JPH01119929A - 光ビックアップ - Google Patents

光ビックアップ

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JPH01119929A
JPH01119929A JP62277707A JP27770787A JPH01119929A JP H01119929 A JPH01119929 A JP H01119929A JP 62277707 A JP62277707 A JP 62277707A JP 27770787 A JP27770787 A JP 27770787A JP H01119929 A JPH01119929 A JP H01119929A
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JP
Japan
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diffraction lattice
disk
reflected
diffraction grating
generated
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Osamu Yokoyama
修 横山
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Seiko Epson Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics

Landscapes

  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ピックアップに用いられている回折格子の構
造に関する。
〔従来の技術〕
従来、回折格子をビームスプリッタとして用いた光ピッ
クアップとしては特開昭６２−１７２５３８の様なもの
があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、前述の従来技術では、半導体レーザから出た光
が、回折格子を通過してディスクへ到達せずに、回折格
子の半導体レーザ側の面で反射されてフォトダイオード
に入り、ディスクからの信号光以外の出力を生じさせて
しまうという問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、回折格子を通過せずに反射され
てフォトダイオードに入る光を減少させた光ピックアッ
プを提供するところにある〔問題点を解決するための手
段〕 本発明の光ピックアップは、回折格子を構成要素の一つ
とする光ピックアップにおいて、前記回折路、子の形成
されている基板に無反射コーティングが施されているこ
とを特徴とする特 〔作用〕 本発明の上記の構成によれば、半導体レーザから出た光
が、回折格子の半導体レーザ側の面で反射されることが
ないため、回折格子に対して半導体レーザ側に配置され
ているフォトダイオードへ入る反射光が減少する。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例における光ピックアップの主要
構成図である。
半導体レーザ１０から出た光は回折格子１１を通過して
対物レンズ１３でディスク１４の−点く集光される。デ
ィスク１４の情報を含んだ反射光は再び対物レンズ１５
を通って回折格子１１で回折されて、その回折光１６が
フォトダイオード１５に入−）【情報が検出される。
回折格子１１はガラス基板の表面にフォトエツチングで
凹凸が形成され【おり、もう一方の面には真空蒸着法で
形成したＭｇ１Ｆ、の薄膜で無反射コーティング１２を
施しである。
回折格子としては透明体の凹凸だゆでなく、基板表面に
形成された余興薄膜をエツチングして′形成した透過率
の周期的変化を用いても良い。
また、無反射コーティングとしては多層膜を用いても良
く、回折格子の形成されている面に形成しても良い。
なお、本実施例は光ピックアップに用いられている回折
格子について無反射コーティングを施したが、この発明
は他のデバイスにおいて用いられている回折格子にも適
用できる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、回折格子の形成され
ている基板に無反射コーティングを施すことにより、回
折格子で反射されてフォトダイオードに入る光を減らす
ことができ、ディスクからの信号が検出しやすくなると
いう効果を有する。−
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の光ピックアップの実施例を示す主要構
成図。 １０・・・・・・・・・半導体レーザ １１・・・・・・・・・回折格子 １２・・パ・・・・・・無反射コーティング１３・・・
・・・・・・対物レンズ １４・・・：・・・・・ディスク １５・・・・・・・・・フォトダイオード１６・・・・
・・・・・回折光 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　回折格子を構成要素の一つとする光ピックアップにお
    いて、前記回折格子の形成されている基板に無反射コー
    ティングが施されていることを特徴とする光ピックアッ
    プ。
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