JPH01111448A - 遷移金属触媒の保存方法 - Google Patents
遷移金属触媒の保存方法Info
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- JPH01111448A JPH01111448A JP62268202A JP26820287A JPH01111448A JP H01111448 A JPH01111448 A JP H01111448A JP 62268202 A JP62268202 A JP 62268202A JP 26820287 A JP26820287 A JP 26820287A JP H01111448 A JPH01111448 A JP H01111448A
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Polymerization Catalysts (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は遷移金属触媒の保存方法に関する。詳しくは、
特定の化合物を一定量以下しか含有しない炭化水素溶剤
中でスラリー状態で保存する方法に関する。
特定の化合物を一定量以下しか含有しない炭化水素溶剤
中でスラリー状態で保存する方法に関する。
オレフィン重合用の触媒として、近来極めて高活性の遷
移金属触媒が開発され利用されている。
移金属触媒が開発され利用されている。
中でもマグネシウム化合物にチタン化合物を担持したも
のは高活性であり既に多くの種類のものがしられている
(例えば、ダイヤモンド経営開発情報 公開情報レポー
ト’87/2月版14〜17)。
のは高活性であり既に多くの種類のものがしられている
(例えば、ダイヤモンド経営開発情報 公開情報レポー
ト’87/2月版14〜17)。
触媒の活性が向上すると、触媒そのものの重合阻害成分
に対して相対的に弱(なるうえに、触媒の使用量が減少
するため比較的低濃度で保存する必要が生じてくる。そ
のため従来より使用する分散媒体の生成は注意深く行わ
れ水、アルコール等の含OH基化合物等は厳密に管理さ
れている。
に対して相対的に弱(なるうえに、触媒の使用量が減少
するため比較的低濃度で保存する必要が生じてくる。そ
のため従来より使用する分散媒体の生成は注意深く行わ
れ水、アルコール等の含OH基化合物等は厳密に管理さ
れている。
しかしながら、実際に高活性の遷移金属触媒を使用する
に際して、上記含OH基化合物を厳密に除去した溶剤を
分散媒体として用いても活性が劣る場合があることがあ
り、その原因を除くことが望まれた。
に際して、上記含OH基化合物を厳密に除去した溶剤を
分散媒体として用いても活性が劣る場合があることがあ
り、その原因を除くことが望まれた。
本発明者らは上記問題を解決する方法について鋭意検討
した結果特定の塩素化エーテル類が遷移金属触媒の性能
を大幅に低下させることを見出し本発明を完成した。
した結果特定の塩素化エーテル類が遷移金属触媒の性能
を大幅に低下させることを見出し本発明を完成した。
即ち本発明は、マグネシウム化合物にチタン化合物を担
持して得た遷移金属触媒を炭化水素溶剤中でスラリー状
態で保存する方法において、該炭化水素溶剤として一般
式R1O−CJs−Cl (式中R1は炭化水素残基)
で表される塩素化エーテル類の含有量が1oppm以下
である炭化水素溶剤を用いることを特徴とする遷移金属
触媒の保存方法である。
持して得た遷移金属触媒を炭化水素溶剤中でスラリー状
態で保存する方法において、該炭化水素溶剤として一般
式R1O−CJs−Cl (式中R1は炭化水素残基)
で表される塩素化エーテル類の含有量が1oppm以下
である炭化水素溶剤を用いることを特徴とする遷移金属
触媒の保存方法である。
本発明において、塩素化エーテル類としては一般式R1
O−C2H3−Cl (式中R1は炭化水素残基)で表
される化合物が挙げられるが、なかでもR1が比較的小
さい、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基ブチル
基、ヘキシル基等である化合物が活性の低下に影響を与
える為、厳密に管理し10ppm以下に制御する必要が
ある。好ましくは、全く存在しないことであるが、通常
の遷移金属触媒の保存条件では10ppm以下、特にs
ppm以下とすることで活性の低下は妨げる。
O−C2H3−Cl (式中R1は炭化水素残基)で表
される化合物が挙げられるが、なかでもR1が比較的小
さい、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基ブチル
基、ヘキシル基等である化合物が活性の低下に影響を与
える為、厳密に管理し10ppm以下に制御する必要が
ある。好ましくは、全く存在しないことであるが、通常
の遷移金属触媒の保存条件では10ppm以下、特にs
ppm以下とすることで活性の低下は妨げる。
本発明において、マグネシウム化合物にチタン化合物を
担持して得た遷移金属触媒としては特に制限は無く、ハ
ロゲン化マグネシウム或いはエステル、エーテル等の電
子供与性化合物で処理したハロゲン化マグネシウムにハ
ロゲン含有化合物を担持したもの、あるいは担体として
アルコキシマグネシウム、カルボン酸のマグネシウム塩
、或いはマグネシウム化合物以外の不活性な無機あるい
は有機の化合物を含有する、あるいは更にそれらを電子
供与性の化合物で処理したものを用いたものであっても
よい。これらの遷移金属触媒の具体例としては、上述の
文献に特許が多数例示されている。
担持して得た遷移金属触媒としては特に制限は無く、ハ
ロゲン化マグネシウム或いはエステル、エーテル等の電
子供与性化合物で処理したハロゲン化マグネシウムにハ
ロゲン含有化合物を担持したもの、あるいは担体として
アルコキシマグネシウム、カルボン酸のマグネシウム塩
、或いはマグネシウム化合物以外の不活性な無機あるい
は有機の化合物を含有する、あるいは更にそれらを電子
供与性の化合物で処理したものを用いたものであっても
よい。これらの遷移金属触媒の具体例としては、上述の
文献に特許が多数例示されている。
本発明において炭化水素溶剤としては、ペンタン、ヘキ
サン、ヘプタン、ノナン、デカン、ベンゼン、トルエン
、キシレン、エチルベンゼンなどあるいはその混合物が
挙げられる。保存にさいし遷移金属触媒は通常1g/L
以上好ましくは5g/L以上程度の濃度で保存するのが
より安全である。
サン、ヘプタン、ノナン、デカン、ベンゼン、トルエン
、キシレン、エチルベンゼンなどあるいはその混合物が
挙げられる。保存にさいし遷移金属触媒は通常1g/L
以上好ましくは5g/L以上程度の濃度で保存するのが
より安全である。
以下に実施例を示し本発明を更に説明する。
実験例1
市販のへブタンを硫酸で処理し、ついで水洗した後カル
シウムハイドライド上で還流処理し、さらに蒸留後、シ
リカゲルで繰り返し処理し、ついでモレキュラーシープ
ス3Aで乾燥した。このヘプタン中には塩素化エーテル
類は全く含まれていなかった。
シウムハイドライド上で還流処理し、さらに蒸留後、シ
リカゲルで繰り返し処理し、ついでモレキュラーシープ
ス3Aで乾燥した。このヘプタン中には塩素化エーテル
類は全く含まれていなかった。
無水の塩化マグネシウム20gとテトラエトキシシラン
31m1.2塩化エチレン4mlを40時間粉砕した。
31m1.2塩化エチレン4mlを40時間粉砕した。
得られた共粉砕物20gを300m1のフラスコに入れ
100m1のへブタン、100+nlの四塩化チタンを
加え90°Cで1時間加熱処理し、ついで静置し上澄み
を除去しさらに同様に10h+のへブタン、100a+
1の四塩化チタンを加え90°Cで1時間加熱処理した
。静置し上澄みを除去したのち、固形分をヘプタンで洗
浄して遷移金属触媒とした(参考例1)。一部を取り出
し10g/Lにヘプタンで希釈した(実施例1)、また
一部は2−エトキシ−1−クロルエタンを8ppm(実
施例2)、20ppm(比較例1)含むヘプタンにLo
g/Lとなるように希釈した、また比較のためエチルエ
ーテルを20ppm含むヘプタンに10g/Lとなるよ
うに希釈した(参考例2)、希釈後、直後と100時間
経過後それぞれの遷移金属触媒について性能を5Lのオ
ートクレーブを用い、75’ Cで2時間塊状重合して
評価した。この時遷移金属触媒30+*g、 )リエ
チルアルミニウムO,Ohl、ジエチルアルミニウムク
ロリド0.128m1 、 トルイル酸メチル0.0
6m1、プロピレン1.5kg 、水素1.38N+使
用した。結果は表に示す。
100m1のへブタン、100+nlの四塩化チタンを
加え90°Cで1時間加熱処理し、ついで静置し上澄み
を除去しさらに同様に10h+のへブタン、100a+
1の四塩化チタンを加え90°Cで1時間加熱処理した
。静置し上澄みを除去したのち、固形分をヘプタンで洗
浄して遷移金属触媒とした(参考例1)。一部を取り出
し10g/Lにヘプタンで希釈した(実施例1)、また
一部は2−エトキシ−1−クロルエタンを8ppm(実
施例2)、20ppm(比較例1)含むヘプタンにLo
g/Lとなるように希釈した、また比較のためエチルエ
ーテルを20ppm含むヘプタンに10g/Lとなるよ
うに希釈した(参考例2)、希釈後、直後と100時間
経過後それぞれの遷移金属触媒について性能を5Lのオ
ートクレーブを用い、75’ Cで2時間塊状重合して
評価した。この時遷移金属触媒30+*g、 )リエ
チルアルミニウムO,Ohl、ジエチルアルミニウムク
ロリド0.128m1 、 トルイル酸メチル0.0
6m1、プロピレン1.5kg 、水素1.38N+使
用した。結果は表に示す。
実験例2
実験例1と同様の塩素化エーテル類を含有しないヘプタ
ンを用いて以下の実験を行った。
ンを用いて以下の実験を行った。
300w Iの丸底フラスコにマグネシウム7.4g、
ジエチルエーテル201人れ、エーテルの還流下に臭化
シクロヘキサン25gとジエチルエーテル50m1の混
合物を1時間かけて滴下した。ついで塩化シクロヘキサ
ンを18gを1時間かけて添加しさら2時間還流下撹拌
処理し、C611+ +MgBro、 5cIo、 s
のエチルエーテル溶液を調製した。
ジエチルエーテル201人れ、エーテルの還流下に臭化
シクロヘキサン25gとジエチルエーテル50m1の混
合物を1時間かけて滴下した。ついで塩化シクロヘキサ
ンを18gを1時間かけて添加しさら2時間還流下撹拌
処理し、C611+ +MgBro、 5cIo、 s
のエチルエーテル溶液を調製した。
次いでエチルエーテルの還流下にアリルクロライド24
gを501のエチルエーテルに溶解したちのを3時間か
けて滴下し、さらに還流下に4時間撹拌した。
gを501のエチルエーテルに溶解したちのを3時間か
けて滴下し、さらに還流下に4時間撹拌した。
次いで室温でろ過し、固形分をエチルエーテルで洗浄し
、窒素気流で乾燥して、固形分41gを得た。得られた
固形分はMg:Cl3:Brがほぼ1:0.5:1.5
であり、MgBro、 5Cj1! +、 sであった
。
、窒素気流で乾燥して、固形分41gを得た。得られた
固形分はMg:Cl3:Brがほぼ1:0.5:1.5
であり、MgBro、 5Cj1! +、 sであった
。
上記固形分10gを200a+1の丸底フラスコに入れ
、四塩化チタン50m1.ヘプタン50m lを入れ、
90°Cで1時間撹拌処理し、次いで静置して上澄を除
去した。さらに四塩化チタン50g+1.ヘプタ750
m lを入れ、90’Cで1時間撹拌処理し、次いで静
置して上澄を除去し、得られた固形分をトルエンで7回
洗浄して遷移金属触媒とした0分析の結果はチタンを1
.3wtχ含存していた。
、四塩化チタン50m1.ヘプタン50m lを入れ、
90°Cで1時間撹拌処理し、次いで静置して上澄を除
去した。さらに四塩化チタン50g+1.ヘプタ750
m lを入れ、90’Cで1時間撹拌処理し、次いで静
置して上澄を除去し、得られた固形分をトルエンで7回
洗浄して遷移金属触媒とした0分析の結果はチタンを1
.3wtχ含存していた。
上記操作で得た遷移金属触媒を用い2−エトキシ−1−
クロルエタンにかえ2−イソプロポキシ−1−クロルエ
タンを用いた他は実験例1の実施例1(実施例3)、比
較例1(比較例2)と同様にした。但し、重合の際遷移
金属触媒20mg、トリエチルアルミニウム0.20+
al、 トリメトキシフェニルシラン0.05m1を
用いた。
クロルエタンにかえ2−イソプロポキシ−1−クロルエ
タンを用いた他は実験例1の実施例1(実施例3)、比
較例1(比較例2)と同様にした。但し、重合の際遷移
金属触媒20mg、トリエチルアルミニウム0.20+
al、 トリメトキシフェニルシラン0.05m1を
用いた。
〔本発明の効果]
本発明の方法を実施することで高活性な遷移金属触媒を
性能を低下させることなく保存でき工業的に極めて価値
がある。
性能を低下させることなく保存でき工業的に極めて価値
がある。
特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- マグネシウム化合物にチタン化合物を担持して得た遷移
金属触媒を炭化水素溶剤中でスラリー状態で保存する方
法において、該炭化水素溶剤として一般式R^1O−C
_2H_3−Cl(式中R^1は炭化水素残基)で表さ
れる塩素化エーテル類の含有量が10ppm以下である
炭化水素溶剤を用いることを特徴とする遷移金属触媒の
保存方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62268202A JPH0811191B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 遷移金属触媒の保存方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62268202A JPH0811191B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 遷移金属触媒の保存方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01111448A true JPH01111448A (ja) | 1989-04-28 |
JPH0811191B2 JPH0811191B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17455340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62268202A Expired - Lifetime JPH0811191B2 (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | 遷移金属触媒の保存方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0811191B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62268202A patent/JPH0811191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0811191B2 (ja) | 1996-02-07 |
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