JPS607488Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS607488Y2 JPS607488Y2 JP130279U JP130279U JPS607488Y2 JP S607488 Y2 JPS607488 Y2 JP S607488Y2 JP 130279 U JP130279 U JP 130279U JP 130279 U JP130279 U JP 130279U JP S607488 Y2 JPS607488 Y2 JP S607488Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- heat sink
- semiconductor device
- terminal
- inductance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体装置の改良に関する。
一般に高周波半導体装置は電力利得が大きな性能指数と
なっている。
なっている。
そして電力利得は共通端子のインダクタンスにより影響
され、そのインダクタンスを小さくすることが利得であ
ることは周知である。
され、そのインダクタンスを小さくすることが利得であ
ることは周知である。
この共通端子のインダクタンスを減らす方法として、共
通端子を短絡するブリッジ状の導体が取付けられたり、
共通端子側の絶縁基板側面にメタライズを施す方法があ
る。
通端子を短絡するブリッジ状の導体が取付けられたり、
共通端子側の絶縁基板側面にメタライズを施す方法があ
る。
しかしながら、上記のような方法では高周波電流の流れ
る経路が長く、而もその経路を巾広く構成することが不
可能であり、インダクタンスを減少させるのに十分な効
果を得ることができず、従って十分な電力利得が得られ
ない欠点がある。
る経路が長く、而もその経路を巾広く構成することが不
可能であり、インダクタンスを減少させるのに十分な効
果を得ることができず、従って十分な電力利得が得られ
ない欠点がある。
即ち、従来の半導体装置は第１図ａ、 ｂに示すように
構成され、例えばアルミナ、ベリリア等よりなる絶縁基
板１の一面（上面）に、リードフレームからなる入力端
子２及び出力端子３が互いに対向して取付けられ（但し
出力端子３は後述のメタライズ部を介して取付けられて
いる）、更にリードフレームからなる共通端子４，５が
前記入力端子２と出力端子３の間に互いに対向して取付
けられている。
構成され、例えばアルミナ、ベリリア等よりなる絶縁基
板１の一面（上面）に、リードフレームからなる入力端
子２及び出力端子３が互いに対向して取付けられ（但し
出力端子３は後述のメタライズ部を介して取付けられて
いる）、更にリードフレームからなる共通端子４，５が
前記入力端子２と出力端子３の間に互いに対向して取付
けられている。
そして絶縁基板１の他面（下面）には、半導体素子（図
示せず）からの発熱を絶縁基板１を通して放熱を行なう
放熱板６が取付けられている。
示せず）からの発熱を絶縁基板１を通して放熱を行なう
放熱板６が取付けられている。
この場合、放熱板６の突出部６ａに絶縁基板１が固着さ
れていることになる。
れていることになる。
そして図示しない半導体素子は絶縁基板１上に施された
メタライズ部７に取付けられ、最終的には入力端子２、
出力端子３、共通端子４，５とそれぞれホンディングに
より接続され、封止部材で半導体素子等を封止した構造
となる。
メタライズ部７に取付けられ、最終的には入力端子２、
出力端子３、共通端子４，５とそれぞれホンディングに
より接続され、封止部材で半導体素子等を封止した構造
となる。
ところが上記のような従来の半導体装置では、共通端子
４，５のインダクタンスが大きく、十分な電力利得を得
ることができない。
４，５のインダクタンスが大きく、十分な電力利得を得
ることができない。
そこで、共通端子４，５のインダクタンスを減少させる
ため、第２図ａ、 ｂのような半導体装置が提案され、
絶縁基板１の側面と下面に良導電性金属によるメタライ
ズ部８，９を形威し、このメタライズ部８゜９により共
通端子４，５と放熱板６とを電気的に接続している。
ため、第２図ａ、 ｂのような半導体装置が提案され、
絶縁基板１の側面と下面に良導電性金属によるメタライ
ズ部８，９を形威し、このメタライズ部８゜９により共
通端子４，５と放熱板６とを電気的に接続している。
従って、メタライズ部８，９には、高周波電流が流れ、
この結果、共通端子４゜５のインダクタンスは、メタラ
イズ部８，９により等価的に減少される。
この結果、共通端子４゜５のインダクタンスは、メタラ
イズ部８，９により等価的に減少される。
しかしながら、半導体装置の動作時には発熱が伴ない、
その時に発生するアルミナ、ベリリアよりなる絶縁基板
１と放熱板６の間の熱膨張率の違いによる絶縁基板１の
クラックを防止するために、放熱板６の一部に絶縁基板
１より小さい突出部６ａを設ける必要がある。
その時に発生するアルミナ、ベリリアよりなる絶縁基板
１と放熱板６の間の熱膨張率の違いによる絶縁基板１の
クラックを防止するために、放熱板６の一部に絶縁基板
１より小さい突出部６ａを設ける必要がある。
従って、高周波電流はメタライズ部８，９及び突出部６
ａに流れ、その電流経路は長く而もインダクタンスを減
少させるための必要条件である電流経路を十分に巾広く
構成することができず、共通端子４．５のインダクタン
スを減少させるには不充分である。
ａに流れ、その電流経路は長く而もインダクタンスを減
少させるための必要条件である電流経路を十分に巾広く
構成することができず、共通端子４．５のインダクタン
スを減少させるには不充分である。
又、共通端子４，５と放熱板６を各々電気的に絶縁上で
使用することは、絶縁基板１に直接メタライズを施すこ
とから不可能である。
使用することは、絶縁基板１に直接メタライズを施すこ
とから不可能である。
この考案は上記事情に鑑みなされたもので、共通端子の
インダクタンスが小さく、十分な電力利得が得ることが
できる半導体装置を提供することを目的とする。
インダクタンスが小さく、十分な電力利得が得ることが
できる半導体装置を提供することを目的とする。
以下、図面を参照してこの考案の一実施例を詳細に説明
する。
する。
この考案の半導体装置は第３図ａ、ｂに示すように構成
され、共通端子４，５と放熱板６とを電気的に接続する
ために導電体１０．１１が設けられている。
され、共通端子４，５と放熱板６とを電気的に接続する
ために導電体１０．１１が設けられている。
この導電体１０，１１は良導電性金属からなり、第４図
に示すように略コ字状にして十分巾や広く、共通端子４
，５よりも巾が広くて放熱板６と同じである。
に示すように略コ字状にして十分巾や広く、共通端子４
，５よりも巾が広くて放熱板６と同じである。
そして上辺１１ａは共通端子５の裏面に接触し、下返１
１ｂは放熱板６の表面に接触し、中央辺１１ｃは絶縁基
板１の側面に接触するように取付けられている。
１ｂは放熱板６の表面に接触し、中央辺１１ｃは絶縁基
板１の側面に接触するように取付けられている。
尚、第４図は一方の導電体１１のみ示しているが、他方
の導電体１０についても全く同様である。
の導電体１０についても全く同様である。
又、この考案の半導体装置は、導電体１０゜１１を設け
ること以外は、従来例と同様ゆえ、同一箇所には同一符
号を付して説明を省略する。
ること以外は、従来例と同様ゆえ、同一箇所には同一符
号を付して説明を省略する。
この考案の半導体装置は上記説明及び図示のように構成
され、共通端子４，５と放熱板６とを電気的に接続する
ように導電体１０．１１を設けているので、高周波電流
の経路は、絶縁基板６のクラックを防止するための突出
部６ａを通らず、導電体１０．１１に流れるため最短距
離をとることができる。
され、共通端子４，５と放熱板６とを電気的に接続する
ように導電体１０．１１を設けているので、高周波電流
の経路は、絶縁基板６のクラックを防止するための突出
部６ａを通らず、導電体１０．１１に流れるため最短距
離をとることができる。
従って共通端子４，５のインダクタンスは効果的に低減
できる。
できる。
そして第４図は従来例と本考案の半導体装置の入出力特
性を示したものであり、この特性曲線図から明らかなよ
うに飽和出力は同等であるが、共通端子４，５のインダ
クタンス低減に伴ない、電力利得は向上される。
性を示したものであり、この特性曲線図から明らかなよ
うに飽和出力は同等であるが、共通端子４，５のインダ
クタンス低減に伴ない、電力利得は向上される。
又、この考案では出力端子３は半田付は等の方法により
電力増幅器等に装置されるが、その半田付は等の作業時
に半導体素子へ与える熱の影響は、導電体１０．１１を
通って放熱板６へ逃がすことができるので、半導体素子
に対する保護の作用を同時に果たす。
電力増幅器等に装置されるが、その半田付は等の作業時
に半導体素子へ与える熱の影響は、導電体１０．１１を
通って放熱板６へ逃がすことができるので、半導体素子
に対する保護の作用を同時に果たす。
又、共通端子４，５と放熱板６を直流的に絶縁して使用
する場合、例えば安定化抵抗を共通端子と接地電極間に
挿入した使い方等をするときは、この考案の導電体１０
．１１は脱着可能であるため装着しない状態とすること
ができる。
する場合、例えば安定化抵抗を共通端子と接地電極間に
挿入した使い方等をするときは、この考案の導電体１０
．１１は脱着可能であるため装着しない状態とすること
ができる。
尚、上記実施例では導電体１０．１１をその中央辺１０
ｃ、ｌｌｃが絶縁基板６の側面に接触するように設けた
が、絶縁基板６の側面に直接触れることなくその近傍に
位置するように設けてもよい。
ｃ、ｌｌｃが絶縁基板６の側面に接触するように設けた
が、絶縁基板６の側面に直接触れることなくその近傍に
位置するように設けてもよい。
以上説明したようにこの考案によれば、実用的価値大な
る半導体装置を提供することができる。
る半導体装置を提供することができる。
第１図ａ、 ｂは従来の半導体装置を示す平面図と側面
図、第２図ａ、 ｂは同じく他の例を示す平面図と側面
図、第３図ａ、 ｂはこの考案の一実施例に係る半導体
装置を示す平面図と側面図、第４図はこの考案の装置に
用いる導電体を示す斜視図、第５図は従来及びこの考案
の装置における入出力特性を示す特性曲線図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・入力端子、３
・・・・・・出力端子、４，５・・・・・・共通端子、
６・・・・・・放熱板、１０．１１・・・・・・導電体
。
図、第２図ａ、 ｂは同じく他の例を示す平面図と側面
図、第３図ａ、 ｂはこの考案の一実施例に係る半導体
装置を示す平面図と側面図、第４図はこの考案の装置に
用いる導電体を示す斜視図、第５図は従来及びこの考案
の装置における入出力特性を示す特性曲線図である。 １・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・入力端子、３
・・・・・・出力端子、４，５・・・・・・共通端子、
６・・・・・・放熱板、１０．１１・・・・・・導電体
。
Claims (1)
- 絶縁基板の一面に入力端子、出力端子及び共通端子を取
付け、他面に放熱板を取付けた半導体装置において、前
記共通端子と前記放熱板とに電気的に接続する導電体を
、その一部が前記絶縁基板の側面に接するか又は近傍に
位置するように設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP130279U JPS607488Y2 (ja) | 1979-01-10 | 1979-01-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP130279U JPS607488Y2 (ja) | 1979-01-10 | 1979-01-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55101051U JPS55101051U (ja) | 1980-07-14 |
| JPS607488Y2 true JPS607488Y2 (ja) | 1985-03-13 |
Family
ID=28803332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP130279U Expired JPS607488Y2 (ja) | 1979-01-10 | 1979-01-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607488Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-01-10 JP JP130279U patent/JPS607488Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55101051U (ja) | 1980-07-14 |
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