JPH01125334A - 直接塩素化反応器のベント廃ガスからのエチレン、塩素及び塩化水素の回収 - Google Patents
直接塩素化反応器のベント廃ガスからのエチレン、塩素及び塩化水素の回収Info
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- JPH01125334A JPH01125334A JP62231216A JP23121687A JPH01125334A JP H01125334 A JPH01125334 A JP H01125334A JP 62231216 A JP62231216 A JP 62231216A JP 23121687 A JP23121687 A JP 23121687A JP H01125334 A JPH01125334 A JP H01125334A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、二塩化エチレン製造用オキシ塩素化、反応器
に循環する高温直接塩素化反応器からのベントガス中の
湿気による腐食を最少に抑える方法に関する。
に循環する高温直接塩素化反応器からのベントガス中の
湿気による腐食を最少に抑える方法に関する。
エチレンの「直接塩素化」は、広く用いられている二塩
化エチレン(rEDCJ即ち1.2−ジクロロエタン)
製造用の工業的接触法の基礎となるものである。この反
応は、物質移動により制御され、エチレンの吸収が、エ
チレンの少過剰で反応を行うか、もしくは、その代わり
として(これに関する考察については後述する)、反応
器に少過剰の塩素を供給して反応するかの制御要因とな
る。反応熱は、約り0℃〜約65℃の範囲で運転される
一般的な低温直接塩素化反応器において、通常の水冷法
により散逸させるか、又は、「高温直接塩素化(HTD
C)反応器」と呼ばれる反応器を、最大約200psi
gの圧力下、EDCの沸点又はその付近で運転すること
により散逸させる。このHTDC反応器は、直接塩素化
反応器の一種である。本発明の一態様における「沸騰型
反応器」と呼ばれるHTDCは、EDCの沸点で運転さ
れ、生成物のEDCは、蒸気として排出される。又、他
の態様における「非沸騰型反応器」と呼ばれるHTDC
は、沸点の付近で運転され、生成物のEDCは、側流と
して排出される。
化エチレン(rEDCJ即ち1.2−ジクロロエタン)
製造用の工業的接触法の基礎となるものである。この反
応は、物質移動により制御され、エチレンの吸収が、エ
チレンの少過剰で反応を行うか、もしくは、その代わり
として(これに関する考察については後述する)、反応
器に少過剰の塩素を供給して反応するかの制御要因とな
る。反応熱は、約り0℃〜約65℃の範囲で運転される
一般的な低温直接塩素化反応器において、通常の水冷法
により散逸させるか、又は、「高温直接塩素化(HTD
C)反応器」と呼ばれる反応器を、最大約200psi
gの圧力下、EDCの沸点又はその付近で運転すること
により散逸させる。このHTDC反応器は、直接塩素化
反応器の一種である。本発明の一態様における「沸騰型
反応器」と呼ばれるHTDCは、EDCの沸点で運転さ
れ、生成物のEDCは、蒸気として排出される。又、他
の態様における「非沸騰型反応器」と呼ばれるHTDC
は、沸点の付近で運転され、生成物のEDCは、側流と
して排出される。
直接塩素化反応は、次式で示すことができる。
CHz = CHz + CI2→ClCH2CH2C
1I2的には、水及び塩化水素のいずれも、この反応の
生成物としては生成しない。しかしながら、実際には、
酸素の存在下では、ある副反応において少量の水が生成
し、又、次式に示す別の副反応において少量の塩化水素
が生成する。
1I2的には、水及び塩化水素のいずれも、この反応の
生成物としては生成しない。しかしながら、実際には、
酸素の存在下では、ある副反応において少量の水が生成
し、又、次式に示す別の副反応において少量の塩化水素
が生成する。
ClCH2CH2C1+ CI2→CICH2CHC]
□+HCI塩化水素の厳密な生成量は、HTDC反応器
反応体中る触媒の種類、反応を実施す名液体媒体(−船
釣には、EDC等の塩化水素)及び反応条件によって異
なる。
□+HCI塩化水素の厳密な生成量は、HTDC反応器
反応体中る触媒の種類、反応を実施す名液体媒体(−船
釣には、EDC等の塩化水素)及び反応条件によって異
なる。
直接塩素化反応法は、オキソ反応器中でエチレンを塩化
水素及び酸素と反応させ、EDCを製造するオキシクロ
リネーション(「オキソ」)法で補足することが好まし
い。この直接塩素化とオキシクロリネーション法との組
み合わせは、「平衡法」と呼ばれる。尚、平衡法の詳細
については、カーク・アンド・オス? −(Kirk
& Othmer)&H集のエンサイクロペディア・オ
ブ・ケミカル・テクノロジイー (Encyclope
dia of Chemical Techno−1o
gy) 、第23巻、第865〜885頁に、カラファ
ー・ジェー・ニー(Coiyfer、 J、A、)及び
マジストロ・ニー・ジェ(Magistro、Δ、J、
)により記載されている「ビニル・ポリマーズ(ビニル
・クロリド)CVinyl Polymers (Vi
nyl Chloride) ) Jの章を参照のこと
。回章に記載のフローシートには、HTDC反応器反応
体中した組成EDCのアルカリ中和が提案されている。
水素及び酸素と反応させ、EDCを製造するオキシクロ
リネーション(「オキソ」)法で補足することが好まし
い。この直接塩素化とオキシクロリネーション法との組
み合わせは、「平衡法」と呼ばれる。尚、平衡法の詳細
については、カーク・アンド・オス? −(Kirk
& Othmer)&H集のエンサイクロペディア・オ
ブ・ケミカル・テクノロジイー (Encyclope
dia of Chemical Techno−1o
gy) 、第23巻、第865〜885頁に、カラファ
ー・ジェー・ニー(Coiyfer、 J、A、)及び
マジストロ・ニー・ジェ(Magistro、Δ、J、
)により記載されている「ビニル・ポリマーズ(ビニル
・クロリド)CVinyl Polymers (Vi
nyl Chloride) ) Jの章を参照のこと
。回章に記載のフローシートには、HTDC反応器反応
体中した組成EDCのアルカリ中和が提案されている。
しかしながら、アルカリのコストに加え、中和物質の処
理に要する明白な経済的負担を考えれば、この方法は、
あまり好ましい解決策とは言えない。
理に要する明白な経済的負担を考えれば、この方法は、
あまり好ましい解決策とは言えない。
HTDC反応器からの流出液が、極めて腐食性であるこ
とは、以前から知られている。最近、この腐食の主原因
は、遊離塩素と1100pp未満という微量の水の存在
にあることが判明した。塩素に起因する腐食を抑制する
ためEDC流中の遊離塩素を除去する方法が米国特許筒
4,547,599号に開示されている。この腐食の問
題は、沸胱型反応器中に供給される塩素が「湿気のある
」ものであるとき、即ち、例えば、電解槽から送られて
くるガス状塩素の場合のように、1100pp以上の水
分を含んでいる時にはさらにひどくなる。この問題は、
又、ベント用コンプレッサー及びその関連機器等のオキ
ソ反応器への循環管路中で、即ち、生成EDCの回収後
ベントされたベントガスが、オキソ反応器へ循環される
際にも生ずる。HTDC反応器中への供給物に水が含ま
れておらず、且つ直接塩素化反応で水が発生しなければ
、反応器からの流出液には水が含まれず、従って、解決
すべき腐食の問題も生じないことは言うまでもない。
とは、以前から知られている。最近、この腐食の主原因
は、遊離塩素と1100pp未満という微量の水の存在
にあることが判明した。塩素に起因する腐食を抑制する
ためEDC流中の遊離塩素を除去する方法が米国特許筒
4,547,599号に開示されている。この腐食の問
題は、沸胱型反応器中に供給される塩素が「湿気のある
」ものであるとき、即ち、例えば、電解槽から送られて
くるガス状塩素の場合のように、1100pp以上の水
分を含んでいる時にはさらにひどくなる。この問題は、
又、ベント用コンプレッサー及びその関連機器等のオキ
ソ反応器への循環管路中で、即ち、生成EDCの回収後
ベントされたベントガスが、オキソ反応器へ循環される
際にも生ずる。HTDC反応器中への供給物に水が含ま
れておらず、且つ直接塩素化反応で水が発生しなければ
、反応器からの流出液には水が含まれず、従って、解決
すべき腐食の問題も生じないことは言うまでもない。
EDCは、精製した後、EDC分解炉中で熱分解し、よ
く知られている脱塩酸と呼ばれる反応により塩化ビニル
単量体(VCM)を生成し、分解炉中で生成する塩化水
素は、オキシクロリネーション反応器へ循環する。
く知られている脱塩酸と呼ばれる反応により塩化ビニル
単量体(VCM)を生成し、分解炉中で生成する塩化水
素は、オキシクロリネーション反応器へ循環する。
よく知られているように、EDC製造の際の化学工学上
の単位操作に関する経済性の観点からは、好ましくない
副生成物を生成することなく、且つ最も重要なことであ
る流出液中に遊離塩素を残存することなくエチレンと塩
素をEDCに転換することが最も望ましい。腐食の問題
については、シルモラー・シー・エム(Schillm
oller、C,M、)により[アロイ・セレクション
・フォー・VCM ・ブラソフ(Alloy 5el
ection for VCM Plants) jと
題して1979年3月発行のハイドロカーボン・プロセ
ッシング(Hydrocarbon Processi
ng)の第89A′93頁に述べられている。
の単位操作に関する経済性の観点からは、好ましくない
副生成物を生成することなく、且つ最も重要なことであ
る流出液中に遊離塩素を残存することなくエチレンと塩
素をEDCに転換することが最も望ましい。腐食の問題
については、シルモラー・シー・エム(Schillm
oller、C,M、)により[アロイ・セレクション
・フォー・VCM ・ブラソフ(Alloy 5el
ection for VCM Plants) jと
題して1979年3月発行のハイドロカーボン・プロセ
ッシング(Hydrocarbon Processi
ng)の第89A′93頁に述べられている。
実際の操業の際は、経済的見地より、直接塩素化反応は
、炭素鋼の装置が利用できる条件に制御される。この際
の問題点は、遊離塩素と水は、炭素鋼装置、連結管中で
、そのいずれか一方又は他方のいずれよりも強烈な激し
い腐食性を呈し、10ppm〜約50ppmの範囲の微
量の水分を伴った、約20pp111〜約60ppmの
少量の塩素により、EDC反応装置の上流で、同装置の
配管が破壊されることである。この腐食は、後述する理
由により、直接塩素化反応器中への酸素の注入により悪
化する。
、炭素鋼の装置が利用できる条件に制御される。この際
の問題点は、遊離塩素と水は、炭素鋼装置、連結管中で
、そのいずれか一方又は他方のいずれよりも強烈な激し
い腐食性を呈し、10ppm〜約50ppmの範囲の微
量の水分を伴った、約20pp111〜約60ppmの
少量の塩素により、EDC反応装置の上流で、同装置の
配管が破壊されることである。この腐食は、後述する理
由により、直接塩素化反応器中への酸素の注入により悪
化する。
上述の理由から、唯一の実用的な選択は、反応器中では
過剰の塩素を使用せず、そのことにより、反応器から出
てくる未反応塩素(「遊離」又は「漏出」塩素と呼ばれ
る)の量を最少限にすることである。即ち、過剰のエチ
レンを反応器に供給する。ここで、「過剰のエチレン」
とは、EDCを生成にするのに化学量論的に必要とされ
る量を超える量を意味する。通常、1%〜約5%の過剰
が用いられ、好ましくは2%未満である。しかしながら
、未反応塩素を最少限とするため、2%以上過剰のエチ
レンを供給した場合でも、流出液中の遊離塩素の濃度は
、約1100ppm〜約3000ppmの範囲のままで
ある。この残存塩素は、EDCをVC単量体に転換する
まえに実質的に全て除去しなければならない。2%をは
るかに超える過剰のエチレンを使用することは経済的に
不利であり、たとえそのようにしても、流出液中にエチ
レンを注入して未反応塩素を排出しようとしても、塩素
を排出することができない。用いた過剰のエチレンは、
生成EDCの回収中に「ベント流」としてベントされ、
通常、共存し得る水分、塩素及び塩化水素とともに、オ
キシクロリネーション反応器に循環される。
過剰の塩素を使用せず、そのことにより、反応器から出
てくる未反応塩素(「遊離」又は「漏出」塩素と呼ばれ
る)の量を最少限にすることである。即ち、過剰のエチ
レンを反応器に供給する。ここで、「過剰のエチレン」
とは、EDCを生成にするのに化学量論的に必要とされ
る量を超える量を意味する。通常、1%〜約5%の過剰
が用いられ、好ましくは2%未満である。しかしながら
、未反応塩素を最少限とするため、2%以上過剰のエチ
レンを供給した場合でも、流出液中の遊離塩素の濃度は
、約1100ppm〜約3000ppmの範囲のままで
ある。この残存塩素は、EDCをVC単量体に転換する
まえに実質的に全て除去しなければならない。2%をは
るかに超える過剰のエチレンを使用することは経済的に
不利であり、たとえそのようにしても、流出液中にエチ
レンを注入して未反応塩素を排出しようとしても、塩素
を排出することができない。用いた過剰のエチレンは、
生成EDCの回収中に「ベント流」としてベントされ、
通常、共存し得る水分、塩素及び塩化水素とともに、オ
キシクロリネーション反応器に循環される。
ベント流中に比較的少量しか含有されず、残りの大部分
はエチレンと窒素であるベント流から、極少量の水分、
塩素及び塩化水素を回収することは、腐食の問題が大き
いため、回収コストが回収される成分の価値を超えてし
まうので、回収するに値しないと思われる。しかしなが
ら、従来認識されてはいなかったが、装置を含めたオキ
ソ反応器への循環管路設備の腐食を最少にするための水
分除去の価値は、オキソ反応器へ循環させるために回収
されるエチレンと塩化水素の付加価値と相まって、回収
コストをまかなうに十分な価値が見出される。
はエチレンと窒素であるベント流から、極少量の水分、
塩素及び塩化水素を回収することは、腐食の問題が大き
いため、回収コストが回収される成分の価値を超えてし
まうので、回収するに値しないと思われる。しかしなが
ら、従来認識されてはいなかったが、装置を含めたオキ
ソ反応器への循環管路設備の腐食を最少にするための水
分除去の価値は、オキソ反応器へ循環させるために回収
されるエチレンと塩化水素の付加価値と相まって、回収
コストをまかなうに十分な価値が見出される。
従来、平衡法における目標は、直接塩素化反応器であれ
、凝縮器であれ、貯蔵タンク等であれ利用できる源から
の流出液中のエチレン、塩素及び塩化水素の回収と再循
環にあった。そして、流出液混合物をその塩素、塩化水
素及びエチレンの価値のため回収しようとする場合、そ
れをオキソ反応器へ循環させることは、論理的にすぐに
明らかなことである。従来、未反応塩素量を最少にする
ため大過剰用いたエチレンの回収に重点が置かれ、循環
させるベント流の乾燥を行うことはなかったので、装置
材料に及ぼす水分の影響については無関心であったと思
われる。
、凝縮器であれ、貯蔵タンク等であれ利用できる源から
の流出液中のエチレン、塩素及び塩化水素の回収と再循
環にあった。そして、流出液混合物をその塩素、塩化水
素及びエチレンの価値のため回収しようとする場合、そ
れをオキソ反応器へ循環させることは、論理的にすぐに
明らかなことである。従来、未反応塩素量を最少にする
ため大過剰用いたエチレンの回収に重点が置かれ、循環
させるベント流の乾燥を行うことはなかったので、装置
材料に及ぼす水分の影響については無関心であったと思
われる。
EDCプラントで発生するエチレン、塩素、塩化水素及
び水を含有するベントガス混合物の回収法の例が、19
82年7月1日発行のドイツ連邦共和国特許出願公開公
報第DE3044854A1号に開示されている。即ち
、大気圧又はそれを超える圧力で運転される直接塩素化
反応器からベントされたベントガスは、1〜2℃の範囲
の温度まで冷却される。
び水を含有するベントガス混合物の回収法の例が、19
82年7月1日発行のドイツ連邦共和国特許出願公開公
報第DE3044854A1号に開示されている。即ち
、大気圧又はそれを超える圧力で運転される直接塩素化
反応器からベントされたベントガスは、1〜2℃の範囲
の温度まで冷却される。
しかしながら、ベントガス中の水分が氷結して管路を閉
塞することのないように、その温度以下には冷却しない
。凝縮しないベントガスは、次に、アルカリで洗浄し、
未反応塩素を除去する。明らかに、この発明では、水の
除去は意図されておらず、当然、水の氷結点を超えた温
度において、ベント流中の分圧の量の水分が凝縮する。
塞することのないように、その温度以下には冷却しない
。凝縮しないベントガスは、次に、アルカリで洗浄し、
未反応塩素を除去する。明らかに、この発明では、水の
除去は意図されておらず、当然、水の氷結点を超えた温
度において、ベント流中の分圧の量の水分が凝縮する。
上記公開公報は、又、温度を一20℃まで低下させて凝
縮物を高率で除去しようとする試みは、管路中に存在す
る水分が氷結し管路を閉塞したため不成功であったと述
べている。この発見のため、該ドイツ特許権者等は、ベ
ントガスの冷却は水の氷結点以上とし、水分を始めとし
た凝縮物は低率とし、ベント混合物は、余分の水分の存
在が問題とならないオキシクロリネーション反応器へ循
環させることに興味を抱いていたため、凝縮物を高い凝
縮温度で得たのである。良く知られていることであるが
、次式で示されるオキシクロリネーション反応では、水
とEDCが等モル量生成する。
縮物を高率で除去しようとする試みは、管路中に存在す
る水分が氷結し管路を閉塞したため不成功であったと述
べている。この発見のため、該ドイツ特許権者等は、ベ
ントガスの冷却は水の氷結点以上とし、水分を始めとし
た凝縮物は低率とし、ベント混合物は、余分の水分の存
在が問題とならないオキシクロリネーション反応器へ循
環させることに興味を抱いていたため、凝縮物を高い凝
縮温度で得たのである。良く知られていることであるが
、次式で示されるオキシクロリネーション反応では、水
とEDCが等モル量生成する。
CH2=CHz + 2)ICI + 0.50z
→ClCH2CH2Cl +)120、 該ドイツ特
許権者等は、水分の除去を行わず、該ドイツ特許権者等
自身が引用した従来技術の一例において、ベントガスを
凍結温度(水の)以下にまで冷却している。この場合、
氷が生じ(管路を閉塞する)、継続的に水を除去するこ
とは不可能であることは明白である。たとえこのような
分離が生じたとしても、偶発的なものであり、ベントガ
ス中の水分の存在による装置腐食の抑制とは何ら関係し
ないものである。とりわけ、該特許権者等は、生成物塔
からのベントガスの単離が、EDC設備全般からのベン
トガスの混合物中に多量の水分が含まれる問題を解決す
ることになるとは理解していなかったようである。
→ClCH2CH2Cl +)120、 該ドイツ特
許権者等は、水分の除去を行わず、該ドイツ特許権者等
自身が引用した従来技術の一例において、ベントガスを
凍結温度(水の)以下にまで冷却している。この場合、
氷が生じ(管路を閉塞する)、継続的に水を除去するこ
とは不可能であることは明白である。たとえこのような
分離が生じたとしても、偶発的なものであり、ベントガ
ス中の水分の存在による装置腐食の抑制とは何ら関係し
ないものである。とりわけ、該特許権者等は、生成物塔
からのベントガスの単離が、EDC設備全般からのベン
トガスの混合物中に多量の水分が含まれる問題を解決す
ることになるとは理解していなかったようである。
相互に一致するものではないが、該特許権者等による循
環管路と装置建造材料の選択は、HTDC反応器からの
流出液管路とともにオキソ反応器への循環管路における
塩素及び水分の存在に起因する腐食の問題に対処すべく
なされたものであると考えられる。
環管路と装置建造材料の選択は、HTDC反応器からの
流出液管路とともにオキソ反応器への循環管路における
塩素及び水分の存在に起因する腐食の問題に対処すべく
なされたものであると考えられる。
直接塩素化反応器から排出される腐食性生成物中の微量
の水分は、EDC製造設備において生成物塔ベント流か
ら、次の工程において除去可能であることが見出された
。即ち、HTDC反応器への湿潤供給塩素中の水分が塩
素量の1重量%未満である限り、又、この反応器からの
排出物中の水分が排出物全重量に対して300ppm未
満である限り、ベント流を、氷の生成に起因する装置及
び管路の閉塞の問題を生じることなく0℃以下の温度に
冷却することができる。
の水分は、EDC製造設備において生成物塔ベント流か
ら、次の工程において除去可能であることが見出された
。即ち、HTDC反応器への湿潤供給塩素中の水分が塩
素量の1重量%未満である限り、又、この反応器からの
排出物中の水分が排出物全重量に対して300ppm未
満である限り、ベント流を、氷の生成に起因する装置及
び管路の閉塞の問題を生じることなく0℃以下の温度に
冷却することができる。
従って、本発明の主目的は、EDC製造のためオキシク
ロリネーション反応器に循環されるIITDc反応器か
らのベントガス中に含まれる水分に起因する腐食を最少
限に抑制する方法を提供することにある。即ち、本発明
によれば、EDC製造のためオキシクロリネーション反
応器に循環されるHTDC反応器からのベントガス中に
含まれる水分に起因する腐食を最少限に抑制する方法で
あって、該方法が、 (イ)供給塩素に対して1100ppm〜約1重量%の
範囲の水分を含有する湿潤塩素を、大気圧以上の圧力下
、約50℃以上の温度で、液状の塩素化炭化水素媒体中
で、化学量論量以上のエチレンと反応させ、)ITDC
反応器からの排出物中にEDC生成物を生成させ、 (ロ)生成物蒸留塔等の気液分離手段中にて、HTDC
から排出物中の高沸点成分からEDC生成物を分離し、 (ハ)蒸留塔からの塔頂留出物を、塔頂留出物ドラム中
で、EDCの大部分が凝縮し、且つ窒素、エチレン、塩
素、塩化水素及びベント流の重量当たり1.5重量%未
滴の水分から実質的になるベント流がベントするように
凝縮し、 (ニ)ベント流を約−30℃〜0℃の範囲の温度に冷却
して、ベント流中の凝縮性成分を凝縮させ且つ水を氷結
させ、 (ホ)該水及び凝縮性成分を、氷で管路を閉塞すること
なく、窒素、塩素、エチレン及び塩化水素等の非凝縮性
成分から分離し、且つ (へ)実質的に水を含有しない該非凝縮性成分を、該オ
キシクロリネーション反応器中へ循環する、以上の工程
を包含することにより、循環管路及び装置中に存在する
水に起因する腐食を最少限に抑制することを特徴とする
、HTDCからのヘントガス中に含有される水分に起因
する腐食を最少限に抑制する方法が提供される。
ロリネーション反応器に循環されるIITDc反応器か
らのベントガス中に含まれる水分に起因する腐食を最少
限に抑制する方法を提供することにある。即ち、本発明
によれば、EDC製造のためオキシクロリネーション反
応器に循環されるHTDC反応器からのベントガス中に
含まれる水分に起因する腐食を最少限に抑制する方法で
あって、該方法が、 (イ)供給塩素に対して1100ppm〜約1重量%の
範囲の水分を含有する湿潤塩素を、大気圧以上の圧力下
、約50℃以上の温度で、液状の塩素化炭化水素媒体中
で、化学量論量以上のエチレンと反応させ、)ITDC
反応器からの排出物中にEDC生成物を生成させ、 (ロ)生成物蒸留塔等の気液分離手段中にて、HTDC
から排出物中の高沸点成分からEDC生成物を分離し、 (ハ)蒸留塔からの塔頂留出物を、塔頂留出物ドラム中
で、EDCの大部分が凝縮し、且つ窒素、エチレン、塩
素、塩化水素及びベント流の重量当たり1.5重量%未
滴の水分から実質的になるベント流がベントするように
凝縮し、 (ニ)ベント流を約−30℃〜0℃の範囲の温度に冷却
して、ベント流中の凝縮性成分を凝縮させ且つ水を氷結
させ、 (ホ)該水及び凝縮性成分を、氷で管路を閉塞すること
なく、窒素、塩素、エチレン及び塩化水素等の非凝縮性
成分から分離し、且つ (へ)実質的に水を含有しない該非凝縮性成分を、該オ
キシクロリネーション反応器中へ循環する、以上の工程
を包含することにより、循環管路及び装置中に存在する
水に起因する腐食を最少限に抑制することを特徴とする
、HTDCからのヘントガス中に含有される水分に起因
する腐食を最少限に抑制する方法が提供される。
本発明に関する上記及び他の目的並びに効果は、本発明
の好ましい態様を概略的に図示する添付図面に言及しな
がらなされる下記の詳細な説明により明らかになろう。
の好ましい態様を概略的に図示する添付図面に言及しな
がらなされる下記の詳細な説明により明らかになろう。
添付図面は、高温直接塩素化(HTDC)反応器の一態
様である代表的な沸騰型反応器及び生成物塔、並びに冷
却され、ベントガスコンプレッサーにより圧縮された後
オキソ反応器へ循環される生成物塔ベントガスを生ずる
上記各装置からの流出液の流れの関係を示した簡略系統
工程図である。
様である代表的な沸騰型反応器及び生成物塔、並びに冷
却され、ベントガスコンプレッサーにより圧縮された後
オキソ反応器へ循環される生成物塔ベントガスを生ずる
上記各装置からの流出液の流れの関係を示した簡略系統
工程図である。
本発明を以下、1(TDC反応器である沸騰型反応器に
係る一態様により詳述する。しかしながら、本発明は、
塩素とエチレンを反応させ、約1100ppm〜約0.
5重量%の塩素と比較的少量(IITDc反応器からの
排出物容量に対して)の窒素、塩化水素、エチレン、酸
素及び水蒸気を含む実質的に純粋(99,+%)のED
C排出物を製造するための直接塩素化反応器のいずれの
種類のものについても等しく適用できる。通常は、)I
TDc流出液の全成分重量に対し、エチレンは約500
ppm〜約1.0重量%の範囲にあり、ポリ塩素化化合
物は約50ppm〜約0.1重量%の範囲にあり、塩化
水素は約0.5重量%〜約7重量%の範囲にあり、窒素
は約0.4重量%〜約20重量%の範囲にあり、酸素は
約0.1重量%〜約5重量%の範囲にあり、これらに、
少量の炭酸ガスとエタンが含まれる。
係る一態様により詳述する。しかしながら、本発明は、
塩素とエチレンを反応させ、約1100ppm〜約0.
5重量%の塩素と比較的少量(IITDc反応器からの
排出物容量に対して)の窒素、塩化水素、エチレン、酸
素及び水蒸気を含む実質的に純粋(99,+%)のED
C排出物を製造するための直接塩素化反応器のいずれの
種類のものについても等しく適用できる。通常は、)I
TDc流出液の全成分重量に対し、エチレンは約500
ppm〜約1.0重量%の範囲にあり、ポリ塩素化化合
物は約50ppm〜約0.1重量%の範囲にあり、塩化
水素は約0.5重量%〜約7重量%の範囲にあり、窒素
は約0.4重量%〜約20重量%の範囲にあり、酸素は
約0.1重量%〜約5重量%の範囲にあり、これらに、
少量の炭酸ガスとエタンが含まれる。
添付図面は、参照番号10で総括的に指称するHTDC
反応器の概略工程系統図を示す。この反応器内には、液
状EDC1及び目的に応じた触媒量のFecI3等の直
接塩素化反応触媒が、約1気圧〜約3気圧の範囲の大気
圧以上の圧力下、沸点温度で維持される。塩素と反応し
EDCを生成するに必要な化学量論量を約1%〜約5%
超過した少過剰のモル量のエチレン(本明細書中では、
「過剰エチレン」と呼ぶ)を、エチレン供給管路11を
通じて、又、塩素を塩素供給管路12を通じて、共に底
部付近より供給し、それらを、反応器内に液体反応媒体
として入れである主としてEDCからなる熱液状塩素化
炭化水素(クロロヒドロカーボンrCHCJ液)中で発
熱反応させる。
反応器の概略工程系統図を示す。この反応器内には、液
状EDC1及び目的に応じた触媒量のFecI3等の直
接塩素化反応触媒が、約1気圧〜約3気圧の範囲の大気
圧以上の圧力下、沸点温度で維持される。塩素と反応し
EDCを生成するに必要な化学量論量を約1%〜約5%
超過した少過剰のモル量のエチレン(本明細書中では、
「過剰エチレン」と呼ぶ)を、エチレン供給管路11を
通じて、又、塩素を塩素供給管路12を通じて、共に底
部付近より供給し、それらを、反応器内に液体反応媒体
として入れである主としてEDCからなる熱液状塩素化
炭化水素(クロロヒドロカーボンrCHCJ液)中で発
熱反応させる。
CHC液は、通常、微量の1.1.2−トリクロロエタ
ン(トリアン)、1.1.1,2−又は1.1,2.2
−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン等の1(T
DC反応器内で副反応により生成するCHC不純物を含
む。
ン(トリアン)、1.1.1,2−又は1.1,2.2
−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン等の1(T
DC反応器内で副反応により生成するCHC不純物を含
む。
反応熱によりEDCを留去するとともに、反応物質が約
5psig〜約25psiHの圧力下、約50°C〜約
120℃の範囲の温度、好ましくは約り0℃〜約95℃
の範囲の温度に維持されるように、反応を制御する。
5psig〜約25psiHの圧力下、約50°C〜約
120℃の範囲の温度、好ましくは約り0℃〜約95℃
の範囲の温度に維持されるように、反応を制御する。
塩素を、EDCへの選択性を向上させるため、又、各成
分中に2個より多くの塩素原子を有するトリアン等のポ
リ塩素化化合物の生成をもたらすフリーラジカル反応を
抑制するため、エチレン、塩素及び酸素の混合フローに
対し、約0.1重量%〜約1重量%の範囲の酸素と慎重
に「調合」する。
分中に2個より多くの塩素原子を有するトリアン等のポ
リ塩素化化合物の生成をもたらすフリーラジカル反応を
抑制するため、エチレン、塩素及び酸素の混合フローに
対し、約0.1重量%〜約1重量%の範囲の酸素と慎重
に「調合」する。
これらのポリ塩素化化合物は望ましくはないが、反応の
副生成物として不可避的に生成する。これらは、EDC
より高沸点なので、液体反応媒体中で濃縮する傾向があ
る。従って、底部流13を、反応器より抜き出す。酸素
は、簡便に、空気をエチレン又は塩素供給管路中に注入
するか、別のスパージャ−中に注入し導入する。この空
気の注入は、流出液中に存在する過剰エチレンの量に容
積で匹敵する、比較的多量の窒素の導入をもたらすが、
この窒素は単にシステムを通って「運搬」されるのみで
ある。この酸素の存在は、EDCを生成する反応には有
益ではあるけれども、未反応塩素と水分による腐食を更
に悪化させる。
副生成物として不可避的に生成する。これらは、EDC
より高沸点なので、液体反応媒体中で濃縮する傾向があ
る。従って、底部流13を、反応器より抜き出す。酸素
は、簡便に、空気をエチレン又は塩素供給管路中に注入
するか、別のスパージャ−中に注入し導入する。この空
気の注入は、流出液中に存在する過剰エチレンの量に容
積で匹敵する、比較的多量の窒素の導入をもたらすが、
この窒素は単にシステムを通って「運搬」されるのみで
ある。この酸素の存在は、EDCを生成する反応には有
益ではあるけれども、未反応塩素と水分による腐食を更
に悪化させる。
供給される塩素は、液体であれ気体であれ、何らかの理
由により乾燥状態ではない。即ち、通常、塩素は、電解
槽からのものであるため、水分を含む。水分含量は、塩
素に対し約20ppm〜約1重量%の範囲、より一般的
には約50ppm〜約300ppmの範囲で変化する。
由により乾燥状態ではない。即ち、通常、塩素は、電解
槽からのものであるため、水分を含む。水分含量は、塩
素に対し約20ppm〜約1重量%の範囲、より一般的
には約50ppm〜約300ppmの範囲で変化する。
塩素とともに反応器中へ導入されるこの種の水分とは別
に、供給源により変化するが1 ppm〜50ppmの
範囲のより少量の水分が、エチレンとともに導入される
ことがある。更に、少量の水が、反応器中で副反応によ
り生成することがある。導入された水分の全ては、反応
器を出る時に、反応器の塔頂付近で、管路14を通じて
留去される塔頂留出物液と底部管路13流体に分配され
る。
に、供給源により変化するが1 ppm〜50ppmの
範囲のより少量の水分が、エチレンとともに導入される
ことがある。更に、少量の水が、反応器中で副反応によ
り生成することがある。導入された水分の全ては、反応
器を出る時に、反応器の塔頂付近で、管路14を通じて
留去される塔頂留出物液と底部管路13流体に分配され
る。
管路14中の流出液は、生成物基20中の底部付近に導
入される。この生成物基は、トレイ又は他の通常の気液
平衡段階手段(図示されていない)を装備した蒸留塔で
ある。生成物基から底部液の一部を、循環ポンプ(図示
されていない)により循環管路21を通じて反応器10
へ循環する。−方、残部は、底部管路22を通じて抜き
出される。
入される。この生成物基は、トレイ又は他の通常の気液
平衡段階手段(図示されていない)を装備した蒸留塔で
ある。生成物基から底部液の一部を、循環ポンプ(図示
されていない)により循環管路21を通じて反応器10
へ循環する。−方、残部は、底部管路22を通じて抜き
出される。
生成物基20の塔頂留出物は、塔頂留出物管路23を通
じて流出し、凝縮器30中で、記号CWで示す冷却水流
との熱交換により冷却され、工業的に純粋な液状EDC
(99,5”%)は、管路24を通じて流出し、凝縮液
タンク40中に回収される。このEDC生成物は、管路
25を通じて抜き出され、その一部は管路26を通じて
生成物基の頂部付近に循環され、残部は管路27を通じ
てポンプにより生成物保管容器に送られる。
じて流出し、凝縮器30中で、記号CWで示す冷却水流
との熱交換により冷却され、工業的に純粋な液状EDC
(99,5”%)は、管路24を通じて流出し、凝縮液
タンク40中に回収される。このEDC生成物は、管路
25を通じて抜き出され、その一部は管路26を通じて
生成物基の頂部付近に循環され、残部は管路27を通じ
てポンプにより生成物保管容器に送られる。
エチレン、窒素、塩素、塩化水素、酸素及び少量の水並
びにEDCは、凝縮器30では凝縮せず、凝縮器ベント
流31として凝縮器からベントされる。凝縮器ベント流
のように、タンク40中の平衡状態で組成が決定される
類似の未凝縮ガス流がこのタンクから出てくる。このタ
ンクベント流は、管路41を通って出てきて、生成物基
ベント流管路42において凝縮器ベント流31と合流す
る。
びにEDCは、凝縮器30では凝縮せず、凝縮器ベント
流31として凝縮器からベントされる。凝縮器ベント流
のように、タンク40中の平衡状態で組成が決定される
類似の未凝縮ガス流がこのタンクから出てくる。このタ
ンクベント流は、管路41を通って出てきて、生成物基
ベント流管路42において凝縮器ベント流31と合流す
る。
生成物基ベント流は、水を凍結するのに十分な低温にま
で冷却されるので、生成物基ベント流の水含量が、生成
物基ベント流に対して1.5重量%未満であることが重
要であり、もしこれ以上の量で存在する場合には、凍結
したときに管路を閉塞してしまう。このため、供給する
塩素の水分を制御して、生成物基ベント流の水分が確実
に800ppmとなるようにするのが好ましい。
で冷却されるので、生成物基ベント流の水含量が、生成
物基ベント流に対して1.5重量%未満であることが重
要であり、もしこれ以上の量で存在する場合には、凍結
したときに管路を閉塞してしまう。このため、供給する
塩素の水分を制御して、生成物基ベント流の水分が確実
に800ppmとなるようにするのが好ましい。
生成物基ベント流を冷却するため、生成物基は、トレイ
の頂部温度が凝縮器用の使用冷却液流の温度と同じにし
、エチレンが多量にEDC凝縮液に溶解して失われるこ
とのないように運転する。夏季の条件下では、ベント流
の温度は、夏季冷却水0I X 温度に従って、好ましくは約100〜130cT:の範
囲であり、一方、冬季では、ベント流の温度は、これも
使用する冷却水温度に従って、約70〜906Fといっ
た低温でよい。管路31及び41から管路42を通る混
合流である生成物基ベント流は、好ましくは2段階で冷
却される。最も好ましい態様においては、生成物基ベン
ト流は、ブライン凝縮器45に導入され、そこで、添付
図面に「ブライン」として示されている冷却ブライン流
により約−30”F〜約O〒の範囲の温度に冷却され、
大部分のEDCとそれと平衡状態にある水が凝縮されて
、好ましくは約20〜60°F、より好ましくは30〜
50°Fの範囲の温度で管路46を通って凝縮器をでる
。
の頂部温度が凝縮器用の使用冷却液流の温度と同じにし
、エチレンが多量にEDC凝縮液に溶解して失われるこ
とのないように運転する。夏季の条件下では、ベント流
の温度は、夏季冷却水0I X 温度に従って、好ましくは約100〜130cT:の範
囲であり、一方、冬季では、ベント流の温度は、これも
使用する冷却水温度に従って、約70〜906Fといっ
た低温でよい。管路31及び41から管路42を通る混
合流である生成物基ベント流は、好ましくは2段階で冷
却される。最も好ましい態様においては、生成物基ベン
ト流は、ブライン凝縮器45に導入され、そこで、添付
図面に「ブライン」として示されている冷却ブライン流
により約−30”F〜約O〒の範囲の温度に冷却され、
大部分のEDCとそれと平衡状態にある水が凝縮されて
、好ましくは約20〜60°F、より好ましくは30〜
50°Fの範囲の温度で管路46を通って凝縮器をでる
。
第2凝縮段階においては、ブライン凝縮器45からの未
凝縮ガスが、管路47を通って塩化水素凝縮器50に導
入され、約−160゜F〜約−140゜Fの範囲の温度
で、添付図面にrHcIJと示されている低温塩化水素
流により冷却され、ここでも大部分のEDCとそれと平
衡状態にある水が凝縮されて、未凝縮の窒素、エチレン
、塩化水素及び酸素(非凝縮成分)と混合し、好ましく
は約−60羊〜約−106F、より好ましくは約−30
°F〜約106Fの温度範囲で、管路51を通って塩化
水素凝縮器をでる。
凝縮ガスが、管路47を通って塩化水素凝縮器50に導
入され、約−160゜F〜約−140゜Fの範囲の温度
で、添付図面にrHcIJと示されている低温塩化水素
流により冷却され、ここでも大部分のEDCとそれと平
衡状態にある水が凝縮されて、未凝縮の窒素、エチレン
、塩化水素及び酸素(非凝縮成分)と混合し、好ましく
は約−60羊〜約−106F、より好ましくは約−30
°F〜約106Fの温度範囲で、管路51を通って塩化
水素凝縮器をでる。
塩化水素凝縮器からの凝縮液は、ペントノソクアウトボ
ソト52に流れ込み、そこで、液状凝縮液は、管路53
を通ってノックアウトポット52をでる非凝縮性成分か
ら分離される。この液状凝縮液は、管路54を通って流
れ、管路46中の液体と合流し、得られる混合フローは
、管路55を介してポンプ(図示されていない)により
EDC設備のオキシクロリネーション部、即ち、「オキ
シ洗浄装備」に送られ、そこでEDCは精製される。
ソト52に流れ込み、そこで、液状凝縮液は、管路53
を通ってノックアウトポット52をでる非凝縮性成分か
ら分離される。この液状凝縮液は、管路54を通って流
れ、管路46中の液体と合流し、得られる混合フローは
、管路55を介してポンプ(図示されていない)により
EDC設備のオキシクロリネーション部、即ち、「オキ
シ洗浄装備」に送られ、そこでEDCは精製される。
はぼ大気圧あるいはそれよりわずかに高い圧力、即ち、
約l〜lOpsigの範囲の圧力の管路53中の非凝縮
性成分は、管路57を通ってベントコンプレッサー60
部に導入され、コンプレッサーが、非凝縮性成分を管路
61を通ってオキシ反応器に供給するに十分な圧力、好
ましくは50〜150psigの範囲の圧力にまで昇圧
する。管路5Gは、ベントコンプレッサーが停止したり
、あるいは、必要に応じて、非凝縮性成分の一部分を燃
料として焼却する時に非凝縮性成分を焼却炉に導入する
ために設けられる。
約l〜lOpsigの範囲の圧力の管路53中の非凝縮
性成分は、管路57を通ってベントコンプレッサー60
部に導入され、コンプレッサーが、非凝縮性成分を管路
61を通ってオキシ反応器に供給するに十分な圧力、好
ましくは50〜150psigの範囲の圧力にまで昇圧
する。管路5Gは、ベントコンプレッサーが停止したり
、あるいは、必要に応じて、非凝縮性成分の一部分を燃
料として焼却する時に非凝縮性成分を焼却炉に導入する
ために設けられる。
代表的な生成物塔ベントガスの各成分は、下記の範囲の
濃度を有している。
濃度を有している。
底−分 里量久
エチレン 30〜50
窒素 30〜40
塩化水素 5〜8
酸素 3〜5
EDC2〜4
エタン 0.1〜1.0
塩素(ppm) 300〜2000水(ppm)
100〜1500又、次のような平均分析値を
有する生成物塔ベントガスが最も好ましい。
100〜1500又、次のような平均分析値を
有する生成物塔ベントガスが最も好ましい。
以下余白
城−二定 l」L護
エチレン 46
窒素 36
塩化水素 6.7
酸素 4.6
E D C2,6
エタン 0.6
塩素(ppm) 1000
水(ppm) 500
添付図面は、高温直接塩素化(HTDC)反応器の一態
様である代表的な沸騰型反応器及び生成物塔、並びに冷
却され、ベントガスコンプレッサーにより圧縮された後
オキソ反応器へ循環される生成物塔ベントガスを生ずる
上記各装置からの流出液の流れの関係を示した簡略系統
工程図である。 10・・・沸騰型反応器、 20・・・生成物塔、 30・・・凝縮器、 40・・・凝縮液タンク、 45・・・ブライン凝縮器、 50・・・塩化水素凝縮器、 52・・・ベントノソクアウトボソト、60・・・ベン
トコンプレッサー。
様である代表的な沸騰型反応器及び生成物塔、並びに冷
却され、ベントガスコンプレッサーにより圧縮された後
オキソ反応器へ循環される生成物塔ベントガスを生ずる
上記各装置からの流出液の流れの関係を示した簡略系統
工程図である。 10・・・沸騰型反応器、 20・・・生成物塔、 30・・・凝縮器、 40・・・凝縮液タンク、 45・・・ブライン凝縮器、 50・・・塩化水素凝縮器、 52・・・ベントノソクアウトボソト、60・・・ベン
トコンプレッサー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、エチレンの1,2−ジクロロエタンあるいは二塩化
エチレン(EDC)への転化用高温直接塩素化(HTD
C)反応器からベントされ、EDC製造用オキシクロリ
ネーション反応器に循環されるベントガス中に含まれる
水分に起因する腐食を、最少限に抑制する方法であって
、該方法が、(イ)供給塩素に対して100ppm〜約
1重量%の範囲の水分を含有する湿潤塩素を、大気圧以
上の圧力下、約50℃以上の温度で、液状の塩素化炭化
水素媒体中で、化学量論量以上のエチレンと反応させ、
HTDC反応器からの排出物中にEDC生成物を生成さ
せ、 (ロ)気液分離手段中にて、HTDCからの排出物中の
高沸点成分から、EDC生成物を分離し、(ハ)該分離
手段からの塔頂留出物を、塔頂留出物ドラム中で、ED
Cの大部分が凝縮し、且つ窒素、エチレン、塩素、塩化
水素及びベント流の重量当たり1.5重量%未満の水分
から実質的になるベント流がベントするように凝縮し、 (ニ)該ベント流を約−30℃〜0℃の範囲の温度に冷
却して、ベント流中の凝縮性成分を凝縮させ且つ水を氷
結させ、 (ホ)該水及び凝縮性成分を、氷で管路を閉塞すること
なく、窒素、塩素、エチレン及び塩化水素等の非凝縮性
成分から分離し、且つ (ヘ)実質的に水を含有しない該非凝縮性成分を、該オ
キシクロリネーション反応器中へ循環する、以上の工程
を包含することにより、循環管路及び装置中に存在する
水に起因する腐食を最少限に抑制することを特徴とする
、HTDCからのベントガス中に含有される水分に起因
する腐食を最少限に抑制する方法。 2、該気液分離手段が、生成物蒸留塔である特許請求の
範囲第1項に記載の方法。 3、該HTDCが、約大気圧〜約25psigの範囲の
圧力で運転する沸騰型反応器であり、且つ該排出物が、
該反応器から流出する塔頂留出蒸気である特許請求の範
囲第2項に記載の方法。 4、該HTDCが、約大気圧〜約200psigの範囲
の圧力で運転する非沸騰型反応器であり、且つ該排出物
が、該反応器からの側流である特許請求の範囲第2項に
記載の方法。 5、該ベント流中の水含量が、800ppm未満である
特許請求の範囲第2項に記載の方法。 6、該ベント流が、約70°F〜約130°Fの温度範
囲で、塔頂留出物凝縮器からの非凝縮性塔頂留出ガスと
塔頂留出物凝縮物ドラムからの非凝縮性塔頂留出ガスと
の混合物を含み、且つ該ベント流を、非凝縮性成分が約
20°F〜約60°Fの範囲の温度で放出される第1段
と非凝縮性成分が約−60゜F〜約−10゜Fの範囲の
温度で放出される第2段の2段階で凝縮する特許請求の
範囲第5項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US908744 | 1986-09-18 | ||
US06/908,744 US4760207A (en) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | Recovery of ethylene, chlorine and HCl from vented waste gas from direct chlorination reactor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01125334A true JPH01125334A (ja) | 1989-05-17 |
JPH0819015B2 JPH0819015B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=25426186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62231216A Expired - Lifetime JPH0819015B2 (ja) | 1986-09-18 | 1987-09-17 | 直接塩素化反応器のベント廃ガスからのエチレン、塩素及び塩化水素の回収 |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4760207A (ja) |
EP (1) | EP0260650B1 (ja) |
JP (1) | JPH0819015B2 (ja) |
KR (1) | KR950008272B1 (ja) |
CN (1) | CN1012170B (ja) |
AR (1) | AR243489A1 (ja) |
AU (1) | AU596868B2 (ja) |
BG (1) | BG49823A3 (ja) |
BR (1) | BR8704802A (ja) |
CA (1) | CA1281745C (ja) |
DE (1) | DE3779380D1 (ja) |
ES (1) | ES2032792T3 (ja) |
HU (1) | HU205595B (ja) |
MX (1) | MX169478B (ja) |
NO (1) | NO165234C (ja) |
PT (1) | PT85741B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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CN1057992C (zh) * | 1995-03-30 | 2000-11-01 | 株式会社德山 | 多氯甲烷的制造方法 |
IN192223B (ja) * | 1995-12-28 | 2004-03-20 | Du Pont | |
DE19904836C1 (de) * | 1999-02-06 | 2000-08-31 | Krupp Uhde Gmbh | Verfahren zur Herstellung von 1,2-Dichlorethan |
DE10030681A1 (de) * | 2000-06-23 | 2002-01-10 | Vinnolit Technologie Gmbh & Co | Verfahren zur Herstellung von 1,2-Dichlorethan durch Direktchlorierung |
DE102006024515A1 (de) * | 2006-05-23 | 2007-11-29 | Bayer Materialscience Ag | Verfahren zur Chlorwasserstoff-Oxidation mit Sauerstoff |
TWI633206B (zh) * | 2013-07-31 | 2018-08-21 | 卡利拉股份有限公司 | 使用金屬氧化物之電化學氫氧化物系統及方法 |
CN112159302A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-01-01 | 天津渤化工程有限公司 | 整体集合型高温直接氯化系统及方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4046822A (en) * | 1971-10-26 | 1977-09-06 | Stauffer Chemical Company | Method for recovering ethylene values |
DE3044854A1 (de) * | 1980-11-28 | 1982-07-01 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | "verfahren zur herstellung von 1,2-dichlorethan" |
US4547599A (en) * | 1984-04-27 | 1985-10-15 | The B. F. Goodrich Company | Process for scavenging free chlorine in an ethylene dichloride stream |
US4590317A (en) * | 1984-08-06 | 1986-05-20 | The B. F. Goodrich Company | Process for minimizing corrosion and coking in an ethylene dichloride plant |
US4740642A (en) * | 1986-08-21 | 1988-04-26 | The Bf Goodrich Company | Catalyst and process for the fluid-bed oxychlorination of ethylene to EDC |
DE3700132A1 (de) * | 1987-01-03 | 1988-07-14 | Dow Chemical Gmbh | Verfahren zum herstellen von ethylendichlorid |
-
1986
- 1986-09-18 US US06/908,744 patent/US4760207A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-08 AU AU78158/87A patent/AU596868B2/en not_active Ceased
- 1987-09-15 EP EP87113457A patent/EP0260650B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-15 ES ES198787113457T patent/ES2032792T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-15 DE DE8787113457T patent/DE3779380D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-16 NO NO873887A patent/NO165234C/no not_active IP Right Cessation
- 1987-09-16 HU HU874112A patent/HU205595B/hu not_active IP Right Cessation
- 1987-09-17 JP JP62231216A patent/JPH0819015B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-17 BR BR8704802A patent/BR8704802A/pt not_active IP Right Cessation
- 1987-09-17 PT PT85741A patent/PT85741B/pt unknown
- 1987-09-17 CA CA000547200A patent/CA1281745C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-18 CN CN87106432A patent/CN1012170B/zh not_active Expired
- 1987-09-18 BG BG81222A patent/BG49823A3/xx unknown
- 1987-09-18 MX MX008362A patent/MX169478B/es unknown
- 1987-09-18 KR KR1019870010369A patent/KR950008272B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-09-18 AR AR87308767A patent/AR243489A1/es active
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DE3779380D1 (de) | 1992-07-02 |
EP0260650A3 (en) | 1989-04-05 |
AR243489A1 (es) | 1993-08-31 |
PT85741A (en) | 1987-10-01 |
EP0260650B1 (en) | 1992-05-27 |
NO165234C (no) | 1991-01-16 |
NO873887D0 (no) | 1987-09-16 |
KR880003882A (ko) | 1988-06-01 |
NO165234B (no) | 1990-10-08 |
US4760207A (en) | 1988-07-26 |
PT85741B (pt) | 1990-06-29 |
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