｐｔからなるゲート電極１５を形成する。これら
の電極は、それぞれのボンディングパッド部分１６、１
７、１８を含み、くし型構造に配置されている。ゲート
長１μｍ、ゲート幅は１本当たり０．２ｍｍを１０本並
列に接続しており、飽和ドレイン電流５００ｍＡであ
る。ソース電極１３とゲート電極１５は空中配線による
交差部分があり、すべてのソース電極１３とゲート電極
１５は、半導体基板１１上でそれぞれ相互に接続されて
いる。なお、半導体基板１１の裏面は、Ｔｉ／Ａｕの裏
面金属層で被われている。
ＥＴ素子１０を作製する。矩形（長辺０．９ｍｍ、短辺
０．７ｍｍ）の半絶縁性のＧａＡｓからなる半導体基板
１１（厚さ０．１ｍｍ）の表面に活性層１２をイオン注
入法により形成する。この活性層１２上にオーミック電
極からなるソース電極１３およびドレイン電極１４を形
成し、これらの間の活性層１２にショットキー接合する
Ｔｉ／Ｐｔからなるゲート電極１５を形成する。これら
の電極は、それぞれのボンディングパッド部分１６、１
７、１８を含み、くし型構造に配置されている。ゲート
長１μｍ、ゲート幅は１本当たり０．２ｍｍを１０本並
列に接続しており、飽和ドレイン電流５００ｍＡであ
る。ソース電極１３とゲート電極１５は空中配線による
交差部分があり、すべてのソース電極１３とゲート電極
１５は、半導体基板１１上でそれぞれ相互に接続されて
いる。なお、半導体基板１１の裏面は、Ｔｉ／Ａｕの裏
面金属層で被われている。
【００１３】薄板状のリードフレーム２０は、接地リー
ド３０、入出力リードとなるゲートリード４０およびド
レインリード５０がフレーム部２１で連結されており、
厚さ０．４ｍｍの無酸素銅合金（０．１２％の錫を含
む）からなる。接地リード３０、ゲートリード４０およ
びドレインリード５０の一部分は、裏面側の厚みが薄く
加工されている。接地リード３０は、ＭＥＳＦＥＴ素子
１０を搭載する搭載部３１（長辺：２．５ｍｍ，短辺：
１．８ｍｍ）と、搭載部３１の短辺に設けられた一対の
接地接続部３２（長さ：１．９ｍｍ，幅：０．５ｍｍ）
からなる。ゲートリード４０およびドレインリード５０
は、搭載部３１の長辺にそれぞれ隣接して配置されてお
り、幅広のボンディング接続部４１、５１と、ゲートお
よびドレイン接続部４２、５２（長さ：１．３ｍｍ，
幅：０．５ｍｍ）からなる。このゲートおよびドレイン
接続部４２、５２は、搭載部３１とは逆の方向にそれぞ
れ延び、搭載部３１の幅（ＭＥＳＦＥＴ素子１０の入出
力方向に垂直な方向を幅として）よりも広くなっていな
い。このため、ゲートおよびドレインリード４０、５０
間の電気的な結合が生じない。接地リード３０、入出力
リードとなるゲートリード４０およびドレインリード５
０は、信号の入出力方向に見て左右対称である。搭載部
３１およびボンディング接続部４１、５１は、ホンディ
ングのためにその表面が銀めっきされている。
ド３０、入出力リードとなるゲートリード４０およびド
レインリード５０がフレーム部２１で連結されており、
厚さ０．４ｍｍの無酸素銅合金（０．１２％の錫を含
む）からなる。接地リード３０、ゲートリード４０およ
びドレインリード５０の一部分は、裏面側の厚みが薄く
加工されている。接地リード３０は、ＭＥＳＦＥＴ素子
１０を搭載する搭載部３１（長辺：２．５ｍｍ，短辺：
１．８ｍｍ）と、搭載部３１の短辺に設けられた一対の
接地接続部３２（長さ：１．９ｍｍ，幅：０．５ｍｍ）
からなる。ゲートリード４０およびドレインリード５０
は、搭載部３１の長辺にそれぞれ隣接して配置されてお
り、幅広のボンディング接続部４１、５１と、ゲートお
よびドレイン接続部４２、５２（長さ：１．３ｍｍ，
幅：０．５ｍｍ）からなる。このゲートおよびドレイン
接続部４２、５２は、搭載部３１とは逆の方向にそれぞ
れ延び、搭載部３１の幅（ＭＥＳＦＥＴ素子１０の入出
力方向に垂直な方向を幅として）よりも広くなっていな
い。このため、ゲートおよびドレインリード４０、５０
間の電気的な結合が生じない。接地リード３０、入出力
リードとなるゲートリード４０およびドレインリード５
０は、信号の入出力方向に見て左右対称である。搭載部
３１およびボンディング接続部４１、５１は、ホンディ
ングのためにその表面が銀めっきされている。
【００１４】ＭＥＳＦＥＴ素子１０の裏面を銀エポキシ
系の導電性接着剤で搭載部３１の中央に固定する。この
際、熱伝導性をよくするために、導電性接着剤を半導体
基板１１の面積と同程度に広く平坦に塗布したのち、そ
の面にＭＥＳＦＥＴ素子１０の裏面金属層を密着して、
加圧する。その後、ボンディングパッド部分１６、１
７、１８と接地リード３０の搭載部３１、ゲートリード
４０およびドレインリード５０のボンディング接続部４
１、５１との間をそれぞれ直径２５μｍの金線からなる
ボンディングワイヤ３３、４３、５３により接続する。
接地リード３０のボンディングワイヤ３３は、半導体基
板１１の２つの短辺（信号の入出力方向にほぼ平行な
辺）の近傍のボンディングパッド部分１６にそれぞれ接
続されている。このような接続により、搭載部３１の信
号入出力方向の長さが長くならないので、小型化が可能
であり、高周波特性も悪化しない。
系の導電性接着剤で搭載部３１の中央に固定する。この
際、熱伝導性をよくするために、導電性接着剤を半導体
基板１１の面積と同程度に広く平坦に塗布したのち、そ
の面にＭＥＳＦＥＴ素子１０の裏面金属層を密着して、
加圧する。その後、ボンディングパッド部分１６、１
７、１８と接地リード３０の搭載部３１、ゲートリード
４０およびドレインリード５０のボンディング接続部４
１、５１との間をそれぞれ直径２５μｍの金線からなる
ボンディングワイヤ３３、４３、５３により接続する。
接地リード３０のボンディングワイヤ３３は、半導体基
板１１の２つの短辺（信号の入出力方向にほぼ平行な
辺）の近傍のボンディングパッド部分１６にそれぞれ接
続されている。このような接続により、搭載部３１の信
号入出力方向の長さが長くならないので、小型化が可能
であり、高周波特性も悪化しない。
【００１５】その後、エポキシ系樹脂により樹脂封止を
行い、絶縁封止材としてモールド６０を形成する。この
モールド６０は、ＭＥＳＦＥＴ素子１０、ボンディング
ワイヤ３３、４３、５３を完全に包み、接地リード３０
の搭載部３１、ゲートリード４０およびドレインリード
５０のボンディング接続部４１、５１の上側（おもて
面）を覆う。そして、接地リード３０、ゲートリード４
０およびドレインリード５０の底面側の多くの部分を占
める露出部３４、４４、５４、ならびに、接地リード３
０、ゲートリード４０およびドレインリード５０の接続
部３１、４１、５１を露出している。そして、モールド
６０の底面６１は、これらの露出部３４、４４、５４、
ゲートリード４０およびドレインリード５０と同一の平
面上にある。これにより、平板状の配線基板に搭載した
際に、接地リード３０が接地配線とはんだ合金等の金属
により密着するため、この配線層から熱が充分に放散さ
れるとともに、ゲートリード４０とドレインリード５０
の間に電気的に安定な接地を得ることができる。
行い、絶縁封止材としてモールド６０を形成する。この
モールド６０は、ＭＥＳＦＥＴ素子１０、ボンディング
ワイヤ３３、４３、５３を完全に包み、接地リード３０
の搭載部３１、ゲートリード４０およびドレインリード
５０のボンディング接続部４１、５１の上側（おもて
面）を覆う。そして、接地リード３０、ゲートリード４
０およびドレインリード５０の底面側の多くの部分を占
める露出部３４、４４、５４、ならびに、接地リード３
０、ゲートリード４０およびドレインリード５０の接続
部３１、４１、５１を露出している。そして、モールド
６０の底面６１は、これらの露出部３４、４４、５４、
ゲートリード４０およびドレインリード５０と同一の平
面上にある。これにより、平板状の配線基板に搭載した
際に、接地リード３０が接地配線とはんだ合金等の金属
により密着するため、この配線層から熱が充分に放散さ
れるとともに、ゲートリード４０とドレインリード５０
の間に電気的に安定な接地を得ることができる。
【００１６】最後に、接地リード３０、ゲートリード４
０およびドレインリード５０からフレーム部２１を切断
して取外し、ＭＥＳＦＥＴを完成する。モールド６０の
底面６１は、ほぼ正方形であり、４角のうち、１つの角
６２は大きく面取りされている。この面取りされた角６
２は、ＭＥＳＦＥＴのリードの方向を認識するために用
いられ、特に、実装を自動化した際にＭＥＳＦＥＴの方
向を機械的に簡単に識別することができる。なお、この
識別用の角の形状は、他の形状でもよいが、このような
面取りが作製が容易で、かつ、識別も簡単である。
０およびドレインリード５０からフレーム部２１を切断
して取外し、ＭＥＳＦＥＴを完成する。モールド６０の
底面６１は、ほぼ正方形であり、４角のうち、１つの角
６２は大きく面取りされている。この面取りされた角６
２は、ＭＥＳＦＥＴのリードの方向を認識するために用
いられ、特に、実装を自動化した際にＭＥＳＦＥＴの方
向を機械的に簡単に識別することができる。なお、この
識別用の角の形状は、他の形状でもよいが、このような
面取りが作製が容易で、かつ、識別も簡単である。
【００１７】以上の本実施例によるＭＥＳＦＥＴは、入
出力方向に平行な辺の近くで、接地リードに接続してい
るので接地が安定化し、パッケージの外形が小さくでき
る。また、熱伝導性のよい接地リードに基板を密着して
搭載しており、その裏面が絶縁封止剤から露出している
ため、表面実装に配線した場合に放熱が良く、高密度に
実装することができる。
出力方向に平行な辺の近くで、接地リードに接続してい
るので接地が安定化し、パッケージの外形が小さくでき
る。また、熱伝導性のよい接地リードに基板を密着して
搭載しており、その裏面が絶縁封止剤から露出している
ため、表面実装に配線した場合に放熱が良く、高密度に
実装することができる。
【００１８】本発明は上述の実施例に限定されるもので
はなく種々の態様が可能である。例えば、ＭＥＳＦＥＴ
を増幅素子として用いているが、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ（ＨＢＴ）などでもよい。また、使用時の
電力損失（ドレイン損失など）が０．３Ｗ〜１．５Ｗ程
度で用いることが適当である。接地リードなどのリード
フレームは銅または銅合金を用いることが放熱の点から
望ましい。
はなく種々の態様が可能である。例えば、ＭＥＳＦＥＴ
を増幅素子として用いているが、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ（ＨＢＴ）などでもよい。また、使用時の
電力損失（ドレイン損失など）が０．３Ｗ〜１．５Ｗ程
度で用いることが適当である。接地リードなどのリード
フレームは銅または銅合金を用いることが放熱の点から
望ましい。
【図１】実施例であるＭＥＳＦＥＴの平面組立図であ
る。
る。
【図２】実施例であるＭＥＳＦＥＴの組立断面図であ
る。
る。
【図３】実施例であるＭＥＳＦＥＴの底面図である。
【図４】従来技術によるパッケージ構造を説明するため
の図である。
の図である。
１０ ＭＥＳＦＥＴ素子 １１ 半導体基板 １２ 活性層 １３ ソース電極 １４ ドレイン電極 １５ ゲート電極 １６、１７、１８ ボンディングパッド部分 ２０ リードフレーム ２１ フレーム部 ３０ 接地リード ３１ 搭載部 ３２ 接地接続部 ４０ ゲートリード ４１ ボンディング接続部 ４２ ゲート接続部 ５０ ドレインリード ５１ ボンディング接続部 ５２ ドレイン接続部 ３３、４３、５３ ボンディングワイヤ ３４、４４、５４ 露出部 ６０ モールド ６１ 底面 ６２ 面取りされた角
Claims (3)
- 【請求項１】 （ａ）一方の主面が同一の平面を形成す
る一対の入出力リードと、（ｂ）一方の主面が、前記平
面と同一面を形成し、前記入出力リードの間に設けられ
た接地リードと、（ｃ）前記接地リードの他方の主面に
搭載された半導体基板と、（ｄ）前記半導体基板上の増
幅素子を構成する一対の入出力電極および接地電極と、
（ｅ）前記一対の入出力電極および前記接地電極と、前
記一対の入出力リードおよび前記接地リードをそれぞれ
接続する接続配線と、（ｆ）前記半導体基板の搭載され
た領域に対応する前記接地リードの一方の主面を露出
し、前記入出力リードが互いに対向する方向に露出する
ように、前記半導体基板、接続配線および前記接地リー
ドの他方の主面を封止する絶縁封止材とを含むことを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 （ｇ）前記平面における前記絶縁封止材
の形状がほぼ矩形であり、４角のうち１つが他と異なっ
た形状であることを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 （ａ）一方の主面が同一の平面を形成す
るように一対の入出力リードおよび接地リードを形成
し、（ｂ）半導体基板の一方の主面に増幅素子を構成す
る一対の入出力電極および接地電極を形成し、（ｃ）前
記接地リードの他方の主面に、前記半導体基板の他方の
主面を搭載し、（ｄ）前記一対の入出力電極および前記
接地電極と、前記一対の入出力リードおよび前記接地リ
ードをそれぞれ接続配線により接続し、（ｅ）前記半導
体基板の搭載された領域に対応する前記接地リードの一
方の主面を露出し、前記入出力リードが互いに対向する
方向に露出するように、前記半導体基板、接続配線およ
び前記接地リードの他方の主面を絶縁封止材により封止
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5349035A JP2711801B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5349035A JP2711801B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202056A JPH07202056A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2711801B2 true JP2711801B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=18401057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5349035A Expired - Lifetime JP2711801B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711801B2 (ja) |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP5349035A patent/JP2711801B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07202056A (ja) | 1995-08-04 |
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