JPH01132072A - 端子、接点等の金メッキ部品 - Google Patents
端子、接点等の金メッキ部品Info
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- JPH01132072A JPH01132072A JP28941587A JP28941587A JPH01132072A JP H01132072 A JPH01132072 A JP H01132072A JP 28941587 A JP28941587 A JP 28941587A JP 28941587 A JP28941587 A JP 28941587A JP H01132072 A JPH01132072 A JP H01132072A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
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- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、自動車に装備される電子回路用端子、プリ
ント基板用端子、オーディオ用端子等に使用される端子
、接点等の金メッキ自体に関する。
ント基板用端子、オーディオ用端子等に使用される端子
、接点等の金メッキ自体に関する。
（従来の技術）
従来よりこの種の端子では、接触抵抗を低くし、また耐
蝕性を向上させるために銅、銅合金等の下地金属の表面
に電気ニッケルメッキを施した後、金メッキを施してい
た。ここで、下地金属表面にあらかじめ電気ニッケルメ
ッキを施すのは、金が下地金属中に拡散するのを防止す
るためである。
蝕性を向上させるために銅、銅合金等の下地金属の表面
に電気ニッケルメッキを施した後、金メッキを施してい
た。ここで、下地金属表面にあらかじめ電気ニッケルメ
ッキを施すのは、金が下地金属中に拡散するのを防止す
るためである。
（発明が解決しようとする問題点）
接触抵抗を低くし、耐蝕性を向上させるためには、金メ
ッキ層の膜厚を最低限０．１μｍ程度に設定すればよい
が、金メッキ自体の有孔度が高いため、第２図に示すよ
うに、金メッキ層３０にピンホール３０ａが多く、これ
らピンホール３０ａを通して電気ニッケルメッキ層２０
０が腐食し易い問題があった。なお、第２図生得号１０
は下地金属である。
ッキ層の膜厚を最低限０．１μｍ程度に設定すればよい
が、金メッキ自体の有孔度が高いため、第２図に示すよ
うに、金メッキ層３０にピンホール３０ａが多く、これ
らピンホール３０ａを通して電気ニッケルメッキ層２０
０が腐食し易い問題があった。なお、第２図生得号１０
は下地金属である。
このような問題を解決する一手段として、例えば第３図
に示すように、金メッキＨ３０を厚く形成して（０，６
〜１．０μｍ程度）、ピンホール３０ａをなくす手段が
知られているが、接触抵抗の点では何ら変わらないのに
金使用１が多くなってコスト高になる問題があった。
に示すように、金メッキＨ３０を厚く形成して（０，６
〜１．０μｍ程度）、ピンホール３０ａをなくす手段が
知られているが、接触抵抗の点では何ら変わらないのに
金使用１が多くなってコスト高になる問題があった。
この発明は上記従来技術の問題点を解決するためになさ
れたちので、その目的とするところは、耐蝕性を向上し
、かつ金使用量を減らしてコストダウンを図ることがで
きる端子等の金メッキ部品を提供することである。
れたちので、その目的とするところは、耐蝕性を向上し
、かつ金使用量を減らしてコストダウンを図ることがで
きる端子等の金メッキ部品を提供することである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するためこの発明では、金メッキが施さ
れる下地金属表面に非晶質合金メッキ層を形成し、この
非晶質合金メッキ唐土に金メッキ層を形成したことを特
徴としている。
れる下地金属表面に非晶質合金メッキ層を形成し、この
非晶質合金メッキ唐土に金メッキ層を形成したことを特
徴としている。
（作用）
非晶質合金メッキ層としては、Ｎ１−Ｐにニッケルーリ
ン）、Ｎｉ−８にッケルーホウ素）、Ｎｉ −Ｆｅ −
ｐ にッケルー鉄−リン）、Ｇｏ−Ｐ（コバルト−リン
）、Ｎ１−Ｐ−Ｗにニッケルーリン−タングステン）、
Ｇｏ −Ｎｉ−Ｐ（コバルト−ニッケルーリン）、Ｇｏ
−Ｗ（コバルト−タングステン）、Ｆｅ−Ｗ（鉄−タン
グステン）、Ｃｏ−Ｒｅ−（：＋バルトーレニウム）、
Ｃｒ−Ｗ（クロム−タングステン）、Ｃｒ−Ｍｏ（クロ
ム−モリブデン）等がある。これら非晶質合金メッキ層
は、電気ニッケルメッキ層に比して耐蝕性が優れ、金メ
ッキ層にピンホールが存在しても腐食されるようなおそ
れが少ない。
ン）、Ｎｉ−８にッケルーホウ素）、Ｎｉ −Ｆｅ −
ｐ にッケルー鉄−リン）、Ｇｏ−Ｐ（コバルト−リン
）、Ｎ１−Ｐ−Ｗにニッケルーリン−タングステン）、
Ｇｏ −Ｎｉ−Ｐ（コバルト−ニッケルーリン）、Ｇｏ
−Ｗ（コバルト−タングステン）、Ｆｅ−Ｗ（鉄−タン
グステン）、Ｃｏ−Ｒｅ−（：＋バルトーレニウム）、
Ｃｒ−Ｗ（クロム−タングステン）、Ｃｒ−Ｍｏ（クロ
ム−モリブデン）等がある。これら非晶質合金メッキ層
は、電気ニッケルメッキ層に比して耐蝕性が優れ、金メ
ッキ層にピンホールが存在しても腐食されるようなおそ
れが少ない。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図はこの発明の金メッキ部品の一例を示すもので、
図中符号１０はコネクタの端子金具を構成する銅、鋼合
金等の下地金属である。この下地金属１０には、接触抵
抗を低くし、耐蝕性を向上させる目的で金メッキ層３０
が形成される。この場合、金が下地金属１０に拡散する
のを防止する目的で、下地金属１０と金メッキ層３０と
の間に、他の金属からなるメッキ層を介在させるが、こ
こで重要な点は、このメッキ層として非晶質合金メッキ
ＩＩ）２０を介在させるようにした点である。
図中符号１０はコネクタの端子金具を構成する銅、鋼合
金等の下地金属である。この下地金属１０には、接触抵
抗を低くし、耐蝕性を向上させる目的で金メッキ層３０
が形成される。この場合、金が下地金属１０に拡散する
のを防止する目的で、下地金属１０と金メッキ層３０と
の間に、他の金属からなるメッキ層を介在させるが、こ
こで重要な点は、このメッキ層として非晶質合金メッキ
ＩＩ）２０を介在させるようにした点である。
非晶質合金メッキｌＭ２Ｏとしては、例えばＮ１−Ｐに
ニッケルーリン）、Ｎｉ−８にッケルーホウ素）、Ｎ１
−Ｆ″ｅ−Ｐにツケルー鉄−リン）、（：、ｏ−Ｐ（コ
バルト−リン）、Ｎ１−Ｐ−Ｗにニッケルーリン−タン
グステン）、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ（コバルト−ニッケルーリ
ン） 、 Ｃｏ −Ｗ（コバルト−タングステン）、Ｆ
ｅ−Ｗ（鉄−タングステン）、Ｃｏ−Ｒｅ（コバルト−
レニウム）、Ｃｒ −Ｗ （クロム−タングステン）、
Ｃｒ−ＭＯ（クロム−モリブデン）等があるが、いずれ
も偏析が少なく粒界がないため、表面が均一で滑らかで
あり、また均一な不働態化膜が形成され、電気ニッケル
メッキ層に比して耐蝕性が優れている。
ニッケルーリン）、Ｎｉ−８にッケルーホウ素）、Ｎ１
−Ｆ″ｅ−Ｐにツケルー鉄−リン）、（：、ｏ−Ｐ（コ
バルト−リン）、Ｎ１−Ｐ−Ｗにニッケルーリン−タン
グステン）、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ（コバルト−ニッケルーリ
ン） 、 Ｃｏ −Ｗ（コバルト−タングステン）、Ｆ
ｅ−Ｗ（鉄−タングステン）、Ｃｏ−Ｒｅ（コバルト−
レニウム）、Ｃｒ −Ｗ （クロム−タングステン）、
Ｃｒ−ＭＯ（クロム−モリブデン）等があるが、いずれ
も偏析が少なく粒界がないため、表面が均一で滑らかで
あり、また均一な不働態化膜が形成され、電気ニッケル
メッキ層に比して耐蝕性が優れている。
なお、非晶質とは、原子配列が無秩序な状態をいうが、
ここでは一部活晶化したものも含む意味である。
ここでは一部活晶化したものも含む意味である。
従って、金メッキ層３０の膜厚を０．１μｍ程度に設定
しても、すなわち金メッキＷＩ３０にピンホール３０ａ
が多数存在していても耐蝕性の点で問題はなく、金メッ
キＨ３０の膜厚を０．６〜１゜０μｍまで厚く設定しな
くても済む上に、金メッキＦＪ３０の膜厚を０．６〜１
．０μｍに設定した従来例（第３図参照）と同程度の耐
蝕性が得られる。ただ、電気抵抗の点では、電気ニッケ
ルメッキ層に比して大きいが、非晶質合金メッキ層２０
上に金メッキ層３０が形成されるので問題はない。
しても、すなわち金メッキＷＩ３０にピンホール３０ａ
が多数存在していても耐蝕性の点で問題はなく、金メッ
キＨ３０の膜厚を０．６〜１゜０μｍまで厚く設定しな
くても済む上に、金メッキＦＪ３０の膜厚を０．６〜１
．０μｍに設定した従来例（第３図参照）と同程度の耐
蝕性が得られる。ただ、電気抵抗の点では、電気ニッケ
ルメッキ層に比して大きいが、非晶質合金メッキ層２０
上に金メッキ層３０が形成されるので問題はない。
上記非晶質合金メッキ層２０のうちＮｉ −Ｐにニッケ
ルーリン）では、還元剤として次亜リン酸塩を使用した
無電解メッキによって形成され、その組成はＮ１が８５
〜９５％、Ｐが５〜１５％となっている。また、このＮ
１−Ｐでは、非晶質合金メッキ層２０自体の有孔度につ
いても電気ニッケルメッキ層に比して低い（ピンホール
が少ない）特性がある。また、Ｎｉ −Ｆｅ −Ｐ に
ッケルー鉄−リン）、Ｃｏ−Ｐ（コバルト−リン）、Ｃ
ｏ −Ｎｉ −Ｐ （コバルト−ニッケルーリン）、Ｎ
１−Ｐ−Ｗにツケ！レーリンータングス、テンン等につ
いても同様に還元剤として次亜リンＭ塩を使用した無電
解メッキによって形成される。また、Ｎｉ −８にッケ
ルーホウ素）では、還元剤として水素化ホウ素化合物を
使用した無電解メッキによって形成され、その組成はＮ
ｉが９３〜９４％、Ｂが６〜７％となっている。
ルーリン）では、還元剤として次亜リン酸塩を使用した
無電解メッキによって形成され、その組成はＮ１が８５
〜９５％、Ｐが５〜１５％となっている。また、このＮ
１−Ｐでは、非晶質合金メッキ層２０自体の有孔度につ
いても電気ニッケルメッキ層に比して低い（ピンホール
が少ない）特性がある。また、Ｎｉ −Ｆｅ −Ｐ に
ッケルー鉄−リン）、Ｃｏ−Ｐ（コバルト−リン）、Ｃ
ｏ −Ｎｉ −Ｐ （コバルト−ニッケルーリン）、Ｎ
１−Ｐ−Ｗにツケ！レーリンータングス、テンン等につ
いても同様に還元剤として次亜リンＭ塩を使用した無電
解メッキによって形成される。また、Ｎｉ −８にッケ
ルーホウ素）では、還元剤として水素化ホウ素化合物を
使用した無電解メッキによって形成され、その組成はＮ
ｉが９３〜９４％、Ｂが６〜７％となっている。
上記実施例ではコネクタに装備される端子金具の金メッ
キについて説明したが、プリント基板用の端子、オーデ
ィオ用の端子等の金メッキ部品や接点等の金メッキ部品
についても適用することができる。
キについて説明したが、プリント基板用の端子、オーデ
ィオ用の端子等の金メッキ部品や接点等の金メッキ部品
についても適用することができる。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、金メッキが施さ
れる下地金属表面に非晶質合金メッキ層を形成し、この
非晶質合金メッキ層上に金メッキ層を形成したので、金
メッキ層にピンホールが存在しても耐蝕性の点で問題が
なく、また必要以上に金メッキを施さなくても済み、コ
スト高になるおそれがない。
れる下地金属表面に非晶質合金メッキ層を形成し、この
非晶質合金メッキ層上に金メッキ層を形成したので、金
メッキ層にピンホールが存在しても耐蝕性の点で問題が
なく、また必要以上に金メッキを施さなくても済み、コ
スト高になるおそれがない。
第１図はこの発明の一実施例を示す部分拡大断面図であ
り、また第２図及び第３図は従来技術を示す部分拡大断
面図である。 １０・・・下地金属 ２０・・・非晶質合金メッキ層 ３０・・・金メッキ層 ａｌ 区 込２０ 纂３図
り、また第２図及び第３図は従来技術を示す部分拡大断
面図である。 １０・・・下地金属 ２０・・・非晶質合金メッキ層 ３０・・・金メッキ層 ａｌ 区 込２０ 纂３図
Claims (1)
- 金メッキが施される下地金属表面に非晶質合金メッキ
層を形成し、この非晶質合金メッキ層上に金メッキ層を
形成したことを特徴とする端子、接点等の金メッキ部品
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28941587A JPH01132072A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 端子、接点等の金メッキ部品 |
| GB8826815A GB2212516A (en) | 1987-11-18 | 1988-11-16 | Gold plated terminal or contact |
| DE3838971A DE3838971A1 (de) | 1987-11-18 | 1988-11-18 | Goldplattierte anschlusselemente |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28941587A JPH01132072A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 端子、接点等の金メッキ部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132072A true JPH01132072A (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=17742945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28941587A Pending JPH01132072A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 端子、接点等の金メッキ部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01132072A (ja) |
| DE (1) | DE3838971A1 (ja) |
| GB (1) | GB2212516A (ja) |
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| KR19990066462A (ko) * | 1998-01-26 | 1999-08-16 | 윤종용 | 모니터의 접지 조립체 |
| US6039615A (en) * | 1996-03-15 | 2000-03-21 | The Whitaker Corporation | Female electrical terminal having overstress members |
| KR20010055949A (ko) * | 1999-12-13 | 2001-07-04 | 류정열 | 엠보스 구조를 갖는 250단자 |
| JP2009176646A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 箔状導体及び配線部材並びに配線部材の製造方法 |
| JP2012043841A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2012532988A (ja) * | 2009-07-10 | 2012-12-20 | エクスタリック コーポレイション | 被コーティング物品およびそのコーティング方法 |
| JP2018056457A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置用パッケージ及び発光装置の製造方法 |
| WO2018123380A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | デンカ株式会社 | 半導体素子用放熱部品 |
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| JP2731040B2 (ja) * | 1991-02-05 | 1998-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6335107B1 (en) * | 1999-09-23 | 2002-01-01 | Lucent Technologies Inc. | Metal article coated with multilayer surface finish for porosity reduction |
| DE102015220688A1 (de) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Zf Friedrichshafen Ag | Elektrischer Stecker und Verfahren zum Herstellen |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111502A (en) * | 1978-02-20 | 1979-08-31 | Inoue Japax Res Inc | Gas evolution by electrolysis of water |
| GB2129441B (en) * | 1982-11-05 | 1985-12-11 | Standard Telephones Cables Ltd | Gold plating |
| DE3345162C1 (de) * | 1983-12-14 | 1984-11-15 | Degussa Ag, 6000 Frankfurt | Werkstoffe für Schwachstromkontakte |
| EP0160761B1 (en) * | 1984-05-11 | 1989-02-08 | Burlington Industries, Inc. | Amorphous transition metal alloy, thin gold coated, electrical contact |
-
1987
- 1987-11-18 JP JP28941587A patent/JPH01132072A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-16 GB GB8826815A patent/GB2212516A/en not_active Withdrawn
- 1988-11-18 DE DE3838971A patent/DE3838971A1/de active Granted
Cited By (15)
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