JP7471746B2 - チャックテーブル、及びチャックテーブルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウェーハを加工する加工装置において加工される該ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルの製造方法と、に関する。

携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に複数の互いに交差する分割予定ライン（ストリート）を設定する。そして、該分割予定ラインで区画される各領域にＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large-scale Integration）等のデバイスを形成する。その後、ウェーハを裏面側から研削して薄化し、該ウェーハを該分割予定ラインに沿って分割すると、個々のデバイスチップが形成される。該ウェーハは、様々な加工装置で加工される。

例えば、ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルで保持されたウェーハを分割予定ラインに沿って円環状の切削ブレードで切削する切削ユニットと、を備える切削装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

または、ウェーハの分割には、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射してウェーハをレーザ加工するレーザ加工装置が使用される（例えば、特許文献２参照）。レーザ加工装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルで保持されたウェーハに分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該ウェーハに分割溝、または、分割の起点となる改質層を形成するレーザ加工ユニットと、を備える。

切削装置やレーザ加工装置が備えるチャックテーブルは、保持されるウェーハの大きさに対応した大きさの上面を有するポーラスセラミックスから構成される吸引部と、該吸引部を囲繞し収容する凹部を有する枠体と、から構成される。チャックテーブルは、外部に設けられた吸引源に一端が接続され、枠体を経て他端が吸引部に通じる吸引路を内部に備える。

吸引部はチャックテーブルの上面に露出しており、ウェーハは吸引部の上に載せられる。そして、吸引源により生じた負圧を吸引路及び吸引部を通じて該ウェーハに作用させると、ウェーハはチャックテーブルに吸引保持される。

特開２０１０－３６２７５号公報 特開２０１２－２６０４号公報

チャックテーブル上で被加工物の加工が繰り返されると、ポーラスセラミックスの細孔にコンタミネーションが侵入して部分的に目詰まりを生じることがある。この場合、吸引部の上面の保持面の各所で吸引力が不均一となって被加工物が適切に保持されなくなり、加工精度が低下するとの問題を生じた。

この問題への対処方法としてコンタミネーションを除去することが考えられるが、洗浄等の方法で除去を実施するのは困難である。そのため、チャックテーブルに目詰まりが生じた場合、チャックテーブルの交換が必要となる。チャックテーブルを交換する間は加工装置を停止せねばならず、また、チャックテーブル自体のコストもかかるため、加工効率の低下の要因ともなっていた。

また、保持面の一部においてポーラスセラミックスに欠けが生じることがある。この場合、被加工物が分割されて形成されるチップが該欠けに落ち込んで、隣接するチップ間に段差が生じ、チップの外周に損傷が生じることがあった。

ここで、ポーラスセラミックスを備えないチャックテーブルとして、上面に同心円状に形成された複数のリング溝と、該リング溝を横切るように放射状に形成された複数の放射溝と、を備えるチャックテーブルが知られている。しかしながら、被加工物に十分な強度で負圧を作用させるために、リング溝及び放射溝の幅は、ポーラスセラミックスの細孔の大きさよりも大きく形成される。そのため、被加工物が分割されて形成されたチップが該リング溝及び該放射溝に脱落して破損が生じる恐れがある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、目詰まりの解消が可能であり、欠けが生じず、かつ、チップの脱落が生じうる溝を上面に有しないチャックテーブルと、該チャックテーブルの製造方法と、を提供することである。

本発明の一態様によれば、ウェーハを保持するチャックテーブルであって、円板状のテーブル基板を備え、該テーブル基板は、リング状平滑部と、該リング状平滑部に囲繞され全面に凹凸が形成された凹凸部と、該リング状平滑部と該凹凸部との境界に沿って形成された複数の吸引孔と、を上面に有し、一端が該吸引孔に連通した吸引路を内部に有し、該凹凸部の上端部の高さは、該リング状平滑部の高さと同一であり、該テーブル基板の該上面は、溝を有さず、該テーブル基板の該上面に載る該ウェーハと、該テーブル基板と、の間の空間が該吸引孔及び該吸引路を通じて吸引されることで該ウェーハを吸引保持できることを特徴とするチャックテーブルが提供される。

好ましくは、該テーブル基板の該上面において、該凹凸部は、該リング状平滑部よりも粗い。

また、好ましくは、該凹凸部の表面粗さ（Ｒｚ）は、５０μｍ以上１００μｍ以下であり、該リング状平滑部の表面粗さ（Ｒｚ）は、２５μｍ以下である。

また、好ましくは、該テーブル基板は、アルミニウムで構成される。

また、本発明の他の一態様によれば、ウェーハを保持するチャックテーブルの製造方法であって、上面が平坦な円板状のテーブル基板を準備する準備ステップと、該上面の外周部上に保護部材を配設するとともに該上面の該外周部に囲繞された中央部を露出させる保護部材配設ステップと、該テーブル基板の該上面の露出された該中央部に薬液によるエッチングを実施し、該上面の該中央部に凹凸部を形成するとともに該保護部材で保護された該外周部をリング状平滑部とすることで、該上面に該凹凸部及び該リング状平滑部を有する該テーブル基板を備えるチャックテーブルを形成するエッチングステップと、該テーブル基板の該上面に配設された該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、該保護部材除去ステップの後、該テーブル基板の該上面の該リング状平滑部と該凹凸部との境界に複数の吸引孔を形成するとともに、一端が該吸引孔に連通した吸引路を該テーブル基板の内部に形成する吸引路形成ステップと、を含むことを特徴とするチャックテーブルの製造方法が提供される。

本発明の一態様に係るチャックテーブル及びチャックテーブルの製造方法では、該チャックテーブルが備える円板状のテーブル基板の上面に、リング状平滑部と、該リング状平滑部に囲繞され全面に凹凸が形成された凹凸部と、が設けられる。該テーブル基板の上面にウェーハを載せ、該ウェーハと、該テーブル基板と、の間の空間を吸引すると、該ウェーハを該チャックテーブルで吸引保持できる。

該チャックテーブルは、ポーラスセラミックスから構成される吸引部を有する従来のチャックテーブルとは異なり、コンタミネーションによる目詰まりが生じても洗浄等の方法によりコンタミネーションの除去が可能である。そのため、チャックテーブルの交換頻度を低減できる。

また、上面の凹凸部ではポーラスセラミックスの上面に生じるような大きな欠けが生じないため、ウェーハから形成されたチップ間に段差が生じてチップの外周に欠けを生じることもない。さらに、本実施形態に係るチャックテーブルの上面には、チップの脱落が生じるような溝もない。

したがって、本発明の一態様によると、目詰まりの解消が可能であり、欠けが生じず、かつ、チップの脱落が生じうる溝を上面に有しないチャックテーブルと、該チャックテーブルの製造方法と、が提供される。

フレームユニットを模式的に示す斜視図である。 加工装置を模式的に示す斜視図である。 テーブルベースの上に配設されたチャックテーブルを模式的に示す斜視図である。 テーブルベースと、チャックテーブルと、を模式的に示す斜視図である。 図５（Ａ）は、準備ステップを模式的に示す斜視図であり、図５（Ｂ）は、ケミカルブラストが実施された後のテーブル基板を模式的に示す斜視図である。 図６（Ａ）は、吸引孔が形成されたテーブル基板を模式的に示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、吸引孔が形成されたテーブル基板を模式的に示す斜視図である。 図７（Ａ）は、チャックテーブル及びウェーハを模式的に示す断面図であり、図７（Ｂ）は、チャックテーブル及びウェーハを模式的に示す断面図である。 チャックテーブルの上部を拡大して模式的に示す断面図である。 図９（Ａ）は、チャックテーブルの製造方法の各ステップのフローを示すフローチャートであり、図９（Ｂ）は、チャックテーブルの製造方法の変形例の各ステップのフローを示すフローチャートである。

添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るチャックテーブルが使用される加工装置と、該チャックテーブルで保持されて加工されるウェーハについて説明する。図１は、ウェーハ１を含むフレームユニット１１を模式的に示す斜視図である。フレームユニット１１は、開口７ａを備える環状のフレーム７と、開口７ａを塞ぐように該フレーム７に配設されたシート９と、開口７ａの内側でシート９に配設されたウェーハ１と、を備える。

ウェーハ１は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。

ウェーハ１の表面１ａは、互いに交差する複数の分割予定ライン３で区画される。ウェーハ１の表面１ａの分割予定ライン３で区画された各領域には、ＩＣやＬＳＩ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のデバイス５が形成される。加工装置を使用して分割予定ライン３に沿ってウェーハ１を分割すると、個々のデバイスチップが形成される。

ウェーハ１は、加工装置に搬入される前にシート９及びフレーム７と一体化される。そして、ウェーハ１と、シート９と、フレーム７と、を含むフレームユニット１１が形成される。ウェーハ１は、フレームユニット１１の状態で加工装置に搬入され、加工される。ウェーハ１が分割されて形成された個々のデバイスチップは、シート９に支持される。その後、シート９を拡張することでデバイスチップ間の間隔を広げると、デバイスチップのピックアップが容易となる。

環状のフレーム７は、例えば、金属等の材料で形成され、ウェーハ１の径よりも大きい径の開口７ａを備える。フレームユニット１１を形成する際は、ウェーハ１は、フレーム７の開口７ａ内に位置付けられ、開口７ａに収容される。

シート９は、フレーム７の開口７ａよりも大きい径を有する。シート９は、例えば、基材層と、該基材層の上に形成された粘着層と、を備えるダイシングテープと呼ばれるテープである。シート９がダイシングテープである場合、シート９は、粘着層で発現する粘着力によりフレーム７及びウェーハ１の裏面１ｂに貼着されることで配設される。または、シート９は、例えば、ポリオレフィン系シートやポリエステル系シート等の粘着層を備えない樹脂系シートでもよい。

ポリオレフィン系シートは、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートであり、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシートである。ポリエステル系シートは、ジカルボン酸（２つのカルボキシル基を有する化合物）と、ジオール（２つのヒドロキシル基を有する化合物）と、をモノマーとして合成されるポリマーのシートである。例えば、ポリエチレンテレフタレートシート、または、ポリエチレンナフタレートシートである。

シート９が粘着性を備えない樹脂系シートである場合、ウェーハ１及びフレーム７にシート９を貼着できない。しかしながら、熱可塑性を有する樹脂系シートは、所定の圧力を印加しながらウェーハ１の裏面１ｂ及びフレーム７と接合させた状態で融点近傍の温度まで加熱すると、部分的に溶融してウェーハ１の裏面１ｂ及びフレーム７に熱圧着できる。すなわち、シート９が樹脂系シートである場合、シート９は熱圧着によりウェーハ１及びフレーム７に配設される。

ただし、本実施形態に係るチャックテーブルで保持されて加工されるウェーハ１は、フレーム７及びシート９と一体化される必要はない。すなわち、ウェーハ１はシート９を介して該チャックテーブルで吸引保持される必要はなく、ウェーハ１と、該チャックテーブルと、が直接接触した状態でウェーハ１が吸引保持されてもよい。以下、ウェーハ１がフレーム７及びシート９と一体化されている場合を例に説明するが、ウェーハ１の状態はこれに限定されない。

次に、フレームユニット１１に含まれるウェーハ１を加工する加工装置について説明する。ウェーハ１を分割予定ライン３に沿って分割する際には、例えば、環状の切削ブレードを備える切削装置が使用される。または、例えば、ウェーハ１にレーザビームを照射してウェーハ１をレーザ加工するレーザ加工装置が使用される。以下、本実施形態に係る加工装置が切削装置である場合を例に加工装置について説明するが、本実施形態に係る加工装置は切削装置に限定されない。

図２は、本実施形態に係るチャックテーブルが使用される加工装置の一例である切削装置２を模式的に示す斜視図である。図２に示す通り、切削装置２の基台４の角部には、カセット１３が載置されるカセットテーブル６が設けられている。カセットテーブル６は、昇降機構（不図示）により上下方向（Ｚ軸方向）に昇降可能である。図２では、カセットテーブル６に載置されたカセット１３の輪郭を二点鎖線で示している。

基台４の上面のカセットテーブル６に隣接する位置には、Ｙ軸方向（左右方向、割り出し送り方向）に平行な状態を維持しながら互いに接近、離隔される一対のガイドレール８を含む仮置きテーブル１０が設けられている。また、基台４の上面の仮置きテーブル１０に隣接する位置には、カセットテーブル６に載置されたカセット１３に収容されたフレームユニット１１をカセット１３から搬出する搬出ユニット１２が設けられている。搬出ユニット１２は、フレーム７を把持できる把持部を前面に有する。

カセット１３に収容されたフレームユニット１１を搬出する際には、搬出ユニット１２をカセット１３に向けて移動させ、該把持部でフレーム７を把持し、その後、搬出ユニット１２をカセット１３から離れる方向に移動させる。すると、カセット１３からフレームユニット１１が仮置きテーブル１０に引き出される。このとき、一対のガイドレール８をＸ軸方向に互い近接する方向に連動させて移動させ、該一対のガイドレール８でフレーム７を挟み込むと、フレームユニット１１を所定の位置に位置付けられる。

基台４の上面のカセットテーブル６に隣接する位置には、Ｘ軸方向（前後方向、加工送り方向）に長い開口４ａが形成されている。開口４ａ内には、図示しないボールねじ式のＸ軸移動機構（加工送りユニット）と、Ｘ軸移動機構の上部を覆う蛇腹状の防塵防滴カバー２６と、が配設されている。

Ｘ軸移動機構は、Ｘ軸移動テーブル１６の下部に接続されており、このＸ軸移動テーブル１６をＸ軸方向に移動させる機能を有する。例えば、Ｘ軸移動テーブル１６は、カセットテーブル６に近接する搬出入領域と、後述の切削ユニット３２の下方の加工領域と、の間を移動する。

Ｘ軸移動テーブル１６上には、テーブルベース１８と、該テーブルベース１８に載る本実施形態に係るチャックテーブル２０と、が設けられている。チャックテーブル２０は、ウェーハ１を含むフレームユニット１１を保持する機能を有し、上面が保持面２２となる。チャックテーブル２０の径方向外側には、フレーム７を把持するクランプ２４が設けられている。チャックテーブル２０は、上述したＸ軸移動機構によってＸ軸方向に移動する。

図４には、テーブルベース１８を模式的に示す斜視図が含まれている。テーブルベース１８は上面中央に凹部１８ａを有し、凹部１８ａの底面には吸引孔１８ｂと、テーブル吸引孔１８ｃと、が形成されている。吸引孔１８ｂ及びテーブル吸引孔１８ｃは、それぞれ、図示しない吸引源に通じている。

凹部１８ａには、チャックテーブル２０の底面に形成された凸部４２ａ（図７（Ａ）等参照）が収容される。すなわち、テーブルベース１８の凹部１８ａ及びチャックテーブル２０の凸部４２ａは、互いに対応する形状に形成されており、該凹部１８ａに該凸部４２ａが収容されたとき該凹部１８ａの底面と、該凸部４２ａの底面４２ｂと、が接触する。

このとき、吸引孔１８ｂがチャックテーブル２０の吸引路５４（図７（Ａ）等参照）に連通するとともに、テーブル吸引孔１８ｃが凸部４２ａの底面４２ｂに対面する。そして、テーブル吸引孔１８ｃを通じてチャックテーブル２０に負圧を作用させると、チャックテーブル２０がテーブルベース１８上に固定される。本実施形態に係るチャックテーブル２０について、詳細は後述する。

仮置きテーブル１０からチャックテーブル２０へのフレームユニット１１の搬送は、基台４の上面の仮置きテーブル１０及び開口４ａに隣接する位置に設けられた第１の搬送ユニット１４により実施される。第１の搬送ユニット１４は、基台４の上面から上方に突き出た昇降可能であるとともに回転可能な軸部と、軸部の上端から水平方向に伸長した腕部と、腕部の先端下方に設けられた保持部と、を有する。

第１の搬送ユニット１４で仮置きテーブル１０からチャックテーブル２０へフレームユニット１１を搬送する際には、Ｘ軸移動テーブル１６を移動させてチャックテーブル２０を搬出入領域に位置付ける。そして、仮置きテーブル１０に仮置きされているフレームユニット１１のフレーム７を該保持部で保持し、フレームユニット１１を持ち上げて、該軸部を回転させてフレームユニット１１をチャックテーブル２０の上方に移動させる。

その後、フレームユニット１１を下降させてチャックテーブル２０の保持面２２に載せる。そして、クランプ２４でフレーム７を固定するとともに、チャックテーブル２０でフレームユニット１１のシート９を介してウェーハ１を吸引保持する。

切削装置２は、Ｘ軸移動テーブル１６の搬出入領域から加工領域への移動経路の上方に、開口４ａを横切るように配設された支持構造２８を備える。そして、支持構造２８には下方に向いた撮像ユニット３０が設けられている。撮像ユニット３０は、切削ユニット３２の下方の加工領域へ移動するチャックテーブル２０に吸引保持されたウェーハ１の表面１ａを撮像し、表面１ａに設けられた分割予定ライン３の位置及び向きを検出する。

該加工領域には、チャックテーブル２０に保持されたフレームユニット１１のウェーハ１を切削（加工）する切削ユニット（加工ユニット）３２が設けられている。切削ユニット３２は、円環状の砥石部を外周に備える切削ブレード３４と、先端部に切削ブレード３４が装着され該切削ブレード３４の回転軸となるＹ軸方向に沿ったスピンドル３６と、を備える。

スピンドル３６の基端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。チャックテーブル２０で保持されたフレームユニット１１に含まれるウェーハ１に回転する切削ブレード３４を切り込ませると、ウェーハ１を切削（加工）できる。すべての分割予定ライン３に沿ってウェーハ１を切削すると、ウェーハ１が分割されて個々のデバイスチップが形成される。その後、チャックテーブル２０は、Ｘ軸移動機構により搬出入領域に移動される。

基台４の上面の仮置きテーブル１０及び開口４ａに隣接する位置には開口４ｂが形成されており、開口４ｂには加工後のフレームユニット１１を洗浄する洗浄ユニット３８が収容されている。洗浄ユニット３８は、フレームユニット１１を保持するスピンナテーブルを備えている。スピンナテーブルの下部には、スピンナテーブルを所定の速さで回転させる回転駆動源（不図示）が連結されている。

切削装置２は、搬出入領域に位置付けられたチャックテーブル２０から洗浄ユニット３８にフレームユニット１１を搬送する第２の搬送ユニット４０を備える。第２の搬送ユニット４０は、Ｙ軸方向に沿って移動可能な腕部と、腕部の先端下方に設けられた保持部と、を有する。

第２の搬送ユニット４０でチャックテーブル２０から洗浄ユニット３８へフレームユニット１１を搬送する際には、まず、フレームユニット１１を該保持部で保持する。そして、腕部をＹ軸方向に沿って移動させ、フレームユニット１１を洗浄ユニット３８のスピンナテーブルの上に載せる。その後、スピンナテーブルでフレームユニット１１を保持してウェーハ１を洗浄する。

洗浄ユニット３８でウェーハ１を洗浄する際には、スピンナテーブルを回転させながらウェーハ１の表面１ａに向けて洗浄用の流体（代表的には、水とエアーとを混合した混合流体）を噴射する。そして、洗浄ユニット３８で洗浄されたフレームユニット１１は、カセットテーブル６に載るカセット１３に収容される。

カセット１３にフレームユニット１１を収容する際には、第１の搬送ユニット１４を使用して洗浄ユニット３８から仮置きテーブル１０にフレームユニット１１を搬送する。そして、搬出ユニット１２をカセット１３に向けて移動させてフレームユニット１１をカセット１３に押し入れる。

このように、切削装置２では、カセット１３からフレームユニット１１が搬出され、フレームユニット１１がチャックテーブル２０で吸引保持され、フレームユニット１１に含まれるウェーハ１が切削ユニット３２で加工される。その後、フレームユニット１１が洗浄ユニット３８で洗浄されてカセット１３に再び収容される。切削装置２では、カセット１３から次々にフレームユニット１１が搬出され、チャックテーブル２０上において切削ユニット３２で次々にウェーハ１が切削される。

従来のチャックテーブルは、ウェーハ１の径と同程度の径を有するポーラスセラミックスで構成された吸引部と、該吸引部を収容する凹状の枠体と、有し、該吸引部が上面に露出して保持面を形成していた。チャックテーブルの上にシート９を介してウェーハ１を載せ、吸引部を通してウェーハ１に負圧を作用させると、ウェーハ１が該チャックテーブルで吸引保持された。このようなチャックテーブルは、レーザ加工装置等の加工装置でも使用された。

ここで、チャックテーブル上でウェーハの加工が繰り返されると、ポーラスセラミックスの細孔にコンタミネーションが侵入して部分的に目詰まりを生じることがある。この場合、吸引部の上面の保持面の各所で吸引力が不均一となってウェーハ１が適切に保持されなくなり、加工精度が低下するとの問題を生じた。

ここで、コンタミネーションを除去することでチャックテーブルの機能を回復することが考えられる。しかしながら、ポーラスセラミックスの細孔にはまり込んだコンタミネーションを洗浄等の方法で除去するのは困難である。そのため、該チャックテーブルに目詰まりが生じた場合、チャックテーブルの交換が必要となる。チャックテーブルを交換する間は切削装置（加工装置）２を停止せねばならず、また、チャックテーブル自体のコストもかかるため、加工効率の低下の要因ともなっていた。

さらに、保持面の一部においてポーラスセラミックスに欠けが生じることがあった。この場合、形成されたチップが該欠けに落ち込んで、隣接するチップ間に段差が生じ、チップの外周に欠けが生じることがあった。

また、ポーラスセラミックスを備えないチャックテーブルとして、上面に同心円状に形成された複数のリング溝と、該リング溝を横切るように放射状に形成された複数の放射溝と、を備えるチャックテーブルが知られている。しかしながら、被加工物に十分な強度で負圧を作用させるために、リング溝及び放射溝の幅は、ポーラスセラミックスの細孔の大きさと比べて大きく形成される。そのため、ウェーハ１が分割されて形成されたチップが該リング溝及び該放射溝に脱落して破損が生じる恐れがある。

そこで、ポーラスセラミックスを備えるチャックテーブルや、上面にリング溝及び放射溝が形成されたチャックテーブルにおけるこのような問題を解消または防止できる本実施形態に係るチャックテーブル２０が提供される。ただし、本実施形態に係るチャックテーブル２０により解決される課題はこれに限定されず、該課題に代えて他の課題が解決されてもよい。以下、本実施形態に係るチャックテーブル２０について詳述する。

図３は、テーブルベース１８の上に装着されたチャックテーブル２０を模式的に示す斜視図である。また、図４には、チャックテーブル２０を模式的に示す斜視図が含まれている。さらに、図７（Ａ）は、チャックテーブル２０を模式的に示す断面図である。また、図８は、チャックテーブル２０のテーブル基板４２の上部を拡大して模式的に示す断面図である。

チャックテーブル２０は、円板状のテーブル基板４２を備える。テーブル基板４２は、吸引保持の対象となるウェーハ１の径以上の径とされる。すなわち、切削装置２では、切削されるウェーハ１の径に対応する適切な径のテーブル基板４２を備えるチャックテーブル２０が選択され使用される。

チャックテーブル２０のテーブル基板４２は、リング状平滑部４６と、リング状平滑部４６に囲繞され全面に凹凸が形成された凹凸部４８と、を上面４４に有する。図８に示す通り、凹凸部４８には無数の凹凸形状が形成されており、凹凸部４８の上端部４８ａの高さはリング状平滑部４６の高さと同一である。

テーブル基板４２の上面４４において、凹凸部４８は、リング状平滑部４６よりも粗い。例えば、凹凸部４８の表面粗さ（Ｒｚ）は、５０μｍ以上１００μｍ以下であり、リング状平滑部４６の表面粗さ（Ｒｚ）は、２５μｍ以下である。ここで、表面粗さ（Ｒｚ）とは、例えば、最大高さと呼ばれる数値である。粗さ計により得られた粗さ曲線の一部を基準長さで抜き出したとき、該基準長さにおける該粗さ曲線の最も高い山の高さと最も深い谷の深さとの和で算出される数値である。

テーブル基板４２の上面４４には、リング状平滑部４６と凹凸部４８との境界５０に沿って複数の吸引孔５２が形成されている。また、テーブル基板４２は、一端が吸引孔５２に連通した吸引路５４を内部に有する。チャックテーブル２０がテーブルベース１８の上に装着されたとき、吸引路５４は、テーブルベース１８の吸引孔１８ｂと連通する。すなわち、吸引孔５２は、吸引路５４及び吸引孔１８ｂを通じて吸引源に接続される。

テーブルベース１８の上に装着されたチャックテーブル２０でウェーハ１を吸引保持する場合、図７（Ａ）に示す通り、シート９を介してウェーハ１をチャックテーブル２０の保持面２２上に載せる。このとき、例えば、ウェーハ１は、凹凸部４８と重なり、かつ、リング状平滑部４６に重ならない。

チャックテーブル２０にシート９を介してウェーハ１を載せたとき、ウェーハ１と、テーブル基板４２と、の間に空間４８ｂ（図８参照）が形成される。そして、空間４８ｂは、シート９により密閉される。空間４８ｂの形状は、主に凹凸部４８の形状により決定される。空間４８ｂは、テーブル基板４２の上面４４に沿って凹凸部４８の凹部が互いに連結されて形成されている。そして、ウェーハ１は、凹凸部４８を構成する無数の凸部で支持される。

さらに、図８に示す通り、空間４８ｂは吸引孔５２で吸引路５４に連通している。したがって、テーブルベース１８の吸引孔１８ｂに接続された吸引源を作動させると、空間４８ｂが吸引孔１８ｂと、吸引路５４と、吸引孔５２と、を通じて吸引される。そして、ウェーハ１がチャックテーブル２０で吸引保持される。すなわち、空間４８ｂも吸引経路として機能する。なお、空間４８ｂは比較的平坦なリング状平滑部４６に囲まれており、負圧が外部に漏れにくく、十分な強さで該負圧をウェーハ１に作用できる。

ここで、本実施形態に係るチャックテーブル２０では、凹凸部４８自体は吸引経路とはならず、吸引孔５２が吸引経路となる。そのため、本実施形態に係るチャックテーブル２０では、吸引路として機能するポーラスセラミックスを備えるチャックテーブルと異なり、凹凸部４８に侵入したコンタミネーションが吸引力によって凹部にはまり込むことがない。

そのため、チャックテーブル２０の保持面２２を洗浄することでコンタミネーションの除去が可能である。すなわち、チャックテーブル２０にコンタミネーションに起因する吸引力の低下や局在化が生じた場合においても、テーブルベース１８上または外部において保持面２２を洗浄することでチャックテーブル２０の再生が可能である。したがって、チャックテーブル２０の交換頻度を低減でき、切削装置２における加工の停止期間を短縮化でき、その結果、ウェーハ１の加工効率を向上できる。

また、凹凸部４８では、ポーラスセラミックスの上面に生じるような欠けが生じにくいため、ウェーハ１から形成されたチップ間に段差が生じてチップの外周に欠けを生じることもない。さらに、本実施形態に係るチャックテーブル２０の上面には、チップの脱落が生じるような溝もない。したがって、本実施形態に係るチャックテーブル２０でウェーハ１を吸引保持すると、ウェーハ１を高品質に加工できる。

ここで、本実施形態に係るチャックテーブル２０は、フレーム７及びシート９と一体化されていないウェーハ１を吸引保持することもできる。この場合、吸引孔５２を介して提供される負圧の漏洩を防止してウェーハ１に適切に作用させるために、ウェーハ１と、テーブル基板４２と、の間の空間４８ｂをウェーハ１で密閉する必要がある。

すなわち、図７（Ｂ）に示す通り、ウェーハ１の外周領域１ｃがリング状平滑部４６に載るように、かつ、ウェーハ１の該外周領域１ｃに囲まれた中央領域１ｄが凹凸部４８の上端部４８ａに載るように位置を調整する。この場合、空間４８ｂはリング状平滑部４６に囲まれており、ウェーハ１とリング状平滑部４６との間に大きな隙間が生じない。そのため、負圧が外部に漏れにくく、十分な強さで該負圧をウェーハ１に作用できる。

なお、フレーム７及びシート９と一体化され、フレームユニット１１を構成するウェーハ１についても、外周領域１ｃがリング状平滑部４６に載るように、かつ、中央領域１ｄが凹凸部４８の上端部４８ａに載るように位置を調整してもよい。

次に、本実施形態に係るチャックテーブル２０の製造方法について説明する。該製造方法では、上面４４が平坦な円板状のテーブル基板４２を準備し、テーブル基板４２の上面４４の中央部に凹凸部４８を形成する。すると、テーブル基板４２の上面４４の凹凸部４８の周辺がリング状平滑部４６となる。図９（Ａ）は、該製造方法の各ステップのフローを示すフローチャートである。以下、各ステップについて詳述する。

該チャックテーブル２０の製造方法では、まず、上面４４が平坦な円板状のテーブル基板４２を準備する準備ステップＳ１０を実施する。図５（Ａ）は、準備ステップＳ１０を模式的に示す斜視図である。ここで、準備ステップＳ１０では、製造するチャックテーブル２０による吸引保持の対象となるウェーハ１の径よりも大きな径の上面４４を備えるテーブル基板４２を準備する。

また、テーブル基板４２は、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金で構成される。ただし、テーブル基板４２の材料はこれに限定されず、後述のケミカルブラストが実施可能な材料から適宜選択される。テーブル基板４２の底面側には、切削装置２のテーブルベース１８の上面の凹部１８ａに収容される凸部４２ａを予め形成しておく。

その後、本実施形態に係るチャックテーブル２０の製造方法では、テーブル基板４２の上面４４の凹凸部４８を形成しない領域に保護部材を形成する保護部材配設ステップＳ２０と、ケミカルブラストステップＳ３０と、保護部材除去ステップＳ４０と、を実施する。図５（Ｂ）は、凹凸部４８が形成されたテーブル基板４２を模式的に示す斜視図である。テーブル基板４２の上面４４の凹凸部４８の周囲は、リング状平滑部４６となる。

保護部材配設ステップＳ２０では、テーブル基板４２の上面４４の外周部上に保護部材（不図示）を配設するとともに該上面４４の該外周部に囲繞された中央部を露出させる。ここで、保護部材が配設される該上面４４の外周部はリング状平滑部４６となる領域と一致しており、保護部材が配設されない中央部は凹凸部４８となる領域と一致する。

保護部材には、次に説明するケミカルブラストステップＳ３０において実施されるケミカルブラストに耐性を有する部材が使用される。すなわち、該保護部材は、ケミカルブラストの条件に応じて適宜選択される。ケミカルブラストステップＳ３０では、後述の通り、テーブル基板４２の該中央部に対して様々な薬液処理等が実施されるため、該保護部材は該薬液処理に耐性を有する材料が使用される。

保護部材には、例えば、シリコーン系の樹脂材料で形成された粘着層を備えるテープが使用される。該テープは、例えば、ポリイミド系の樹脂材料で形成された基材層を備える。例えば、テーブル基板４２の径よりも大きい幅を有するテープを準備し、該テープに凹凸部４８の形状に対応する形状の穴を形成するように該テープを切断する。そして、該穴が形成されたテープをテーブル基板４２の上面４４に貼着し、上面４４の該外周部を該テープで保護しつつ、該中央部を露出させる。

または、保護部材には、例えば、フォトレジスト材料が使用される。すなわち、フォトレジスト材料をテーブル基板４２の上面４４に形成し、該中央部上または該外周部上で該フォトレジスト材料に光を照射して変質させる。その後、中央部上のフォトレジスト材料を除去することで該中央部を露出させるとともに該外周部上に保護部材を残す。

ただし、保護部材の配設方法はこれに限定されない。例えば、保護部材は、印刷法によりテーブル基板４２の上面４４の外周部に配設されてもよい。また、保護部材配設ステップＳ２０では、上面４４の該中央部以外のテーブル基板４２の外表面にも保護部材が配設されてもよい。

ケミカルブラストステップＳ３０では、テーブル基板４２の上面４４の露出された該中央部にケミカルブラストを実施して、該上面４４の該中央部に凹凸部４８を形成するとともに該保護部材で保護された該外周部をリング状平滑部４６とする。すると、上面４４に凹凸部４８及びリング状平滑部４６を有するテーブル基板４２を備えるチャックテーブル２０が形成される。

ケミカルブラストステップＳ３０について詳述する。ここで、ケミカルブラストとは、各種の薬液を被加工物の表面に作用させて化学反応を生じさせ、該表面を粗化する処理のことをいう。ケミカルブラストでは、粒子を被加工物の表面に打ち付けて表面を物理的に粗化する一般的なブラスト処理とは異なり、薬液によるエッチングを主とした処理が実施される。ケミカルブラストを実施すると、一般的なブラスト処理で得られる表面粗さよりも表面粗さの大きい表面が得られる。

なお、ケミカルブラストは、例えば、特開２００６－２９１２５９号公報に開示される方法により実施されるとよい。ただし、ケミカルブラストの条件はこれに限定されない。

ケミカルブラストステップＳ３０では、第１段階として、鉄族金属の金属塩と、アルミニウム等に対して腐食能を有する酸と、の混合水溶液中にテーブル基板４２を浸漬し、置換反応により該上面４４に金属を析出させる。その後、第２段階として、アルカリ金属塩を含む溶液中にテーブル基板４２を浸漬して上面４４の中央部を粗化する。なお、ケミカルブラストステップＳ３０では、その後、第３段階として、導電性アルマイト被膜を該上面４４に形成してもよい。

該第１段階では、まず、前処理として５５～６５℃の温度で５～２０ｇ／Ｌの濃度でリン酸ナトリウムを含む水溶液に１０～２０分間浸漬して、該テーブル基板４２を脱脂処理する。好ましくは、６０℃の温度で１５ｇ／Ｌの濃度のリン酸ナトリウム水溶液中にテーブル基板４２を１０分間浸漬する。

次に、テーブル基板４２を４０～６０℃の温度で１０～５０ｇ／Ｌの濃度の苛性ソーダに１～５分間浸漬してエッチングし、その後、テーブル基板４２を室温で１０～５０ｇ／Ｌの濃度の硝酸に３０秒間～３分間浸漬してデスマット処理を行う。好ましくは、テーブル基板４２を５０℃の温度で１５ｇ／Ｌの濃度の苛性ソーダに３分間浸漬してエッチングし、その後、テーブル基板４２を室温で２０ｇ／Ｌの硝酸に１分間浸漬してデスマット処理を行う。

さらに、硫酸、塩酸、または、フッ酸等のアルミニウムに対して腐食能のある酸に鉄、または、ニッケル等の鉄族金属塩を添加した水溶液を作成し、該水溶液にテーブル基板４２を浸漬させてテーブル基板４２の上面４４に金属粒子を析出させる。必要であればテーブル基板４２を負極として２～５Ｖで電解を行うことで金属粒子の析出密度を上げてもよい。

より詳細には、１～３０ｇ／Ｌの濃度で塩化ニッケルまたは塩化第二鉄を含み、１００ｇ／Ｌ以下の濃度で硫酸等の酸を含む混合水溶液中に３０～５０℃の温度でテーブル基板４２を１０～１２０分間浸漬し、上面４４の該中央部に金属粒子を付着させる。

好ましくは、１５ｇ／Ｌで塩化ニッケルを含み、５０ｇ／Ｌの濃度で硫酸を含む混合水溶液中に４０℃の温度でテーブル基板４２を１２０分間浸漬させる。または、好ましくは、１５ｇ／Ｌで塩化第二鉄を含み、３０ｇ／Ｌの濃度で酸性フッ化アンモニウムを含む混合水溶液中に４０℃の温度でテーブル基板４２を２０分間浸漬させる。

ケミカルブラストステップＳ３０では、第２段階としてアルカリ金属塩を含む溶液中にテーブル基板４２を浸漬して上面４４の中央部を粗化する。該第２段階では、テーブル基板４２を４０～６０℃の温度で１０～５０ｇ／Ｌの濃度の苛性ソーダに５～２０分間浸漬してエッチングし、その後、テーブル基板４２を室温で１０～５０ｇ／Ｌの濃度の硝酸に３０秒間～３分間浸漬してデスマット処理を行う。

好ましくは、テーブル基板４２を５０℃の温度で１５ｇ／Ｌの濃度の苛性ソーダに５分間浸漬してエッチングし、その後、テーブル基板４２を室温で２０ｇ／Ｌの硝酸に１分間浸漬してデスマット処理を行う。

さらに、ケミカルブラストステップＳ３０では、最終の表面処理となる第３段階として、導電性アルマイト被膜をテーブル基板４２の上面４４に形成してもよい。より詳細には、アルマイト被膜を形成した上で、該アルマイト被膜を薄化して電気伝導性を向上させ、アルマイト被膜の電気伝導性を向上させる。チャックテーブル２０に保持されるフレームユニット１１の帯電を防止するために、テーブル基板４２の上面４４の抵抗値は低いことが好ましい。

該第３段階では、テーブル基板４２を０～３０℃の温度で１００～３００ｇ／Ｌの濃度の硫酸溶液に浸漬させ、５～５０Ｖで電解を行い、上面４４にアルマイト被膜を形成する。好ましくは、２０℃の温度で２００ｇ／Ｌの濃度の硫酸溶液にて、電解電圧１０Ｖで３０分間電解を実施してアルマイト被膜を形成する。

アルマイト被膜は、細孔を含む多孔質層と呼ばれる部分と、密なバリヤー層と呼ばれる部分と、を含む。このバリヤー層が高抵抗であるため、このバリヤー層の厚さを調節することでアルマイト被膜の導電性を向上させる。具体的には、アルマイト被膜の形成後に電解電圧を下降させることでバリヤー層を電気化学的に溶解させて、該バリヤー層の厚さを調整する。

さらに、アルマイト被膜の導電性を向上させるために、二次電解と呼ばれる手法によりアルマイト被膜の多孔質層に金属を含ませてもよい。具体的には、ニッケル、コバルト、銀、銅、スズ、亜鉛、またはクロム等を含む金属塩を１～１００ｇ／Ｌの濃度で含む硫酸溶液にテーブル基板４２を浸漬させ、３～３０Ｖの電解電圧で二次電解を実施する。好ましくは、５ｇ／Ｌの濃度で硝酸銀を含む５０ｇ／Ｌの濃度の硫酸溶液を３０℃の温度にして、該硫酸溶液にテーブル基板４２を浸漬させ二次電解を実施する。

なお、ケミカルブラストステップＳ３０では、各種の薬液に浸漬させたテーブル基板４２を該薬液から引き上げた後、反応を停止させるために水で洗浄して上面４４から薬液を除去する。

以上に説明する通り、ケミカルブラストステップＳ３０を実施すると、テーブル基板４２の上面４４の該中央部に凹凸部４８が形成される。その一方で、テーブル基板４２の上面４４の該保護部材で保護された該外周部はリング状平滑部４６となる。したがって、上面４４に凹凸部４８及びリング状平滑部４６を有するテーブル基板４２を備えるチャックテーブル２０が形成される。

本実施形態に係るチャックテーブル２０の製造方法では、ケミカルブラストステップＳ３０を実施した後、保護部材除去ステップＳ４０を実施する。保護部材配設ステップＳ２０においてテーブル基板４２の上面４４に配設された保護部材（不図示）を除去する。保護部材の除去は、例えば、プラズマアッシング、または、オゾンアッシングにより実施される。または、保護部材を好適に剥離させる薬液を該保護部材に作用させることにより実施される。

なお、ポリイミド系の材料で形成された基材層と、該基材層の上に形成されたシリコーン系の材料で形成された粘着層と、を備えるテープ状の保護部材が使用された場合、該保護部材を作業者が手で剥離させてもよい。

保護部材除去ステップＳ４０を実施すると、図５（Ｂ）に示すように、上面４４にリング状平滑部４６と、該リング状平滑部４６に囲繞され全面に凹凸が形成された凹凸部４８と、を有するテーブル基板４２が得られる。ここで、テーブル基板４２の上面４４のリング状平滑部４６は、凹凸部４８よりも粗い。凹凸部４８の表面粗さ（Ｒｚ）は、５０μｍ以上１００μｍ以下となり、リング状平滑部４６の表面粗さ（Ｒｚ）は、２５μｍ以下となる。

本実施形態に係るチャックテーブル２０の製造方法では、保護部材除去ステップＳ４０の後、吸引路形成ステップＳ５０を実施する。吸引路形成ステップＳ５０では、テーブル基板４２の上面４４のリング状平滑部４６と凹凸部４８との境界５０に複数の吸引孔５２を形成するとともに、一端が吸引孔５２に連通した吸引路５４をテーブル基板４２の内部に形成する。

図６（Ａ）は、吸引孔５２が形成されたテーブル基板４２を模式的に示す斜視図であり、図７（Ａ）は、吸引孔５２及び吸引路５４が形成されたテーブル基板４２を模式的に示す断面図である。吸引孔５２及び吸引路５４の形成には、例えば、ドリル等の回転工具が使用される。

まず、吸引路５４のテーブル基板４２の凸部４２ａの底面４２ｂに通じる幹部分を形成するために、吸引路５４の該幹部分の径に対応する径のドリルを準備する。そして、該ドリルを底面４２ｂの中央に接触させテーブル基板４２を該ドリルで掘り進め、テーブル基板４２の内部の所定の高さ位置までドリルの先端を進行させる。その後、ドリルをテーブル基板４２から引き抜くと、吸引路５４の該幹部分が形成される。ここで、該所定の高さ位置とは、次に説明する吸引路５４の枝部分が形成される高さ位置である。

該枝部分は、該吸引路５４の該幹部分から各吸引孔５２の下方の領域に通じる部分をいう。該枝部分を形成する際には、まず、該枝部分の径に対応する径のドリルを準備する。そして、テーブル基板４２の側面に該ドリルを接触させテーブル基板４２を該ドリルで掘り進め、該ドリルの先端を該幹部分に到達させる。その後、ドリルを引き抜くと吸引路５４の枝部分が形成される。

該枝部分は、形成される吸引孔５２の数だけそれぞれの吸引孔５２の位置に対応するように形成される。例えば、図６（Ａ）に示す通り、テーブル基板４２の上面４４に該境界５０に沿って互いに等間隔に並ぶ８箇所の吸引孔５２を形成する場合、テーブル基板４２の外周面の互いに等間隔に並ぶ８つの位置をそれぞれ該ドリルで掘削する。

該ドリルにより該吸引路５４の該枝部分を形成した後、該枝部分のテーブル基板４２の外周面に露出する開口を埋め戻し部材５６により埋める。該埋め戻し部材５６は、テーブル基板４２と同様にアルミニウム等で形成されてもよく、溶接等の方法により該開口に配設される。

次に、テーブル基板４２の上面４４の境界５０において該枝部分の上方の位置からドリルでテーブル基板４２を掘削し、該ドリルの先端を該枝部分に到達させ、吸引路５４の縦穴部分を形成する。これにより、幹部分と、枝部分と、縦穴部分と、を含む吸引路５４が完成する。なお、吸引路形成ステップＳ５０では、吸引路５４の幹部分と、枝部分と、縦穴部分と、の形成順は以上に説明した順番に限定されず、適宜入れ替えられる。

なお、吸引路形成ステップＳ５０は、保護部材配設ステップＳ２０、ケミカルブラストステップＳ３０、及び、保護部材除去ステップＳ４０よりも前に実施されてもよい。この場合におけるチャックテーブル２０の製造方法の各ステップのフローを模式的に示すフローチャートを図９（Ｂ）に示す。すなわち、先にテーブル基板４２に吸引路５４等を形成した後に、テーブル基板４２の上面４４の中央部に凹凸部４８を形成してもよい。

以上に説明する通り、本実施形態に係るチャックテーブル２０の製造方法によると、リング状平滑部４６と、凹凸部４８と、複数の吸引孔５２と、を上面４４に有し、一端が該吸引孔５２に連通した吸引路５４を内部に有する円板状のテーブル基板４２を備えるチャックテーブル２０が製造される。

ポーラスセラミックスで形成された吸引部と、該吸引部を収容できる凹部を有する枠体と、からなる従来のチャックテーブルでは、例えば、枠体及び吸引部を一体化するための接着剤が使用された。そのため、該チャックテーブルの使用を繰り返すと接着剤の機能が低下して、吸引部が枠体から浮き上がるとの問題を生じる場合があった。

これに対して、本実施形態に係るチャックテーブル２０の製造方法では、従来の２つの部品から構成されるチャックテーブルとは異なり、主にテーブル基板４２から構成されるチャックテーブル２０を製造できる。そのため、チャックテーブル２０の使用中に２つの部品に分離することはなく、また、接着剤も不要である。

なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、図６（Ａ）等に示される通りテーブル基板４２の上面４４に形成された吸引孔５２が該上面４４のリング状平滑部４６及び凹凸部４８のいずれにも接続される場合を例に説明した。しかしながら、本発明の一態様に係るチャックテーブル２０はこれに限定されない。

すなわち、本発明の一態様に係るチャックテーブル２０では、吸引孔５２は、少なくとも凹凸部４８に接続されていればよく、リング状平滑部４６に接続されていなくてもよい。凹凸部４８と吸引孔５２とが接続されていなければ、ウェーハ１をチャックテーブル２０で吸引保持する際に、凹凸部４８とウェーハ１とで挟まれた空間４８ｂを吸引できない。その一方で、リング状平滑部４６と吸引孔５２とが接続されていなくても、空間４８ｂからの負圧の漏洩が生じることはない。

図６（Ｂ）は、リング状平滑部４６と吸引孔５２とが接続されていないテーブル基板４２を模式的に示す斜視図である。この場合、図６（Ｂ）に示す通り、吸引孔５２は、凹凸部４８に囲まれる。また、図６（Ｂ）に示す通り、凹凸部４８と、リング状平滑部４６と、の境界５０は、円形でなくてもよい。

換言すると、本発明の一態様に係るチャックテーブル２０において、リング状平滑部４６と凹凸部４８との境界５０に沿って形成される複数の吸引孔５２の配置は、図６（Ａ）等に示す境界５０と重なる場合に限られない。すなわち、境界５０に沿って形成される複数の吸引孔５２の配置は、図６（Ｂ）に示す通り、境界５０から離間して該境界５０の内側に並ぶ場合が含まれる。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１ ウェーハ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｃ 外周領域
１ｄ 中央領域
３ 分割予定ライン
５ デバイス
７ フレーム
７ａ 開口
９ シート
１１ フレームユニット
１３ カセット
２ 切削装置（加工装置）
４ 基台
４ａ，４ｂ 開口
６ カセットテーブル
８ ガイドレール
１０ 仮置きテーブル
１２ 搬出ユニット
１４，４０ 搬送ユニット
１６ Ｘ軸移動テーブル
１８ テーブルベース
１８ａ 凹部
１８ｂ 吸引孔
１８ｃ テーブル吸引孔
２０ チャックテーブル
２２ 保持面
２４ クランプ
２６ 防塵防滴カバー
２８ 支持構造
３０ 撮像ユニット
３２ 切削ユニット（加工ユニット）
３４ 切削ブレード
３６ スピンドル
３８ 洗浄ユニット
４２ テーブル基板
４２ａ 凸部
４２ｂ 底面
４４ 上面
４６ リング状平滑部
４８ 凹凸部
４８ａ 上端部
４８ｂ 空間
５０ 境界
５２ 吸引孔
５４ 吸引路
５６ 埋め戻し部材

Claims (5)

1. ウェーハを保持するチャックテーブルであって、
   円板状のテーブル基板を備え、
   該テーブル基板は、リング状平滑部と、該リング状平滑部に囲繞され全面に凹凸が形成された凹凸部と、該リング状平滑部と該凹凸部との境界に沿って形成された複数の吸引孔と、を上面に有し、一端が該吸引孔に連通した吸引路を内部に有し、
   該凹凸部の上端部の高さは、該リング状平滑部の高さと同一であり、
   該テーブル基板の該上面は、溝を有さず、
   該テーブル基板の該上面に載る該ウェーハと、該テーブル基板と、の間の空間が該吸引孔及び該吸引路を通じて吸引されることで該ウェーハを吸引保持できることを特徴とするチャックテーブル。
2. 該テーブル基板の該上面において、該凹凸部は、該リング状平滑部よりも粗いことを特徴とする請求項１に記載のチャックテーブル。
3. 該凹凸部の表面粗さ（Ｒｚ）は、５０μｍ以上１００μｍ以下であり、
   該リング状平滑部の表面粗さ（Ｒｚ）は、２５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のチャックテーブル。
4. 該テーブル基板は、アルミニウムで構成されることを特徴とする請求項１記載のチャックテーブル。
5. ウェーハを保持するチャックテーブルの製造方法であって、
   上面が平坦な円板状のテーブル基板を準備する準備ステップと、
   該上面の外周部上に保護部材を配設するとともに該上面の該外周部に囲繞された中央部を露出させる保護部材配設ステップと、
   該テーブル基板の該上面の露出された該中央部に薬液によるエッチングを実施し、該上面の該中央部に凹凸部を形成するとともに該保護部材で保護された該外周部をリング状平滑部とすることで、該上面に該凹凸部及び該リング状平滑部を有し溝を有さない該テーブル基板を備えるチャックテーブルを形成するエッチングステップと、
   該エッチングステップの後、該テーブル基板の該上面に配設された該保護部材を除去する保護部材除去ステップと、
   該テーブル基板の該上面の該リング状平滑部と該凹凸部との境界に複数の吸引孔を形成するとともに、一端が該吸引孔に連通した吸引路を該テーブル基板の内部に形成する吸引路形成ステップと、
   を含むことを特徴とするチャックテーブルの製造方法。

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