JP7470706B2 - 組成物、光学異方性膜、光学フィルム、円偏光板、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、組成物、光学異方性膜、光学フィルム、円偏光板、および、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

屈折率異方性を持つ位相差膜（光学異方性膜）は、表示装置の反射防止膜、および、液晶表示装置の光学補償フィルムなど種々の用途に適用されている。
例えば、特許文献１においては、リオトロピック液晶性を示す組成物を用いて形成される二軸性の光学異方性膜が提案されている。ここで、二軸性とは、光学異方性膜の遅相軸方向の屈折率ｎｘ、進相軸方向の屈折率ｎｙおよび厚み方向の屈折率ｎｚがｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たすことを意味する。

特表２０１２－５００３１６号公報

一方で、近年、光学異方性膜に対して、逆波長分散性を示すことが求められている。
本発明者は、特許文献１に記載の二軸性の光学異方性膜の特性を検討したところ、逆波長分散性は示しておらず、更なる改良が必要であった。特に、可視光線領域において、逆波長分散性を示すことが望まれていた。

本発明は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙを示す光学異方性膜を形成できる組成物を提供することを課題とする。
また、本発明は、光学異方性膜、光学フィルム、円偏光板、および、有機ＥＬ表示装置を提供することも課題とする。

本発明者らは、従来技術の問題点について鋭意検討した結果以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。

（１） 後述する式（１）で表される化合物および棒状化合物を含む組成物であり、
式（１）で表される化合物が波長３００ｎｍ以下の範囲に極大吸収波長を有し、
棒状化合物が波長３３０ｎｍ以上の範囲に極大吸収波長を有する、組成物。
（２） 棒状化合物が、後述する式（２）で表される繰り返し単位を有する高分子、および、後述する式（３）で表される繰り返し単位を有する高分子からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（１）に記載の組成物。
（３） 式（１）で表される化合物、および、棒状化合物のうち少なくとも一方が、重合性基を有する、（１）または（２）に記載の組成物。
（４） 式（１）で表される化合物および棒状化合物の合計質量に対する、式（１）で表される化合物の含有量が、５０質量％超である、（１）～（３）のいずれかに記載の組成物。
（５） 波長７００～１０００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する近赤外線吸収化合物をさらに含む、（１）～（４）のいずれかに記載の組成物。
（６） 重合性モノマーをさらに含む、（１）～（５）のいずれかに記載の組成物。
（７） 後述する式（４）で表される化合物をさらに含む、（１）～（６）のいずれかに記載の組成物。
（８） さらに溶媒を含む、（１）～（７）のいずれかに記載の組成物。
（９） （１）～（８）のいずれかに記載の組成物を用いて形成された光学異方性膜。
（１０） 基板と、（９）に記載の光学異方性膜とを有する、光学フィルム。
（１１） 基板と光学異方性膜との間に配向膜が配置される、（１０）に記載の光学フィルム。
（１２） （１）～（８）のいずれかに記載の光学異方性膜、または、（９）または（１０）に記載の光学フィルムと、
偏光子と、を有する、円偏光板。
（１３） 光学異方性膜の遅相軸または光学フィルム中の光学異方性膜の遅相軸と、偏光子の吸収軸とのなす角が、４５±５°の範囲内である、（１２）に記載の円偏光板。
（１４） 基板、金属電極層、有機材料からなる発光層、および、透明電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子と、
（１２）または（１３）に記載の円偏光板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
円偏光板中の光学異方性膜が偏光子よりも有機エレクトロルミネッセンス表示素子側に配置され、
金属電極層と偏光子との間に存在する全ての部材の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションの合計値が、０±３０ｎｍ以内である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

本発明によれば、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙを示す光学異方性膜を形成できる組成物を提供できる。
また、本発明によれば、光学異方性膜、光学フィルム、円偏光板、および、有機ＥＬ表示装置を提供できる。

本発明の光学異方性膜の構造を説明するための模式図である。 逆波長分散性を示す本発明の光学異方性膜の異常光線屈折率ｎｅと常光線屈折率ｎｏとの波長分散の比較を示す図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
なお、本明細書において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、進相軸および遅相軸は、特別な断りがなければ、波長５５０ｎｍにおける定義である。つまり、特別な断りがない限り、例えば、進相軸方向という場合、波長５５０ｎｍにおける進相軸の方向を意味する。

本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレタデーションおよび厚み方向のレタデーションを表す。特に記載がないときは、波長λは、５５０ｎｍとする。
本発明において、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）はＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ－１（オプトサイエンス社製）において、波長λで測定した値である。ＡｘｏＳｃａｎにて平均屈折率（（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３）と膜厚（ｄ（μｍ））を入力することにより、
遅相軸方向（°）
Ｒｅ（λ）＝Ｒ０（λ）
Ｒｔｈ（λ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ）×ｄ
が算出される。
なお、Ｒ０（λ）は、ＡｘｏＳｃａｎ ＯＰＭＦ－１で算出される数値として表示されるものであるが、Ｒｅ（λ）を意味している。

本明細書において、屈折率ｎｘ、ｎｙ、および、ｎｚは、アッベ屈折計（ＮＡＲ－４Ｔ、アタゴ（株）製）を使用し、光源にナトリウムランプ（λ＝５８９ｎｍ）を用いて測定する。また、波長依存性を測定する場合は、多波長アッベ屈折計ＤＲ－Ｍ２（アタゴ（株）製）にて、干渉フィルタとの組み合わせで測定できる。
また、ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、および、各種光学フィルムのカタログの値を使用できる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、および、ポリスチレン（１．５９）。

また、本明細書において、Ｎｚファクターとは、Ｎｚ＝（ｎｘ－ｎｚ）／（ｎｘ－ｎｙ）で与えられる値である。

なお、本明細書では、「可視光線」とは、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ未満の光を意図する。また、「紫外線」とは、波長１０ｎｍ以上４００ｎｍ未満の光を意図する。
また、本明細書において、角度の関係（例えば「直交」、「平行」等）については、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。例えば、厳密な角度±５°の範囲内であることなどを意味し、厳密な角度との誤差は、±３°の範囲内であることが好ましい。

本明細書において表記される２価の基（例えば、－ＣＯＯ－）の結合方向は特に制限されず、例えば、Ｘ－Ｌ－Ｙ中のＬが－ＣＯＯ－である場合、Ｘ側に結合している位置を＊１、Ｙ側に結合している位置を＊２とすると、Ｌは＊１－Ｏ－ＣＯ－＊２であってもよく、＊１－ＣＯ－Ｏ－＊２であってもよい。

本発明の組成物の特徴点の一つとしては、所定の吸収特性を示す２種の化合物を用いている点が挙げられる。
本発明の組成物は後述するようにリオトロピック液晶性組成物であり、光学異方性膜を形成する際に所定の剪断方向に沿って配向状態が形成される。具体的には、図１に示すように、ｙ軸方向に沿って組成物を塗布した際には、基板１０上において棒状化合物１２はその分子軸（棒状化合物１２が延びる方向）がｙ軸方向に沿うように配置される。また、式（１）で表される化合物（以下、単に「特定化合物」ともいう。）１４は、その内部に環状構造を有しており、全体として平板状の構造を有している。そのため、図１に示すように、複数の特定化合物１４は、平板状の構造の面同士が対向するように（言い換えれば、化合物内部の環状構造同士が対向するように）配置される。そして、特定化合物１４同士が会合して形成されるカラム状の会合体は、会合体の延在方向が棒状化合物１２の分子軸に沿って配置される。
このような配向状態においては、特定化合物１４由来の構造に起因して、図１中のｘ軸方向が遅相軸となり、光学異方性膜の遅相軸方向の屈折率ｎｘ、進相軸方向の屈折率ｎｙおよび厚み方向の屈折率ｎｚは、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たす。

さらに、本発明においては、特定化合物が波長３００ｎｍ以下の範囲に極大吸収波長を有し、棒状化合物が波長３３０ｎｍ以上の範囲に極大吸収波長を有する。つまり、特定化合物がより短波長側に吸収を有し、棒状化合物がより長波長側に吸収を有する。図１に示すように、特定化合物１４はｘ軸方向に沿ってその吸収軸が配列し、棒状化合物１２はｙ軸方向に沿ってその吸収軸が配列する。そのため、図２に示すように、ｎｘのほうがｎｙに比べて先に屈折率が減少するため、矢印で示す領域（特に、可視光線領域）においてはｎｘのほうがｎｙよりも緩やかに屈折率が減少するため、逆波長分散性が達成される。

次に、本発明の組成物（以下、単に「組成物」ともいう。）の構成について詳述する。
組成物は、特定化合物、および、棒状化合物を含む。
以下では、まず、組成物に含まれる材料について詳述し、その後、組成物を用いて形成される光学異方性膜について詳述する。

＜式（１）で表される化合物＞
組成物は、特定化合物を含む。上述したように、特定化合物は式（１）中で規定される環構造を有しており、平板状の分子構造を有する平板状化合物に該当する。そのため、上述したように特定化合物同士で環構造を対向させるようにパッキングして会合体を形成しやすい。
なお、「平板状化合物」とは、芳香環（芳香族炭化水素環および芳香族複素環など）が、単結合または適切な連結基を介して、２次元的に広がった構造を有する化合物のことを指し、溶媒中において、化合物中の平面同士が会合することでカラム状の会合体を形成する性質を持った化合物群のことを示す。
特定化合物は、リオトロピック液晶性を示すことが好ましい。リオトロピック液晶性とは、溶媒に溶解させた溶液状態で、温度や濃度を変化させることにより、等方相－液晶相の相転移を起こす性質をいう。
特定化合物は、液晶性発現の制御がしやすい点から、水溶性であることが好ましい。水溶性の特定化合物とは、水に対して１質量％以上溶解する特定化合物のことを表し、水に対して５質量％以上溶解する特定化合物が好ましい。

特定化合物は、波長３００ｎｍ以下の範囲に極大吸収波長を有する。つまり、特定化合物は、波長３００ｎｍ以下の範囲の極大吸収ピークを有する。
なお、上記極大吸収波長とは、特定化合物の吸収スペクトル（測定範囲：波長２５０～７００ｎｍの範囲）において、その吸光度が極大値を取るときの波長を意味する。特定化合物の吸収スペクトルの吸光度において、複数の極大値がある場合、最も吸光度の高い極大値の波長を選択する。

なかでも、得られる光学異方性膜の逆波長分散性がより優れる点、および、光学異方性膜のｎｘ、ｎｙおよびｎｚの関係を制御しやすい点の少なくとも一方の効果が得られる点（以下、単に「本発明の効果が優れる点」ともいう。）で、特定化合物は２５０～３００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有することが好ましく、２６０～２９０ｎｍの範囲に極大吸収波長を有することがより好ましい。
上記極大吸収波長の測定方法は以下の通りである。
特定化合物（０．０１～０．０５ｍｍｏｌ）を純水（１０００ｍｌ）に溶解させ、分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、得られた溶液の吸収スペクトルを測定する。

式中、Ａｒ_１１およびＡｒ_１２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい１価の芳香環を表す。
１価の芳香環は、単環であっても、複環であってもよい。
１価の芳香環としては、１価の芳香族炭化水素環、および、１価の芳香族複素環が挙げられる。１価の芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、および、フェナンスロリン環などの芳香族炭化水素環に直接結合する１個の水素原子を除いてなる基が挙げられる。１価の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、チアゾール環、および、ベンゾチアゾール環などの芳香族複素環に直接結合する１個の水素原子を除いてなる基が挙げられる。

１価の芳香環が有していてもよい置換基は特に制限されず、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、モノアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、芳香族ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、芳香族ヘテロ環チオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子、シアノ基、スルホ基もしくはその塩、カルボキシル基もしくはその塩、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（例えば、ヘテロアリール基）、シリル基、およびこれらを組み合わせた基などが挙げられる。なお、上記置換基は、さらに置換基で置換されていてもよい。

Ａｒ_１１およびＡｒ_１２の少なくとも一方は、置換基を有していることが好ましい。置換基としては、本発明の効果が優れる点で、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）もしくはその塩、カルボキシル基もしくはその塩、または、ヒドロキシ基を有する基が好ましく、スルホ基またはその塩、または、ヒドロキシ基を有する基がより好ましい。

スルホ基の塩中のカチオンイオンとしては、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｌｉ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋、Ｂａ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｐｂ^２＋、Ｚｎ^２＋、Ｌａ^３＋、Ｃｅ^３＋、Ｙ^３＋、Ｙｂ^３＋、Ｇｄ^３＋、Ｚｒ^４＋またはＮＨ_４－ｋＱ_ｋ ^＋（Ｑは、炭素数１～２０の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基または炭素数６～２０のアリール基を表し、ｋは１～４の整数を表す）が好ましく、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｌｉ^＋、Ｃｓ^＋、Ｒｂ^＋、Ｂａ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｍｇ^２＋またはＮＨ_４－ｋＱ_ｋ ^＋がより好ましい。
なお、上記カチオンイオンとしては、アルカリ金属イオンがさらに好ましい。

ヒドロキシ基を有する基としては、ヒドロキシ基が含まれていれば特に制限されないが、例えば、ヒドロキシ基、ヒドロキシ基が置換されたアルキル基、ヒドロキシ基が置換されたアルキル基を有するジアルキルアミノ基、および、ヒドロキシ基が置換されたアルキル基を有するモノアルキルアミノ基が挙げられる。

Ｚ_１１、Ｚ_１２およびＺ_１３は、それぞれ独立に、単結合、－ＮＨ－または－Ｏ－を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、－ＮＨ－が好ましい。

Ｙ_１１、Ｙ_１２およびＹ_１３は、それぞれ独立に、－ＣＨ＝または－Ｎ＝を表す。なかでも、本発明の効果がより優れる点で、－Ｎ＝が好ましい。

Ｌは、２価の連結基を表す。２価の連結基としては、例えば、２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基、アルケニレン基、および、アルキニレン基などの２価の脂肪族炭化水素基、並びに、アリーレン基などの２価の芳香族炭化水素基）、２価の複素環基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＮＨ－、－Ｎ（Ｑ）－、－ＣＯ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、または、これらを組み合わせた基（例えば、－Ｏ－２価の炭化水素基－、－（Ｏ－２価の炭化水素基）_ｍ－Ｏ－（ｍは、１以上の整数を表す）、および、－２価の炭化水素基－Ｏ－ＣＯ－など）が挙げられる。Ｑは、水素原子またはアルキル基を表す。
Ｌとしては、式（Ｘ）で表される基が好ましい。
式（Ｘ） －Ｌ_１－Ａｒ_１－Ｌ_２－（Ａｒ_２－Ｌ_３）_ｎ－
Ｌ_１およびＬ_３は、それぞれ独立に、単結合または炭素数１～６のアルキレン基（好ましくは、炭素数１～４のアルキレン基）を表す。Ｌ_２は、単結合、炭素数１～６のアルキレン基（好ましくは、炭素数１～４のアルキレン基）、－Ｏ－、－Ｓ－または－ＮＨ－を表す。Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立に、フェニレン基またはナフチレン基を表す。ｎは、０または１を表す。

特定化合物は、重合性基を有していてもよい。重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合性基またはカチオン重合性基が好ましい。
ラジカル重合性基としては、公知のラジカル重合性基を用いることができ、アクリロイル基、メタアクリロイル基、または、スチリル基が好ましい。
カチオン重合性基としては、公知のカチオン重合性基を用いることができ、具体的には、脂環式エーテル基、環状アセタール基、環状ラクトン基、環状チオエーテル基、スピロオルソエステル基、および、ビニルオキシ基が挙げられる。なかでも、脂環式エーテル基またはビニルオキシ基が好ましく、エポキシ基、オキセタニル基、または、ビニルオキシ基がより好ましい。
特に、好ましい重合性基の例としては下記が挙げられる。

特定化合物としては、以下が例示される。

＜棒状化合物＞
組成物は、棒状化合物を含む。上述したように、棒状化合物は所定の方向に配向しやすい。
棒状化合物は、リオトロピック液晶性を示すことが好ましい。
棒状化合物は、液晶性発現の制御がしやすい点から水溶性であることが好ましい。水溶性の棒状化合物とは、水に対して１質量％以上溶解する棒状化合物のことを表し、水に対して５質量％以上溶解する棒状化合物が好ましい。
なお、棒状化合物とは、芳香環（芳香族炭化水素環および芳香族複素環など）が、単結合または適切な連結基を介して、１次元的に繋がった構造を有する化合物のことを指し、溶媒中において、長軸が互いに平行に揃うように配向する性質を持った化合物群のことを示す。

棒状化合物は、波長３３０ｎｍ以上の範囲に極大吸収波長を有する。つまり、棒状化合物は、波長３３０ｎｍ以上の範囲の極大吸収ピークを有する。
なお、上記極大吸収波長とは、棒状化合物の吸収スペクトル（測定範囲：波長２５０～７００ｎｍの範囲）において、その吸光度が極大値を取るときの波長を意味する。棒状化合物の吸収スペクトルの吸光度において、複数の極大値がある場合、最も吸光度の高い極大値の波長を選択する。

なかでも、本発明の効果が優れる点で、棒状化合物は３３０～３６５ｎｍの範囲に極大吸収波長を有することが好ましい。
上記極大吸収波長の測定方法は以下の通りである。
棒状化合物（５～５０ｍｇ）を純水（１０００ｍｌ）に溶解させ、分光光度計（ＭＰＣ－３１００（ＳＨＩＭＡＤＺＵ製））を用いて、得られた溶液の吸収スペクトルを測定する。

棒状化合物は上記極大吸収波長の要件を満たしていれば特に制限されないが、リオトロピック液晶性を示す高分子が好ましい。
なかでも、本発明の効果が優れる点で、棒状化合物は、式（２）で表される繰り返し単位を有する高分子、および、式（３）で表される繰り返し単位を有する高分子からなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。

式中、Ａｒ_２１、Ａｒ_２２およびＡｒ_２３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香環を表す。
２価の芳香環は、単環であっても、複環であってもよい。
２価の芳香環としては、２価の芳香族炭化水素環、および、２価の芳香族複素環が挙げられる。２価の芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、および、フェナンスロリン環などの芳香族炭化水素環に直接結合する２個の水素原子を除いてなる基が挙げられる。２価の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、チアゾール環、および、ベンゾチアゾール環などの芳香族複素環に直接結合する２個の水素原子を除いてなる基が挙げられる。

２価の芳香環が有していてもよい置換基としては、上述した１価の芳香環が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。
２価の芳香環が有していてもよい置換基の好適態様としては、１価の芳香環が有していてもよい置換基の好適態様と同じであり、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）もしくはその塩、カルボキシル基もしくはその塩、または、ヒドロキシ基を有する基が好ましい。

Ｒは、水素原子または置換基を表す。置換基としては、上述した１価の芳香環が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。

Ｘ_２は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ_２で表される２価の連結基の定義は、上述したＬで表される２価の連結基の定義と同じである。
Ｘ_２で表される２価の連結基としては、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－、アリーレン基、または、ヘテロアリーレン基が好ましい。

ｍ_２は０～３の整数を表し、本発明の効果が優れる点で、１または２が好ましく、１がより好ましい。
ｍ_２が２以上の場合、複数あるＸ_２およびＡｒ_２３は、同じでも異なっていてもよい。

式中、Ａｒ_３１は、置換基を有していてもよい４価の芳香環を表す。
４価の芳香環は、単環であっても、複環であってもよい。
４価の芳香環としては、４価の芳香族炭化水素環、および、４価の芳香族複素環が挙げられる。４価の芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、および、フェナンスロリン環などの芳香族炭化水素環に直接結合する４個の水素原子を除いてなる基が挙げられる。４価の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、チアゾール環、および、ベンゾチアゾール環などの芳香族複素環に直接結合する４個の水素原子を除いてなる基が挙げられる。

４価の芳香環が有していてもよい置換基としては、上述した１価の芳香環が有していてもよい置換基で例示した基が挙げられる。
４価の芳香環が有していてもよい置換基の好適態様としては、１価の芳香環が有していてもよい置換基の好適態様と同じであり、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）もしくはその塩、カルボキシル基もしくはその塩、または、ヒドロキシ基を有する基が好ましい。

Ａｒ_３２およびＡｒ_３３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香環を表す。
Ａｒ_３２およびＡｒ_３３で表される置換基を有していてもよい２価の芳香環の定義は、上述したＡｒ_２１、Ａｒ_２２およびＡｒ_２３で表される置換基を有していてもよい２価の芳香環の定義と同じである。

Ｘ_３は、単結合または２価の連結基を表す。Ｘ_３で表される２価の連結基の定義は、上述したＬで表される２価の連結基の定義と同じである。
Ｘ_３で表される２価の連結基としては、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－、アリーレン基、または、ヘテロアリーレン基が好ましい。

ｍ_３は０～３の整数を表し、本発明の効果が優れる点で、１または２が好ましく、１がより好ましい。
ｍ_３が２以上の場合、複数あるＸ_３およびＡｒ_３３は、同じでも異なっていてもよい。

棒状化合物は、重合性基を有していてもよい。重合性基の定義は、上述した特定化合物が有していてもよい重合性基の定義と同じである。

式（２）で表される繰り返し単位を有する高分子に含まれる式（２）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、高分子中の全繰り返し単位に対して、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましい。上限としては１００モル％が挙げられる。

式（３）で表される繰り返し単位を有する高分子に含まれる式（３）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、高分子中の全繰り返し単位に対して、６０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましい。上限としては１００モル％が挙げられる。

式（２）で表される繰り返し単位を有する高分子の分子量は特に制限されないが、高分子中における式（２）で表される繰り返し単位の数が１０～１０００００が好ましく、１００～１００００がより好ましい。
式（３）で表される繰り返し単位を有する高分子の分子量は特に制限されないが、高分子中における式（３）で表される繰り返し単位の数が１０～１０００００が好ましく、１００～１００００がより好ましい。

＜その他の成分＞
組成物は、特定化合物および棒状化合物以外の他の成分を含んでいてもよい。
例えば、組成物は、波長７００～１０００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する近赤外線吸収化合物を含んでいてもよい。組成物が、上記近赤外線吸収化合物を含む場合、光学異方性膜の逆波長分散性がより理想曲線に近くなる。

近赤外線吸収化合物としては、例えば、ジケトピロロピロール系色素、ジインモニウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、アゾ系色素、ポリメチン系色素、アントラキノン系色素、ピリリウム系色素、スクアリリウム系色素、トリフェニルメタン系色素、シアニン系色素、オキソノール系色素、および、アミニウム系色素が挙げられる。
近赤外線吸収化合物としては、棒状骨格を有し、分子長軸に沿って遷移モーメントを有する水溶性化合物が好ましい。具体的には、シアニン色素、および、オキソノール色素が挙げられる。
近赤外線吸収化合物はメソゲン基を有していてもよい。近赤外線吸収化合物がメソゲン基を有することにより、特定化合物および棒状化合物と共に配向しやすくなり、光学異方性膜の逆波長分散性がより理想曲線に近くなる。
なお、メソゲン基とは、剛直かつ配向性を有する官能基である。メソゲン基の構造としては、例えば、芳香環基（芳香族炭化水素環基および芳香族複素環基）および脂環基からなる群から選択される基が、複数個、直接または連結基を介して連なった構造が挙げられる。
組成物中における近赤外線吸収化合物の含有量は、特定化合物および棒状化合物の合計質量に対して、０．１～１０質量部が好ましく、１～５質量部がより好ましい。

組成物は、重合性モノマーをさらに含んでいてもよい。
重合性モノマーは、水溶性であることが好ましい。
重合性モノマーは、液晶性を示す重合性モノマーであってもよい。
組成物中における重合性モノマーの含有量は、特定化合物および棒状化合物の合計質量に対して、５～５０質量部が好ましく、１０～３０質量部がより好ましい。

組成物は、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、水、アルコールおよびジメチルホルムアミドなどの極性溶媒、および、ヘキサンなどの非極性溶媒が挙げられる。なかでも、極性溶媒が好ましく、水およびアルコールがより好ましい。

組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤は水溶性であることが好ましい。水溶性の重合開始剤とは、水に対して１質量％以上溶解する重合開始剤のことを表し、水に対して５質量％以上溶解する重合開始剤が好ましい。
重合開始剤としては、光重合開始剤および熱重合開始剤が挙げられる。

組成物は、下記式（４）で表される化合物を含んでいてもよい。

式中、Ｗ_１およびＷ_２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～３０のアルキル基、スルホン酸基もしくはその塩、ホスホン酸基もしくはその塩、または、重合性基を表し、Ｒは、水素原子またはメチル基を表し、ｎは繰り返し単位数を表す。
式（４）で表される化合物としては、ノニオン性の化合物であることが好ましく、Ｗ_１およびＷ_２としては、水素原子、炭素数１～３０のアルキル基、または、重合性基が好ましい。
重合性基の種類は特に制限されず、ラジカル重合性基またはカチオン重合性基が好ましい。ラジカル重合性基およびカチオン重合性基の具体例は、上述した通りである。
ｎとしては、２～１００が好ましく、４～２０がより好ましい。
組成物中における式（４）で表される化合物の含有量としては、特定化合物および棒状化合物の合計質量に対して、０．１～３０質量部が好ましく、１～２０質量部がより好ましい。

組成物に含まれていてもよい添加剤としては、上記以外にも、波長分散制御剤、光学特性調整剤、界面活性剤、密着改良剤、滑り剤、配向制御剤、および、紫外線吸収剤が挙げられる。

＜組成物＞
本発明の組成物は、上述した、特定化合物および棒状化合物を少なくとも含む。組成物は、リオトロピック液晶性組成物である。
ここで、リオトロピック液晶性組成物とは、溶液状態で、温度や濃度を変化させることにより、等方相－液晶相の相転移を起こす性質を有する組成物である。つまり、本発明の組成物は、特定化合物、棒状化合物、および、溶媒を含む溶液状態において、各化合物の濃度などを調整することにより、リオトロピック液晶性を示すことができる組成物である。なお、組成物が過剰の溶媒を含み、その状態ではリオトロピック液晶性を示していなくとも、組成物の塗布後の乾燥工程でリオトロピック液晶性を示す場合など濃度が変化した際にリオトロピック液晶性を示す場合には、その組成物は上記リオトロピック液晶性組成物に該当する。
組成物中における特定化合物および棒状化合物の合計含有量は特に制限されないが、組成物中の全固形分に対して、６０～１００質量％が好ましく、８０～９９質量％がより好ましい。
全固形分とは、溶媒を除く、光学異方性膜を形成し得る成分を意味する。なお、上記成分の性状が液体状であっても、固形分として計算する。

特定化合物および棒状化合物の合計質量に対する、特定化合物の含有量は特に制限されないが、本発明の効果が優れる点で、５０質量％超が好ましく、６０質量％以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、９０質量％以下が好ましく、８０質量％がより好ましい。

本発明の組成物は、溶媒を含んでいてもよい。
本発明の組成物の固形分濃度は特に制限されないが、本発明の効果が優れる点で、組成物全質量に対して、１～５０質量％が好ましく、３～３０質量％がより好ましい。
上述したように、本発明の組成物は、リオトロピック液晶性組成物である。よって、本発明の組成物は、所定量の溶媒を含み、リオトロピック液晶性を示している態様（リオトロピック液晶性が発現している状態）であってもよいし、溶媒を過剰に含んでおり、その状態ではリオトロピック液晶性を示さない（等方相を示す）組成物であっても、光学異方性層を形成する際に溶媒が揮発して、塗膜の形成途中でリオトロピック液晶性を示す組成物であってもよい。
なお、後述するように、支持体上に配向膜を配置しておけば、組成物の塗布後の乾燥過程において、リオトロピック液晶性を発現することで、化合物の配向が誘起され、光学異方性膜を形成することが可能となる。

組成物は、１種の特定化合物のみを含んでいてもよいし、２種以上の特定化合物を含んでいてもよい。
組成物は、１種の棒状化合物のみを含んでいてもよいし、２種以上の棒状化合物を含んでいてもよい。

＜光学異方性膜の製造方法＞
本発明の光学異方性膜の製造方法は、上述した組成物を用いていれば特に制限されない。例えば、本発明の組成物を塗布して塗膜を形成し、塗膜中の特定化合物および棒状化合物が配向した状態を固定して光学異方性膜を形成する方法が好ましい。
以下、上記方法の手順について詳述する。

まず、組成物を塗布して塗膜を形成する。通常、組成物は支持体上に塗布される場合が多い。
使用される支持体は、組成物を塗布するための基材として機能を有する部材である。支持体は、いわゆる仮支持体であってもよい。
支持体（仮支持体）としては、プラスチック基板またはガラス基板が挙げられる。プラスチック基板を構成する材料としては、ポリエチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、セルロース樹脂、シリコーン樹脂、および、ポリビニルアルコールが挙げられる。
支持体の厚みは、５～１０００μｍ程度であればよく、１０～２５０μｍが好ましく、１５～９０μｍがより好ましい。

なお、必要に応じて、支持体上には、配向膜を配置してもよい。
配向膜は、一般的には、ポリマーを主成分とする。配向膜用ポリマーとしては、多数の文献に記載があり、多数の市販品を入手できる。配向膜用ポリマーとしては、ポリビニルアルコール、ポリイミド、または、その誘導体が好ましい。
なお、配向膜には、公知のラビング処理が施されることが好ましい。
また、配向膜としては、光配向膜を用いてもよい。
配向膜の厚みは、０．０１～１０μｍが好ましく、０．０１～１μｍがより好ましい。

塗布方法としては公知の方法が挙げられ、例えば、カーテンコーティング法、押出コーティング法、ロールコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、および、スライドコーティング法が挙げられる。
また、剪断応力を与える塗布方法を採用すると、化合物の配向と塗布との２つの処理を同時に行うことができる。
また、連続塗布によって、塗布と同時に、特定化合物および棒状化合物を連続配向されてもよい。連続塗布としては、カーテンコーティング法、押出コーティング法、ロールコーティング法、および、スライドコーティング法が挙げられる。具体的な塗布手段としては、ダイコーター、ブレードコーターまたはバーコーターを用いることが好ましい。

塗膜中における特定化合物および棒状化合物を配向させる手段としては、上述したように、剪断応力を与える方法が挙げられる。
特定化合物および棒状化合物は、図１に示したような配向状態をとりえる。

支持体上に形成された塗膜に対しては、必要に応じて、加熱処理を施してもよい。
塗膜を加熱する場合の条件は特に制限されないが、加熱温度としては５０～２５０℃が好ましく、加熱時間としては１０秒間～１０分間が好ましい。
また、塗膜を加熱した後、必要に応じて、塗膜を冷却してもよい。冷却温度としては２０～２００℃が好ましく、２０～１５０℃がより好ましい。

塗膜中における特定化合物および棒状化合物を配向させる別の手段としては、上述したように、配向膜を用いる方法が挙げられる。
配向膜に予め所定の方向への配向処理を行うことで、配向方向の制御が可能となる。特に、ロール状支持体を用いて連続塗布する際に、搬送方向に対して斜め方向に配向させる場合には、配向膜を用いる方法が好ましい。
配向膜を用いる方法において、使用される組成物中の溶媒の濃度は特に制限されず、組成物がリオトロピック液晶性を示すような溶媒の濃度であってもよいし、それ以下の濃度であってもよい。上述したように、本発明の組成物はリオトロピック液晶性組成物であるため、組成物中の溶媒の濃度が高い場合（組成物自体が等方相を示している場合）であっても、組成物を塗布後の乾燥過程において、リオトロピック液晶性を発現することで、配向膜上で化合物の配向が誘起され、光学異方性膜を形成することが可能となる。

特定化合物および棒状化合物の配向状態を固定する方法は特に制限されず、上記のように塗膜を加熱した後、冷却する方法が挙げられる。
また、特定化合物および棒状化合物の少なくとも一方が重合性基を有する場合、または、重合性モノマーを用いる場合には、特定化合物および棒状化合物の配向状態を固定するために、塗膜に対して硬化処理（紫外線の照射（光照射処理）または加熱処理）を施して、配向状態を固定化（重合固定化）して、光学異方性膜を形成してもよい。
塗膜に対して実施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、光照射処理および加熱処理が挙げられる。なかでも、製造適性の点から、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。
光照射処理の照射条件は特に制限されないが、５０～１０００ｍＪ／ｃｍ^２の照射量が好ましい。

＜光学異方性膜＞
光学異方性膜は、上述した本発明の組成物を用いて形成される膜である。上述したように、光学異方性膜は、特定化合物および棒状化合物が配向した状態を固定することにより形成される。

光学異方性膜は、逆波長分散性を示す。なお、本明細書において、逆波長分散性とは、可視光線領域の少なくとも一部の波長領域において、面内のレタデーション（Ｒｅ）値を測定した際に、測定波長が大きくなるにつれてＲｅ値が同等または高くなるものをいう。本発明において、光学異方性膜が逆波長分散性を示すとは、以下の式（Ａ）および式（Ｂ）の関係を満たしていればよい。
式（Ａ） Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００
Ｒｅ（４５０）は波長４５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表し、Ｒｅ（５５０）は波長５５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表す。
なかでも、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）は、０．９７以下が好ましく、０．９２以下がより好ましく、０．８７以下がさらに好ましい。下限は特に制限されないが、０．７５以上の場合が多く、０．７８以上が好ましい。

式（Ｂ） Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）＞１．００
Ｒｅ（６５０）は波長６５０ｎｍにおける光学異方性膜の面内レタデーションを表す。
なかでも、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）は、１．０２以上が好ましく、１．０５以上がより好ましい。上限は特に制限されないが、１．２５以下が好ましく、１．２０以下がより好ましい。

光学異方性膜は、二軸性（ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙ）を示す。
光学異方性膜のＮｚファクターは特に制限されず、他の部材との組み合わせの点からは、０．１～０．８が好ましく、０．２～０．７がより好ましい。

光学異方性膜のＲｅ（５５０）は特に制限されないが、λ／４板として有用である点で、１１０～１６０ｎｍが好ましく、１２０～１５０ｎｍがより好ましい。
光学異方性膜のＲｔｈ（５５０）は特に制限されないが、－５０～４０ｎｍが好ましく、－４０～３０ｎｍがより好ましい。

光学異方性膜の厚みは特に制限されず、薄型化の点から、１０μｍ以下が好ましく、０．５～８．０μｍがより好ましく、０．５～６．０μｍがさらに好ましい。
なお、本明細書において、光学異方性膜の厚みとは、光学異方性膜の平均厚みを意図する。上記平均厚みは、光学異方性膜の任意の５箇所以上の厚みを測定して、それらを算術平均して求める。

上述した光学異方性膜は、種々の用途に適用でき、例えば、光学異方性膜の面内レタデーションを調整して、いわゆるλ／４板またはλ／２板として用いることもできる。
なお、λ／４板とは、ある特定の波長の直線偏光を円偏光に（または、円偏光を直線偏光に）変換する機能を有する板である。より具体的には、所定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅがλ／４（または、この奇数倍）を示す板である。
λ／４板の波長５５０ｎｍでの面内レタデーション（Ｒｅ（５５０））は、理想値（１３７．５ｎｍ）を中心として、２５ｎｍ程度の誤差があってもよく、例えば、１１０～１６０ｎｍであることが好ましく、１２０～１５０ｎｍであることがより好ましい。
また、λ／２板とは、特定の波長λｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（λ）がＲｅ（λ）≒λ／２を満たす光学異方性膜のことをいう。この式は、可視光線領域のいずれかの波長（例えば、５５０ｎｍ）において達成されていればよい。なかでも、波長５５０ｎｍにおける面内レタデーションＲｅ（５５０）が、以下の関係を満たすことが好ましい。
２１０ｎｍ≦Ｒｅ（５５０）≦３００ｎｍ

＜光学フィルム＞
光学異方性膜は、他の層と組み合わせて、光学フィルムとして用いてもよい。つまり、本発明の光学フィルムは、上述した光学異方性膜と、他の層とを含む。
他の層としては、上述した配向膜、および、支持体が挙げられる。
なお、光学フィルム中における光学異方性膜の配置位置は特に制限されないが、例えば、支持体、配向膜、および、光学異方性膜をこの順で有する態様が挙げられる。

＜偏光板＞
本発明の光学異方性膜は、偏光板に好適に適用できる。
つまり、本発明の偏光板（好ましくは、円偏光板）は、光学異方性膜または光学フィルムと、偏光子とを含む。なお、円偏光板とは、無偏光の光を円偏光に変換する光学素子である。
偏光子は、光を特定の直線偏光に変換する機能を有する部材（直線偏光子）であればよく、主に、吸収型偏光子を利用できる。
吸収型偏光子としては、ヨウ素系偏光子、二色性染料を利用した染料系偏光子、およびポリエン系偏光子が挙げられる。ヨウ素系偏光子および染料系偏光子には、塗布型偏光子と延伸型偏光子とがあり、いずれも適用できるが、ポリビニルアルコールにヨウ素または二色性染料を吸着させ、延伸して作製される偏光子が好ましい。
偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸との関係は特に制限されないが、光学異方性膜がλ／４板であり、光学フィルムが円偏光フィルムとして用いられる場合は、偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸とのなす角は、４５±１０°の範囲が好ましい。つまり、偏光子の吸収軸と光学異方性膜の遅相軸とのなす角は、３５～５５°の範囲が好ましい。

＜有機ＥＬ表示装置＞
本発明の円偏光板は、有機ＥＬ表示装置に好適に適用できる。つまり、本発明の円偏光板は、いわゆる反射防止膜として好適に使用できる。
本発明の有機ＥＬ表示装置の好適態様としては、基板、金属電極層、有機材料からなる発光層、および、透明電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子と、円偏光板と、を有する態様が挙げられる。上記態様において、円偏光板中の光学異方性膜が偏光子よりも有機ＥＬ表示素子側に配置される。
金属電極層と偏光子との間に存在する全ての部材の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションの合計値は特に制限されないが、斜め方向から視認した際の光漏れをより抑制できる点から、０±３０ｎｍ以内（つまり、－３０～３０ｎｍの範囲内）であることが好ましい。

以下に、実施例および比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更できる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。

＜合成＞
公知の方法により、以下の特定化合物１－１～１－４、および、棒状化合物２－１および３－１を合成した。
特定化合物１～１～１－４は水溶性の特定化合物に該当し、棒状化合物２－１および３－１は水溶性の棒状化合物に該当する。

特定化合物１－１は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、２７４ｎｍに極大吸収波長を有していた。
特定化合物１－２は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、２７３ｎｍに極大吸収波長を有していた。
特定化合物１－３は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、２７８ｎｍに極大吸収波長を有していた。
特定化合物１－４は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、２７３ｎｍに極大吸収波長を有していた。
棒状化合物２－１は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、３４５ｎｍに極大吸収波長を有していた。
棒状化合物３－１は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、３６３ｎｍに極大吸収波長を有していた。

＜実施例１＞
（アルカリ鹸化処理した基板の作製）
基板として、市販されているトリアセチルセルロースフィルム「Ｚ－ＴＡＣ」（富士フイルム社製）を用いた。Ｚ－ＴＡＣを温度６０℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を４０℃に昇温した後に、フィルムの片面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量１４ｍｌ／ｍ^２で塗布し、１１０℃で加熱し、（株）ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、１０秒間搬送した。続いて、得られたフィルムに対して、同じくバーコーターを用いて、純水を３ｍｌ／ｍ^２塗布した。次いで、得られたフィルムに対して、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りとを３回繰り返した後に、７０℃の乾燥ゾーンに１０秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理した基板を作製した。
──────────────────────────────────
アルカリ溶液
──────────────────────────────────
水酸化カリウム ４．７質量部
水 １５．８質量部
イソプロパノール ６３．７質量部
界面活性剤
ＳＦ－１：Ｃ_１４Ｈ_２９Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_２ＯＨ １．０質量部
プロピレングリコール １４．８質量部
──────────────────────────────────

（配向膜の作製）
上記で作製した基板上に、下記の配向膜形成用組成物を＃８のワイヤーバーで塗布した。得られたフィルムを６０℃の温風で６０秒間、さらに１００℃の温風で１２０秒間乾燥し、塗膜を形成した。
─────────────────────────────────
配向膜形成用組成物
─────────────────────────────────
下記変性ポリビニルアルコール ２．４質量部
イソプロピルアルコール １．６質量部
メタノール ３６質量部
水 ６０質量部
─────────────────────────────────

上記構造式中、各繰り返し単位に記載の数値は、全繰り返し単位に対する各繰り返し単位のモル％を表す。

（光学異方性膜１の作製）
下記組成の光学異方性膜形成用組成物１を調製した。光学異方性膜形成用組成物１は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物１
────────────────────────────────
特定化合物１－２ ７０質量部
棒状化合物３－１ ３０質量部
水 ９００質量部
────────────────────────────────

表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施して、配向膜を形成した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物１を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却して配向状態を固定化することにより、光学異方性膜１を作製した。
作製された光学異方性膜１の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜１の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４５ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０７であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１０ｎｍであった。
光学異方性膜１は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

（円偏光板１の作製）
ＴＤ８０ＵＬ（富士フイルム社製）を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に５５℃で２分間浸漬した。その後、得られた基板を室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。次に、得られた基板を、再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥し、アルカリ鹸化処理した保護フィルムを作製した。
続いて、厚さ８０μｍのロール状のポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して厚さ２０μｍの偏光子を得た。
上記で作製した偏光子の一方の面に上記で作製した保護フィルムを貼合し、他方の表面に上記で作製した光学異方性膜１の基板面を貼合して、偏光子を挟みこみ、保護フィルムと光学異方性膜１が偏光子の両面に配置されている円偏光板１を作製した。
貼合には、ポリビニルアルコール系接着剤の水溶液を利用した。また、貼合は、光学異方性膜１の遅相軸と、偏光子の吸収軸が４５°になるように作製した。

＜実施例２＞
下記組成の光学異方性膜形成用組成物２を調製した。光学異方性膜形成用組成物２は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
─────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物２
─────────────────────────────────
特定化合物１－４ ７０質量部
棒状化合物２－１ ３０質量部
水溶性重合開始剤 Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９（ＢＡＳＦ社製）
３質量部
水 ９００質量部
─────────────────────────────────
実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物２を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却したのち、２０ｍＷ／ｃｍ^２の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて紫外線を２５秒間照射して、その配向状態を固定化することにより、光学異方性膜２を作製した。
作製された光学異方性膜２の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜２の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８２、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０６であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１５ｎｍであった。
光学異方性膜２は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

＜実施例３＞
下記組成の光学異方性膜形成用組成物３を調製した。光学異方性膜形成用組成物３は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
─────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物３
─────────────────────────────────
特定化合物１－１ ７０質量部
棒状化合物２－１ ３０質量部
ＰＥＧ６００（富士フイルム和光純薬（株）社製） ８質量部
水 ９００質量部
─────────────────────────────────
実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物３を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却して配向状態を固定化することにより、光学異方性膜３を作製した。
作製された光学異方性膜３の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜３の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８２、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０６であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１２ｎｍであった。
光学異方性膜３は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

＜実施例４＞
下記組成の光学異方性膜形成用組成物４を調製した。光学異方性膜形成用組成物４は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
──────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物４
──────────────────────────────────
特定化合物１－４ ７０質量部
棒状化合物３－１ ３０質量部
重合性モノマー Ａ－６００（新中村化学（株）社製） １０質量部
水溶性重合開始剤 Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９（ＢＡＳＦ社製）
３質量部
水 ９００質量部
──────────────────────────────────
実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物４を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却したのち、２０ｍＷ／ｃｍ^２の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて紫外線を２５秒間照射して、その配向状態を固定化することにより、光学異方性膜４を作製した。
作製された光学異方性膜４の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜４の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１３８ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８３、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０６であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１６ｎｍであった。
光学異方性膜４は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

＜実施例５＞
下記組成の光学異方性膜形成用組成物５を調製した。光学異方性膜形成用組成物５は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
──────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物５
──────────────────────────────────
特定化合物１－３ ７０質量部
棒状化合物２－１ ３０質量部
重合性モノマー ＦＡＭ－４０１（富士フイルム（株）社製）１０質量部
水溶性重合開始剤 Ｉｒｇａｃｕｒｅ２９５９（ＢＡＳＦ社製）
３質量部
水 ９００質量部
──────────────────────────────────
実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物５を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却したのち、２０ｍＷ／ｃｍ^２の空冷メタルハライドランプ（アイグラフィックス（株）製）を用いて紫外線を２５秒間照射して、その配向状態を固定化することにより、光学異方性膜５を作製した。
作製された光学異方性膜５の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜５の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１４０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８２、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０６であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１５ｎｍであった。
光学異方性膜５は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

＜実施例６＞
下記組成の光学異方性膜形成用組成物６を調製した。光学異方性膜形成用組成物６は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
─────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物６
─────────────────────────────────
特定化合物１－１ ７０質量部
棒状化合物２－１ ３０質量部
下記近赤外線吸収化合物１ ２質量部
水 ９００質量部
─────────────────────────────────

実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物６を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却して配向状態を固定化することにより、光学異方性膜６を作製した。
作製された光学異方性膜６の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜６の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１５０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８０、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．１２であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１０ｎｍであった。
光学異方性膜６は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

＜実施例７＞
下記組成の光学異方性膜形成用組成物７を調製した。光学異方性膜形成用組成物７は、リオトロピック液晶性組成物であるが、以下の濃度においては等方相を示す組成物であった。
─────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物７
─────────────────────────────────
特定化合物１－１ ７０質量部
棒状化合物２－１ ３０質量部
ＰＥＧ６００（富士フイルム和光純薬（株）社製） ８質量部
水 ９００質量部
メタノール ５００質量部
─────────────────────────────────
実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物７を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で１２０秒間加熱熟成し、室温まで冷却して配向状態を固定化することにより、光学異方性膜７を作製した。なお、光学異方性膜形成用組成物７は、上記加熱過程において、リオトロピック液晶性を発現することが確認された。
作製された光学異方性膜７の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜７の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１３０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が０．８２、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０６であった。Ｒｔｈ（５５０）は－１１ｎｍであった。
光学異方性膜７は、逆波長分散性を示し、かつ、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。

＜比較例１＞
（光学異方性膜Ｃ１の作製）
下記組成の光学異方性膜形成用組成物３を調製した。光学異方性膜形成用組成物Ｃ１は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
なお、比較低分子１は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、３２０ｎｍに極大吸収波長を有していた。
─────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物Ｃ１
─────────────────────────────────
下記比較低分子１ ７０質量部
棒状化合物３－１ ３０質量部
水 ９００質量部
─────────────────────────────────

実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。
次に、上記で調製した光学異方性膜形成用組成物３を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次に、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却して配向状態を固定化することにより、光学異方性膜Ｃ１を作製した。
作製された光学異方性膜Ｃ１の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜Ｃ１の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１５５ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０６、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が０．９５であった。Ｒｔｈ（５５０）は－２０ｎｍであった。また、光学異方性膜Ｃ１は、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。
上記光学異方性膜Ｃ１は、逆波長分散性を示さなかった。

＜比較例２＞
（光学異方性膜Ｃ２の作製）
下記組成の光学異方性膜形成用組成物Ｃ２を調製した。光学異方性膜形成用組成物Ｃ２は、リオトロピック液晶性を示す組成物であった。
なお、比較高分子１は、波長２５０～７００ｎｍの範囲において、３１５ｎｍに極大吸収波長を有していた。
─────────────────────────────────
光学異方性膜形成用組成物Ｃ２
─────────────────────────────────
特定化合物１－２ ７０質量部
下記比較高分子１ ３０質量部
水 ９００質量部
─────────────────────────────────

実施例１にて作製した、表面に塗膜を形成した基板の塗膜表面に、ラビング方向が基板長手方向に対して４５°になるようにラビング処理を施した。上記で調製した光学異方性膜形成用組成物４を、上記ラビング処理した面上に塗布した。次いで、得られた基板を膜面温度６０℃で６０秒間加熱熟成し、室温まで冷却して配向状態を固定化することにより、光学異方性膜Ｃ２を作製した。
作製された光学異方性膜Ｃ２の遅相軸方向は、ラビング方向に対して直交していた。光学異方性膜Ｃ２の光学特性を測定したところ、Ｒｅ（５５０）が１５０ｎｍ、Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）が１．０５、Ｒｅ（６５０）／Ｒｅ（５５０）が０．９６であった。Ｒｔｈ（５５０）は－２０ｎｍであった。また、光学異方性膜Ｃ２は、ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙの関係を満たしていた。
上記光学異方性膜Ｃ２は、逆波長分散性を示さなかった。

１０ 基板
１２ 棒状化合物
１４ 特定化合物

Claims (13)

1. 式（１）で表される化合物および棒状化合物を含む組成物であり、
   前記式（１）で表される化合物が波長３００ｎｍ以下の範囲に極大吸収波長を有し、
   前記棒状化合物が波長３３０ｎｍ以上の範囲に極大吸収波長を有し、
   前記棒状化合物が、式（２）で表される繰り返し単位を有する高分子、および、式（３）で表される繰り返し単位を有する高分子からなる群から選択される少なくとも１種を含む、組成物。
   式中、Ａｒ_１１およびＡｒ_１２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい１価の芳香環を表し、Ｚ_１１、Ｚ_１２およびＺ_１３は、それぞれ独立に、単結合、－ＮＨ－または－Ｏ－を表し、Ｙ_１１、Ｙ_１２およびＹ_１３は、それぞれ独立に、－ＣＨ＝または－Ｎ＝を表し、Ｌは、２価の連結基を表す。
   式中、Ａｒ_２１、Ａｒ_２２およびＡｒ_２３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香環を表し、Ｒは、水素原子または置換基を表し、Ｘ_２は、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝Ｎ－、－Ｎ＝Ｎ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｃ≡Ｃ－Ｃ≡Ｃ－、アリーレン基、または、ヘテロアリーレン基を表し、ｍ_２は１～３の整数を表し、ｍ_２が２以上の場合、複数あるＸ_２およびＡｒ_２３は、同じでも異なっていてもよい。
   式中、Ａｒ_３１は、置換基を有していてもよい４価の芳香環を表し、Ａｒ_３２およびＡｒ_３３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の芳香環を表し、Ｘ_３は単結合または２価の連結基を表し、ｍ_３は０～３の整数を表し、ｍ_３が２以上の場合、複数あるＸ_３およびＡｒ_３３は、同じでも異なっていてもよい。
2. 前記式（１）で表される化合物、および、前記棒状化合物のうち少なくとも一方が、重合性基を有する、請求項１に記載の組成物。
3. 前記式（１）で表される化合物および前記棒状化合物の合計質量に対する、前記式（１）で表される化合物の含有量が、５０質量％超である、請求項１または２に記載の組成物。
4. 波長７００～１０００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する近赤外線吸収化合物をさらに含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の組成物。
5. 重合性モノマーをさらに含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の組成物。
6. 式（４）で表される化合物をさらに含む、請求項１～５のいずれか１項に記載の組成物。
   式中、Ｗ_１およびＷ_２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～３０のアルキル基、スルホン酸基もしくはその塩、ホスホン酸基もしくはその塩、または、重合性基を表し、Ｒは、水素原子またはメチル基を表し、ｎは繰り返し単位数を表す。
7. さらに溶媒を含む、請求項１～６のいずれか１項に記載の組成物。
8. 請求項１～７のいずれか１項に記載の組成物を用いて形成された光学異方性膜。
9. 基板と、請求項８に記載の光学異方性膜とを有する、光学フィルム。
10. 前記基板と前記光学異方性膜との間に配向膜が配置される、請求項９に記載の光学フィルム。
11. 請求項８に記載の光学異方性膜、または、請求項９または１０に記載の光学フィルムと、
    偏光子と、を有する、円偏光板。
12. 前記光学異方性膜の遅相軸または前記光学フィルム中の光学異方性膜の遅相軸と、前記偏光子の吸収軸とのなす角が、４５±５°の範囲内である、請求項１１に記載の円偏光板。
13. 基板、金属電極層、有機材料からなる発光層、および、透明電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス表示素子と、
    請求項１１または１２に記載の円偏光板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    前記円偏光板中の前記光学異方性膜が前記偏光子よりも前記有機エレクトロルミネッセンス表示素子側に配置され、
    前記金属電極層と前記偏光子との間に存在する全ての部材の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレタデーションの合計値が、０±３０ｎｍ以内である、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。