JPH01126007A - スピーカ駆動用半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、内蔵トランジスタと外付はトランジスタと
を併用可能にしたスピーカ駆動用半導体集積回路装置に
関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は、従来のスピーカ駆動用半導体集積回路装置の
回路図である。図において、（１）はスピーカ、（２）
はインピーダンス変換用の中点タップ付トランス、（３
）は電源供給端子、　（４）　（５）は半導体集積回路
装置α４の出力端子で、トランス（３）の両端に接続さ
れる。

（６）　（７）は半導体集積回路装置σ４に内蔵されて
いるＮＰＮ型トランジスタ、　＋８１（９）はトランジ
スタ（６）　（７）のベース入力端子で、相補的なスピ
ーカ入力信号が入力される。σｑはＮＰＮ　）ランジス
タ、（ロ）はダイオード、四は抵抗、Ｑ３は定電流調整
端子である。通常、トランジスタ（１１１とダイオード
叩のエミッタ領域のサイズを変えることにより、トラン
ジスタαＱの吸い゛込む定電流はダイオード（ロ）に流
れる電流の１倍（ｎ：１０）に設定される。

次に、半導体集積回路装置σ４において消費される電力
Ｐｗについて考える。消費電力ＰｗはＰｗ　！　Ｖｃｃ
　Ｘ　ｎＩｏ　　　　　　＝−（１）となる。説明を簡
単にするため無信号入力時、即ちベース入力端子（３）
（９）はＤＣバイアスが印加されているものとし、さら
にトランス（３）の巻線抵抗は０Ωとした。

近年、半導体集積回路装置を封入するパッケージの小型
化（例えば、フラットタイプとかチップキャリア等）が
進んでおり、パッケージの許容消費電力は小さくなって
おり、一般的にはフラットタイプなど３００ｍＷ程度し
かない。

〔発明が解決しようとする問題点〕。

従って、第２図の半導体集積回路装置によるスピーカ駆
動回路の場合、定電流調整端子−により。

スピーカ駆動電流ｎ−Ｉｏ　＆調整し、スピーカ出力パ
ワーを増加させることは可能であるが、その上限はパッ
ケージの許容消費電力にて制限されてしまい、場合によ
ってはスピーカパワーの不足を招くという問題点があっ
た。

さらに、第２図の駆動回路装置の場合、パッケージの許
容消費電力をオーバしてスピーカパワーを出したいとい
った応用を考えると、外付けでの対処は容易でないとい
う問題点も有していた。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、スピーカパワーがパッケージの許容消費電力
以下で良い場合は内蔵トランジスタのみで対応させ、ス
ピーカパワーがパッケージの許容消費電力以上要求され
る時は、トランジスタを外付けすることにより、容易に
パワーアップを図ることができるスピーカ駆動回路を備
えた半導体集積回路装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係るスピーカ駆動回路は、必要とするスピー
カ出力が小さいときは半導体集積回路に内蔵されたスピ
ーカ駆動用トランジスタを使用し、必要とするスピーカ
パワーが大きいときは前記の内蔵されたスピーカ駆動用
トランジスタと並列に外付はトランジスタを接続し、ス
ピーカパワーを増大することができる様にしたものであ
る。

〔作用〕

この発明によるトランジスタの切換えは並列に外付はト
ランジスタを接続することにより、スピーカ駆動電流を
外付はトランジスタに分流して。

半導体集積回路装置の収納されたパッケージでの消費電
力を抑える。

〔実施例〕

以下１本発明の一実施例を図について説明する。

第１図において、符号（１）〜Ｑ４は前記従来のものと
同一につき説明は省略する。Ｃ１５Ｑ８は電流制限用エ
ミッタ直列抵抗、劫（ト）は外付はトランジスタのペー
スを接続するペース出力端子、σ９は外付はトランジス
タ（イ）同のエミッタを接続するエミッタ出力端子、Ｃ
ＸＪ＠は外付けＮＰＮ　）ランジスタである。

第１図において、スピーカパワーが小さくパッケージの
許容消費電力を超えないときは、外付はトランジスタ（
１）ゆは不要であり、その動作は第２図の従来例の場合
と同一である。トランジスタ（６）（７］のエミッタに
接続されているエミッタ抵抗側〇〇はその電圧効果が回
路の動作に影響を与えない様な程度の小さな値に設定さ
れる。

つぎに、パッケージの許容消費電力を超える様なスピー
カパワーが必要な場合は、外付はトランジスタ（７）（
財）を内蔵トランジスタ（６）　（７）と並列に接続す
る。内蔵トランジスタにはエミッタ直列接続（ト）Ｍが
はいっているので、スピーカ電流ｎ−ｌ０の大部分は外
付はトランジスタ■ゆを流れる。

この場合の半導体集積回路装置α４にて消費される電力
Ｐｗは Ｐｗ　”　ＶＢｉａｓ　Ｘ　ｎＩｏ　　　　　　　　−
（２１（２）式において、ｖＢｉａ８は無信号時のベー
ス端子（８）　（９１の電圧である。電圧ＶＢｉａｓは
回路が正常に動作する範抽で最小の値に設定され１通常
１，４ｖ程度である。

（１）式と（２）式を比較すれば明らかな様に、この発
明による実施例の場合、外付はトランジスタ（ト）ｃＡ
）を接続した場合、その半導体集積回路装置α４での消
費電力は明らかに少なくなる。（ＶＢｉａｓ　＜　Ｖｃ
ｃ）なお、上記実施例においてはＮＰＮ　）ランジスタ
を使用した場合を示したが、ＰＮＰ　）ランジスタの場
合でも同様に回路を構成できる。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、必要とするスピーカ出力
が小さいときは半導体集積回路に内蔵されたスピーカ駆
動用トランジスタを使用し、必要とするスピーカパワー
が大きいときは前記の内蔵されたスピーカ駆動用トラン
ジスタと並列に外付はトランジスタを接続するのみで、
容易にスピーカパワーを増大することができ半導体集積
回路装置の適用範囲が拡大できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実九例による半導体集積回路のス
ピーカ駆動回路図、第２図は従来の半導体集積回路のス
ピーカ駆動回路図である。 図において、（１］はスピーカ、（２）はトランス、（
３）は電源供給端子、　（４Ｈｓ）は出力端子、　（６
）　（７）　（１１）はＮＰＮトランジスタ、［８１（
９）はペース入力端子、（６）はダイオード、（１３は
抵抗１口は定電流調整端子、σ４は半導体集積回路装置
、ａＢαＱはエミッタ直列抵抗、助（ト）はペース端子
、α湯はエミッタ端子、■（２）は外付はトランジスタ
を示す。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. スピーカ出力が小さいときは、半導体集積回路に内蔵さ
   れたスピーカ駆動用トランジスタを使用し、必要とする
   スピーカ出力が大きいときは適当なトランジスタ素子を
   外付けして使用することにより、スピーカパワーを増大
   させることを特徴とするスピーカ駆動用半導体集積回路
   装置。