KR860002084B1

KR860002084B1 - 전송기용 정전압, 정전류 장치

Info

Publication number: KR860002084B1
Application number: KR1019840004320A
Authority: KR
Inventors: 유효연
Original assignee: 유효연
Priority date: 1984-07-20
Filing date: 1984-07-20
Publication date: 1986-11-24
Also published as: KR860001632A

Abstract

내용 없음.

Description

전송기용 정전압, 정전류 장치

제1도는 본 발명의 상세 회로도

본 발명은 정전압 정전류 장치에 관한 것으로서, 특히 공업용 계측기 분야에서의 트랜스미터(전송기)용 정전압 정전류 장치에 관한 것이다. 일반적으로 공업 계측기 분야에서의 전송기용 정전압 정전류 회로는 단일이면서도 미소 전류에서 적동되어야 하며, 전원 전압이 변동해도 출력 전압 특히 출력 전류가 불변하여야 하며, 주위온도 및 환경에 대하여서도 정격 특성이 안정되어야 한다.

종래의 정전압 정전류 회로는 각 제조회사마다 그장치에 대한 특정한 것으로서, 직접회로화 되어 있어 특정 분야에만 적용할 수 있을뿐더러 집적회로 내부의 부품교환에 의한 제품의 활용이 불가능하고, 더우기 그 회로가 복잡할뿐더러 일반인의 구입이 극히 어려운 실정이다.

본 발명의 목적은 이러한 종래의 단점들을 없이하고, 부품 정격치에 따라서 손쉽게 자체부품을 교환할 수 있으며, 넓은 용도로 공업계측기 분야에서 활용될 수 있는 전송기용 정전압정전류 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 그 구성이 극히 간단하면서도 정전압 정전류의 특성이 우수한 정전압 정전류 장치를 제공하는 것이다.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.

우선 제1도를 참조하여 본 발명회로의 구성을 설명하면, 다링톤 접속 트랜지스터(T_r1)의 콜랙터, FET(1)와 저항(Rj) 및 제너 다이오드(Z₁)으로 구성된 기준회로(2)의 단자(a)에, 다링톤 접속 트랜지스터(T_r2)의 콜랙터 및 FET (3)와 저항(R₂) 및 제너다이오드(Z₂)로 구성된 기준회로(4)의 단자(a')에 전원 단자(가)를 연결하고, 기준회로(2)의 단자(b), 연산증폭기(A)의 접지단자(G), 기준회로(4)의 단자(b')를 접지 단자(나)에 연결하며, 기준회로(2)의 단자(C)를 다링톤 접속 트랜지스터(T_r2)의 베이스에 연결함과동시에 기준회로(4)의 단자(C')를 연산증폭기(A)의 +입력단자에 연결하고, 다링톤 접속 트랜지스터(T_r2)의 에미터를 연산증폭기(A)의 +전원 단자에 연결하되 연산증폭기(A)의 출력단자를 저항(R₄)을 통하여 나링톤 접속 트랜지스터(T_r1)의 베이스에 연결하며, 연산증폭기(A)의 입력단자, 다링톤 접속 트랜지스터(T_r1)의 에미터를 출력단자(0)에 연결하여된 구성이다. 이런한 장치의 작용효과를 설명하면, 연산증폭기(A)의 입력단자에는 기준회로(4)의 단자(C')가 연결되어 있으므로 공급 전원에 상관없이 연산증폭기(A)에 항상 일정한 전위 및 전류를 공급한다.

또 연산증폭기(A)의 전원 단자에도 기준회로 2와 다링톤 접속 트랜지스터(T_r2)의 작용으로 일정한 전압이 걸리게 되어 있다.

여기에서 연산증폭기(A)느 증폭율을 1로 하고 있다. 이에 따라서 다링톤 접속 트랜지스터(T_R1)는 정전압 정전류 출력 특성을 나타낸다. 만약 전원 단자에 전압 증가 변동이 있게 되면 이런한 전압 증가 변동은 기준회로(2)와 기준회로(4)의 FET₁과 R₁, FET₃과 R₂로 구성된정전류 회로와 제너다이오드 Z₁과 Z₂의 작용으로 정전류 정전압화하여 무부하시(R_L=∞) 소비 전류는 전원 변동에 관계없이 일정하게 된다. 기준회로(4)의 작용을 설명하자면 FET(3)의 게이트는 저항(R₂)의 강하 전압에 의하여 FET(3)자체의 도통율을 제어하게 되므로 전류의 제한 역할을 하게 되며, 또한 제너다이오드(Z₂)는 전류에는 무관하게 정전압을 유지하는 소자이므로 FET(3), 저항(R₂) 및 제너다이오드(Z₂)의 결합에 의하여 정전류 및 정전압 특성이 얻어지는 것이다.

기준회로(4)에서 정전류 특성은 FET(3)소오스와 드레인을 통하는 전류가 클수록 저항(R₂)에 걸리는 전압강하분이 크게 되어 FET (3)의 게이트에 높은 전계가 걸려 소오스와 드레인을 통과하는 전류를 감소 시킬수 있어 결국 정전류 특성을 얻어내는 것이다

또 부하 저항 R_L이 변하여 다링톤 접속 트랜지스터(T_r1)의 출력 전류가 증가하게 되면 출력단자 전압이 미소하게라도 낮아지면, 이 변동분은 저항 R₄을 통하여 연산증폭기(A)의 입력단자에 전달되어 입력단자간의 전압 차이가 커져서 연산증폭기(A)의 출력 전압이 커지고 이 전압은 R₅를 통하여 다링톤 접속 트랜지스터 T_r에 전달되고, 결국 출력 전압을 도로 높아지게 되고, 만약 출력전압이 기준전압보다 높으면 연산증폭기의 입력단자 전압도 높아져서 입력 단자간의 전압차이가 적아져서 연산증폭기(A)의 출력 전압이 낮아지고, 결국 트랜지스터 T_r1의 출력 전압도 낮아져서 기준 전압과 같게 된다. 연산증폭기(A)의 전압 증폭율은 통산 10⁵배 정도이므로 출력전압 변동은 부하저항에 의해서 변하는 양의 1/10⁵로 축소되고 따라서 출력단자 0에는 항상 일정한 전압이 유지되는 것이다.

따라서 트랜지스터(Tr₁)의 베이스인가 전압을 낮추어서 트랜지스터(Tr₁)의 에미터콜렉터 사이의 저항을 크게 하는 것이고 전류가 과잉 공급되는 경우에는 트랜지스터(Tr₁)에 흐르는 전류를 감소시키면 되므로 즉, I=V/R에서 전압은 일정이라 하면 트랜지스터(Tr₁)의 에미터 콜랙터 사이의 저항을 일정하게 유지시키며, 기준회로(2)의 내부 저항을 낮추면 상대 저항이 작게 되어 과전류가 제어되는 것이다.

그러므로, 출력단자(0)와 접지 단자(G) 사이에는 항상 정전압, 정전류가 흐르게 된다.

이상에서 설명된 바와 가이 본 발명에 의하면 간단한 구성이면서도 소정의 정전압 정전류 출력 특성이 얻어지며, 동시에 제너다이드와 FET트랜지스터의 내부용량을 교환하므로서 용이하게 정전압, 정전류의 출력크기를 변화시킬수 있어, 전송용 정전압 정전류 장치로서 극히 적당하게 되는 것이다.

Claims

다링톤 접속 트랜지스터(Tr₁)의 콜랙터 FET(1)와 저항(R₁) 및 제너다이오드(Z₁)으로 구성된 기준회로(2)의 단자(a) 다링톤 접속 트랜지스터(Tr₁)의 콜랙터 및 FET (2)와 저항(R₂) 및 제너다이오드(Z₂)로 구성된 기준회로(4)의 단자(a')에 전원단자(가)를 연결하고, 기준회로 (2)와 단자(b), 증폭기(A) 의 접지단자(G), 기준회로(4)의 단자(b')를 접지 단자(4)에 연결하며, 기준회로(2)의 단자(C)를 다링톤 접속 트랜지스터(T_r2)의 베이스에 연결함과 동시에 기준회로(4)의 단자(C)를 증폭기(A)의 입력단자에 연결하고, 다링톤 접속 트랜지스터(T_r2)의 에미터를 증폭기(A)의 전원 단자에 연결하되, 증폭기(A)의 출력 단자를 저항(R₄)을 통하여 다링톤 접속 트랜지스터(Tr₁)의 베이스에 연결하며, 증폭기(A)의 입력단자, 다링톤 접속 트랜지스터(Tr₁)의 에미터를 출력단자(0)에 연결하여된 것을 특징으로 하는 전송기용 정전압, 정전류 장치.