JPH01105316A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01105316A JPH01105316A JP26213087A JP26213087A JPH01105316A JP H01105316 A JPH01105316 A JP H01105316A JP 26213087 A JP26213087 A JP 26213087A JP 26213087 A JP26213087 A JP 26213087A JP H01105316 A JPH01105316 A JP H01105316A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録に適する強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体に関するものである。
記録層とする磁気記録媒体に関するものである。
従来の技術
近年、磁気記録の高密度化の進歩は目覚しく、強磁性金
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の短波長出力特
性が注目されている〔アイイーイーイー トランザクシ
ロンズ オン マクネティクス（Ｉ ’Ｋ ＲＥ Ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ）
ｖｏｌ、 ＭＡＧ−２１、Ｎｏ−３、Ｐ、Ｐ、 １２１
７〜１２２０（１９８５）参照〕。特に垂直磁気記録方
式は原理２へ−７ 的に高密度化に適していることから、ディジタル信号記
録における狭トラック化、ビット長の短縮による高密度
化の実現のため、各方面で開発が続けられている。
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の短波長出力特
性が注目されている〔アイイーイーイー トランザクシ
ロンズ オン マクネティクス（Ｉ ’Ｋ ＲＥ Ｔｒ
ａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ）
ｖｏｌ、 ＭＡＧ−２１、Ｎｏ−３、Ｐ、Ｐ、 １２１
７〜１２２０（１９８５）参照〕。特に垂直磁気記録方
式は原理２へ−７ 的に高密度化に適していることから、ディジタル信号記
録における狭トラック化、ビット長の短縮による高密度
化の実現のため、各方面で開発が続けられている。
かかる磁気記録媒体は生産の立場からみて、ポリエステ
ルフィルム等のフレキシブルな基板上に直接電子ビーム
蒸着法や高速スパッタリング法でＣｏ −Ｏｒ 、 （
ｉｏ −Ｏｒ −Ｎｂ 、 Ｃｊｏ −０等の垂直磁化
膜を形成したものが、実用にたえうる０／Ｎを確保でき
、且つ耐久性も満足できるものとなることが強く望まれ
ている。
ルフィルム等のフレキシブルな基板上に直接電子ビーム
蒸着法や高速スパッタリング法でＣｏ −Ｏｒ 、 （
ｉｏ −Ｏｒ −Ｎｂ 、 Ｃｊｏ −０等の垂直磁化
膜を形成したものが、実用にたえうる０／Ｎを確保でき
、且つ耐久性も満足できるものとなることが強く望まれ
ている。
そのため、高分子フィルムからあらかじめ十分ガスを放
出させることが検討され〔日本応用磁気学会学術講演概
要集２６１ａム一８（１９８５）、日本応用磁気学会誌
ｖｏ１．１１ 、ＮＯ２、Ｐ、Ｐ、６９−７２（１９８
７）等参照〕結晶配向性の改善等がはかられている。
出させることが検討され〔日本応用磁気学会学術講演概
要集２６１ａム一８（１９８５）、日本応用磁気学会誌
ｖｏ１．１１ 、ＮＯ２、Ｐ、Ｐ、６９−７２（１９８
７）等参照〕結晶配向性の改善等がはかられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、市販のポリアミドイミドフィルム、ポリ
イミドフィルム、ポリエチレンテレフタ３ヘール −トフィルムのガス出し前処理を十分行っても、ビット
長が０．３μｍ以下になると十分なＣ／Ｈの磁気テープ
が得られないといった問題があり改善が望まれていた。
イミドフィルム、ポリエチレンテレフタ３ヘール −トフィルムのガス出し前処理を十分行っても、ビット
長が０．３μｍ以下になると十分なＣ／Ｈの磁気テープ
が得られないといった問題があり改善が望まれていた。
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、高密度記
録再生で十分なＣ／Ｎｉ得ることの出来る磁気記録媒体
を提供することを目的とするものである。
録再生で十分なＣ／Ｎｉ得ることの出来る磁気記録媒体
を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明の磁気記録媒体は上記した問題を解決するため、
高分子フィルムを構成する結晶部分の結晶粒径が長手方
向と直交方向とで路間−であるフィルム上に強磁性金属
薄膜を配したものである。
高分子フィルムを構成する結晶部分の結晶粒径が長手方
向と直交方向とで路間−であるフィルム上に強磁性金属
薄膜を配したものである。
作用
上記構成によれば、結晶部分以外はアモルファスで特に
方向性がないため、機械強度的に巨視的にとらえた場合
、強化延伸による方向性があっても、結晶が等方向なた
め、微視的には方向性がなく、三次元形状の微小面中に
形成される磁気ヘッドのギャップと安定な接触追従性が
得られ、短波長になる程重大な損失となるスペーシング
損失が大幅に改善されることでビット長０．３μｍ 、
記録波長０．６μｍ以下でもＣ／Ｎが改善確保できると
共に、微視的に方向性がなく、強磁性金属薄膜の結晶成
長が均一になることから、磁気特性や薄膜の結晶物性も
改善され、Ｃ／Ｎ改善が可能となるものである。
方向性がないため、機械強度的に巨視的にとらえた場合
、強化延伸による方向性があっても、結晶が等方向なた
め、微視的には方向性がなく、三次元形状の微小面中に
形成される磁気ヘッドのギャップと安定な接触追従性が
得られ、短波長になる程重大な損失となるスペーシング
損失が大幅に改善されることでビット長０．３μｍ 、
記録波長０．６μｍ以下でもＣ／Ｎが改善確保できると
共に、微視的に方向性がなく、強磁性金属薄膜の結晶成
長が均一になることから、磁気特性や薄膜の結晶物性も
改善され、Ｃ／Ｎ改善が可能となるものである。
実施例
以下、本発明の実施例について詳しく、図面参照しなが
ら説明する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図、第２図は本発明に用いた高分子フィルム
の結晶粒径異方性とＣ／Ｈの関係を示す特性図である。
ら説明する。第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体
の拡大断面図、第２図は本発明に用いた高分子フィルム
の結晶粒径異方性とＣ／Ｈの関係を示す特性図である。
第１図において、１はポリエチレンテレフタレート、ポ
リエチレン２．６−ナフタレート、ポリフェニレンサル
ファイド、ホリエーテルサルフオン等の高分子フィルム
で、結晶粒径が磁気テープを構成するのに用いた時、長
手方向となる方向と、それと直交する方向とで、同一サ
イズとなるよう構成されたもので、他の機械物性、光学
物性等に６ベー７ ついては格別の限定を受けるものではない。但し、結晶
粒径については、短波長Ｃ／Ｎと若干の相関をもつので
７０Å以下、更に好ましくは６０Å以下で構成するもの
とする。なお、この高分子フィルムの粒子形状はＸ線回
折により容易に計測することが可能である。さらに、高
分子フィルムの厚みは、磁気テープであれば４μｍから
１５μｍ、磁気ディスクであれば２０μｍから６０μｍ
が好ましい。尚必要であれば、微粒子を高分子フィルム
上に配してもよいが、微粒子を固定するために特に樹脂
を用いる場合は、付着量について十分検討し、その量は
抑制するのが好ましい。これらの微粒子としては、５０
Ａから６００人の５ｉ０２ ＊Ａ１２ｏ３． ｃａｃｏ
、、 ＢａＣｏ、、 ＭｇＯＩ ＴｉＯ２１ＺｒＯ２１
ＺｎＯ＋ ｌＣｕ２Ｏ３，０ｒ２０５＋ Ｆｅ２ｏ、等
を０．１〜１ｏｏμｍ２配したものが適しているが、微
粒子物質は上記した無機微粒子に限らず、有機微粒子で
あってもよい。
リエチレン２．６−ナフタレート、ポリフェニレンサル
ファイド、ホリエーテルサルフオン等の高分子フィルム
で、結晶粒径が磁気テープを構成するのに用いた時、長
手方向となる方向と、それと直交する方向とで、同一サ
イズとなるよう構成されたもので、他の機械物性、光学
物性等に６ベー７ ついては格別の限定を受けるものではない。但し、結晶
粒径については、短波長Ｃ／Ｎと若干の相関をもつので
７０Å以下、更に好ましくは６０Å以下で構成するもの
とする。なお、この高分子フィルムの粒子形状はＸ線回
折により容易に計測することが可能である。さらに、高
分子フィルムの厚みは、磁気テープであれば４μｍから
１５μｍ、磁気ディスクであれば２０μｍから６０μｍ
が好ましい。尚必要であれば、微粒子を高分子フィルム
上に配してもよいが、微粒子を固定するために特に樹脂
を用いる場合は、付着量について十分検討し、その量は
抑制するのが好ましい。これらの微粒子としては、５０
Ａから６００人の５ｉ０２ ＊Ａ１２ｏ３． ｃａｃｏ
、、 ＢａＣｏ、、 ＭｇＯＩ ＴｉＯ２１ＺｒＯ２１
ＺｎＯ＋ ｌＣｕ２Ｏ３，０ｒ２０５＋ Ｆｅ２ｏ、等
を０．１〜１ｏｏμｍ２配したものが適しているが、微
粒子物質は上記した無機微粒子に限らず、有機微粒子で
あってもよい。
２は強磁性金属薄膜で、Ｃｏ −ＩＪｉ 、 Ｃｏ −
Ｆｅ 。
Ｆｅ 。
Ｃｏ −Ｏｒ 、Ｇｏ −０、Ｃｏ −Ｐ 、 Ｃｏ
−Ｒｅ 、Ｇｏ−Ｔａ。
−Ｒｅ 、Ｇｏ−Ｔａ。
６ヘー／
Ｇｏ −Ｗ 、 Ｃｏ−Ｎｉ−０、Ｃｏ−０ｒ −Ｎ
ｂ 、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐｒ−０等の斜め蒸着膜、垂直
磁化膜等から成るもので、電子ビーム蒸着法、イオンブ
レーティング法、高速スパッタリング法等で形成される
もので、３００八から３０ｏｏ人の膜厚で、必要なら多
層化したものでもよい。
ｂ 、 Ｃｏ−Ｎｉ −Ｐｒ−０等の斜め蒸着膜、垂直
磁化膜等から成るもので、電子ビーム蒸着法、イオンブ
レーティング法、高速スパッタリング法等で形成される
もので、３００八から３０ｏｏ人の膜厚で、必要なら多
層化したものでもよい。
３はアモルファスカーボン薄膜、 ＭｏＳ２． ＷＳ２
スパッタ薄膜、プラズマ重合膜、脂肪酸膜、脂肪酸アミ
ド膜、パーフルオロアルキルカルボン酸膜等の組み合わ
せから成る保護潤滑層である。
スパッタ薄膜、プラズマ重合膜、脂肪酸膜、脂肪酸アミ
ド膜、パーフルオロアルキルカルボン酸膜等の組み合わ
せから成る保護潤滑層である。
以下、更に具体的に本発明の一実施例について比較例と
の対比で詳しく説明する。
の対比で詳しく説明する。
厚み１０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムで
結晶部分を構成する結晶粒径が長手方向、それと直交す
る方向とでいずれも測定誤差内で５４Ａで同一のベース
フィルム人と、長手方向が５４人で直交方向が５０人の
ベースＢと、長手方向が６２人、直交方向が５６人のベ
ースＣとを準備し、いずれのフィルムも平均粗さ３０人
、最大粗さ７０八と同一の表面のものを用い、直径６０
人７ベーノ のＦｅ２Ｏ３微粒子をイソプロピルアルコールに分散さ
せて塗布、乾燥し、平均１６μｎ＋２の突起を形成しう
る微粒子を配してから高周波スパッタリング法でＧｏ
−Ｏｒ （００，７８ｗｔ％）の垂直磁化膜を０．１μ
ｍ形成し、グラファイトをターゲットとし、ムｒとＮ２
（分圧比ムｒ／Ｈ２＝２／１ ’）を混合した放電ガス
を用い、０．０５ Ｔｏｒｒで１３．５６ ＭＨｚ ２
．２ＫＷのグロー放電を利用したスパッタリング法で硬
質炭素薄膜を１００人配し、その上にパーフルオロオク
タン酸を６０人真空蒸着し、夫々８ミリ幅にして磁気テ
ープ化し、改造した８ミリビデオデツキにより、ギャッ
プ長０．１２μｍのセンダストヘッドにより、トラック
幅ｓμｍ、ビット長０．２２ｐ ｍの矩形波を記録し、
帯域９ Ｍ）（ｚでのＣ／Ｎを比較した。ベース人を用
いたものは、ベースＢを用いたものより３．４ｄＢＣ／
Ｎが改善されていて、ベースＣ−ｉ用いたものはベース
Ｂに比べ０．５ ｄＢ Ｃ／Ｎが低かった。すなわち、
長手方向および直交方向に略凹−の径を有する結晶から
なる高分子フィルムベース人を用いた場合最も良好なＣ
／Ｎを得られるものである。
結晶部分を構成する結晶粒径が長手方向、それと直交す
る方向とでいずれも測定誤差内で５４Ａで同一のベース
フィルム人と、長手方向が５４人で直交方向が５０人の
ベースＢと、長手方向が６２人、直交方向が５６人のベ
ースＣとを準備し、いずれのフィルムも平均粗さ３０人
、最大粗さ７０八と同一の表面のものを用い、直径６０
人７ベーノ のＦｅ２Ｏ３微粒子をイソプロピルアルコールに分散さ
せて塗布、乾燥し、平均１６μｎ＋２の突起を形成しう
る微粒子を配してから高周波スパッタリング法でＧｏ
−Ｏｒ （００，７８ｗｔ％）の垂直磁化膜を０．１μ
ｍ形成し、グラファイトをターゲットとし、ムｒとＮ２
（分圧比ムｒ／Ｈ２＝２／１ ’）を混合した放電ガス
を用い、０．０５ Ｔｏｒｒで１３．５６ ＭＨｚ ２
．２ＫＷのグロー放電を利用したスパッタリング法で硬
質炭素薄膜を１００人配し、その上にパーフルオロオク
タン酸を６０人真空蒸着し、夫々８ミリ幅にして磁気テ
ープ化し、改造した８ミリビデオデツキにより、ギャッ
プ長０．１２μｍのセンダストヘッドにより、トラック
幅ｓμｍ、ビット長０．２２ｐ ｍの矩形波を記録し、
帯域９ Ｍ）（ｚでのＣ／Ｎを比較した。ベース人を用
いたものは、ベースＢを用いたものより３．４ｄＢＣ／
Ｎが改善されていて、ベースＣ−ｉ用いたものはベース
Ｂに比べ０．５ ｄＢ Ｃ／Ｎが低かった。すなわち、
長手方向および直交方向に略凹−の径を有する結晶から
なる高分子フィルムベース人を用いた場合最も良好なＣ
／Ｎを得られるものである。
さて、同一のペースム、Ｂ、Ｃｉ用い強磁性金属薄膜と
して前述のＣｏ−０ｒからＣｏ−Ｎｉとしたものについ
て以下に説明する。直径１ｍの円筒キャンに沿わせて最
小入射角５０度、酸素分圧５．９ Ｘ １０ ’ Ｔｏ
ｒｒの酸素中でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ；８０ｗｔ％）を０．
１μｍ蒸着して得たＣｏ −Ｎｉ −０薄膜から磁気テ
ープを構成した。ビット長０．２８μｍ、）ラック幅６
μｍで、Ｃ／ＮはベースＣを用いたもの’１ｏｄＢとす
るとベースＢを用いたものは＋１ｄＢ。
して前述のＣｏ−０ｒからＣｏ−Ｎｉとしたものについ
て以下に説明する。直径１ｍの円筒キャンに沿わせて最
小入射角５０度、酸素分圧５．９ Ｘ １０ ’ Ｔｏ
ｒｒの酸素中でＣｏ−Ｎ１（Ｃｏ；８０ｗｔ％）を０．
１μｍ蒸着して得たＣｏ −Ｎｉ −０薄膜から磁気テ
ープを構成した。ビット長０．２８μｍ、）ラック幅６
μｍで、Ｃ／ＮはベースＣを用いたもの’１ｏｄＢとす
るとベースＢを用いたものは＋１ｄＢ。
ベース人を用いたものは＋４．２１１Ｂと、ベース人を
用いたものが最も良好であった。
用いたものが最も良好であった。
第２図は、ｃｏ−ｙｉ−ｏ薄膜を用いた第２の実験例を
含めて、本発明の有効性を示した特性線図である。図か
ら明らかなように、粒径比が０．９８から１．０２の範
囲をはずれるとＣ／Ｈの平均値とばらつきが悪くなるこ
とがわかり、本発明品の有用性が理解できる。本発明で
長手方向と直交方向の粒径が同一であるということは、
フィルムの結晶粒径を任意に少なくとも５ケ所測定した
平均値９ページ で、その粒径比率が０．９８から１．０２までの範囲を
含んで定義されるものである。尚第２図に示したデータ
は、結晶粒径が８ＯＡから４７人までの範囲のものを網
羅している。また、第２図は初期値の比較であるが、各
々の磁気テープを１０００時間使用した時に、本発明品
以外は、更にばらつきが大きくなることが実験の結果判
った。したがって、本発明品が短波長記録再生で重要で
ある安定なスペーシングの確保が確実なものであること
が言える。又本発明品は製造的にみても有用で、通常当
業者の行いうる脱ガス処理の範囲で、上記した性能が均
一に大面積に得られる点も特筆されることである。以上
のべた効果はポリエチレンテレフタレート以外、前述の
高分子フィルムでもその結晶粒径を直交方向ならびに長
手方向に略凹−とすれば同様に得られる。
含めて、本発明の有効性を示した特性線図である。図か
ら明らかなように、粒径比が０．９８から１．０２の範
囲をはずれるとＣ／Ｈの平均値とばらつきが悪くなるこ
とがわかり、本発明品の有用性が理解できる。本発明で
長手方向と直交方向の粒径が同一であるということは、
フィルムの結晶粒径を任意に少なくとも５ケ所測定した
平均値９ページ で、その粒径比率が０．９８から１．０２までの範囲を
含んで定義されるものである。尚第２図に示したデータ
は、結晶粒径が８ＯＡから４７人までの範囲のものを網
羅している。また、第２図は初期値の比較であるが、各
々の磁気テープを１０００時間使用した時に、本発明品
以外は、更にばらつきが大きくなることが実験の結果判
った。したがって、本発明品が短波長記録再生で重要で
ある安定なスペーシングの確保が確実なものであること
が言える。又本発明品は製造的にみても有用で、通常当
業者の行いうる脱ガス処理の範囲で、上記した性能が均
一に大面積に得られる点も特筆されることである。以上
のべた効果はポリエチレンテレフタレート以外、前述の
高分子フィルムでもその結晶粒径を直交方向ならびに長
手方向に略凹−とすれば同様に得られる。
発明の効果
本発明によれば、短波長記録再生において優れたＣ／Ｎ
が初期的にも、実使用でも継続的に得られるといったす
ぐれた効果がある。
が初期的にも、実使用でも継続的に得られるといったす
ぐれた効果がある。
１ｏヘー／゛
第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の拡大断面図
、第２図は本実施例の条件と特性の関係を示す特性線図
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・強磁性
金属薄膜、３・・・・・・保護潤滑層。
、第２図は本実施例の条件と特性の関係を示す特性線図
である。 １・・・・・・高分子フィルム、２・・・・・・強磁性
金属薄膜、３・・・・・・保護潤滑層。
Claims (1)
- 結晶部分の結晶粒径が長手方向と直交方向で略同一であ
る高分子フィルム上に強磁性金属薄膜を配設することを
特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262130A JP2532517B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62262130A JP2532517B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01105316A true JPH01105316A (ja) | 1989-04-21 |
| JP2532517B2 JP2532517B2 (ja) | 1996-09-11 |
Family
ID=17371468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62262130A Expired - Lifetime JP2532517B2 (ja) | 1987-10-16 | 1987-10-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2532517B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-16 JP JP62262130A patent/JP2532517B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2532517B2 (ja) | 1996-09-11 |
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