JP7455117B2 - Method and apparatus for accelerating transfer speed of semiconductor devices through fine adjustment - Google Patents

Method and apparatus for accelerating transfer speed of semiconductor devices through fine adjustment Download PDF

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Description

関連特許出願の相互参照
本出願は、「Method and Apparatus to Increase Transfer Speed of Semiconductor Devices with Micro-Adjustment」と題する、2018年10月1日に出願された米国特許出願第16/147,456号の優先権を主張し、参照によりその全体を組み込んでいる。本出願は、現在は米国特許第9,633,883号として発行されている、「Apparatus for Transfer of Semiconductor Devices,」と題する、2014年11月12日に出願された米国特許出願第14/939,896号、「Compliant Needle for Direct Transfer of Semiconductor Devices」と題する、2016年11月3日に出願された米国特許出願第15/343,055号、「Top-Side Laser for Direct Transfer of Semiconductor Devices」と題する、2016年11月23日に出願された米国特許出願第15/360,471号、「Pattern Array Direct Transfer Apparatus and Method Therefor」と題する、2016年11月23日に出願された米国特許出願第15/360,645号、「Flexible Support Substrate for Transfer of Semiconductor Devices」と題する、2017年1月18日に出願された米国特許出願第15/409,409号、および「Method and Apparatus for Multiple Direct Transfers of Semiconductor Devices」と題する、2018年5月12日に出願された米国特許出願第15/987,094号を参照により組み込んでいる。
Cross-reference to related patent applications This application was filed on October 1, 2018, entitled "Method and Apparatus to Increase Transfer Speed of Semiconductor Devices with Micro-Adjustment" No. 16/147,456 Priority is claimed and incorporated by reference in its entirety. This application is filed in U.S. patent application Ser. , No. 896, U.S. patent application Ser. direct Transfer of Semiconductor Devices” U.S. Patent Application No. 15/360,471, filed on November 23, 2016, entitled "Pattern Array Direct Transfer Apparatus and Method Therefor," filed on November 23, 2016. No. 15/360,645, U.S. patent application Ser. Apparatus for Multiple Direct No. 15/987,094, filed May 12, 2018, entitled ``Transfers of Semiconductor Devices'' is incorporated by reference.

半導体デバイスは、シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの半導体材料を利用する電気部品である。半導体デバイスは通常、単一の個別素子としてまたは集積回路(IC)として製造される。単一の個別素子の例には、発光ダイオード(LED)、ダイオード、トランジスタ、抵抗器、コンデンサ、ヒューズなどの電気的に作動可能な要素が含まれる。 Semiconductor devices are electrical components that utilize semiconductor materials such as silicon, germanium, and gallium arsenide. Semiconductor devices are typically manufactured as single discrete elements or as integrated circuits (ICs). Examples of single discrete elements include electrically actuatable elements such as light emitting diodes (LEDs), diodes, transistors, resistors, capacitors, fuses, and the like.

半導体デバイスの製造には、通常、無数のステップを伴う複雑な製造プロセスが含まれる。製造の最終製品は「パッケージ化された」半導体デバイスである。「パッケージ化された」変形物とは、最終製品に組み込まれていた筐体と保護機能、およびパッケージ内のデバイスを最終的な回路に組み込むことを可能にするインターフェースを指す。 Manufacturing semiconductor devices typically involves complex manufacturing processes involving numerous steps. The final product of manufacture is a "packaged" semiconductor device. A "packaged" variant refers to the enclosure and protection features that were incorporated into the final product, as well as the interfaces that allow the device within the package to be incorporated into the final circuit.

半導体デバイスの従来の製造プロセスは、半導体ウェーハの取り扱いから始まる。ウェーハは、多数の「パッケージ化されていない」半導体デバイスにダイシングされる。「パッケージ化されていない」変形物とは、保護機能のない密閉されていない半導体デバイスを指す。本明細書では、パッケージ化されていない半導体デバイスは、半導体デバイスダイ、または簡単にするために単に「ダイ」と呼ばれることがある。ただ1つの半導体ウェーハをダイシングして様々なサイズのダイを作製し、半導体ウェーハから(半導体の開始サイズに応じて)10万を超える、または100万をも超えるダイを形成することができ、各ダイは特定の品質を有する。パッケージ化されていないダイは、次いで以下で簡単に説明する従来の製造プロセスを介して「パッケージ化」される。ウェーハの取り扱いとパッケージングの間の動作は、「ダイの準備」と呼ぶ場合がある。 The conventional manufacturing process for semiconductor devices begins with the handling of semiconductor wafers. The wafer is diced into a number of "unpackaged" semiconductor devices. An "unpackaged" variant refers to an unsealed semiconductor device with no protective features. An unpackaged semiconductor device may be referred to herein as a semiconductor device die, or simply a "die" for simplicity. A single semiconductor wafer can be diced into dies of various sizes, allowing over 100,000 or even over 1 million dies to be formed from a semiconductor wafer (depending on the starting size of the semiconductor), with each The die has certain qualities. The unpackaged die is then "packaged" via conventional manufacturing processes briefly described below. The operations during wafer handling and packaging are sometimes referred to as "die preparation."

場合によっては、ダイの準備には、「ピックアンドプレースプロセス」によるダイの仕分けが含まれる場合がある。これにより、ダイシングされたダイが個別にピックされ、ビンに仕分けされる。仕分けは、ダイの順方向電圧容量、ダイの平均電力、および/またはダイの波長に基づき得る。 In some cases, preparing the die may include sorting the die through a "pick and place process." As a result, the diced dies are individually picked and sorted into bins. Sorting may be based on forward voltage capacity of the die, average power of the die, and/or wavelength of the die.

通常、パッケージ化には、ダイをプラスチックまたはセラミックのパッケージ(金型や筐体など)に取り付けることが含まれる。パッケージ化には、ダイ接点をピン/ワイヤに接続して、最終的な回路とのインターフェース/相互接続することも含まれる。半導体デバイスのパッケージ化は、通常、ダイを密閉してダイを環境(ほこりなど)から保護することによって完了する。 Packaging typically involves attaching the die to a plastic or ceramic package (such as a mold or housing). Packaging also includes connecting die contacts to pins/wires to interface/interconnect with the final circuit. Packaging of semiconductor devices is typically completed by hermetically sealing the die to protect it from the environment (such as dust).

製品メーカは、次いでパッケージ化された半導体デバイスを製品回路に配置する。パッケージ化により、デバイスは製造中の製品の回路アセンブリに「プラグイン」する準備完了している。さらに、デバイスのパッケージ化は、デバイスを劣化または破壊する可能性のある要素からデバイスを保護するが、パッケージ化されたデバイスはパッケージ内に見出されるダイより本質的に大きくなる(例えば、場合によっては、厚さが約10倍、面積が約10倍で、結果として体積が100倍になる)。したがって、結果として得られる回路アセンブリは、半導体デバイスのパッケージより薄くすることはできない。 The product manufacturer then places the packaged semiconductor device into a product circuit. Through packaging, the device is ready to be "plugged into" the circuit assembly of the product being manufactured. Additionally, while device packaging protects the device from elements that might degrade or destroy it, the packaged device is inherently larger than the die found within the package (e.g., in some cases , about 10 times the thickness, about 10 times the area, and 100 times the volume). Therefore, the resulting circuit assembly cannot be made thinner than the package of the semiconductor device.

前述のように、ただ1つの半導体ウェーハをダイシングして、半導体ウェーハから10万を超える、さらには100万を超えるダイを作製し得る。したがって、数百万でなくても数千のダイを転写する場合、効率が第一の関心事になる。これらのダイを転写する際には、製造業者が効率および/または速度のために制御し得ないダイ転写のパラメータがあることが多い。例えば、ダイが比較的高速で転写される場合、高速転写プロセスにより、振動が半導体基材全体に伝わる場合がある。他の態様では、高速で転写を実行するように構成されている場合でさえ、転写のためにダイを位置付ける搬送機構を開始および停止することは、効率の点でコストがかかる可能性がある。従来の転写機構および方法は、転写プロセスの効率を低下させることなく、これらのパラメータおよび/または他を制御および/または改善する能力を提供しない。 As previously mentioned, a single semiconductor wafer can be diced to produce over 100,000 or even over 1 million dies from the semiconductor wafer. Therefore, when transferring thousands if not millions of dies, efficiency becomes a primary concern. When transferring these dies, there are often die transfer parameters that the manufacturer cannot control for efficiency and/or speed. For example, if the die is transferred at a relatively high speed, the high speed transfer process may transmit vibrations throughout the semiconductor substrate. In other aspects, even when configured to perform transfer at high speeds, starting and stopping the transport mechanism that positions the die for transfer can be costly in terms of efficiency. Conventional transfer mechanisms and methods do not provide the ability to control and/or improve these parameters and/or others without reducing the efficiency of the transfer process.

発明を実施するための形態は、添付の図を参照して説明される。図では、参照番号の左端の数字(複数可)は、参照番号が最初に表示される図を識別する。異なる図で同じ参照番号を使用している場合は、類似または同一の項目を示す。さらに、図面は、個々の図内の個々の構成要素の相対的なサイズのおおよその描写を提供すると見なすし得る。しかし、図面は原寸に比例しておらず、個々の図内および異なる図間の両方の個々の構成要素の相対的なサイズは、示されているものとは異なる場合がある。具体的には、一部の図は、構成要素を特定のサイズまたは形状として示す場合があるが、他の図は、わかりやすくするために、同じ構成要素をより大きなスケール、または異なる形状で示す場合がある。 The detailed description will now be described with reference to the accompanying figures. In the figures, the leftmost digit(s) of a reference number identifies the figure in which the reference number first appears. The use of the same reference numbers in different figures indicates similar or identical items. Additionally, the drawings may be considered to provide approximate depictions of the relative sizes of the individual components within the individual figures. However, the drawings are not to scale and the relative sizes of individual components, both within individual figures and between different figures, may differ from what is shown. Specifically, some diagrams may show components as a particular size or shape, whereas other diagrams may show the same components on a larger scale or with different shapes for clarity. There are cases.

直接転写装置のある実施形態の等角図を示す。1 shows an isometric view of an embodiment of a direct transfer device. FIG. 事前転写位置にある直接転写装置のある実施形態の概略図を表す。1 depicts a schematic diagram of an embodiment of a direct transfer device in a pre-transfer position; FIG. 転写位置にある直接転写装置のある実施形態の概略図を表す。1 depicts a schematic diagram of an embodiment of a direct transfer device in a transfer position; FIG. 直接転写機構の針の端部の形状プロファイルのある実施形態を示す。FIG. 7 illustrates an embodiment of the shape profile of the needle end of a direct transfer mechanism. 針作動ストロークプロファイルの実施形態を示す。FIG. 7 illustrates an embodiment of a needle actuation stroke profile. 支持基材の上に回路トレースを有する支持基材のある実施形態の平面図を示す。FIG. 3 shows a top view of an embodiment of a support substrate having circuit traces on the support substrate. 直接ダイ転写システムの要素のある実施形態の概略図を示す。1 shows a schematic diagram of an embodiment of elements of a direct die transfer system. FIG. 機械ハードウェアと直接ダイ転写システムのコントローラとの間の回路経路のある実施形態の概略図を示す。FIG. 2 shows a schematic diagram of an embodiment of a circuit path between machine hardware and a controller of a direct die transfer system. 本出願のある実施形態に係る、直接ダイ転写プロセスの方法を示す。1 illustrates a method for a direct die transfer process, according to an embodiment of the present application. 本出願のある実施形態に係る、直接ダイ転写動作の方法を示す。4 illustrates a method of direct die transfer operation according to an embodiment of the present application. コンベヤシステムを実装する直接転写装置およびプロセスのある実施形態を示す。1 illustrates an embodiment of a direct transfer apparatus and process implementing a conveyor system. (A)は事前転写位置にある直接転写装置の別の実施形態の概略図を示す。(B)は(A)の実施形態の支持基材搬送機構の転写後動作の概略上面図を示す。(A) shows a schematic diagram of another embodiment of a direct transfer device in a pre-transfer position. (B) shows a schematic top view of the post-transfer operation of the support base material transport mechanism of the embodiment of (A). 事前転写位置にある直接転写装置の別の実施形態の概略図を示す。Figure 3 shows a schematic diagram of another embodiment of a direct transfer device in a pre-transfer position. 事前転写位置にある直接転写装置の別の実施形態の概略図を示す。Figure 3 shows a schematic diagram of another embodiment of a direct transfer device in a pre-transfer position. 本開示のある実施形態に従って実装された微調整アセンブリを備えた、事前転写位置にある直接転写装置の実施形態の概略図を示す。1 shows a schematic diagram of an embodiment of a direct transfer device in a pre-transfer position with a fine adjustment assembly implemented in accordance with certain embodiments of the present disclosure; FIG. 本開示のある実施形態に係る、微調整アセンブリの等角図を示す。FIG. 3 illustrates an isometric view of a fine adjustment assembly, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、図15Aの微調整アセンブリの概略断面図を示す。15B shows a schematic cross-sectional view of the fine adjustment assembly of FIG. 15A, according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示のある実施形態に係る、図15Aの微調整アセンブリの別の概略断面図を示す。15B shows another schematic cross-sectional view of the micro-adjustment assembly of FIG. 15A according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、2つの微調整アクチュエータを有する微調整アセンブリの底面図を示す。FIG. 3 illustrates a bottom view of a fine adjustment assembly having two fine adjustment actuators, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、4つの微調整アクチュエータを有する微調整アセンブリの底面図を示す。FIG. 3 illustrates a bottom view of a fine adjustment assembly having four fine adjustment actuators, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、直接転写装置を作動させる例示的なプロセスの方法を示す。1 illustrates an exemplary process method of operating a direct transfer device, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、2つのマイクロアクチュエータを有する2軸レール微調整アセンブリの等角図を示す。FIG. 2 shows an isometric view of a two-axis rail fine adjustment assembly with two microactuators, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、図19Aの2軸レール微調整アセンブリの側面図を示す。19B illustrates a side view of the two-axis rail fine adjustment assembly of FIG. 19A, according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示のある実施形態に係る、図19Aの2軸レール微調整アセンブリの底面図を示す。19B illustrates a bottom view of the two-axis rail fine adjustment assembly of FIG. 19A, according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 本開示のある実施形態に係る、微調整アセンブリを有する装置を用いて直接転写を実施する例示的なプロセスの別の方法を示す。5 illustrates another method of an exemplary process for performing direct transfer using an apparatus having a fine adjustment assembly, according to an embodiment of the present disclosure. 本開示のある実施形態に係る、微調整アセンブリを有する装置とともに使用するための複数のピン/針を有する直接ダイ転写ヘッドの部分概略図を示す。1 illustrates a partial schematic diagram of a direct die transfer head with multiple pins/needles for use with an apparatus having a fine adjustment assembly, according to an embodiment of the present disclosure; FIG.

本開示は、半導体デバイスのダイを回路に直接転写し、固定する機械、および同を達成するためのプロセス、ならびに機械にダイが取り付けられた回路(出力製品として)を対象とする。ある実施形態では、機械は、パッケージ化されていないダイを「ウェーハテープ」などの基材から回路基材などの支持基材に直接転写するために機能する。パッケージ化されていないダイの直接転写は、従来の手段によって製造された同様の製品と比較して、最終製品の厚さ、ならびに支持基材を製造するための時間の量および/またはコストを大幅に削減することができる。 The present disclosure is directed to a machine for directly transferring and securing a die of a semiconductor device to a circuit, and a process for accomplishing the same, as well as a circuit (as an output product) with the die attached to the machine. In some embodiments, the machine functions to directly transfer unpackaged die from a substrate such as a "wafer tape" to a supporting substrate such as a circuit board. Direct transfer of unpackaged dies significantly reduces the thickness of the final product, as well as the amount of time and/or cost to manufacture the supporting substrate, compared to similar products manufactured by traditional means. can be reduced to

この説明の目的上、「基材」という用語は、それの上に、またはそれに対して、プロセスまたは作用が発生する任意の物質を指す。さらに、「製品」という用語は、完了の状態に関係なく、プロセスまたは作用からの所望の出力を指す。したがって、支持基材とは、所望の出力のために、それの上に、またはそれに対して、プロセスまたは作用を発生させる任意の物質を指す。 For purposes of this description, the term "substrate" refers to any material on or against which a process or action occurs. Additionally, the term "product" refers to the desired output from a process or operation, regardless of its state of completion. Thus, a supporting substrate refers to any material on or to which a process or action is generated for a desired output.

ある実施形態では、機械は、例えば、ウェーハテープから転写された、LEDなどの「パッケージ化されていない」ダイを受け入れるための支持基材を固定し得る。ダイを使用して製品の寸法を低減するために、ダイは非常に小さく薄く、例えば、ダイは約50ミクロン(μm)の厚さであってもよい。ダイのサイズが比較的小さいため、この機械には、ダイを運ぶウェーハテープと支持基材の両方を正確に位置合わせして、正確な配置を確保し、および/または製品材料の無駄を回避するために機能するコンポーネントが含まれる。ある実施形態では、支持基材とウェーハテープ上のダイとを位置合わせするコンポーネントは、ウェーハテープと支持基材とがそれぞれ固定され、ウェーハテープ上の特定のダイが支持基材上の特定のスポットに転写されるような位置合わせ位置に個別に搬送されるフレームのセットを含んでもよい。 In some embodiments, the machine may secure a support substrate for receiving an "unpackaged" die, such as an LED, transferred from a wafer tape, for example. In order to reduce the size of the product using a die, the die may be very small and thin, for example, the die may be about 50 microns (μm) thick. Due to the relatively small size of the die, this machine requires precise alignment of both the wafer tape carrying the die and the supporting substrate to ensure accurate placement and/or avoid waste of product material. Contains components that function for In some embodiments, the component for aligning the support substrate and the die on the wafer tape is configured such that the wafer tape and the support substrate are each fixed, and a particular die on the wafer tape is aligned with a particular spot on the support substrate. The image may include a set of frames that are individually transported to an alignment position such that they are transferred to a .

支持基材を搬送するフレームは、様々な位置合わせ軸の面内水平方向、垂直方向、および/もしくは回転方向、または曲面への転写を可能にする面外方向を含む、様々な方向に移動し得る。ウェーハテープを搬送するフレームも、様々な方向に移動し得る。ギア、トラック、モータ、および/または他の要素を有するシステムを使用して、支持基材の正確な位置にダイを配置するために、支持基材およびウェーハテープそれぞれを運ぶフレームを固定および搬送して、支持基材をウェーハテープと位置合わせし得る。また、転写プロセスの完了時にウェーハテープおよび支持基材の抽出を容易にするために、各フレームシステムを抽出位置に移動し得る。特定の実施形態に基づいてコンポーネントの最も効率的な位置合わせを容易にするために、第1の基材、第2の基材、および転写機構のいずれかまたはすべてが互いに対して移動可能であり得ることも理解されたい。 The frame carrying the support substrate can move in various directions, including in-plane horizontal, vertical, and/or rotational directions of various alignment axes, or out-of-plane directions to allow transfer to curved surfaces. obtain. The frame carrying the wafer tape may also move in various directions. A system having gears, tracks, motors, and/or other elements is used to secure and transport the frame carrying the support substrate and wafer tape, respectively, to place the die in a precise location on the support substrate. The support substrate can then be aligned with the wafer tape. Additionally, each frame system may be moved to an extraction position to facilitate extraction of the wafer tape and support substrate upon completion of the transfer process. Any or all of the first substrate, second substrate, and transfer mechanism are movable relative to each other to facilitate the most efficient alignment of the components based on the particular embodiment. I also want you to understand what you can gain.

いくつかの態様では、支持基材とウェーハテープ上のダイとを位置合わせするコンポーネントは、ウェーハテープを短距離(例えば、5ミクロン~50ミクロン、または1ミクロン~1000ミクロン、または0.5ミクロン~5000ミクロンなど)で搬送して、転写ダイの転写場所の所望の場所をダイ転写場所へ微調整する1つ以上の調整機構を含む。これらの短距離の搬送(以下、微調整)は、フレームの搬送の開始と停止(搬送機構(複数可)の粗調整)によって引き起こされる振動による、ウェーハテープを搬送するフレームの場所の不正確さを迅速に打ち消すことができる。慣性振動ノイズは、速度、単位質量、減速などによって変化する場合がある。ダイ転写前の振動を打ち消すために、微調整が迅速に発生する(例えば、微調整の開始から終了まで約0.5ms)。さらに、テープを転写場所に搬送してダイを転写した後、次の粗調整の前に、追加の転写場所と転写ダイを位置合わせするために、その後の微調整を行い得る。 In some embodiments, the component that aligns the support substrate and the die on the wafer tape moves the wafer tape over a short distance (e.g., from 5 microns to 50 microns, or from 1 micron to 1000 microns, or from 0.5 microns to 5000 microns) to finely adjust the desired location of the transfer die to the die transfer location. These short-distance transports (hereinafter referred to as fine adjustments) reduce inaccuracies in the location of the frame transporting the wafer tape due to vibrations caused by the start and stop of frame transport (coarse adjustment of transport mechanism(s)). can be quickly canceled out. Inertial vibration noise may change depending on speed, unit mass, deceleration, etc. To counteract vibrations before die transfer, the fine adjustment occurs quickly (eg, about 0.5 ms from start to finish of the fine adjustment). Additionally, after transporting the tape to the transfer location and transferring the die, subsequent fine adjustments may be made to align the transfer die with additional transfer locations before the next coarse adjustment.

ある実施形態では、機械は、ダイを「パッケージ化」することなく、ダイをウェーハテープから支持基材に直接転写するための転写機構をさらに含む。転写機構は、ウェーハテープを介して支持基材に向けてダイを押し下げるように、ウェーハテープの上方に垂直に配置され得る。ダイを押し下げるこのプロセスは、ダイが、支持基材に取り付けられるウェーハテープから分離するまで、ダイの側面で開始してダイをウェーハテープから剥離させ得る。すなわち、ダイとウェーハテープとの間の接着力を低減し、ダイと支持基材との間の接着力を増大させることにより、ダイを転写し得る。 In some embodiments, the machine further includes a transfer mechanism for directly transferring the die from the wafer tape to the supporting substrate without "packaging" the die. The transfer mechanism may be positioned vertically above the wafer tape to push the die down through the wafer tape toward the support substrate. This process of pushing down on the die may begin at the side of the die and peel the die from the wafer tape until the die separates from the wafer tape attached to the support substrate. That is, the die may be transferred by reducing the adhesion between the die and the wafer tape and increasing the adhesion between the die and the supporting substrate.

いくつかの実施形態では、転写機構は、ウェーハテープに対して周期的に作動してウェーハテープを上面から押し得るピンまたは針などの細長いロッドを含んでもよい。さらに、および/または代替的に、転写機構は、ウェーハテープに対して個別に作動され得る複数の針を含んでもよい。針(複数可)は、転写されているダイの幅よりも広くならないようなサイズにし得る。他の例ではあるが、針の幅は、ダイの幅、または任意の他の寸法よりも広い場合がある。針の端部がウェーハテープに接触すると、ウェーハテープは、ダイとウェーハテープとの間の領域で局所的なたわみを経験する場合がある。たわみが高度に局所化され、迅速に実行される限り、針からの圧力を受けないウェーハテープの部分は、ダイの表面から離れて屈曲し始める場合がある。したがって、この部分的な分離は、ウェーハテープから解放されるように、ダイにウェーハテープとの十分な接触を失わせる場合がある。さらに、ある実施形態では、ウェーハテープのたわみは、ダイの対向面を、隣接するダイの対応する表面の延長面を越えて延在させ、隣接するダイの不用意な転写も回避しつつ、ダイの表面領域全体をウェーハテープと接触させて維持するように最小限にすることができる。 In some embodiments, the transfer mechanism may include an elongated rod, such as a pin or needle, that can be periodically actuated against the wafer tape to push the wafer tape from above. Additionally and/or alternatively, the transfer mechanism may include multiple needles that can be individually actuated against the wafer tape. The needle(s) may be sized to be no wider than the width of the die being transferred. As another example, the needle width may be wider than the die width or any other dimension. When the end of the needle contacts the wafer tape, the wafer tape may experience localized sag in the area between the die and the wafer tape. As long as the deflection is highly localized and performed quickly, the portion of the wafer tape that is not under pressure from the needle may begin to bend away from the surface of the die. Therefore, this partial separation may cause the die to lose sufficient contact with the wafer tape so that it can be released from the wafer tape. Additionally, in some embodiments, the wafer tape deflection extends the opposing surfaces of the die beyond the extension of the corresponding surfaces of adjacent dies, while also avoiding inadvertent transfer of adjacent dies. can be minimized to maintain the entire surface area of the wafer in contact with the wafer tape.

代替的に、またはさらに、機械は、分離された「パッケージ化されていない」ダイを支持基材に固定するための固定機構をさらに含んでもよい。ある実施形態では、支持基材は、その上に、ダイが転写され、固定される回路トレースを有してもよい。固定機構は、支持基材上の回路トレースの材料を溶融/軟化させるために、レーザなどのエネルギを放出するデバイスを含んでもよい。さらに、ある実施形態では、レーザは、回路トレースの材料を活性化/硬化するために使用され得る。したがって、固定機構は、ダイが回路トレースの材料と接触する前および/または接触した後に作動し得る。したがって、ダイを支持基材上に解放するための転写機構の作動時に、エネルギ放出デバイスも、ダイを受け入れるためにトレース材料を準備するように活性化され得る。エネルギ放出デバイスの活性化により、支持基材上で半導体製品の形成を開始するために、ウェーハテープからのダイの解放および捕捉はさらに強化され得る。 Alternatively, or in addition, the machine may further include a securing mechanism for securing the separated "unpackaged" die to the support substrate. In some embodiments, the support substrate may have circuit traces thereon to which the die is transferred and secured. The fixation mechanism may include a device that emits energy, such as a laser, to melt/soften the material of the circuit traces on the support substrate. Additionally, in some embodiments, a laser may be used to activate/cure the material of the circuit traces. Thus, the locking mechanism may be actuated before and/or after the die contacts the circuit trace material. Thus, upon actuation of the transfer mechanism to release the die onto the support substrate, the energy emitting device may also be activated to prepare the trace material for receiving the die. Activation of the energy emitting device may further enhance the release and capture of the die from the wafer tape to initiate the formation of semiconductor products on the supporting substrate.

いくつかの実施形態では、ウェーハテープを保持するフレームが場所から場所へと搬送される際に、ウェーハフレームを保持する搬送機構は、転写場所へと移動し、突然停止した後、転写場所を微調整し、および/またはシステムの振動を除去する微調整を行ってもよい。システムは、次いで上記のように固定機構を介してダイを転写する。 In some embodiments, as the frame holding the wafer tape is transported from location to location, the transport mechanism holding the wafer frame moves to the transfer location, stops abruptly, and then moves slightly across the transfer location. Fine adjustments may be made to adjust and/or eliminate vibrations in the system. The system then transfers the die through the locking mechanism as described above.

他の実施形態では、搬送機構は、ダイをウェーハテープから支持基材に転写する前に完全に停止しない場合がある。いくつかの態様では、システムは、それが所望の転写場所に近づくにつれて搬送機構の速度を変化させる場合があり、他の態様では、搬送機構は、それが所望の転写場所を通過するときに一定の速度を維持する場合がある。転写位置に関して計算可能な瞬間に、システムは、移動方向から180度で、1つ以上の移動軸において微細運動機構を作動させ得る。転写されているダイの位置が支持体上の標的位置に対して静止しているように、微細運動の速度はフレームの移動速度と一致する。すなわち、微調整機構の反対方向の作動のために、転写要素(例えば、搬送機構および転写機構)の相対速度はゼロになる。ダイが標的位置に対して静止している瞬間に、転写機構は、ダイをウェーハテープから離し、基材支持体上の位置に押し込み、固定機構は、本明細書に説明するようにダイを固定する。搬送機構は絶対に完全に停止しないため、粗搬送機構のシステム振動が各転写場所に落ち着くのを待つ時間の節約により、製造効率が得られる。 In other embodiments, the transport mechanism may not come to a complete stop before transferring the die from the wafer tape to the supporting substrate. In some embodiments, the system may vary the speed of the transport mechanism as it approaches the desired transfer location, and in other embodiments, the transport mechanism may vary the speed of the transport mechanism as it passes the desired transfer location. speed may be maintained. At a moment that is calculable with respect to the transfer position, the system may actuate the fine movement mechanism in one or more axes of movement at 180 degrees from the direction of movement. The speed of the fine movement matches the speed of movement of the frame so that the position of the die being transferred is stationary relative to the target position on the support. That is, due to the opposite direction of operation of the fine adjustment mechanism, the relative speed of the transfer elements (eg, the transport mechanism and the transfer mechanism) becomes zero. At the moment when the die is stationary relative to the target location, the transfer mechanism forces the die away from the wafer tape and into position on the substrate support, and the fixing mechanism fixes the die as described herein. do. Because the transport mechanism never comes to a complete stop, manufacturing efficiencies are gained by saving time waiting for the system vibrations of the coarse transport mechanism to settle down at each transfer location.

直接転写装置の第1の例示的実施形態
図1は、パッケージ化されていない半導体コンポーネント(または「ダイ」)をウェーハテープから支持基材に直接転写するために使用され得る装置100の実施形態を示す。ウェーハテープは、本明細書では、半導体デバイスダイ基材、または単にダイ基材と呼ばれることもある。装置100は、支持基材搬送機構102およびウェーハテープ搬送機構104を含んでもよい。支持基材搬送機構102およびウェーハテープ搬送機構104の各々は、搬送されるそれぞれの基材を互いに対して所望の位置合わせ位置に固定するためのフレームシステムまたは他の手段を含んでもよい。装置100は、図示のように、ウェーハテープ搬送機構104の上方に垂直に配置され得る転写機構106をさらに含んでもよい。ある実施形態では、転写機構106は、ウェーハテープにほぼ接触するように位置付けされる場合がある。さらに、装置100は、固定機構108を含んでもよい。固定機構108は、支持基材上にダイを配置し得る転写位置において、搬送機構106と位置合わせして、支持基材搬送機構102の下方に垂直に配置してもよい。以下で説明するように、図2Aおよび図2Bは、装置100の例示的な詳細を示す。
First Exemplary Embodiment of Direct Transfer Apparatus FIG. 1 shows an embodiment of an apparatus 100 that may be used to directly transfer unpackaged semiconductor components (or "dies") from a wafer tape to a supporting substrate. show. Wafer tape is sometimes referred to herein as a semiconductor device die substrate, or simply a die substrate. Apparatus 100 may include a support substrate transport mechanism 102 and a wafer tape transport mechanism 104. Support substrate transport mechanism 102 and wafer tape transport mechanism 104 each may include a frame system or other means for securing the respective transported substrates in a desired alignment relative to each other. Apparatus 100 may further include a transfer mechanism 106, which may be positioned vertically above wafer tape transport mechanism 104, as shown. In some embodiments, transfer mechanism 106 may be positioned to substantially contact the wafer tape. Additionally, device 100 may include a locking mechanism 108. The fixing mechanism 108 may be disposed vertically below the support substrate transport mechanism 102 in alignment with the transport mechanism 106 at a transfer position where the die may be placed on the support substrate. As discussed below, FIGS. 2A and 2B show exemplary details of apparatus 100.

図2Aおよび図2Bは、装置200の同じ要素および機能を参照しながら、転写動作の異なる段階を示すので、特定の機能の以下の説明は、明示的に示されている場合を除き、図2Aおよび図2Bのいずれかまたは両方を互換的に参照してもよい。具体的には、図2Aおよび図2Bは、支持基材搬送機構202、ウェーハテープ搬送機構204、転写機構206、および固定機構208を含む装置200の実施形態を示す。支持基材搬送機構202は、ウェーハテープ搬送機構204に隣接して配置される場合がある。例えば、図示のように、支持基材搬送機構202は、実質的に水平方向に延びてよく、重力が転写プロセスに与える場合がある任意の影響を利用するように、ウェーハテープ搬送機構204の下方に垂直に配置されてよい。代替的に、支持基材搬送機構202は、水平面に対して横方向に延びるように配向される場合がある。 Because FIGS. 2A and 2B illustrate different stages of a transfer operation while referring to the same elements and features of apparatus 200, the following description of specific features will be similar to FIGS. 2A and 2B, except where explicitly indicated. and FIG. 2B, or both may be referred to interchangeably. Specifically, FIGS. 2A and 2B illustrate an embodiment of an apparatus 200 that includes a support substrate transport mechanism 202, a wafer tape transport mechanism 204, a transfer mechanism 206, and a fixation mechanism 208. Support substrate transport mechanism 202 may be located adjacent to wafer tape transport mechanism 204 . For example, as shown, the support substrate transport mechanism 202 may extend substantially horizontally below the wafer tape transport mechanism 204 to take advantage of any effects that gravity may have on the transfer process. may be placed perpendicular to. Alternatively, the support substrate transport mechanism 202 may be oriented to extend transversely to a horizontal plane.

転写動作中、搬送機構202、204は、本明細書で以下に説明するように、転写動作中にコンポーネントによって生じるたわみの量を含む装置200の他の様々な態様に応じて、支持基材搬送機構202によって搬送される支持基材の表面とウェーハテープ搬送機構204によって搬送されるウェーハテープの表面との間の空間が1mmより多くても少なくてもよいように、位置決めされ得る。ある実施形態では、ウェーハテープと支持基材のそれぞれの対向面は、搬送機構202、204の支持構造と比較して最も突出した構造であってもよい。すなわち、可動部分(例えば、搬送機構202、204)によって引き起こされる可能性のある、機械のコンポーネントとその上にある製品との間の衝突を回避するために、ウェーハテープと支持基材のそれぞれの表面間の距離は、表面のいずれかと他の対向する構造部品との間の距離に満たない場合がある。 During a transfer operation, the transport mechanisms 202, 204 perform support substrate transport depending on various other aspects of the apparatus 200, including the amount of deflection experienced by the components during the transfer operation, as described herein below. It may be positioned such that the space between the surface of the support substrate transported by mechanism 202 and the surface of the wafer tape transported by wafer tape transport mechanism 204 may be more or less than 1 mm. In some embodiments, the opposing surfaces of each of the wafer tape and support substrate may be the most prominent structures compared to the support structures of the transport mechanisms 202, 204. That is, each of the wafer tape and supporting substrate is The distance between surfaces may be less than the distance between any of the surfaces and other opposing structural components.

図示のように、ある実施形態では、転写機構206は、ウェーハテープ搬送機構204の上に垂直に配置される場合があり、固定機構208は、支持基材搬送機構202の下方に垂直に配置される場合がある。いくつかの実施形態では、搬送機構206および固定機構208の一方または両方は、図2Aおよび図2Bに示された位置とは異なる位置に配向されてもよいことが企図される。例えば、転写機構206は、水平面に対して鋭角に延びるように配置される場合がある。別の実施形態では、固定機構208は、転写プロセス中に転写機構206と同じ作動方向から、または代替的に、固定機構208が転写プロセスに関与することができる任意の方向および位置からエネルギを放出するように配向されてもよい。 As shown, in some embodiments, the transfer mechanism 206 may be vertically disposed above the wafer tape transport mechanism 204 and the fixation mechanism 208 may be vertically disposed below the support substrate transport mechanism 202. There may be cases. It is contemplated that in some embodiments, one or both of the transport mechanism 206 and the securing mechanism 208 may be oriented in a different position than that shown in FIGS. 2A and 2B. For example, the transfer mechanism 206 may be arranged to extend at an acute angle with respect to a horizontal plane. In another embodiment, the fixation mechanism 208 emits energy from the same direction of operation as the transfer mechanism 206 during the transfer process, or alternatively, from any direction and location where the fixation mechanism 208 can participate in the transfer process. It may be oriented so that

支持基材搬送機構202は、支持基材210を固定するために使用し得る。本明細書において、「支持基材」という用語は、(例えば、ダイを事前に仕分けし、将来使用するために仕分けしたダイシートを作製するための)ウェーハテープと、ポリマ―半透明またはその他のもの-をシリコーン、アクリル、ポリエステル、ポリカーボネートなどを含むがこれらに限定されない任意の適切なポリマから選択し得るシートまたは他の非平面形状として形成された紙またはポリマー基材と、回路基板(プリント回路基板(PCB)など)と、平行に延びる一対の導電性ワイヤまたは「スレッド」を含んでもよいストリングまたはスレッド回路と、綿、ナイロン、レーヨン、皮革などの布材料とを含んでもよいが、これらに限定されない。支持基材の材料の選択には、耐久性材料、可撓性材料、剛性材料、および転写プロセスが成功し、支持基材の最終用途への適合性を維持する他の材料を含んでよい。支持基材210は、導電性材料からのみまたは導電性材料から少なくとも部分的に形成され得、それにより支持基材210は製品を形成するための導電回路として機能する。潜在的なタイプの支持基材は、ガラス瓶、車両の窓、またはガラス板などの品目をさらに含んでもよい。 Support substrate transport mechanism 202 may be used to secure support substrate 210. As used herein, the term "support substrate" refers to wafer tape (e.g., for pre-sorting dies and creating a sorted die sheet for future use) and polymeric, translucent or other materials. - a paper or polymer substrate formed as a sheet or other non-planar shape, which may be selected from any suitable polymer, including but not limited to silicone, acrylic, polyester, polycarbonate, etc., and a circuit board (printed circuit board); (such as a PCB), a string or thread circuit that may include a pair of parallel conductive wires or "threads," and a fabric material such as cotton, nylon, rayon, or leather. Not done. Selection of materials for the support substrate may include durable materials, flexible materials, rigid materials, and other materials that allow the transfer process to be successful and maintain suitability of the support substrate for the end use. Support substrate 210 may be formed solely or at least partially from an electrically conductive material such that support substrate 210 functions as a conductive circuit for forming an article. Potential types of support substrates may further include items such as glass bottles, vehicle windows, or glass plates.

図2Aおよび図2Bに示す実施形態では、支持基材210は、その上に配置された回路トレース212を含んでもよい。図示のように、回路トレース212は、転写されているダイ上の電気接触端子(図示せず)間の距離に適応するように、トレース間隔、つまりギャップだけ離間された一対の隣接するトレースラインを含んでもよい。したがって、回路トレース212の隣接するトレースライン間のトレース間隔、つまりギャップは、ダイの適切な接続およびその後の活性化を確実にするために、転写されているダイのサイズに従ってサイズ決めし得る。例えば、回路トレース212は、約75~200ミクロン、約100~175ミクロン、または約125~150ミクロンの範囲のトレース間隔、つまりギャップを有してもよい。 In the embodiment shown in FIGS. 2A and 2B, support substrate 210 may include circuit traces 212 disposed thereon. As shown, circuit traces 212 include a pair of adjacent trace lines separated by a trace spacing, or gap, to accommodate the distance between electrical contact terminals (not shown) on the die being transferred. May include. Accordingly, the trace spacing, or gap, between adjacent trace lines of circuit traces 212 may be sized according to the size of the die being imprinted to ensure proper connection and subsequent activation of the die. For example, circuit traces 212 may have trace spacings, or gaps, in the range of about 75-200 microns, about 100-175 microns, or about 125-150 microns.

回路トレース212は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、レーザ印刷、手動印刷、または他の印刷手段を介して配置された導電性インクから形成される場合がある。さらに、回路トレース212は、ダイの導電性の目的のために活性化可能でありながら、追加の安定性を提供するために、予備硬化され、半乾燥または乾燥される場合がある。湿式導電性インクを使用して回路トレース212を形成する場合もあれば、湿式インクと乾燥インクの組み合わせを回路トレース212に使用する場合もある。代替的に、またはさらに、回路トレース212は、ワイヤトレースとして事前に形成される、またはフォトエッチングされる場合もあれば、溶融材料から回路パターンに形成され、続いて支持基材210に接着、埋め込み、または他の方法で固定される場合もある。 The circuit traces 212 may be formed from conductive inks that are laid down via screen printing, inkjet printing, laser printing, manual printing, or other printing means. Additionally, the circuit traces 212 may be pre-cured, semi-dried, or dried to provide additional stability while still being activatable for die conductivity purposes. In some cases, wet conductive inks may be used to form the circuit traces 212, or a combination of wet and dry inks may be used for the circuit traces 212. Alternatively, or in addition, the circuit traces 212 may be pre-formed or photo-etched as wire traces, or may be formed from molten material into a circuit pattern that is subsequently glued, embedded, or otherwise secured to the supporting substrate 210.

回路トレース212の材料は、銀、銅、金、炭素、導電性ポリマなどを含んでもよいが、これらに限定されない。ある実施形態では、回路トレース212は、銀コーティングされた銅粒子を含んでもよい。回路トレース212の厚さは、使用される材料のタイプ、意図される機能およびその機能を達成するための適切な強度または可撓性、エネルギ容量、LEDのサイズなどに応じて変化する場合がある。例えば、回路トレースの厚さは、約5ミクロン~20ミクロン、約7ミクロン~15ミクロン、または約10ミクロン~12ミクロンの範囲であってもよい。 Materials for circuit traces 212 may include, but are not limited to, silver, copper, gold, carbon, conductive polymers, and the like. In some embodiments, circuit traces 212 may include silver-coated copper particles. The thickness of the circuit traces 212 may vary depending on the type of material used, the intended function and appropriate strength or flexibility to achieve that function, energy capacity, size of the LED, etc. . For example, the thickness of the circuit traces may range from about 5 microns to 20 microns, about 7 microns to 15 microns, or about 10 microns to 12 microns.

したがって、1つの非限定的な例では、支持基材210は、回路トレース212を形成するために銀ベースの導電性インク材料を使用して所望の回路パターンスクリーンがその上に印刷された可撓性の半透明ポリエステルシートであってもよい。 Thus, in one non-limiting example, support substrate 210 is a flexible substrate on which a desired circuit pattern screen is printed using a silver-based conductive ink material to form circuit traces 212. It may also be a translucent polyester sheet.

支持基材搬送機構202は、支持基材ホルダフレーム216を固定するための支持基材コンベヤフレーム214を含んでもよい。支持基材ホルダフレーム216の構造は、使用されている支持基材のタイプおよび特性(例えば、形状、サイズ、弾性など)に応じて大幅に変化する場合がある。支持基材210が可撓性材料であってもよいので、支持基材210は、本明細書で後述する転写動作が実行されるより剛性の高い表面を作り出すように、支持基材ホルダフレーム216内に張力を受けて保持されてもよい。上記の例では、支持基材210の張力によって生じる剛性は、コンポーネントを転写するときの配置精度を高め得る。 The support substrate transport mechanism 202 may include a support substrate conveyor frame 214 for securing a support substrate holder frame 216. The structure of the support substrate holder frame 216 may vary widely depending on the type and characteristics (eg, shape, size, elasticity, etc.) of the support substrate being used. Since the support substrate 210 may be a flexible material, the support substrate 210 is attached to the support substrate holder frame 216 to create a more rigid surface on which the transfer operations described later herein are performed. It may also be held under tension. In the above example, the stiffness created by tension in the support substrate 210 may increase placement accuracy when transferring components.

ある実施形態では、支持基材210に耐久性のあるまたはより剛性の高い材料を使用することで、コンポーネント配置精度のための堅牢な表面が自然に提供される。対照的に、支持基材210のたるみを許容すると、支持基材210にしわおよび/またはその他の切れ目が形成され、転写動作が不成功になり得る程度まで、予め設定された回路トレース212のパターンと干渉する場合がある。 In some embodiments, the use of durable or more rigid materials for support substrate 210 naturally provides a robust surface for component placement accuracy. In contrast, allowing the support substrate 210 to sag may cause wrinkles and/or other discontinuities to form in the support substrate 210, to the extent that the transfer operation may be unsuccessful. It may interfere with the

支持基材210を保持する手段は大きく変化する場合があるが、図2Aは、凹状の形状を有する第1の部分216aと、形状が凹状の形状に一致する凸状の逆の形状を有する第2の部分216bとを含む支持基材ホルダフレーム216の実施形態を示す。図示の例では、支持基材210の外周を第1の部分216aと第2の部分216bとの間に挿入し、それによって支持基材210をしっかりとクランプすることによって、支持基材210に張力が生じる。 Although the means for holding the support substrate 210 may vary widely, FIG. 2 shows an embodiment of a support substrate holder frame 216 that includes two portions 216b. In the illustrated example, tension is applied to the support substrate 210 by inserting the outer periphery of the support substrate 210 between the first portion 216a and the second portion 216b, thereby firmly clamping the support substrate 210. occurs.

支持基材コンベヤフレーム214は、少なくとも3つの方向に、すなわち水平面内の2方向および垂直方向にも搬送されてもよい。搬送は、モータ、レール、およびギア(これらのいずれも示されていない)を有するシステムを介して達成し得る。したがって、支持基材ホルダフレーム216は、装置200のユーザによって指示および/またはプログラムされ、制御されるように、特定の位置に搬送され、保持され得る。 The supporting substrate conveyor frame 214 may be conveyed in at least three directions, two in the horizontal plane and also in the vertical direction. Conveyance may be accomplished through a system with motors, rails, and gears (none of which are shown). Thus, the support substrate holder frame 216 may be transported and held in a particular position as directed and/or programmed and controlled by the user of the apparatus 200.

ウェーハテープ搬送機構204は、ダイ220(すなわち、半導体デバイスダイ)をその上に有するウェーハテープ218を固定するように実装され得る。ウェーハテープ218は、ウェーハテープコンベヤフレーム222を介して、搬送動作のために特定の搬送位置まで複数の方向に搬送し得る。支持基材コンベヤフレーム214と同様に、ウェーハテープコンベヤフレーム222は、モータ、レール、およびギア(これらのいずれも示されていない)を有するシステムを含んでもよい。 Wafer tape transport mechanism 204 may be implemented to secure wafer tape 218 having die 220 (ie, a semiconductor device die) thereon. Wafer tape 218 may be transported in multiple directions via wafer tape conveyor frame 222 to a particular transport location for a transport operation. Similar to support substrate conveyor frame 214, wafer tape conveyor frame 222 may include a system with motors, rails, and gears (none of which are shown).

転写用のパッケージ化されていない半導体ダイ220は、非常に小さい場合がある。実際、ダイ220の高さは、12.5~200ミクロン、または25~100ミクロン、または50~80ミクロンの範囲であってもよい。 The unpackaged semiconductor die 220 for transfer may be very small. In fact, the height of die 220 may range from 12.5 to 200 microns, or from 25 to 100 microns, or from 50 to 80 microns.

ダイの微小サイズのため、ウェーハテープ218が適切な転写位置に搬送されたとき、ウェーハテープ218と支持基材210との間のギャップ間隔は、例えば、約0.25mm~約1.50mm、または約0.50mm~約1.25mm、または約0.75mm~約1.00mmの範囲であってもよい。最小ギャップ間隔は、転写されるダイの厚さ、関与するウェーハテープの剛性、ダイの適切な捕捉および解放を提供するために必要なウェーハテープのたわみの量、隣接するダイの近接性などを含む要因に依存する場合がある。 ウェーハテープ218と支持基材210との間の距離が減少するにつれて、転写動作のサイクルタイム(本明細書でさらに説明する)が減少するため、転写動作の速度も低下する場合がある。そのような転写動作の持続時間の減少は、したがって、ダイの転写速度を加速させ得る。例えば、ダイ転写速度は、1秒間に約6~250のダイが配置される範囲であってもよい。 Due to the small size of the die, when the wafer tape 218 is transported to the appropriate transfer location, the gap distance between the wafer tape 218 and the support substrate 210 is, for example, about 0.25 mm to about 1.50 mm, or It may range from about 0.50 mm to about 1.25 mm, or from about 0.75 mm to about 1.00 mm. The minimum gap spacing includes the thickness of the die to be transferred, the stiffness of the wafer tape involved, the amount of wafer tape deflection required to provide proper acquisition and release of the die, the proximity of adjacent dies, etc. May depend on factors. As the distance between the wafer tape 218 and the support substrate 210 decreases, the speed of the transfer operation may also decrease because the cycle time (described further herein) of the transfer operation decreases. Reducing the duration of such a transfer operation may therefore accelerate the transfer rate of the die. For example, the die transfer rate may range from about 6 to 250 dies per second.

さらに、ウェーハテープコンベヤフレーム222は、張力を受けてウェーハテープ218を伸張させ、保持し得るウェーハテープホルダフレーム224を固定してもよい。図2Aに示すように、ウェーハテープ218は、ウェーハテープホルダフレーム224の隣接するコンポーネント間にウェーハテープ218の周囲をクランプすることによって、ウェーハテープホルダフレーム224内で固定されてもよい。そのようなクランプは、ウェーハテープ218の張力および伸長特性を維持するのを支援し、それにより、転写動作の成功率を高める。利用可能なウェーハテープの異なるタイプ/ブランド/品質の様々な特性を考慮して、特定のウェーハテープを、転写プロセス中に所望の張力で一貫して留まる能力に基づいて使用するために、選択し得る。ある実施形態では、針作動性能プロファイル(本明細書で以下にさらに説明する)は、ウェーハテープ218の張力に応じて変化する場合がある。 Additionally, the wafer tape conveyor frame 222 may secure a wafer tape holder frame 224 that may be placed under tension to stretch and hold the wafer tape 218. As shown in FIG. 2A, wafer tape 218 may be secured within wafer tape holder frame 224 by clamping the wafer tape 218 around the wafer tape holder frame 224 between adjacent components of wafer tape holder frame 224. Such clamps help maintain the tension and elongation properties of wafer tape 218, thereby increasing the success rate of transfer operations. Considering the various characteristics of the different types/brands/quality of wafer tapes available, a particular wafer tape is selected for use based on its ability to consistently stay at the desired tension during the transfer process. obtain. In certain embodiments, the needle actuation performance profile (described further herein below) may vary depending on the tension of the wafer tape 218.

ウェーハテープ218に使用される材料は、例えば、ゴムまたはシリコーンなどの弾性特性を有する材料を含んでもよい。さらに、環境およびウェーハテープ218自体の温度が、転写プロセス中にウェーハテープ218に潜在的な損傷を与える場合があるので、温度変動に耐性のある特性を有する材料が有利であり得る。さらに、ある実施形態では、転写動作を支援するために個々のダイ220の間に分離またはギャップを生じさせるように、ウェーハテープ218をわずかに伸長させてもよい。ウェーハテープ218の表面は、ダイ220がウェーハテープ218に取り外し可能に接着され得る粘着性物質を含んでもよい。 The material used for wafer tape 218 may include, for example, a material with elastic properties such as rubber or silicone. Additionally, since the temperature of the environment and the wafer tape 218 itself may cause potential damage to the wafer tape 218 during the transfer process, materials with properties that are resistant to temperature fluctuations may be advantageous. Additionally, in some embodiments, wafer tape 218 may be stretched slightly to create separations or gaps between individual dies 220 to assist in the transfer operation. The surface of wafer tape 218 may include an adhesive material that allows die 220 to be removably adhered to wafer tape 218.

ウェーハテープ218上のダイ220は、固体半導体ウェーハから個別に切り出され、次いで、ダイを固定するためにウェーハテープ218上に配置されたダイを含んでもよい。そのような状況では、例えば、転写動作を支援するために、ダイは、ウェーハテープ218上で事前に仕分けされ、明示的に編成されてもよい。具体的には、ダイ220は、支持基材210への転写の予想される順序に従って順次配置され得る。ウェーハテープ218上のダイ220のそのような事前配置は、そうでなければ支持基材搬送機構202とウェーハテープ搬送機構204との間で発生するであろう移動量を低減し得る。さらに、または代替的に、ウェーハテープ218上のダイは、実質的に同等の性能特性を有するダイのみを含むように事前に仕分けされている場合がある。この場合、サプライチェーンの効率を高めることができ、したがって、ウェーハテープ搬送機構204の移動時間を最小限に抑え得る。 Dies 220 on wafer tape 218 may include dies that are individually cut from a solid semiconductor wafer and then placed on wafer tape 218 to secure the die. In such situations, the dies may be pre-sorted and explicitly organized on the wafer tape 218, for example, to aid in the transfer operation. Specifically, the dies 220 may be arranged sequentially according to the expected order of transfer to the support substrate 210. Such pre-positioning of die 220 on wafer tape 218 may reduce the amount of movement that would otherwise occur between support substrate transport mechanism 202 and wafer tape transport mechanism 204. Additionally or alternatively, the dies on wafer tape 218 may be presorted to include only dies with substantially similar performance characteristics. In this case, the efficiency of the supply chain can be increased and therefore the travel time of the wafer tape transport mechanism 204 can be minimized.

ある実施形態では、ダイに使用される材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム、コーティングされた酸化シリコンなどを含んでもよいが、これらに限定されない。さらに、サファイアまたはシリコンもダイとして使用される場合がある。さらに、上記のように、「ダイ」は、本明細書では、概して、電気的に作動可能な要素を代表する場合がある。 In some embodiments, the materials used for the die may include, but are not limited to, silicon carbide, gallium nitride, coated silicon oxide, and the like. Additionally, sapphire or silicon may also be used as the die. Additionally, as noted above, "die" herein may generally represent an electrically actuatable element.

いくつかの実施形態では、ウェーハテープ218は、事前に仕分けされるのではなく、むしろ単にウェーハダイテープ上で直接半導体を切断し、「ピッキングアンドプレース」なしでウェーハテープ上にダイを残してダイのそれぞれの性能品質に応じてダイを仕分けすることによって形成されるダイを含んでもよい。そのような状況では、異なる品質のダイの正確な相対場所を記載するために、ウェーハテープ上のダイをマッピングし得る。したがって、ある実施形態では、事前に仕分けされたダイを有するウェーハテープを使用する必要がない場合がある。そのような場合、ウェーハテープ搬送機構204が順次的な転写動作ごとに特定のダイ間を移動するための時間および移動の量は増加する場合がある。これは、半導体の領域内に分散されたダイの品質の変化によって部分的に引き起こされる可能性がある。つまり、次の転写動作のための特定の品質のダイが、前に転写されたダイに直接隣接していない場合がある。したがって、ウェーハテープ搬送機構204は、実質的に同等の品質のダイを含むウェーハテープ218にとって必要とされるであろうよりも、転写のための特定の品質の適切なダイを位置合わせするために、ウェーハテープ218をさらに移動させてもよい。 In some embodiments, the wafer tape 218 is not pre-sorted, but rather simply cuts the semiconductor directly onto the wafer die tape and leaves the die on the wafer tape without "pick-and-place". may include dies formed by sorting dies according to their respective performance qualities. In such a situation, the dies on the wafer tape may be mapped to describe the exact relative locations of dies of different quality. Therefore, in some embodiments, it may not be necessary to use a wafer tape with pre-sorted dies. In such cases, the time and amount of movement for wafer tape transport mechanism 204 to move between particular dies for each sequential transfer operation may increase. This may be caused in part by variations in the quality of the die distributed within the area of the semiconductor. That is, the die of a particular quality for the next transfer operation may not be directly adjacent to the previously transferred die. Accordingly, the wafer tape transport mechanism 204 is more sensitive than would be required for a wafer tape 218 containing dies of substantially equivalent quality to align appropriate dies of a particular quality for transfer. , the wafer tape 218 may be further moved.

さらにウェーハテープ218上のダイ220に関して、ある実施形態では、ダイ220のデータマップは、ウェーハテープ218とともに提供されてもよい。データマップは、ウェーハテープ218上の各ダイの特定の品質および場所を記載する情報を提供するデジタルファイルを含んでもよい。データマップファイルは、装置200と通信する処理システムに入力することができ、それによって、装置200は、支持基材210に転写するためにウェーハテープ218上で正しいダイ220を探すように制御/プログラムし得る。 Further regarding die 220 on wafer tape 218, in some embodiments, a data map of die 220 may be provided with wafer tape 218. The data map may include a digital file that provides information describing the specific quality and location of each die on wafer tape 218. The data map file can be input to a processing system in communication with apparatus 200 such that apparatus 200 is controlled/programmed to look for the correct die 220 on wafer tape 218 for transfer to support substrate 210. It is possible.

転写動作は、部分的に、ウェーハテープ218からのダイの分離を支援するためのダイ分離デバイスである転写機構206を介して実行される。転写機構206の作動により、1つ以上のダイ220がウェーハテープ218から解放され、支持基材210によって捕捉されてもよい。ある実施形態では、転写機構206は、ピンまたは針226などの細長いロッドを、ダイ220に対してウェーハテープ218の上面に押圧することによって動作し得る。針226は、針アクチュエータ228に接続し得る。針アクチュエータ228は、所定の/プログラムされた時間に針226をウェーハテープ218に向けて駆動するために、針226に接続されたモータを含んでもよい。 The transfer operation is performed, in part, through transfer mechanism 206, which is a die separation device to assist in separation of the die from wafer tape 218. Actuation of transfer mechanism 206 may cause one or more die 220 to be released from wafer tape 218 and captured by support substrate 210. In some embodiments, transfer mechanism 206 may operate by pressing an elongate rod, such as a pin or needle 226, against the die 220 and onto the top surface of wafer tape 218. Needle 226 may be connected to needle actuator 228. Needle actuator 228 may include a motor connected to needle 226 to drive needle 226 toward wafer tape 218 at predetermined/programmed times.

針226の機能を考慮すると、針226は、衝撃時にダイ220への潜在的な危害を最小限に抑えながら、反復的で急速な軽度の衝撃に耐えるのに十分な耐久性を有する材料を含んでもよい。例えば、針226は、金属、セラミック、プラスチックなどを含んでもよい。さらに、針226の先端部は、特定の形状プロファイルを有してもよく、これは、先端部の頻繁な破断またはウェーハテープ218もしくはダイ220の損傷のどちらかを起こすことなく、繰り返し機能する針の能力に影響を与える場合がある。針の先端部のプロファイル形状は、図3に関して以下でより詳細に説明される。 Considering the functionality of needle 226, needle 226 includes a material that is durable enough to withstand repeated, rapid, mild impacts while minimizing potential harm to die 220 upon impact. But that's fine. For example, needle 226 may include metal, ceramic, plastic, etc. Additionally, the tip of the needle 226 may have a particular shape profile that allows the needle to function repeatedly without either frequent breakage of the tip or damage to the wafer tape 218 or die 220. may affect the ability of The profile shape of the needle tip is described in more detail below with respect to FIG.

転写動作では、針226は、図2Aに示すように、ダイ220と位置合わせすることができ、図2Bに示すように、針アクチュエータは、針226を移動させて、ダイ220がウェーハテープ218の反対側で位置合わせされる位置でウェーハテープ218の隣接する側を押し得る。針226からの圧力は、ウェーハテープ218をたわませて、ダイ220を、転写されていない隣接するダイ220よりも支持基材210により近い位置まで延ばし得る。上記のように、たわみの量は、ダイの厚さや回路トレースなどのいくつかの要因によって異なる場合がある。例えば、ダイ220が約50ミクロンの厚さであり、回路トレース212が約10ミクロンの厚さである場合、ウェーハテープ218のたわみの量は、約75ミクロンになり得る。したがって、ダイ220は、ダイの電気接触端子(図示せず)が回路トレース212と接合することができる程度まで、針226を介して支持基材210に向けて押圧することができ、その時点で、転写動作は完了まで進行し、ダイ220はウェーハテープ218から解放される。 In a transfer operation, the needle 226 may be aligned with the die 220, as shown in FIG. 2A, and the needle actuator moves the needle 226 so that the die 220 is aligned with the wafer tape 218, as shown in FIG. 2B. Adjacent sides of wafer tape 218 may be pressed in positions to be aligned on opposite sides. The pressure from needle 226 may cause wafer tape 218 to flex and extend die 220 closer to support substrate 210 than an untransferred adjacent die 220. As mentioned above, the amount of deflection may vary depending on several factors such as die thickness and circuit traces. For example, if die 220 is approximately 50 microns thick and circuit traces 212 are approximately 10 microns thick, the amount of flex in wafer tape 218 may be approximately 75 microns. Thus, the die 220 can be pushed towards the support substrate 210 via the needles 226 to the extent that the die's electrical contact terminals (not shown) can join the circuit traces 212, at which point , the transfer operation proceeds to completion and the die 220 is released from the wafer tape 218.

転写プロセスが、ダイ220を押圧する針226の周期的作動を含む急速に繰り返される一連のステップを含み得る範囲で、プロセスの方法は、図8に関して本明細書で以下に詳細に説明される。さらに、(転写プロセスの文脈内での)針226の作動のストロークプロファイルは、図4に関して以下により詳細に説明される。 To the extent that the transfer process may include a rapidly repeated series of steps including periodic actuation of needle 226 pressing against die 220, the method of the process is described in detail herein below with respect to FIG. Additionally, the stroke profile of actuation of needle 226 (within the context of the transfer process) is explained in more detail below with respect to FIG. 4.

図2Aおよび図2Bに戻ると、ある実施形態では、転写機構206は、針格納支持体230(ペパーポットとしても知られる)をさらに含んでもよい。ある実施形態では、支持体230は、中空空間を有する構造を含んでもよく、針226は、支持体230の第1の端部の開口部232を介して空間内に通過することによって収容され得る。支持体230は、支持体230の第2の対向する端部に少なくとも1つの開口234をさらに含んでもよい。さらに、支持体は、開口部234の近くに複数の穿孔を含んでもよい。少なくとも1つの開口部234は、転写プロセス中にウェーハテープ218を押圧するように、針226のその開口部234の通過を受け入れるように針226の直径に関してサイズ決めし得る。 Returning to FIGS. 2A and 2B, in some embodiments, the transfer mechanism 206 may further include a needle storage support 230 (also known as a pepperpot). In some embodiments, the support 230 may include a structure with a hollow space, and the needle 226 may be received by passing into the space through the opening 232 in the first end of the support 230. . Support 230 may further include at least one aperture 234 at a second opposing end of support 230. Further, the support may include a plurality of perforations near opening 234. At least one opening 234 may be sized relative to the diameter of needle 226 to receive passage of needle 226 therethrough to press against wafer tape 218 during the transfer process.

さらに、ある実施形態では、支持体230は、ウェーハテープ218の上面に隣接して配置されてもよい。したがって、転写動作中に針226がウェーハテープ218を押圧することから引っ込められると、支持体230の基部表面(その中に少なくとも1つの開口部234を有する)はウェーハテープ218の上面と接触し、それにより、ウェーハテープ218の上方へのたわみを防止し得る。この上方へのたわみは、針226が少なくとも部分的にウェーハテープ218を貫通し、引っ込んでいる間に、ウェーハテープが針226の先端に張り付いた場合に引き起こされ得る。したがって、支持体230は、次のダイ220に移動するのにかかる時間を短縮し得る。支持体230の壁周囲形状は、装置200に収容され得る円筒形または任意の他の形状であってもよい。したがって、支持体230は、針226とウェーハテープ218の上面との間に配置されてよい。 Additionally, in some embodiments, support 230 may be positioned adjacent the top surface of wafer tape 218. Thus, when needle 226 is retracted from pressing against wafer tape 218 during a transfer operation, the base surface of support 230 (having at least one opening 234 therein) contacts the top surface of wafer tape 218; Thereby, upward deflection of the wafer tape 218 can be prevented. This upward deflection may be caused if the wafer tape sticks to the tip of the needle 226 while the needle 226 at least partially penetrates the wafer tape 218 and is retracted. Thus, support 230 may reduce the time it takes to move to the next die 220. The peripheral wall shape of support 230 may be cylindrical or any other shape that can be accommodated in device 200. Thus, support 230 may be positioned between needle 226 and the top surface of wafer tape 218.

ウェーハテープ218の完全性に対する温度の影響に関して、支持体230の温度は、針226およびウェーハテープ218の温度を、少なくとも転写動作の点の近くに調節するように調整され得ることが企図される。したがって、支持体230の温度は、加熱または冷却されてもよく、支持体230の材料は、熱伝導率を最大化するために選択されてもよい。例えば、支持体230は、アルミニウム、または別の比較的高い熱伝導率の金属または同等の材料で形成することができ、それによって、転写動作の一貫した結果を維持するために温度を調節し得る。ある実施形態では、ウェーハテープ218の局所部分の温度を調節するのを支援するために、空気を支持体230内で循環させる場合がある。さらに、または代替的に、光ファイバケーブル230aを針格納支持体230に挿入する場合があり、ウェーハテープ218および/または針226の温度調節を支援するために、さらに針226に対して対向させる場合がある。 Regarding the effect of temperature on the integrity of wafer tape 218, it is contemplated that the temperature of support 230 may be adjusted to adjust the temperature of needle 226 and wafer tape 218 at least near the point of transfer operation. Accordingly, the temperature of support 230 may be heated or cooled, and the material of support 230 may be selected to maximize thermal conductivity. For example, support 230 may be formed of aluminum, or another relatively high thermal conductivity metal or equivalent material, thereby allowing temperature regulation to maintain consistent results of the transfer operation. . In some embodiments, air may be circulated within support 230 to help regulate the temperature of localized portions of wafer tape 218. Additionally or alternatively, a fiber optic cable 230a may be inserted into the needle storage support 230 and may be further opposed to the needle 226 to assist in temperature regulation of the wafer tape 218 and/or the needle 226. There is.

上記のように、固定機構208は、支持基材210の表面上の回路トレース212にダイ220を固定するのを支援し得る。図2Bは、ダイ220が回路トレース212に押し付けられる、転写段階にある装置200を示している。ある実施形態では、固定機構208は、レーザ、電磁放射、圧力振動、超音波溶接などを含むがこれらに限定されないエネルギ放出デバイス236を含んでもよい。ある実施形態では、エネルギ放出デバイス236のための圧力振動の使用は、回路トレース内の分子を電気接触端子の分子に対して破壊させ、振動圧力を介して接合を形成するように、振動エネルギ力を放出することによって機能し得る。さらに、ある実施形態では、固定機構208は完全に省略することができ、回路基材への1つ以上のダイの転写は、接着強度または接合ポテンシャルを含む他の手段を介して起こり得る。 As mentioned above, the securing mechanism 208 may assist in securing the die 220 to the circuit traces 212 on the surface of the support substrate 210. FIG. 2B shows apparatus 200 in the transfer stage, with die 220 pressed against circuit traces 212. In some embodiments, the fixation mechanism 208 may include an energy emitting device 236 including, but not limited to, lasers, electromagnetic radiation, pressure vibrations, ultrasonic welding, and the like. In some embodiments, the use of pressure vibrations for the energy emitting device 236 uses vibrational energy forces to cause molecules in the circuit traces to fracture against molecules of the electrical contact terminals, forming a bond through the vibrational pressure. It may function by releasing . Furthermore, in some embodiments, the fixation mechanism 208 may be omitted entirely and transfer of one or more dies to the circuit substrate may occur via other means, including adhesive strength or bonding potential.

非限定的な例では、図2Bに示すように、レーザは、エネルギ放出デバイス236として実装し得る。転写動作中に、レーザ236を活性化させて、転写されるダイ220に向けられた特定の波長および強度の光エネルギを放出し得る。レーザ236の光の波長は、支持基材210の材料に有意な影響を与えることなく、回路トレース212の材料に関するその波長の光の吸収に基づいて具体的に選択し得る。例えば、808nmの動作波長を有し、5Wで動作するレーザは、銀には容易に吸収され得るが、ポリエステルには吸収され得ない。したがって、レーザビームはポリエステルの基材を通過し、回路トレースの銀に影響を与える場合がある。代替的に、レーザの波長は、回路トレースと基材の材料の吸収に一致する場合がある。レーザ236の焦点領域(図2Bのレーザ236から支持基材210に向かって垂直に出ている破線で示されている)は、例えば、300ミクロンの幅の領域などのLEDのサイズに応じてサイズ決めしてもよい。 In a non-limiting example, a laser may be implemented as an energy emitting device 236, as shown in FIG. 2B. During a transfer operation, laser 236 may be activated to emit light energy of a particular wavelength and intensity directed at die 220 being transferred. The wavelength of the light of the laser 236 may be specifically selected based on the absorption of light at that wavelength for the material of the circuit traces 212 without significantly affecting the material of the support substrate 210. For example, a laser with an operating wavelength of 808 nm and operating at 5 W can be easily absorbed by silver, but not by polyester. Therefore, the laser beam may pass through the polyester substrate and affect the silver in the circuit traces. Alternatively, the wavelength of the laser may match the absorption of the circuit trace and substrate material. The focal region of laser 236 (indicated by the dashed line emanating perpendicularly from laser 236 toward support substrate 210 in FIG. 2B) is sized according to the size of the LED, e.g., a 300 micron wide region. You can decide.

レーザ236の所定の制御されたパルス持続時間の作動時に、回路トレース212は、回路トレース212の材料とダイ220上の電気接触端子(図示せず)との間に溶融接合が形成され得る程度まで硬化(および/または溶融または軟化)し始める場合がある。この接合は、パッケージ化されていないダイ220をウェーハテープ218から分離するのをさらに支援し、同時に、ダイ220を支持基材210に固定するのを支援する。さらに、レーザ236は、ウェーハテープ218上にいくらかの熱伝達を引き起し、それにより、ダイ220のウェーハテープ218への接着を低減し、したがって、転写動作を支援し得る。 Upon activation of a predetermined, controlled pulse duration of laser 236, circuit trace 212 is heated to the extent that a fused bond may be formed between the material of circuit trace 212 and electrical contact terminals (not shown) on die 220. It may begin to harden (and/or melt or soften). This bonding further assists in separating unpackaged die 220 from wafer tape 218 while simultaneously assisting in securing die 220 to support substrate 210. Additionally, laser 236 may cause some heat transfer onto wafer tape 218, thereby reducing adhesion of die 220 to wafer tape 218 and thus assisting in the transfer operation.

他の例では、ダイは、回路トレースを加熱/活性化して、それによってエポキシまたは相変化接合材料を硬化させるために、またはウェーハテープからダイを非活性化/解放するために、または反応のいくつかの組み合わせを開始するために、所定の波長を有するレーザまたは集束光(例えば、IR、UV、広帯域/マルチスペクトル)を使用することを含む多くの方法で解放され、支持基材に固定され得る。さらに、または代替的に、システムの1つの層を通過し、別の層と相互作用するために、特定の波長のレーザまたは光を使用し得る。さらに、ダイをウェーハテープから引き抜くために真空を実施することができ、ダイウェーハテープと支持基材との間に潜在的に回転ヘッドを含む支持基材上にダイを押す付けるために、空気圧を実施し得る。さらに別の例では、ダイを回路トレースに接合させるために、超音波振動を圧力と組み合わせ得る。 In other examples, the die may be heated/activated to heat/activate circuit traces thereby curing the epoxy or phase change bonding material, or to deactivate/release the die from the wafer tape, or some number of reactions. can be released and fixed to a supporting substrate in a number of ways, including using a laser or focused light (e.g. IR, UV, broadband/multispectral) with a predetermined wavelength to initiate the combination. . Additionally or alternatively, a laser or light of a particular wavelength may be used to pass through one layer of the system and interact with another layer. Additionally, a vacuum can be implemented to pull the die from the wafer tape, and air pressure can be applied to force the die onto a support substrate that potentially includes a rotating head between the die wafer tape and the support substrate. It can be implemented. In yet another example, ultrasonic vibrations may be combined with pressure to bond the die to the circuit traces.

針格納支持体230と同様に、固定機構は、レーザ236と支持基材210の底面との間に配置され得る支持基材支持体238を含んでもよい。支持体238は、その基端部に開口部240を含み、その上端部に開口部242を含んでもよい。例えば、支持体238は、リングまたは中空シリンダーとして形成されてもよい。支持体は、レーザの方向付けを支援するためにレンズ(図示せず)を固定するための構造をさらに含んでもよい。レーザ236は、開口部240、242を通して光を発して、支持基材210に到達する。さらに、支持体238の側壁の上端部は、支持基材210の底面と直接接触して、または密接に隣接して配置される場合がある。そのように配置され、支持体238は、転写動作時の針226のストローク中に支持基材210に損傷が発生するのを防ぐのに役立つ場合がある。ある実施形態では、転写動作中、支持基材210の底面のうち支持体238と位置合わせされた部分が支持体238に接触してもよく、それによって、針226によって押圧されているダイ220の入ってくる動きに対する抵抗を提供する。さらに、支持体238は、垂直軸の方向に移動可能であってよく、必要に応じて支持体238を上下させるように、支持基材210の高さを含めてその高さを調整することができる。 Similar to the needle storage support 230, the securing mechanism may include a support substrate support 238 that may be disposed between the laser 236 and the bottom surface of the support substrate 210. Support 238 may include an opening 240 at its proximal end and an opening 242 at its upper end. For example, support 238 may be formed as a ring or a hollow cylinder. The support may further include structure for securing a lens (not shown) to assist in directing the laser. Laser 236 emits light through apertures 240, 242 to reach support substrate 210. Additionally, the top end of the sidewall of support 238 may be placed in direct contact with or closely adjacent the bottom surface of support substrate 210. So positioned, support 238 may help prevent damage to support substrate 210 during the stroke of needle 226 during a transfer operation. In some embodiments, during the transfer operation, a portion of the bottom surface of the support substrate 210 that is aligned with the support 238 may contact the support 238, thereby causing the die 220 being pressed by the needles 226 to contact the support 238. Provides resistance to incoming movement. Further, the support 238 may be movable in the direction of a vertical axis, and its height, including the height of the support substrate 210, can be adjusted to raise or lower the support 238 as desired. can.

上記の機能に加えて、装置200は、装置200が、ウェーハテープ218上のダイ220に関する情報を受信する、第1のセンサ244をさらに含んでもよい。転写動作でどのダイを使用するかを決定するために、ウェーハテープ218は、読み取られるか、さもなければ検出されるバーコード(図示せず)または他の識別子を有してもよい。識別子は、第1のセンサ244を介して装置200にダイマップデータを提供し得る。 In addition to the above functionality, apparatus 200 may further include a first sensor 244 from which apparatus 200 receives information regarding die 220 on wafer tape 218. Wafer tape 218 may have a bar code (not shown) or other identifier that is read or otherwise detected to determine which die to use in a transfer operation. The identifier may provide die map data to device 200 via first sensor 244.

図2Aおよび図2Bに示すように、第1のセンサ244は、場所検出の精度を高めるために、転写機構206(または具体的には針226)の近くに、転写機構206から約1~5インチの範囲である場合がある距離dだけ間隔をあけて配置されてもよい。代替的な実施形態では、ダイ220の正確な位置をリアルタイムで感知するために、第1のセンサ244を針226の先端部に隣接して配置してもよい。転写プロセス中、ウェーハテープ218は、穿刺される、または時間の経過とともにさらに伸長して、これによりウェーハテープ218上のダイ220の以前にマッピングされた、したがって予想される場所が変わる場合がある。したがって、ウェーハテープ218の伸長の小さな変化は、転写されているダイ220の位置合わせに重大な誤差をもたらす可能性があるであろう。したがって、正確なダイの位置決めを支援するために、リアルタイムセンシングが実装されてもよい。 As shown in FIGS. 2A and 2B, the first sensor 244 is located approximately 1-5 mm from the transfer mechanism 206 in the vicinity of the transfer mechanism 206 (or specifically the needle 226) to increase the accuracy of location detection. They may be spaced apart by a distance d, which may be in the range of inches. In an alternative embodiment, a first sensor 244 may be placed adjacent the tip of the needle 226 to sense the precise position of the die 220 in real time. During the transfer process, wafer tape 218 may be punctured or further stretched over time, thereby changing the previously mapped and therefore expected location of die 220 on wafer tape 218. Therefore, small changes in the elongation of wafer tape 218 could result in significant errors in the alignment of die 220 being transferred. Therefore, real-time sensing may be implemented to assist in accurate die positioning.

ある実施形態では、第1のセンサ244は、感知されているダイ220の正確な場所およびタイプを識別できる場合がある。この情報は、転写動作を実行するためにウェーハテープ218が搬送されるべき正確な場所を示す指示をウェーハテープコンベヤフレーム222に提供するために使用されてもよい。センサ244は、多くのタイプのセンサの1つであってもよく、複数の機能をより良く実行するためのセンサのタイプの組み合わせであってもよい。センサ244は、レーザ距離計、またはマイクロ写真撮影機能を有する高解像度光学カメラの非限定的な例などの光学センサを含んでもよいが、これらに限定されない。 In some embodiments, first sensor 244 may be able to identify the exact location and type of die 220 being sensed. This information may be used to provide instructions to wafer tape conveyor frame 222 indicating the exact location where wafer tape 218 should be transported to perform the transfer operation. Sensor 244 may be one of many types of sensors or a combination of sensor types to better perform multiple functions. Sensor 244 may include an optical sensor, such as, but not limited to, a laser range finder, or a high resolution optical camera with micro-photography capabilities.

さらに、ある実施形態では、第2のセンサ246も、装置200に含まれる場合がある。第2のセンサ246は、支持基材210上で回路トレース212の正確な位置を検出するように、支持基材210に対して配置されてもよい。次いで、この情報は、次の転写動作が回路トレース212上の正しい場所で生じるように、転写機構206と固定機構208との間に支持基材210を位置合わせするために必要な任意の位置調整を決定するために使用し得る。この情報は、支持基材210を正しい位置に搬送し、同時に、ウェーハテープコンベヤフレーム222に命令を伝達することを調整するために、さらに装置200に中継され得る。マイクロ写真撮影機能を有する高解像度光学カメラの1つの非限定的な例など、光学センサを含む様々なセンサもセンサ246のために企図されている。 Additionally, in some embodiments, a second sensor 246 may also be included in device 200. A second sensor 246 may be positioned relative to the support substrate 210 to detect the precise location of the circuit trace 212 on the support substrate 210. This information is then used to determine any positional adjustments necessary to align support substrate 210 between transfer mechanism 206 and fixation mechanism 208 so that the next transfer operation occurs at the correct location on circuit trace 212. can be used to determine. This information may be further relayed to apparatus 200 to coordinate transporting support substrate 210 to the correct position while simultaneously communicating instructions to wafer tape conveyor frame 222. A variety of sensors are also contemplated for sensor 246, including optical sensors, such as one non-limiting example of a high resolution optical camera with micro-photography capabilities.

図2Aおよび図2Bは、第1のセンサ244、第2のセンサ246、およびレーザ236が接地され得ることをさらに示している。ある実施形態では、第1のセンサ244、第2のセンサ246、およびレーザ236はすべて、同じ接地(G)、あるいは、異なる接地(G)に接地されてもよい。 2A and 2B further illustrate that first sensor 244, second sensor 246, and laser 236 may be grounded. In some embodiments, first sensor 244, second sensor 246, and laser 236 may all be grounded to the same ground (G) or different grounds (G).

第1および第2のセンサ244、246に使用されるセンサのタイプに応じて、第1または第2のセンサは、転写されたダイの機能をさらに試験できる場合がある。代替的に、追加のテスタセンサ(図示せず)を装置200の構造に組み込んで、装置200から支持基材210を取り外す前に個々のダイを試験し得る。 Depending on the type of sensor used for the first and second sensors 244, 246, the first or second sensor may be able to further test the functionality of the transferred die. Alternatively, additional tester sensors (not shown) may be incorporated into the structure of apparatus 200 to test individual dies prior to removing support substrate 210 from apparatus 200.

さらに、いくつかの例では、所与の時間に複数のダイを転写および固定するために、複数の独立して作動可能な針および/またはレーザを機械に実装する場合がある。複数の針および/またはレーザは、3次元空間内で独立して移動可能であってもよい。複数のダイの転写は、同期して(複数の針が同時に下がる)行われる場合もあれば、同時であるが、必ずしも同期してではなく行われる場合もある(例えば、他方が上がっている間に一方の針が下がり、この構成により、コンポーネントのバランスが良くなり、振動が最小限に抑えられ得る)。複数の針および/またはレーザの制御は、複数のコンポーネント間の衝突を回避するために調整し得る。さらに、他の例では、複数の針および/またはレーザは、互いに対して固定された位置に配置し得る。 Additionally, in some examples, a machine may be implemented with multiple independently actuatable needles and/or lasers to transfer and fix multiple dies at a given time. The multiple needles and/or lasers may be independently movable in three-dimensional space. The transfer of multiple dies may occur synchronously (several needles are lowered at the same time) or simultaneously, but not necessarily synchronously (e.g., one needle is lowered while the other is raised). one needle is lowered, this configuration allows the components to be better balanced and vibrations to be minimized). Control of the needles and/or lasers may be adjusted to avoid collisions between components. Furthermore, in other examples, multiple needles and/or lasers may be placed in fixed positions relative to each other.

例示的針先端部プロファイル
前述のように、針の先端部300のプロファイル形状は、先端部300の概略的な例示的なプロファイル形状を示す図3に関して、説明される。ある実施形態では、先端部300は、針の反対側に横方向に延びる場合がある、テーパ部分304、角306、および基端部308に隣接する側壁302を含む針の端部として画定し得る。先端部300の特定のサイズおよび形状は、例えば、転写されているダイ220のサイズ、および転写動作の速度および衝撃力などの転写プロセスの要因に応じて変化する場合がある。例えば、針の中心軸の長手方向とテーパ部分304との間で測定される、図3に見られる角度θは、約10~15°の範囲である場合があり、角306の半径rは、約15~50+ミクロンの範囲である場合があり、基端部308の幅wは、約0~100+ミクロンの範囲である場合があり、ここで、wは、転写されているダイ220の幅以下である場合があり、テーパ部分304の高さhは、約1~2mmの範囲である場合があり、ここで、hは、転写動作のストローク中に針が移動した距離よりも大きくてもよく、針226の直径dは約1mmである場合がある。
Exemplary Needle Tip Profile As previously mentioned, the profile shape of the needle tip 300 is described with respect to FIG. 3, which shows a schematic exemplary profile shape of the tip 300. In some embodiments, the distal end 300 may be defined as the end of a needle that includes a tapered portion 304, a corner 306, and a sidewall 302 adjacent the proximal end 308, which may extend laterally to the opposite side of the needle. . The particular size and shape of tip 300 may vary depending on, for example, the size of die 220 being transferred and factors in the transfer process such as the speed and impact force of the transfer operation. For example, the angle θ seen in FIG. 3, measured between the longitudinal direction of the central axis of the needle and the tapered portion 304, may be in the range of approximately 10-15°, and the radius r of the angle 306 is The width w of the proximal end 308 may range from about 0 to 100+ microns, where w is less than or equal to the width of the die 220 being transferred. The height h of the tapered portion 304 may be in the range of approximately 1-2 mm, where h may be greater than the distance traveled by the needle during the stroke of the transfer operation. , the diameter d of needle 226 may be approximately 1 mm.

他の針先端部プロファイルが企図されており、転写動作に関連する様々な要因に応じて異なる利点を有し得る。例えば、針先端部300は、ダイの幅を反映するためにより鈍い場合もあれば、ウェーハテープのより小さな領域内で押圧するようにより尖っている場合がある。ある実施形態では、転写機構206は、2つ以上の針を実装する場合がある。そのような場合、2つ以上の針は、実質的に同様の針プロファイルを有する場合もあれば、それらは、実質的に異なる針プロファイルを有する場合もある。例えば、転写機構206は、図3に関して説明および図示した針先端部プロファイルを有する1つ以上の針226を含んでもよい。転写機構は、実質的に異なる針先端部プロファイル(すなわち、図示および説明した針先端部プロファイルよりも広い、または図示および説明した針先プロファイルよりも狭い)を有する1つ以上の針226をさらに含んでもよい。ある実施形態では、針プロファイルは、、針226は、針226の全長に沿って一定の幅を含むように、点への任意の先細りを含まない場合がある。 Other needle tip profiles are contemplated and may have different advantages depending on various factors related to the transfer operation. For example, the needle tip 300 may be blunter to reflect the width of the die, or more pointed to press within a smaller area of the wafer tape. In some embodiments, transfer mechanism 206 may implement more than one needle. In such cases, the two or more needles may have substantially similar needle profiles, or they may have substantially different needle profiles. For example, transfer mechanism 206 may include one or more needles 226 having the needle tip profile described and illustrated with respect to FIG. The transfer mechanism further includes one or more needles 226 having substantially different needle tip profiles (i.e., wider than the illustrated and described needle tip profiles or narrower than the illustrated and described needle tip profiles). But that's fine. In some embodiments, the needle profile may not include any taper to a point such that the needle 226 includes a constant width along the entire length of the needle 226.

例示的な針作動性能プロファイル
針作動性能プロファイルの実施形態が、図4に示されている。すなわち、図4は、ウェーハテープ218が時間とともに変化するのに伴うウェーハテープ218の平面に対する針先の高さを表示することによって、転写動作中に実行されるストロークパターンの例を示している。したがって、図4の「0」位置は、ウェーハテープ218の上面であってもよい。さらに、針のアイドル時間および針の準備完了時間は、プログラムされたプロセスまたは第1のダイを転写することと転写のために第2のダイに到達するのにかかる時間との間の期間の変化に応じて変化する場合があるので、ストロークパターンのアイドルフェーズと準備完了フェーズに示される破線は、時間が概算であり、期間は長くなっても短くなってもよいことを示している。さらに、レーザの使用について示される実線は、本明細書で示される実施形態の例示的な時間であるが、レーザのオンおよびオフ時間の実際の期間は、回路を形成する際に使用される材料(回路トレースの材料の選択など)、支持基材のタイプ、所望の効果(事前溶融回路トレース、部分接合、完全接合など)、接合点(すなわち、支持基材の上面)からのレーザの距離、転写されているダイのサイズ、およびレーザの出力/強度/波長などに応じて変化する場合があることを理解されたい。したがって、図4に示すプロファイルの以下の説明は、針プロファイルの例示的な実施形態である場合がある。
Exemplary Needle Actuation Performance Profile An embodiment of a needle actuation performance profile is shown in FIG. That is, FIG. 4 illustrates an example of a stroke pattern performed during a transfer operation by displaying the height of the needle tip relative to the plane of the wafer tape 218 as the wafer tape 218 changes over time. Therefore, the "0" position in FIG. 4 may be the top surface of wafer tape 218. Additionally, needle idle time and needle ready time are changes in the programmed process or period between transferring a first die and the time it takes to reach a second die for transfer. The dashed lines shown for the idle and ready phases of the stroke pattern are approximate times and indicate that the periods may be longer or shorter, as they may vary depending on the stroke pattern. Additionally, while the solid lines shown for the use of a laser are exemplary times for embodiments shown herein, the actual duration of the laser on and off times may vary depending on the material used in forming the circuit. (e.g. choice of circuit trace material), type of support substrate, desired effect (pre-fused circuit trace, partial bond, full bond, etc.), distance of the laser from the bond point (i.e. top surface of the support substrate), It should be understood that this may vary depending on the size of the die being imprinted and the laser power/intensity/wavelength, etc. Accordingly, the following description of the profile shown in FIG. 4 may be an exemplary embodiment of a needle profile.

ある実施形態では、転写動作の前に、完全に引っ込められた針先端部は、ウェーハテープの表面から約2000μm上方でアイドルになり得る。様々な時間が経過すると、針先端部が急速に下降して、ウェーハテープの表面から約750μm上方で準備完了状態で静止し得る。準備完了状態で別の不確定な時間が経過した後、針先端部が再び下降してダイに接触し、ウェーハテープをダイとともに約-1000μmの高さまで押し下げ、そこでダイを支持基材に転写し得る。レーザオンセクション開始時の垂直の点線は、準備完了フェーズからの降下の開始と針先端部のストロークの下部との間のある時点で、レーザがオンになる場合があることを示している。例えば、レーザは降下経路の約50%でオンになる場合がある。ある実施形態では、例えば針が下降し始める前など早期にレーザをオンにすることによって、回路トレースは、より強い接合を形成するためにダイと接触する前に軟化し始める場合もあれば、さらに、ダイウェーハはこの間に影響を受けるまたは準備される場合もある。レーザがオンになるフェーズは、約20ms(「ミリ秒」)続く場合がある。レーザがオンになっているストロークの最下部では、そのフェーズはダイと支持基材との間の接合フェーズである場合がある。この接合フェーズにより、回路トレースはダイ接点に付着できるようになり、レーザがオフになった後すぐに硬化する。したがって、ダイは支持基材に接合され得る。接合フェーズは約30ms続く場合がある。その後、レーザをオフにすることができ、針を準備完了フェーズまで急速に上昇させることができる。逆に、針が上昇し始める前にレーザをオフにすることができ、または、針の先端部が準備完了フェーズに戻る途中のある時点で、レーザをオフにすることができる。針先端部が準備完了フェーズに上昇した後、針先端部の高さがオーバーシュートし、準備完了フェーズの高さの下でやや浮力で跳ね返る可能性がある。浮力の一部は、針先が準備完了フェーズに上昇する速度に起因する場合があるが、速度と浮力は、針がウェーハテープを貫通し、そこで張り付いている場合があるという場合においてウェーハテープの表面から針の先端部を引っ込めるのを支援するために意図的である場合がある。 In some embodiments, prior to the transfer operation, the fully retracted needle tip may idle approximately 2000 μm above the surface of the wafer tape. After various amounts of time, the needle tip can rapidly lower and come to rest approximately 750 μm above the surface of the wafer tape in a ready state. After another indeterminate amount of time in the ready state, the needle tip descends again and contacts the die, pushing the wafer tape down with the die to a height of about −1000 μm, where it transfers the die to the supporting substrate. obtain. The vertical dotted line at the beginning of the laser-on section indicates that the laser may be turned on at some point between the beginning of the descent from the ready phase and the bottom of the needle tip stroke. For example, the laser may be on about 50% of the way down. In some embodiments, by turning on the laser early, such as before the needle begins to descend, the circuit traces may begin to soften before contacting the die to form a stronger bond; , the die wafer may be affected or prepared during this time. The laser on phase may last approximately 20 ms ("milliseconds"). At the bottom of the stroke, when the laser is on, that phase may be the bonding phase between the die and the support substrate. This bonding phase allows the circuit traces to attach to the die contacts and harden immediately after the laser is turned off. Thus, the die may be bonded to a supporting substrate. The bonding phase may last approximately 30ms. The laser can then be turned off and the needle can be quickly raised to the ready phase. Conversely, the laser can be turned off before the needle begins to rise, or at some point during the needle tip's return to the ready phase. After the needle tip rises to the ready phase, the needle tip height may overshoot and bounce slightly buoyant below the ready phase height. Some of the buoyancy may be due to the speed at which the needle tip rises to the ready phase, but the speed and buoyancy are the same as the wafer tape in the case that the needle penetrates the wafer tape and may become stuck there. may be intentional to assist in retracting the needle tip from the surface of the needle.

図4に示すように、レーザがオフになるタイミングは、レーザがオンになるタイミングよりも長くなる可能性があり、降下の速度が遅いと、ダイへの損傷を防ぐのを支援する場合があり、前述のように、急速な上昇速度は、ウェーハテープから針先端部をより効果的に引き抜くのを支援する場合がある。それにもかかわらず、前述のように、図4に示すタイミングは、具体的にはアイドル期間と準備完了期間に関しては概算である。したがって、図4の下端部に沿って割り当てられた数値は、参照用であり、特に明記されていない限り、文字通りに解釈されるべきではない。 As shown in FIG. 4, the timing when the laser is off can be longer than the timing when the laser is on, a slower rate of fall may help prevent damage to the die, and as previously mentioned, a faster rate of rise may help more effectively extract the needle tip from the wafer tape. Nonetheless, as previously mentioned, the timings shown in FIG. 4 are approximate, particularly with respect to the idle and ready periods. Thus, the numerical values assigned along the bottom edge of FIG. 4 are for reference only and should not be taken literally unless otherwise noted.

例示的支持基材
図5は、加工された支持基材500の例示的な実施形態を示す。支持基材502は、電力がそれに印加されるときに、負または正の電力端子として機能し得る回路トレース504Aの第1の部分を含んでもよい。回路トレース504Bの第2の部分は、回路トレース504Aの第1の部分に隣接して延びてもよく、電力がそれに印加されるとき、対応する正または負の電力端子として機能し得る。
Exemplary Support Substrate FIG. 5 shows an exemplary embodiment of a fabricated support substrate 500. Support substrate 502 may include a first portion of circuit trace 504A that can function as a negative or positive power terminal when power is applied thereto. A second portion of circuit trace 504B may extend adjacent to the first portion of circuit trace 504A and may function as a corresponding positive or negative power terminal when power is applied thereto.

ウェーハテープに関して同様に上述したように、支持基材502をどこに搬送して転写動作を行うかを決定するために、支持基材502は、読み取るまたは他の方法で検出するバーコード(図示せず)または他の識別子を有してもよい。識別子は、回路トレースデータを装置に提供し得る。支持基材502は、基準点506をさらに含んでもよい。基準点506は、回路トレース504a、504bの第1の部分および第2の部分を位置付けるために、支持基材センサ(例えば、図2の第2のセンサ246)によって感知するための視覚的な指標であってもよい。基準点506が感知されると、基準点506に対する回路トレース504A、504Bの第1および第2の部分の形状および相対位置は、事前にプログラムされた情報に基づいて決定し得る。事前にプログラムされた情報に関連して感知された情報を使用して、支持基材搬送機構は、転写動作のための適切な位置合わせ位置に支持基材502を搬送し得る。 As also discussed above with respect to wafer tape, the support substrate 502 is provided with a bar code (not shown) that is read or otherwise detected to determine where to transport the support substrate 502 to perform a transfer operation. ) or other identifiers. The identifier may provide circuit trace data to the device. Support substrate 502 may further include reference points 506. Reference points 506 provide visual indicators for sensing by a supporting substrate sensor (e.g., second sensor 246 in FIG. 2) to locate the first and second portions of circuit traces 504a, 504b. It may be. Once the reference point 506 is sensed, the shape and relative position of the first and second portions of the circuit traces 504A, 504B with respect to the reference point 506 may be determined based on pre-programmed information. Using the sensed information in conjunction with the pre-programmed information, the support substrate transport mechanism may transport the support substrate 502 to the proper alignment position for the transfer operation.

さらに、ダイ508は、回路トレース504A、504Bの第1の部分と第2の部分との間にまたがっているとして図5に示されている。このようにして、ダイ508の電気接触端子(図示せず)は、転写動作中に支持基材502に接され得る。したがって、回路トレース504A、504Bの第1の部分と第2の部分との間で実行し、それによってダイ508に電力を供給するために電力を印加し得る。例えば、ダイは、ウェーハテープから支持基材502上の回路トレースに直接転写されたパッケージ化されていないLEDであってもよい。その後、支持基材502は、支持基材502の完成のために加工され、回路または他の最終製品で使用され得る。さらに、回路の他のコンポーネントは、完全な回路を作成するために同じまたは他の転写手段によって追加されてもよく、いくつかの静的またはプログラム可能または適応可能な方法で1つ以上のグループとしてLEDを制御するために制御ロジックを含んでもよい。 Additionally, die 508 is shown in FIG. 5 as spanning between first and second portions of circuit traces 504A, 504B. In this manner, electrical contact terminals (not shown) of die 508 can be contacted to support substrate 502 during the transfer operation. Accordingly, power may be applied to run between the first and second portions of circuit traces 504A, 504B, thereby powering die 508. For example, the die may be an unpackaged LED transferred directly from a wafer tape to circuit traces on the support substrate 502. The support substrate 502 can then be processed to complete the support substrate 502 and used in circuits or other final products. Additionally, other components of the circuit may be added by the same or other transcription means to create a complete circuit, either as one or more groups in some static or programmable or adaptable manner. Control logic may be included to control the LEDs.

簡略化された例示的直接転写システム
直接転写システム600の実施形態の簡略化された例を図6に示す。転写システム600は、パーソナルコンピュータ(PC)602(またはサーバ、データ入力デバイス、ユーザインターフェースなど)、データストア604、ウェーハテープ機構606、支持基材機構608、転写機構610、および固定機構612を含んでもよい。ウェーハテープ機構606、支持基材機構608、転写機構610、および固定機構612のより詳細な説明は、これまでに示してきたので、これらの機構に関する特定の詳細はここでは繰り返さない。しかしながら、ウェーハテープ機構606、支持基材機構608、転写機構610、および固定機構612が、PC602とデータストア604との間の相互作用にどのように関連するかについての簡単な説明を以下に記載する。
Simplified Exemplary Direct Transfer System A simplified example of an embodiment of a direct transfer system 600 is shown in FIG. Transfer system 600 may include a personal computer (PC) 602 (or server, data input device, user interface, etc.), a data store 604, a wafer tape mechanism 606, a support substrate mechanism 608, a transfer mechanism 610, and a fixation mechanism 612. good. A more detailed description of the wafer tape mechanism 606, support substrate mechanism 608, transfer mechanism 610, and fixation mechanism 612 has been provided above, so specific details regarding these mechanisms will not be repeated here. However, a brief description of how wafer tape mechanism 606, support substrate mechanism 608, transfer mechanism 610, and fixation mechanism 612 relate to the interaction between PC 602 and data store 604 is provided below. do.

ある実施形態では、PC602は、データストア604と通信して、転写機構610を使用して、ウェーハテープ機構606内のウェーハテープから支持基材機構608内の支持基材上にダイを直接転写する転写プロセスに有用な情報およびデータを受信し、支持基材機構608で、ダイは、固定機構612に位置付けられたレーザまたは他のエネルギ放出デバイスの作動を介して、支持基材上に固定され得る。PC602は、ウェーハテープ機構606、支持基材機構608、転写機構610、および固定機構612の各々との間で中継されるデータの受信機、コンパイラ、オーガナイザ、およびコントローラとして機能してもよい。PC602は、転写システム600のユーザから指示された情報をさらに受信する場合もある。 In some embodiments, the PC 602 communicates with the data store 604 to directly transfer the die from a wafer tape in a wafer tape mechanism 606 onto a support substrate in a support substrate mechanism 608 using a transfer mechanism 610. Having received the information and data useful for the transfer process, at support substrate mechanism 608, the die may be secured onto the support substrate through actuation of a laser or other energy emitting device positioned at securing mechanism 612. . PC 602 may function as a receiver, compiler, organizer, and controller for data relayed to and from each of wafer tape mechanism 606, support substrate mechanism 608, transfer mechanism 610, and fixation mechanism 612. PC 602 may also receive information directed by a user of transcription system 600.

なお、図6は、ウェーハテープ機構606および支持基材機構608に隣接する方向移動能力の矢印を示し、それらの矢印は、単に移動性の一般的な方向を示すが、ウェーハテープ機構606および支持基材機構608の両方は、例えば、平面内での回転、ピッチ、ロール、およびヨーを含む他の方向にも移動できる場合があることが企図される。 It should be noted that FIG. 6 shows directional movement capability arrows adjacent to the wafer tape mechanism 606 and support substrate mechanism 608, which arrows simply indicate the general direction of mobility; It is contemplated that both substrate features 608 may also be capable of movement in other directions, including, for example, in-plane rotation, pitch, roll, and yaw.

転写システム600のコンポーネントの相互作用の追加の詳細を、図7に関して以下に説明する。 Additional details of the interaction of the components of transfer system 600 are described below with respect to FIG.

詳細な例示的直接転写システム
転写システム700のそれぞれの要素間の通信経路の概略図は、以下のように説明される場合がある。
Detailed Exemplary Direct Transfer System A schematic diagram of the communication paths between each element of transfer system 700 may be described as follows.

直接転写システムは、データストア704から通信を受信し、データストア704に通信を提供し得るパーソナルコンピュータ(PC)702(またはサーバ、データ入力デバイス、ユーザインターフェースなど)を含んでもよい。PC702は、第1のセルマネージャ706(「セルマネージャ1」として示す)および第2のセルマネージャ708(「セルマネージャ2」として示す)とさらに通信し得る。したがって、PC702は、第1のセルマネージャ706と第2のセルマネージャ708との間の命令を制御および同期し得る。 The direct transcription system may include a personal computer (PC) 702 (or server, data input device, user interface, etc.) that may receive communications from and provide communications to the data store 704. PC 702 may further communicate with a first cell manager 706 (denoted as "Cell Manager 1") and a second cell manager 708 (denoted as "Cell Manager 2"). Accordingly, PC 702 may control and synchronize instructions between first cell manager 706 and second cell manager 708.

PC702は、第1および第2のセルマネージャ706、708、ならびにデータストア704に関して様々な機能を実行するために命令が実行され得るプロセッサおよびメモリコンポーネントを含んでもよい。ある実施形態では、PC702は、プロジェクトマネージャ710および針プロファイル画定器712を含んでもよい。 PC 702 may include processor and memory components upon which instructions may be executed to perform various functions with respect to first and second cell managers 706 , 708 and data store 704 . In some embodiments, PC 702 may include a project manager 710 and a needle profile definer 712.

プロジェクトマネージャ710は、第1および第2のセルマネージャ706、708およびデータストア704から入力を受信して、直接転写プロセスを編成し、ウェーハテープおよびその上のダイに対する支持基材の配向および位置合わせに関して円滑な機能を維持し得る。 A project manager 710 receives input from first and second cell managers 706, 708 and data store 704 to orchestrate the direct transfer process and orient and align the support substrate relative to the wafer tape and die thereon. can maintain smooth functioning.

針プロファイル画定器712は、針ストローク性能プロファイルに関するデータを含んでもよく、針ストローク性能プロファイルは、装填されたウェーハテープ上の特定のダイおよび支持基材上の回路トレースのパターンに従って、所望の針ストローク性能に関する転写機構を指示するために使用され得る。針プロファイル画定器712の追加の詳細を、本明細書では以下でさらに説明する。 The needle profile definer 712 may include data regarding a needle stroke performance profile, where the needle stroke performance profile determines the desired needle stroke according to a particular die on the loaded wafer tape and the pattern of circuit traces on the support substrate. Can be used to direct transcription mechanisms regarding performance. Additional details of needle profile definer 712 are described further herein below.

データストア704に戻ると、データストア704は、ウェーハテープ機構に装填されたウェーハテープに固有であり得るダイマップ714などのデータを含むメモリを含んでもよい。前に説明したように、ダイマップは、特定のダイの場所の事前に整理された記載を提供する目的で、ウェーハテープ上の各ダイの相対的な場所およびその品質を記載してもよい。さらに、データストア704は、回路CADファイル716を含むメモリも含んでもよい。回路CADファイル716は、装填された支持基材上の特定の回路トレースパターンに関するデータを含んでもよい。 Returning to data store 704, data store 704 may include memory containing data such as a die map 714 that may be specific to the wafer tape loaded into the wafer tape mechanism. As previously discussed, the die map may describe the relative location of each die on the wafer tape and its quality for the purpose of providing a pre-organized description of the location of a particular die. Additionally, data store 704 may also include memory that includes circuit CAD files 716. Circuit CAD file 716 may include data regarding specific circuit trace patterns on the loaded support substrate.

プロジェクトマネージャ710は、データストア704からダイマップ714および回路CADファイル716を受信することができ、それぞれの情報をそれぞれ第1および第2のセルマネージャ706、708に中継し得る。 Project manager 710 may receive die map 714 and circuit CAD file 716 from data store 704 and may relay the respective information to first and second cell managers 706, 708, respectively.

ある実施形態では、第1のセルマネージャ706は、ダイマネージャ718を介してデータストア704からのダイマップ714を使用し得る。より具体的には、ダイマネージャ718は、ダイマップ714をセンサマネージャ720によって受信された情報と比較することができ、それに基づいて、特定のダイの場所に関してモーションマネージャ722に命令を提供し得る。センサマネージャ720は、ダイ検出器724から、ウェーハテープ上のダイの実際の場所に関するデータを受信し得る。センサマネージャ720は、ダイマップ714に従って、特定の場所で特定のダイを探すようにダイ検出器724に指示し得る。ダイ検出器724は、図2Aおよび図2Bの第2のセンサ244などのセンサを含んでもよい。ウェーハテープ上のダイの実際の場所(位置の変化に関する確認または更新のいずれか)の受信データに基づいて、モーションマネージャ722は、第1のロボット726(「ロボット1」として示す)に、ウェーハテープを転写機構の針との位置合わせ位置に搬送するように指示し得る。 In some embodiments, first cell manager 706 may use die map 714 from data store 704 via die manager 718. More specifically, die manager 718 may compare die map 714 to information received by sensor manager 720 and, based thereon, may provide instructions to motion manager 722 regarding the location of a particular die. Sensor manager 720 may receive data from die detector 724 regarding the actual location of the die on the wafer tape. Sensor manager 720 may direct die detector 724 to look for a particular die at a particular location according to die map 714 . Die detector 724 may include a sensor such as second sensor 244 of FIGS. 2A and 2B. Based on the received data of the actual location of the die on the wafer tape (either a confirmation or an update regarding a change in position), the motion manager 722 directs the first robot 726 (denoted as "Robot 1") to move the wafer tape onto the wafer tape. may be instructed to transport the transfer mechanism to a position for alignment with the needle of the transfer mechanism.

指示された場所に到達すると、第1のロボット726は、その移動の完了を針制御盤マネージャ728に通信し得る。さらに、針制御盤マネージャ728は、PC702と直接通信して、転写動作の実行を調整し得る。転写動作の実行時に、PC702は、針制御盤マネージャ728に、針アクチュエータ/針730を活性化するように指示することができ、それにより、針に、針プロファイル画定器712内のロードされた針プロファイルに従ってストロークを実行させる。針制御盤マネージャ728は、レーザ制御/レーザ732を活性化することもでき、それにより、針が転写動作を実行するためにウェーハテープを介してダイを押し下げるにつれ、レーザに支持基材に向けてビームを放出させる。上記のように、レーザ制御/レーザ732の活性化は、針ストロークの活性化、つまり完全な作動の前、同時、最中、または後に起こり得る。 Upon reaching the indicated location, first robot 726 may communicate completion of its movement to needle control board manager 728. Additionally, needle control board manager 728 may communicate directly with PC 702 to coordinate performance of transfer operations. Upon execution of a transfer operation, the PC 702 can instruct the needle control board manager 728 to activate the needle actuator/needle 730, thereby causing the needle to be exposed to the loaded needle in the needle profile definer 712. Make the stroke execute according to the profile. The needle control board manager 728 can also activate the laser control/laser 732, thereby directing the laser toward the support substrate as the needle pushes the die down through the wafer tape to perform the transfer operation. Emit a beam. As mentioned above, laser control/activation of laser 732 can occur before, simultaneously with, during, or after needle stroke activation, ie, complete actuation.

したがって、第1のセルマネージャ706は、以下、つまり第1のロボット726にどこに行くように指示するかを決定すること、決定された場所に行くように最初のロボット726に指示すること、針をオンにすること、固定デバイスを活性化すること、およびリセットすることを含む複数の状態を通過し得る。 Therefore, the first cell manager 706 can: determine where to tell the first robot 726 to go; direct the first robot 726 to go to the determined location; Multiple states may be passed through, including turning on, activating the fixation device, and resetting.

転写動作を実行する前に、プロジェクトマネージャ710は、回路CADファイル716のデータを第2のセルマネージャ708に中継し得る。第2のセルマネージャ708は、センサマネージャ734およびモーションマネージャ736を含んでもよい。回路CADファイル716を使用して、センサマネージャ734は、基材位置合わせセンサ738に、支持基材上の基準点を見つけ、それによって、その上の回路トレースの場所に従って支持基材を検出し、配向させるように指示し得る。センサマネージャ734は、支持基材上の回路トレースパターンの確認または更新された場所情報を受信し得る。センサマネージャ734は、第2のロボット740(「ロボット2」として示す)に転写動作の実行のために支持基材を位置合わせ位置(すなわち、転写固定位置)に搬送する命令を与えるために、モーションマネージャ736と調整し得る。したがって、回路CADファイル716は、ダイがその上の回路トレースに正確に転写され得るように、プロジェクトマネージャ710がウェーハテープに対して支持基材を位置合わせするのを支援し得る。 Prior to performing the transfer operation, project manager 710 may relay data in circuit CAD file 716 to second cell manager 708. Second cell manager 708 may include a sensor manager 734 and a motion manager 736. Using the circuit CAD file 716, the sensor manager 734 causes the substrate alignment sensor 738 to locate a reference point on the support substrate, thereby detecting the support substrate according to the location of the circuit trace thereon; It can be instructed to orient. Sensor manager 734 may receive confirmation or updated location information of the circuit trace pattern on the support substrate. Sensor manager 734 transmits motion signals to a second robot 740 (denoted as "Robot 2") to convey the support substrate to an alignment position (i.e., a transfer fixation position) for performing a transfer operation. May coordinate with manager 736. Accordingly, the circuit CAD file 716 may assist the project manager 710 in aligning the support substrate relative to the wafer tape so that the die can be accurately transferred to the circuit traces thereon.

したがって、第2のセルマネージャ708は、以下、つまり第2のロボット740にどこに行くように指示するかを決定すること、決定された場所に行くように第2のロボット740に指示すること、およびリセットすることを含む複数の状態を通過し得る。 Accordingly, the second cell manager 708 is responsible for: determining where to direct the second robot 740 to go; directing the second robot 740 to go to the determined location; and It may pass through multiple states, including resetting.

上述した転送システム700の様々なコンポーネントのすべてまたはすべてより少ないコンポーネント間のさらなるおよび代替的な通信経路が可能であることを理解されたい。 It should be appreciated that additional and alternative communication paths between all or less than all of the various components of transfer system 700 described above are possible.

例示的直接転写方法
1つ以上のダイがウェーハテープから支持基材に直接転写される直接転写プロセスを実行する方法800が図8に示されている。本明細書に説明する方法800のステップは、任意の特定の順序でなくてもよく、したがって、所望の製品状態を達成するために任意の満足のいく順序で実行してもよい。方法800は、転写プロセスデータをPCおよび/またはデータストア802にロードするステップを含む場合がある。転写プロセスデータには、ダイマップデータ、回路CADファイルデータ、針プロファイルデータなどのデータが含まれてもよい。
Exemplary Direct Transfer Method A method 800 for performing a direct transfer process in which one or more dies are transferred directly from a wafer tape to a supporting substrate is shown in FIG. The steps of method 800 described herein may not be in any particular order and, therefore, may be performed in any satisfactory order to achieve a desired product condition. Method 800 may include loading transcription process data into a PC and/or data store 802. The transfer process data may include data such as die map data, circuit CAD file data, needle profile data, and the like.

ウェーハテープをウェーハテープコンベヤ機構804に装填するステップも、方法800に含まれてよい。ウェーハテープをウェーハテープコンベヤ機構に装填することは、抽出位置としても知られる装填位置に移動するようにウェーハテープコンベヤ機構を制御することを含んでもよい。ウェーハテープは、装填位置のウェーハテープコンベヤ機構で固定され得る。ウェーハテープは、半導体のダイが支持基材コンベヤ機構に向かって下向きになるように装填されてよい。 Loading wafer tape into wafer tape conveyor mechanism 804 may also be included in method 800. Loading the wafer tape conveyor mechanism with wafer tape may include controlling the wafer tape conveyor mechanism to move to a loading position, also known as an extraction position. The wafer tape may be secured with a wafer tape conveyor mechanism in a loading position. The wafer tape may be loaded with the semiconductor die facing downwardly toward the supporting substrate conveyor mechanism.

方法800は、支持基材コンベヤ機構806に装填するための支持基材を準備するステップをさらに含んでもよい。支持基材を準備することは、PCまたはデータストアにロードされているCADファイルのパターンに従って、支持基材上に回路トレースをスクリーン印刷するステップを含んでもよい。さらに、転写プロセスを支援するために、基準点が回路基材に印刷される場合がある。支持基材コンベヤ機構は、支持基材が支持基材コンベヤ機構に装填され得る、抽出位置としても知られる装填位置に移動するように制御され得る。支持基材は、回路トレースがウェーハ上のダイの方を向くように装填され得る。ある実施形態では、例えば、支持基材は、コンベヤ(図示せず)または例えば、組み立てラインの様式の他の自動化された機構によって装填位置に送達され、配置され得る。代替的に、支持基材は、オペレータによって手動で装填されてもよい。 Method 800 may further include preparing a support substrate for loading onto support substrate conveyor mechanism 806. Preparing the support substrate may include screen printing circuit traces on the support substrate according to a pattern in a CAD file that is loaded into a PC or data store. Additionally, fiducials may be printed on the circuit substrate to aid in the transfer process. The support substrate conveyor mechanism may be controlled to move to a loading position, also known as an extraction position, where support substrates may be loaded onto the support substrate conveyor mechanism. The support substrate may be loaded such that the circuit traces face the die on the wafer. In certain embodiments, for example, the support substrate may be delivered and placed at the loading position by a conveyor (not shown) or other automated mechanism, for example in the style of an assembly line. Alternatively, the support substrate may be loaded manually by an operator.

支持基材が、ウェーハテープコンベヤ機構に適切に装填されたウェーハテープの支持基材コンベヤ機構に適切に装填されたら、ウェーハテープから支持基材の回路トレースへのダイの直接転写を制御するためのプログラムをPCを介して実行して、直接転写動作808を開始してもよい。直接転写動作の詳細を以下に説明する。 Once the support substrate has been properly loaded into the wafer tape support substrate conveyor mechanism, a method for controlling the direct transfer of die from the wafer tape to the circuit traces on the support substrate. A program may be executed via a PC to initiate the direct transfer operation 808. Details of the direct transfer operation will be explained below.

例示的直接転写動作方法
ダイをウェーハテープ(または図9の簡略化された説明のために「ダイ基材」とも呼ばれる他の基材保持ダイ)から支持基材に直接転写させる直接転写動作の方法900が、図9に示されている。本明細書に説明する方法900のステップは、任意の特定の順序でなくてもよく、したがって、所望の製品状態を達成するために任意の満足のいく順序で実行してもよい。
Exemplary Direct Transfer Operation Method A method of direct transfer operation in which a die is directly transferred from a wafer tape (or other substrate-carrying die, also referred to as a "die substrate" for the simplified illustration of FIG. 9) to a supporting substrate. 900 is shown in FIG. The steps of method 900 described herein may not be in any particular order and, therefore, may be performed in any satisfactory order to achieve a desired product condition.

どのダイを支持基材上に配置するか、およびダイを支持基材上のどこに配置するかを決定するために、PCは、支持基材の識別および転写されるダイを含むダイ基材の識別に関する入力を受信し得る902。この入力は、ユーザが手動で入力してもよく、またはPCが支持基材位置合わせセンサとダイ検出器をそれぞれ制御するセルマネージャに要求を送信してもよい。要求は、バーコードまたはQRコードなどの識別マーカについて装填された基材をスキャンするようにセンサに指示してもよく、および/または、要求は、バーコードまたはQRコードなどの識別マーカについて装填されたダイ基材をスキャンするように検出器に指示してもよい。 To determine which die to place on the support substrate and where to place the die on the support substrate, the PC identifies the support substrate and the die substrate containing the die to be transferred. Input may be received 902 regarding. This input may be entered manually by the user, or the PC may send a request to the cell manager that controls the support substrate alignment sensor and die detector, respectively. The request may instruct the sensor to scan the loaded substrate for an identification marker such as a barcode or QR code, and/or the request may instruct the sensor to scan the loaded substrate for an identification marker such as a barcode or QR code. The detector may be instructed to scan the die substrate.

支持基材識別入力を使用して、PCは、データストアまたは他のメモリを照会して、支持基材とダイ基材のそれぞれの識別マーカを照合し、関連するデータファイルを検索し得る904。具体的には、PCは、支持基材上の回路トレースのパターンを記載する、支持基材に関連する回路CADファイルを検索し得る。回路CADファイルは、回路トレースに転写されるダイの数、相対位置、およびそれぞれの品質要件などのデータをさらに含んでもよい。同様に、PCは、ダイ基材上の特定のダイの相対的な場所のマップを提供する、ダイ基材に関連付けられたダイマップデータファイルを検索し得る。 Using the support substrate identification input, the PC may query a data store or other memory to match identification markers on each of the support substrate and die substrate and retrieve associated data files 904. Specifically, the PC may retrieve a circuit CAD file associated with the support substrate that describes the pattern of circuit traces on the support substrate. The circuit CAD file may further include data such as the number of dies transferred to the circuit traces, their relative positions, and their respective quality requirements. Similarly, the PC may retrieve a die map data file associated with the die substrate that provides a map of the relative location of a particular die on the die substrate.

ダイの支持基材への転写を実行するプロセスにおいて、PCは、転写機構および固定機構に対する支持基材およびダイ基材の初期配向を決定し得る。ステップ906内で、PCは、支持基材上に基準点を位置付けるように基材位置合わせセンサに指示し得る。上記で説明したように、基準点は、支持基材上の回路トレースの相対的な場所および方向を決定するための基準マーカとして使用し得る。さらに、PCは、ダイ検出器に、ダイ基材上に1つ以上の基準点を位置付けて、ダイのアウトレイを決定するように指示し得る。 In the process of performing the transfer of the die to the support substrate, the PC may determine the initial orientation of the support substrate and die substrate relative to the transfer and fixation mechanisms. Within step 906, the PC may instruct the substrate alignment sensor to locate a reference point on the supporting substrate. As explained above, fiducial points may be used as fiducial markers to determine the relative location and orientation of circuit traces on a support substrate. Additionally, the PC may instruct the die detector to locate one or more fiducial points on the die substrate to determine the outline of the die.

支持基材およびダイ基材の初期配向が決定されると、PCは、それぞれの支持基材搬送機構およびダイ基材搬送機構に、支持基材およびダイ基材を、それぞれ搬送機構および固定機構との位置合わせの位置に配向させるように指示し得る。 Once the initial orientation of the support substrate and die substrate is determined, the PC transfers the support substrate and die substrate to the respective support substrate transport mechanism and die substrate transport mechanism, respectively. may be directed to the alignment position.

位置合わせステップ908は、ダイが転写される回路トレースの部分の場所を決定すること910、およびその部分が転写固定位置に対してどこに位置付けられるのかを決定すること912を含んでもよい。転写固定位置は、転写機構と固定機構との間の位置合わせ点と見なし得る。ステップ910およびステップ912で決定されたデータに基づいて、PCは、支持基材搬送機構に、ダイが転写される回路トレースの部分を転写固定位置と位置合わせする914ように支持基材を搬送するよう指示し得る。 The alignment step 908 may include determining 910 the location of the portion of the circuit trace to which the die will be transferred, and determining 912 where the portion will be positioned relative to the transfer fixation location. The transfix position may be considered an alignment point between the transfer mechanism and the fixation mechanism. Based on the data determined in steps 910 and 912, the PC transports the support substrate to the support substrate transport mechanism to align 914 the portion of the circuit trace to which the die will be transferred with the transfer fixation position. I can instruct you to do so.

位置合わせステップ908は、ダイ基材上のどのダイが転写されるのかを決定すること916、およびダイが転写固定位置に対してどこに位置付けられるのかを決定すること918をさらに含んでもよい。ステップ916および918で決定されたデータに基づいて、PCは、ウェーハテープ搬送機構に、転写されるダイを転写固定位置と位置合わせする920ようにダイ基材を搬送するよう指示し得る。 The alignment step 908 may further include determining 916 which die on the die substrate is to be transferred and determining 918 where the die is positioned relative to the transfer fixing location. Based on the data determined in steps 916 and 918, the PC may instruct the wafer tape transport mechanism to transport the die substrate to align 920 the die to be transferred with the transfer fixation location.

ダイ基材から転写されるダイと、ダイが転写される回路トレースの部分とが、転写機構および固定機構と位置合わせされると、ダイ基材から支持基材へのダイの転写を達成するために、針および固定デバイス(例えば、レーザ)を作動させ得る922。 and when the die to be transferred from the die substrate and the portion of the circuit trace to which the die is transferred are aligned with the transfer mechanism and the fixation mechanism to effectuate transfer of the die from the die substrate to the support substrate. At 922, the needle and fixation device (eg, laser) may be activated.

ダイが転写された後、PCは、追加のダイを転写するかどうかを決定し得る924。別のダイを転写する場合、PCはステップ908に戻り、その後の転写動作のために、製品およびダイ基材を相応して再調整し得る。転写される別のダイがない場合、転写プロセスは終了する926。 After the die is transferred, the PC may decide 924 whether to transfer additional dies. If another die is to be transferred, the PC may return to step 908 and readjust the product and die substrate accordingly for subsequent transfer operations. If there are no more dies to transfer, the transfer process ends 926.

例示的直接転写コンベヤ/アセンブリラインシステム
図10に関して説明したある実施形態では、上記の直接転写装置のコンポーネントのいくつかは、コンベヤ/アセンブリラインシステム1000(以下、「コンベヤシステム」)に実装し得る。具体的には、図2Aおよび図2Bは、支持基材210が支持基材コンベヤフレーム214によって保持され、支持基材ホルダフレーム216によって張力がかけられているのを示す。装置200に関して示すように、モータ、レール、およびギアを有するシステムを介して、限定された領域に支持基材コンベヤフレーム214を固定する代わりに、図10は、支持基材コンベヤフレーム214が、支持基材がアセンブリラインスタイルのプロセスを通過するコンベヤシステム1000を通って搬送されるのを示している。搬送される支持基材上で実行される動作の間の実際の搬送手段として、コンベヤシステム1000は、それぞれが支持基材を保持する複数の支持基材コンベヤフレーム214を順次搬送するために一連のトラック、ローラ、およびベルト1002ならびに/または他のハンドリング装置を含んでもよい。
Exemplary Direct Transfer Conveyor/Assembly Line System In one embodiment described with respect to FIG. 10, some of the components of the direct transfer apparatus described above may be implemented in a conveyor/assembly line system 1000 (hereinafter "conveyor system"). Specifically, FIGS. 2A and 2B show the support substrate 210 being held by a support substrate conveyor frame 214 and tensioned by a support substrate holder frame 216. Instead of fixing the support substrate conveyor frame 214 in a confined area via a system having motors, rails, and gears, as shown with respect to the apparatus 200, FIG. 10 shows the support substrate conveyor frame 214 being transported through a conveyor system 1000 where the support substrate passes through an assembly line style process. As the actual transport means between operations performed on the transported support substrate, the conveyor system 1000 may include a series of tracks, rollers, and belts 1002 and/or other handling devices to sequentially transport multiple support substrate conveyor frames 214, each of which holds a support substrate.

ある実施形態では、コンベヤシステム1000の動作ステーションは、1つ以上の印刷ステーション1004を含んでもよい。ブランク支持基材が印刷ステーション(複数可)1004に搬送されるとき、回路トレースがその上に印刷され得る。複数の印刷ステーション1004が存在する場合、複数の印刷ステーション1004は、直列に配置することができ、完全な回路トレースを形成するように、各々1つ以上の印刷動作を実行するように構成することができる。 In some embodiments, the operating stations of conveyor system 1000 may include one or more printing stations 1004. When the blank support substrate is transported to printing station(s) 1004, circuit traces may be printed thereon. If multiple printing stations 1004 are present, the multiple printing stations 1004 can be arranged in series and each configured to perform one or more printing operations to form a complete circuit trace. I can do it.

さらに、コンベヤシステム1000では、支持基材コンベヤフレーム214は、1つ以上のダイ転写ステーション1006に搬送され得る。複数のダイ転写ステーション1006が存在する場合、複数のダイ転写ステーション1006は、直列に配置することができ、各々1つ以上のダイ転写を実行するように構成することができる。転写ステーション(複数可)では、支持基材は、本明細書に説明する直接転写装置の実施形態の1つ以上を使用し、転写動作を介して1つ以上のダイを転写させ、そこに固定させ得る。例えば、各転写ステーション1006は、ウェーハテープ搬送機構、転写機構、および固定機構を含んでもよい。ある実施形態では、回路トレースは、支持基材上に事前に準備されていてもよく、したがって、支持基材は、1つ以上の転写ステーション1006に直接搬送されてもよい。 Additionally, in conveyor system 1000, supporting substrate conveyor frame 214 may be transported to one or more die transfer stations 1006. If multiple die transfer stations 1006 are present, the multiple die transfer stations 1006 can be arranged in series and each configured to perform one or more die transfers. At the transfer station(s), the support substrate is transferred and secured thereto via a transfer operation using one or more of the direct transfer device embodiments described herein. can be done. For example, each transfer station 1006 may include a wafer tape transport mechanism, a transfer mechanism, and a fixation mechanism. In some embodiments, the circuit traces may be pre-prepared on the support substrate, and thus the support substrate may be transported directly to one or more transfer stations 1006.

転写ステーション1006では、ウェーハテープ搬送機構、転写機構、および固定機構は、ステーションに入るときに、搬送された支持基材コンベヤフレーム214に対して位置合わせし得る。この状況では、転写ステーション1006のコンポーネントは、複数の支持基材がコンベヤシステム1000を通って搬送されるので、各支持基材上の同じ相対位置で同じ転写動作を繰り返し実行し得る。 At the transfer station 1006, the wafer tape transport mechanism, transfer mechanism, and fixation mechanism may be aligned relative to the transported support substrate conveyor frame 214 upon entering the station. In this situation, components of the transfer station 1006 may repeatedly perform the same transfer operation at the same relative position on each support substrate as the multiple support substrates are conveyed through the conveyor system 1000.

さらに、コンベヤシステム1000は、最終的な加工を実行させるために支持基材を搬送し得る1つ以上の仕上げステーション1008をさらに含んでもよい。最終的な加工の種類、量、および期間は、製品の特徴および製品の製造に使用される材料の特性に依存する場合がある。例えば、支持基材は、仕上げステーション1008(複数可)で、追加の硬化時間、保護コーティング、追加のコンポーネントなどを受け取る場合がある。 Additionally, conveyor system 1000 may further include one or more finishing stations 1008 that may transport support substrates for final processing to occur. The type, amount, and duration of final processing may depend on the characteristics of the product and the properties of the materials used in its manufacture. For example, the supporting substrate may receive additional curing time, protective coatings, additional components, etc. at finishing station(s) 1008.

直接転写装置の第2の例示的実施形態
直接転写装置の別の実施形態では、図11Aおよび図11Bに見られるように、「光ストリング」が形成されてもよい。装置1100の特徴の多くは、図2Aおよび図2Bの装置200の特徴と実質的に同様のままであり得るが、図11Aおよび図11Bに示すように、基材搬送機構1102は、支持基材210とは異なる支持基材1104を搬送するように構成されてもよい。具体的には、図2Aおよび図2Bにおいて、支持基材搬送機構202は、張力を受けてシート状支持基材218を固定する、支持基材コンベヤフレーム214およびテンショナーフレーム216を含む。しかしながら、図11Aおよび図11Bの実施形態では、支持基材搬送機構1102は、支持基材リールシステムを含んでもよい。
Second Exemplary Embodiment of a Direct Transfer Device In another embodiment of a direct transfer device, a “light string” may be formed, as seen in FIGS. 11A and 11B. Although many of the features of the apparatus 1100 may remain substantially similar to those of the apparatus 200 of FIGS. 2A and 2B, as shown in FIGS. 11A and 11B, the substrate transport mechanism 1102 210 may be configured to transport a different support substrate 1104. Specifically, in FIGS. 2A and 2B, support substrate transport mechanism 202 includes a support substrate conveyor frame 214 and a tensioner frame 216 that secure sheet-like support substrate 218 under tension. However, in the embodiment of FIGS. 11A and 11B, the support substrate transport mechanism 1102 may include a support substrate reel system.

支持基材リールシステムは、「ストリング回路」を巻かれた1つまたは2つの回路トレースリール1106を含んでもよく、これは、支持基材1104として隣接して巻かれた一対の導電性ストリングまたはワイヤを含んでもよい。リールが1つしかない場合、リール1106は、転写位置の第1の側に位置付けられてもよく、一対の導電性ストリング(1104)は、単一のリール1106に巻き付けられてよい。代替的に、転写位置の第1の側に位置付けられた2つの回路トレースリール1106があってもよく、ここで、各リール1106は、ストリング回路の単一のストランドを含み、次いで、ストランドは、転写位置を通過するためにまとめられる。 The support substrate reel system may include one or two circuit trace reels 1106 wound with “string circuits,” which include a pair of conductive strings or wires wound adjacently as the support substrate 1104. May include. If there is only one reel, the reel 1106 may be positioned on a first side of the transfer location, and the pair of conductive strings (1104) may be wrapped around the single reel 1106. Alternatively, there may be two circuit trace reels 1106 positioned on a first side of the transfer location, where each reel 1106 includes a single strand of string circuitry, and the strands then are grouped together to pass through the transfer location.

1つのリール1106が実装されるのか、それとも2つのリール1106が実装されるのかに関係なく、ストリング回路を形成するダイ転写プロセスは、各々の場合において実質的に同様であり得る。具体的には、支持基材1104の導電性ストリングは、リール1106(複数可)から転写位置を横切って通され得、仕上げ装置1108に供給され得る。ある実施形態では、仕上げ装置1108は、以下、例えば、半透明または透明のプラスチックの保護コーティングを受け取るためのコーティング装置、または製品の最終的な加工の一部としてストリング回路の硬化を終了し得る硬化装置であってもよい。さらに、または代替的に、回路ストリングは、ストリング回路の最終的な加工の前にその上でストリング回路を巻き上げ得る別のリールに供給されてもよい。支持基材1104の導電性ストリングスが転写位置を通って引っ張られると、転写機構206が作動して、ダイ220の電気接触端子がそれぞれ隣接するストリング上に配置されるように、ダイ220を支持基材1104の導電性ストリングスに転写するための針ストロークを(上述のように)実行することができ、固定機構208が作動して、ダイ220を適切な位置に固定することができる。 Regardless of whether one reel 1106 or two reels 1106 are implemented, the die transfer process to form the string circuit may be substantially similar in each case. Specifically, conductive strings of support substrate 1104 may be threaded across the transfer location from reel(s) 1106 and fed to finishing device 1108. In some embodiments, the finishing device 1108 may include, for example, a coating device for receiving a translucent or transparent plastic protective coating, or a curing device that may finish curing the string circuit as part of the final processing of the product. It may be a device. Additionally or alternatively, the circuit string may be fed onto a separate reel on which the string circuit may be wound prior to final processing of the string circuit. As the conductive strings of support substrate 1104 are pulled through the transfer location, transfer mechanism 206 is actuated to transfer die 220 to the support substrate such that the electrical contact terminals of die 220 are each disposed over an adjacent string. A needle stroke to transfer to the conductive strings of material 1104 can be performed (as described above) and locking mechanism 208 can be actuated to lock die 220 in place.

さらに、装置1100は、支持基材1104の導電性ストリングが支持され、さらに張力がかけられ得る張力ローラ1110を含んでもよい。したがって、張力ローラ1110は、ダイ転写精度を高めるために、形成されたストリング回路内の張力を維持するのを支援し得る。 Additionally, the apparatus 1100 may include tension rollers 1110 on which the conductive strings of the support substrate 1104 may be supported and further tensioned. Accordingly, tension roller 1110 may help maintain tension within the formed string circuit to enhance die transfer accuracy.

図11Bでは、ダイ220は、支持基材1104の導電性ストリングに転写され、それによって、支持基材1104の導電性ストリングを(ある程度)結合し、ストリング回路を形成したものとして示されている。 In FIG. 11B, die 220 is shown transferred to the conductive strings of support substrate 1104, thereby coupling (to some degree) the conductive strings of support substrate 1104 to form a string circuit.

直接転写装置の第3の例示的実施形態
図12に見られるように、直接転写装置の追加の実施形態では、装置1200は、ウェーハテープ搬送機構1202を含んでもよい。具体的には、図2Aおよび図2Bに示すウェーハテープコンベヤフレーム222およびウェーハテープホルダフレーム224の代わりに、ウェーハテープ搬送機構1202は、ダイ220を装置1200の転写位置を通して搬送してダイを単一の基材に転写するための1つ以上のリール1204を有するシステムを含んでもよい。具体的には、各リール1204は、ダイ220がストリップの長さに沿って連続して取り付けられた狭く連続した細長いストリップとして形成されたダイ基材1206を含んでもよい。
Third Exemplary Embodiment of Direct Transfer Apparatus As seen in FIG. 12, in an additional embodiment of a direct transfer apparatus, apparatus 1200 may include a wafer tape transport mechanism 1202. Specifically, instead of the wafer tape conveyor frame 222 and wafer tape holder frame 224 shown in FIGS. 2A and 2B, the wafer tape transport mechanism 1202 transports the die 220 through the transfer location of the apparatus 1200 to unify the die. The system may include one or more reels 1204 for transferring to a substrate. Specifically, each reel 1204 may include a die substrate 1206 formed as a narrow continuous elongated strip with dies 220 attached successively along the length of the strip.

単一リール1204が使用される場合、転写動作は、モータ、トラック、およびギアを使用して、実質的に上記のように、支持基材搬送機構202を介して支持基材210を搬送することを含んでもよい。しかしながら、ウェーハテープ搬送機構1202は、リール1204からダイ基材1206を解くことにより、ダイ220が搬送位置を通って連続的に送り込まれてもよいが、リール1204自体は主に固定位置に留まっているという点で、実質的に静的な機構を含んでもよい。ある実施形態では、ダイ基材1206の張力は、安定性の目的で、張力ローラ1208および/またはリール1204に対向して装置1200の側に配置され得る張力リール1210によって、維持し得る。張力リール1210は、ダイが転写された後、ダイ基材1206を巻き上げ得る。代替的に、張力は、各転写動作の後にダイ基材を転写位置を通して引っ張ってダイ220を循環させるのを支援するためにダイ基材1206を固定するための任意の他の適切な手段によって維持されてもよい。 If a single reel 1204 is used, the transfer operation may use motors, tracks, and gears to transport the support substrate 210 through the support substrate transport mechanism 202 substantially as described above. May include. However, the wafer tape transport mechanism 1202 may continuously feed the die 220 through the transport position by unwinding the die substrate 1206 from the reel 1204, while the reel 1204 itself remains primarily in a fixed position. It may include a mechanism that is substantially static in that it is static. In some embodiments, tension in die substrate 1206 may be maintained by a tension reel 1210, which may be placed on the side of apparatus 1200 opposite tension roller 1208 and/or reel 1204 for stability purposes. Tension reel 1210 may wind up die substrate 1206 after the die has been transferred. Alternatively, tension is maintained by any other suitable means for securing the die substrate 1206 to assist in pulling the die substrate through the transfer location and cycling the die 220 after each transfer operation. may be done.

複数のリール1204が使用されるある実施形態では、各リール1204は、他のリール1204に横方向に隣接して配置される場合がある。各リール1204は、特定の転写機構206および特定の固定機構208と対にされてもよい。この場合、転写機構および固定機構の各それぞれのセットは、複数のダイが同じ支持基材210上の複数の場所に同時に配置され得るように、支持基材210に対して配置し得る。例えば、ある実施形態では、それぞれの転写位置(すなわち、転写機構と対応する固定機構との間の位置合わせ)は、様々な回路トレースパターンに対応するように、一列で、片寄って、または互い違いであってもよい。 In some embodiments where multiple reels 1204 are used, each reel 1204 may be positioned laterally adjacent to other reels 1204. Each reel 1204 may be paired with a particular transfer mechanism 206 and a particular fixation mechanism 208. In this case, each respective set of transfer mechanisms and fixation mechanisms may be positioned relative to the support substrate 210 such that multiple dies may be placed simultaneously at multiple locations on the same support substrate 210. For example, in some embodiments, each transfer location (i.e., the alignment between the transfer feature and the corresponding fixation feature) may be in-line, offset, or staggered to accommodate various circuit trace patterns. There may be.

1つのリール1204が実装されるのか、それとも複数のリール1204が実装されるのかに関係なく、ダイ転写動作は、装置200の第1の例示的な実施形態に関して上記で説明した転写動作と比較的に類似し得る。例えば、支持基材210は、支持基材搬送機構202を介して上記と同じ方法で転写位置(ダイ固定位置)に搬送し得、転写機構(複数可)206は、針ストロークを実行して、ダイ220をダイ基材1206から支持基材210へ転写することができ、固定機構208を作動させて、ダイ220を支持基材210に固定するのを支援することができる。 Regardless of whether one reel 1204 or multiple reels 1204 are implemented, the die transfer operation is relatively similar to the transfer operation described above with respect to the first exemplary embodiment of apparatus 200. can be similar to For example, support substrate 210 may be transported to a transfer position (die fixation position) in the same manner as described above via support substrate transport mechanism 202, and transfer mechanism(s) 206 may perform a needle stroke to Die 220 may be transferred from die substrate 1206 to support substrate 210 and securing mechanism 208 may be actuated to assist in securing die 220 to support substrate 210.

複数のリール1204を有するある実施形態では、回路トレースパターンは、すべての転写機構を同時に作動させる必要がないようなものであってもよいことに留意されたい。したがって、支持基材が転写のために様々な位置に搬送されるときに、複数の転写機構を断続的に作動させてもよい。 Note that in some embodiments having multiple reels 1204, the circuit trace pattern may be such that it is not necessary to operate all transfer mechanisms at the same time. Accordingly, multiple transfer mechanisms may be operated intermittently as the support substrate is transported to various locations for transfer.

直接転写装置の第4の例示的実施形態
図13は、直接転写装置1300のある実施形態を示す。図2Aおよび図2Bにおいてのように、支持基材搬送機構202は、ウェーハテープ搬送機構204に隣接して配置してもよい。しかしながら、搬送機構202、204の間には、ウェーハテープ218から支持基材210へのダイ220の転写を実現するために搬送機構1302を配置し得る空間が存在する。
Fourth Exemplary Embodiment of Direct Transfer Apparatus FIG. 13 shows an embodiment of a direct transfer apparatus 1300. As in FIGS. 2A and 2B, support substrate transport mechanism 202 may be positioned adjacent to wafer tape transport mechanism 204. However, there is a space between transport mechanisms 202, 204 in which transport mechanism 1302 can be placed to effectuate the transfer of die 220 from wafer tape 218 to support substrate 210.

転写機構1302は、ダイ220をウェーハテープ218から一度に1つ以上ピックし、アーム1306を通って延びる軸Aを中心にして回転するコレット1304を含んでもよい。例えば、図13は、コレット1304が、ウェーハテープ218のダイ搬送面と支持基材210の転写面との間で枢動点1308(方向枢動矢印を参照)を中心にして180度枢動し得るように、ウェーハテープ218が支持基材210に向くのを示す。すなわち、コレット1304の伸長方向は、ウェーハテープ218および支持基材210の両方の転写の表面または平面に直交する平面内で枢動する。代替的に、いくつかの実施形態では、コレットのアーム構造は、2つの平行な表面の間で枢動するように配置してもよく、コレットのアームは、平行な平面に沿って枢動し得る。したがって、コレット1304は、ウェーハテープ218に向いているときに、ダイ220をピックして、固定機構208と一致するように直ちに支持基材210の表面に枢動し得る。コレット1304は、次いで支持基材210上で回路トレース212に固定されるダイ220を転写するようにダイ220を解放する。 Transfer mechanism 1302 may include a collet 1304 that picks dies 220 one or more at a time from wafer tape 218 and rotates about axis A that extends through arm 1306. For example, FIG. 13 shows collet 1304 pivoting 180 degrees about pivot point 1308 (see directional pivot arrow) between the die transport surface of wafer tape 218 and the transfer surface of support substrate 210. Wafer tape 218 is shown facing support substrate 210 as shown. That is, the direction of elongation of collet 1304 pivots in a plane perpendicular to the surface or plane of the transfer of both wafer tape 218 and support substrate 210. Alternatively, in some embodiments, the collet arm structure may be arranged to pivot between two parallel surfaces, with the collet arms pivoting along parallel planes. obtain. Thus, when collet 1304 is facing wafer tape 218 , it can pick die 220 and immediately pivot onto the surface of support substrate 210 into alignment with fixation mechanism 208 . Collet 1304 releases die 220 to transfer die 220 which is then secured to circuit traces 212 on support substrate 210.

ある実施形態では、転写機構1302は、アームから異なる方向に延びる2つ以上のコレット(図示せず)を含んでもよい。このような実施形態では、コレットは、コレット停止場所を通って360度回転して間欠送りされ、コレットがウェーハテープ218を通過するたびにダイをピックし、転写し得る。 In some embodiments, the transfer mechanism 1302 may include two or more collets (not shown) extending in different directions from the arm. In such embodiments, the collet may be indexed through a 360 degree rotation through the collet stop locations to pick and transfer the die each time the collet passes the wafer tape 218.

さらに、1つ以上のコレット1304は、コレット1304を通る正および負の真空圧を使用して、ウェーハテープからダイ220をピックし、解放し得る。 Additionally, one or more collets 1304 may pick and release die 220 from the wafer tape using positive and negative vacuum pressure through the collets 1304.

微調アセンブリを有する直接転写装置の第1の例示的実施形態
図14に、直接転写装置1400のある実施形態を示す。図示の実施形態では、微調整機構1402がウェーハテープ搬送機構1404に取り付けられており、これは、半導体デバイスダイ220をウェーハテープ218から支持基材210に直接転写するのを支援し得る。転写装置1400の多くの特徴は、図2Aおよび図2Bの装置200の特徴と実質的に類似したままでよいが、ダイ転写プロセス中にウェーハテープ218およびダイ220の配向および/または位置に微調整(例えば、5ミクロン~50ミクロン、または1ミクロン~1000ミクロン、または0.5ミクロン~5000ミクロンなど)を加える微調整機構1402の実装を含むいくつかの相違点が、本明細書で図14~図18に関して以下に説明される。
First Exemplary Embodiment of Direct Transfer Device with Fine Adjustment Assembly FIG. 14 shows an embodiment of a direct transfer device 1400. In the illustrated embodiment, a fine adjustment mechanism 1402 is attached to a wafer tape transport mechanism 1404, which may assist in transferring semiconductor device die 220 directly from wafer tape 218 to support substrate 210. Many features of the transfer apparatus 1400 may remain substantially similar to those of the apparatus 200 of FIGS. 2A and 2B, but with minor adjustments to the orientation and/or position of the wafer tape 218 and die 220 during the die transfer process. Several differences are noted herein, including the implementation of a fine adjustment feature 1402 that adds a This will be explained below with respect to FIG.

概要として、転写装置1400は、支持基材搬送機構202(図2Aおよび図2Bに関しても示されている)、およびウェーハテープ搬送機構1404を含んでもよい。ウェーハテープ搬送機構1404は、それがウェーハテープコンベヤフレーム1406およびウェーハテープホルダフレーム1408を含むので、概して、ウェーハテープ搬送機構204と機能的に類似している。概して、支持基材搬送機構202およびウェーハテープ搬送機構1404は、それらが連続するダイ搬送場所の間で(微小移動に比して)より大きな移動のために概して移動するので、本明細書では「粗動」を提供する機構として説明される場合がある。しかしながら、上記のように、図14の実施形態におけるウェーハテープ搬送機構1404は、以下で詳細に説明される微調整機構1402を含む。粗動を提供する機構は、微小距離を含む、必要に応じてより小さなスケールで転写場所間を調整するために使用される場合もあるが、粗動の機構は、より大きなマクロの移動(例えば、約1~2mm以上)に適していると考えられる。したがって、粗動搬送機構と関連して微調整機構を実装すると、いくつかの状況に有利である場合がある。例えば、粗動搬送機構が転写場所をオーバーシュートした場合、転写場所をアンダーシュートした場合、または粗動からの停止により搬送場所付近で揺れており、その結果、例えば微小スケールで転写位置合わせがわずかにずれている場合に、粗動に加えて微調整を行ってもよい。 In summary, the transfer apparatus 1400 may include a support substrate transport mechanism 202 (also shown with respect to FIGS. 2A and 2B) and a wafer tape transport mechanism 1404. The wafer tape transport mechanism 1404 is generally functionally similar to the wafer tape transport mechanism 204 since it includes a wafer tape conveyor frame 1406 and a wafer tape holder frame 1408. Generally, the support substrate transport mechanism 202 and the wafer tape transport mechanism 1404 may be described herein as mechanisms providing "coarse motion" since they generally move for larger movements (compared to fine movements) between successive die transport locations. However, as noted above, the wafer tape transport mechanism 1404 in the embodiment of FIG. 14 includes a fine adjustment mechanism 1402, which will be described in detail below. The coarse motion mechanism is believed to be suitable for larger macro movements (e.g., about 1-2 mm or more), although the coarse motion mechanism may be used to adjust between transfer locations on a smaller scale as needed, including micro distances. Therefore, implementing a fine adjustment mechanism in conjunction with the coarse transport mechanism may be advantageous in some situations. For example, a fine adjustment may be performed in addition to the coarse if the coarse transport mechanism overshoots the transfer location, undershoots the transfer location, or wobbles near the transfer location due to a stop from the coarse motion, resulting in slight misalignment of the transfer, for example, on a microscopic scale.

微調整機構1402は、セルマネージャ706(図7)と連動して、ダイ転写プロセス中に支持基材210とダイ220とを位置合わせする、および/またはより密接に位置合わせするリアルタイムの微調整を実行し得る。ある実施形態では、転写装置1400は、移動中のコンポーネントを停止させた後に振動運動を補償することを含む異なる目的のために、および/または搬送機構202、1404の移動速度を、その後のダイ転写の前に(各転写動作で完全に停止するのではなく)減速させるダイ転写動作全体を高速化する目的のために、微調整を実行してもよい。 Fine adjustment mechanism 1402 works in conjunction with cell manager 706 (FIG. 7) to provide real-time fine adjustment to align and/or more closely align support substrate 210 and die 220 during the die transfer process. It can be executed. In some embodiments, the transfer device 1400 may be used for different purposes, including compensating for vibrational motion after stopping moving components, and/or adjusting the speed of movement of the transport mechanism 202, 1404 for subsequent die transfer. Fine tuning may be performed for the purpose of speeding up the overall die transfer operation by slowing down (rather than completely stopping with each transfer operation) before the die transfer operation.

例えば、一態様では、微調整機構1402は、ウェーハテープコンベヤフレーム1406の搬送を開始および/または停止することによる振動によって引き起こされる位置の誤差を補正する。ダイ転写速度は、毎秒約6~450以上のダイが配置される範囲であってもよい。概して、転写速度が加速するにつれて、搬送装置の機械的複雑さおよび重量も増加する場合がある。移動する質量の速度の加速と転写速度の加速は、それらの質量が急速に加速してから突然停止するときに、システムコンポーネントの振動を集合的に追加する場合がある。振動を消散させるために必要な整定時間は、ダイ転写に時間に関係する非効率をもたらす場合がある。ある実施形態では、ウェーハテープホルダフレーム1408の微調整は、ダイの相対位置に影響を与える振動を打ち消し、ウェーハテープ搬送機構1404の整定時間を短縮または排除することによってシステム効率を高め得る。 For example, in one aspect, the fine adjustment mechanism 1402 compensates for position errors caused by vibrations due to starting and/or stopping transport of the wafer tape conveyor frame 1406. The die transfer rate may range from about 6 to 450 or more dies per second. Generally, as transfer speeds increase, the mechanical complexity and weight of the transport device may also increase. Accelerating the velocity of the moving masses and accelerating the transfer rate may collectively add to the vibrations of the system components as those masses rapidly accelerate and then abruptly stop. The settling time required to dissipate vibrations can introduce time-related inefficiencies in die transfer. In certain embodiments, fine tuning of the wafer tape holder frame 1408 may increase system efficiency by counteracting vibrations that affect the relative positions of the dies and reducing or eliminating settling time of the wafer tape transport mechanism 1404.

ある実施形態では、微調整は、ウェーハテープ搬送機構1404が1つの転写場所から次の転写場所に移動するとき、開始と停止を繰り返すことなく、ウェーハテープ搬送機構1404が持続的に動き続け、ウェーハテープホルダフレーム1408が動いている間ダイ220を支持基材210に転写することを可能にすることによって、システム効率を向上させるために行い得る。 In some embodiments, the fine adjustment is such that the wafer tape transport mechanism 1404 continues to move continuously without repeating starts and stops as the wafer tape transport mechanism 1404 moves from one transfer location to the next. This may be done to improve system efficiency by allowing die 220 to be transferred to support substrate 210 while tape holder frame 1408 is in motion.

装置の構造を考慮すると、図15Aは、一実施形態に係る微調整機構1500(以下、「微調整機構1500」)の等角図を示す。微調整機構1500は、アクチュエータ1502と、アクチュエータ1502が固定され得る支持アーム1504Aを有するアクチュエータフランジ1504と、ウェーハテープ218を保持するためのウェーハテープホルダフレーム1408を固定するためのウェーハ支持ブロック1506と、ウェーハ支持ブロック1506とアクチュエータフランジ1504とを接続する1つ以上のばね部材1508とを含んでもよい。示されていないある実施形態では、アクチュエータフランジ1504は、ウェーハテープホルダフレーム1408と直接または間接的に接続する場合がある。微調整機構1500は、(図14に示すように)ウェーハテープコンベヤフレーム1406にしっかりと固締し得、それにより、微調整機構1500はウェーハテープコンベヤフレーム1406とともに移動し、ウェーハテープ218の位置に対して小さな独立した調整を行う。 Considering the structure of the device, FIG. 15A shows an isometric view of a fine adjustment mechanism 1500 (hereinafter "fine adjustment mechanism 1500") according to one embodiment. The fine adjustment mechanism 1500 includes an actuator 1502, an actuator flange 1504 having a support arm 1504A to which the actuator 1502 can be fixed, and a wafer support block 1506 for fixing a wafer tape holder frame 1408 for holding a wafer tape 218. One or more spring members 1508 connecting wafer support block 1506 and actuator flange 1504 may be included. In some embodiments not shown, actuator flange 1504 may connect directly or indirectly with wafer tape holder frame 1408. Fine adjustment mechanism 1500 may be secured to wafer tape conveyor frame 1406 (as shown in FIG. 14) such that fine adjustment mechanism 1500 moves with wafer tape conveyor frame 1406 to position wafer tape 218. Make small independent adjustments to the

一実施形態によれば、アクチュエータ1502は、アクチュエータブラケットアセンブリ1510を用いてアクチュエータフランジ1504に取り付け得る細長いロッドを含んでもよい。アクチュエータブラケットアセンブリ1510は、例えば、穴付きボルト、ラッチ、クリップ、溶接などの1つ以上の固締手段を含んでもよい。微調整機構1500は、微調整機構1500を適切な固締具(図示せず)を用いてウェーハテープコンベヤフレーム1406に取り付けるために、アクチュエータフランジ1504に位置付けられた複数の貫通穴1512を含んでもよい。 According to one embodiment, actuator 1502 may include an elongated rod that may be attached to actuator flange 1504 using actuator bracket assembly 1510. Actuator bracket assembly 1510 may include one or more fastening means, such as, for example, socket bolts, latches, clips, welds, and the like. Fine adjustment mechanism 1500 may include a plurality of through holes 1512 located in actuator flange 1504 for attaching fine adjustment mechanism 1500 to wafer tape conveyor frame 1406 with suitable fasteners (not shown). .

アクチュエータ1502は、組み立てられたときに、アクチュエータ1502の本体がアクチュエータフランジ1504に沿った表面に対して一方向にスライド可能であるように、アクチュエータフランジ1504上に配置される。しかしながら、アクチュエータ1502は、アクチュエータフランジ1504からの距離およびアクチュエータフランジ1504に沿った伸長の方向に対して固定された配向のままである。アクチュエータ1502は、アクチュエータブラケットアセンブリ1510を介して穴付きボルトを用いてアクチュエータフランジ1504にボルト締めされた円筒形本体として示されているが、図15Aに示す円筒形以外の多くの形状をとる場合があり、アクチュエータフランジ1504およびアクチュエータ1502が互いに対して単一のユニットとして動作するように、任意の方法でアクチュエータフランジ1504に固定され得ることを理解されたい。 Actuator 1502 is positioned on actuator flange 1504 such that, when assembled, the body of actuator 1502 is slidable in one direction relative to a surface along actuator flange 1504. However, actuator 1502 remains in a fixed orientation with respect to its distance from actuator flange 1504 and direction of extension along actuator flange 1504. Although the actuator 1502 is shown as a cylindrical body bolted to the actuator flange 1504 using socket bolts through an actuator bracket assembly 1510, it may take many shapes other than the cylindrical shape shown in FIG. 15A. It should be appreciated that actuator flange 1504 and actuator 1502 may be secured to actuator flange 1504 in any manner such that actuator flange 1504 and actuator 1502 operate as a single unit with respect to each other.

アクチュエータ1502は、圧電アクチュエータであってもよい。圧電アクチュエータ(圧電トランスデューサ、トランスレータなどとも呼ばれる)は、電気エネルギを直線運動に変換する。代替的に、アクチュエータ1502は、圧電アクチュエータ以外の、高速かつ正確な動きをするように構成され得る運動制御アクチュエータを含んでもよい。例示的な代替アクチュエータには、リニアモータ、ボールねじ付きサーボモータまたはステッパモータ、ボイスコイルなどが含まれる。例えば圧電アクチュエータを使用して、アクチュエータ1502は、アクチュエータ1502の第2の端部に配置された電気コネクタ1514を介して信号刺激が印加されると、ウェーハ支持ブロック1506と接触しているアクチュエータ1502の第1の端部に比較的大きい押す力(例えば、1000+N)を印加し得る。 Actuator 1502 may be a piezoelectric actuator. Piezoelectric actuators (also called piezoelectric transducers, translators, etc.) convert electrical energy into linear motion. Alternatively, actuator 1502 may include a motion control actuator other than a piezoelectric actuator that may be configured for fast and precise movement. Exemplary alternative actuators include linear motors, servo or stepper motors with ball screws, voice coils, and the like. For example, using a piezoelectric actuator, the actuator 1502 causes the actuator 1502 to be in contact with the wafer support block 1506 when a signal stimulus is applied via an electrical connector 1514 located at a second end of the actuator 1502. A relatively large pushing force (eg, 1000+N) may be applied to the first end.

アクチュエータ1502は、電気コネクタ1514を介して1つ以上のシステムコントローラに接続し得る。図7に関して前述したように、アクチュエータ1502を制御するために、いくつかのシステム制御機構を構成し得る。システムコントローラは、信号刺激に基づくアクチュエータ1502の第1の端部のストローク距離を含む、アクチュエータ1502の動作態様を制御し得る。例示的なコントローラシステムは、例えば、図7に関して示すように、センサマネージャ720、モーションマネージャ722、センサマネージャ734、および/またはモーションマネージャ736であってもよい。 Actuator 1502 may connect to one or more system controllers via electrical connector 1514. As discussed above with respect to FIG. 7, several system controls may be configured to control actuator 1502. The system controller may control operational aspects of the actuator 1502, including the stroke distance of the first end of the actuator 1502 based on the signal stimulus. Exemplary controller systems may be, for example, a sensor manager 720, a motion manager 722, a sensor manager 734, and/or a motion manager 736, as shown with respect to FIG.

電気機械制御システムの当業者であれば、アクチュエータの応答が、1つ以上の信号増幅器と連動する単一チャネルまたはマルチチャネルコントローラシステムを介して日常的に制御可能であることを理解されたい。ある実施形態によれば、アクチュエータ1502は、アクチュエータ1502の第1の端部は、作動されたとき、ウェーハテープホルダフレーム1408、したがってウェーハテープ218の位置を移動させるように制御可能である。ウェーハテープホルダフレーム1408は、1つ以上のばね部材1508(ばね部材を有する実施形態では)を介してアクチュエータフランジ1504に対して移動可能となり得る。代替的に、複数の方向に力を出力できる他の動作制御アクチュエータを用いて、ウェーハテープホルダフレーム1408は、アクチュエータ自体が戻り方向に動作を引き起こすことができるため、ばね部材なしでも移動可能となり得る。また、アクチュエータ1502は、示されている異なる位置でシステムの構造内に配置され得る。すなわち、粗動搬送機構および微調整されている基材または転写機構に対するアクチュエータ1502の位置は、異なっていてもよいことが企図される。例えば、アクチュエータ1502は、粗動搬送機構と微調整部材との間に積み重ねられた、微調整部材(すなわち、粗動搬送機構または転写機構、またはそれらの組み合わせのいずれかで、その位置が調整されているコンポーネント)と面内にあってもよい。ウェーハテープホルダフレーム1408、ウェーハテープ218、およびダイ220が意図された場所に集合的に変位すると(すなわち、位置合わせ位置が達成されると)、転写機構206(図14)は、正確なタイミングおよび場所精度で、ダイ220を支持基材210に転写し得る。位置合わせ位置は、ダイが所定の意図された場所に配置され、実際の場所が所定の誤差範囲内にある場合に正確である(すなわち、場所は所定の許容範囲内で正確である)。所定の許容範囲の例は、例えば、10~50ミクロンであってもよい。他の許容範囲が考えられる。 Those skilled in the art of electromechanical control systems will appreciate that the response of an actuator can routinely be controlled via a single-channel or multi-channel controller system in conjunction with one or more signal amplifiers. According to an embodiment, actuator 1502 is controllable such that a first end of actuator 1502, when actuated, moves the position of wafer tape holder frame 1408, and thus wafer tape 218. Wafer tape holder frame 1408 may be movable relative to actuator flange 1504 via one or more spring members 1508 (in embodiments with spring members). Alternatively, with other motion control actuators capable of outputting forces in multiple directions, the wafer tape holder frame 1408 may be movable without the spring member since the actuator itself can cause motion in the return direction. . Also, actuator 1502 may be placed within the structure of the system at the different locations shown. That is, it is contemplated that the position of the actuator 1502 relative to the coarse transport mechanism and the substrate or transfer mechanism being finely adjusted may be different. For example, the actuator 1502 may have its position adjusted by a fine adjustment member (i.e., either a coarse transport mechanism or a transfer mechanism, or a combination thereof) stacked between the coarse transport mechanism and the fine adjustment member. component). Once the wafer tape holder frame 1408, wafer tape 218, and die 220 are collectively displaced to the intended location (i.e., the registered position is achieved), the transfer mechanism 206 (FIG. 14) Die 220 may be transferred to support substrate 210 with location precision. An alignment position is accurate if the die is placed in a predetermined intended location and the actual location is within a predetermined error range (i.e., the location is accurate within a predetermined tolerance). An example of a predetermined tolerance range may be, for example, 10-50 microns. Other tolerance ranges are possible.

上記のように、ある実施形態では、ばね部材1508は、アクチュエータ1502の第1の端部が作動力(力の方向を示す矢印1502Aとして示す)をかけ得るように、ウェーハ支持ブロック1506とアクチュエータフランジ1504とを接続する。作動力1502Aは、ウェーハ支持ブロック1506を変位させ、これは、ウェーハテープホルダフレーム1408の第1の(静止)位置から作動軸に沿った第2の位置(図15AにX軸として示す)への変位に変換される。変位は、アクチュエータフランジ1504に対する第1の位置からの所定の距離である。ばね部材1508は、わずかに変形して、作動力1502Aの軸に沿ってウェーハ支持ブロック1506を移動させることによって、ウェーハテープホルダフレーム1408の変位を可能にし得る。例として、本明細書で使用されるウェーハテープの変位は、約5ミクロン~約200ミクロンの範囲であってもよい。作動力1502Aがかけられた後、ばね部材1508の復元力により戻り力(力の方向を示す矢印1508Aとして示す)がかけられてもよく、それにより、他の手段で既に静止位置に戻されていない場合、アクチュエータ1502の第1の端部は、アクチュエータフランジ1504に対して静止位置に強制的に戻される。このようにして、ばね部材は戻り部材として機能し得る。 As described above, in some embodiments, the spring member 1508 is attached to the wafer support block 1506 and the actuator flange such that the first end of the actuator 1502 can apply an actuation force (shown as an arrow 1502A indicating the direction of force). 1504. Actuation force 1502A displaces wafer support block 1506, which moves wafer tape holder frame 1408 from a first (rest) position to a second position along the actuation axis (shown as the X-axis in FIG. 15A). converted to displacement. The displacement is a predetermined distance from the first position relative to the actuator flange 1504. Spring member 1508 may deform slightly to allow displacement of wafer tape holder frame 1408 by moving wafer support block 1506 along the axis of actuation force 1502A. By way of example, the wafer tape displacement used herein may range from about 5 microns to about 200 microns. After the actuation force 1502A is applied, a return force (shown as an arrow 1508A indicating the direction of the force) may be applied by the restoring force of the spring member 1508, thereby causing the load that has already been returned to the rest position by other means. If not, the first end of actuator 1502 is forced back to a rest position relative to actuator flange 1504. In this way, the spring member can function as a return member.

アクチュエータフランジ1504(および具体的には、ばね部材1508)は、特定のばね設計に依存し得る十分な弾性機械的特性を有する適切な材料から構築し得る。例えば、図示の実施形態では、合金鋼、炭素鋼、コバルトニッケル、銅基の合金、ニッケル基の合金、チタン合金、アルミニウムなどの材料で十分であり得る。さらに、および/または代替的に、プラスチックおよび他の組成材料が企図される。微調整機構1500およびその構成材料の形状は変化する可能性があり、本明細書に説明するものに限定されないことを理解されたい。 Actuator flange 1504 (and specifically spring member 1508) may be constructed from a suitable material with sufficient elastic mechanical properties, which may depend on the particular spring design. For example, materials such as alloy steel, carbon steel, cobalt nickel, copper-based alloys, nickel-based alloys, titanium alloys, aluminum, etc. may be sufficient in the illustrated embodiments. Additionally and/or alternatively, plastics and other composition materials are contemplated. It is to be understood that the shape of fine adjustment mechanism 1500 and its constituent materials may vary and is not limited to that described herein.

一実施形態によれば、アクチュエータフランジ1504およびばね部材1508(またはその一部)は、それらがただ1個の材料から製造されるという点で一体化され得る。他の態様では、それらは、別個のコンポーネントとして製造され、(例えば、溶接または他の固締技術を介して)互いに固締されて、一体化された(一体成形の)微調整機構1500を形成し得る。例えば、ただ1個の原料から製造される場合、複数のばね部材1508は、アクチュエータフランジ1504の一部を(例えば、機械加工、放電加工(EDM)などを介して)取り除くことによって形成されてもよい(ここでは取り除かれた部分は、図15Aでは渦巻き状の空洞として示されている)。図15A~図17では、アーチ状のばねアームとして示されているが、ばね部材1508は、コイルばねなどの、作動力1502Aが取り除かれた後にウェーハテープホルダフレーム1408を第1の(静止した)位置に戻すために適した別の形態または形状であってもよい。 According to one embodiment, actuator flange 1504 and spring member 1508 (or a portion thereof) may be integrated in that they are manufactured from only one material. In other aspects, they are manufactured as separate components and secured together (e.g., via welding or other securing techniques) to form an integrated fine adjustment mechanism 1500. It is possible. For example, if manufactured from a single piece of raw material, the plurality of spring members 1508 may be formed by removing a portion of the actuator flange 1504 (e.g., via machining, electrical discharge machining (EDM), etc.). (The removed portion is shown here as a spiral cavity in FIG. 15A). Although shown in FIGS. 15A-17 as an arched spring arm, the spring member 1508, such as a coiled spring, can move the wafer tape holder frame 1408 into a first (stationary) position after the actuation force 1502A is removed. It may also be in another form or shape suitable for returning to position.

圧電アクチュエータの可能な利点の1つは、アクチュエータ1502の可変的に制御可能な作動および利用可能な押す力である。作動の速度および精度と組み合わされた作動の強さにより、転写するダイを配置し得る位置付け調整の精度を提供し得る。別の利点は、作動の速度と精度が振動を打ち消す微調整を提供することである。例えば、振動力を打ち消すことに関して、微調整機構1500は、単一のアクチュエータ1502を備えて示されるように、停止前の移動方向に関係なく、支持基材コンベヤフレーム214に関連する質量の急加速に続く急減速(すなわち、停止)によって引き起こされる振動を打ち消すようにシステムを支援するように構成され得る。別の言い方をすれば、微調整機構1500が接続されているウェーハテープ搬送機構1404の急停止によって引き起こされる振動を打ち消すためにアクチュエータを作動させる場合、アクチュエータ1502の作動方向を考慮するときに、停止前の微調整機構1500とウェーハテープ搬送機構1404の移動方向は関係ない場合がある。停止によって引き起こされる振動の少なくとも一部は、単一のアクチュエータで打ち消し得る。 One of the possible advantages of piezoelectric actuators is the variably controllable actuation of actuator 1502 and the available pushing force. The strength of the actuation combined with the speed and precision of the actuation may provide precision in positioning adjustments that may position the transferring die. Another advantage is that the speed and precision of actuation provides fine adjustment that cancels out vibrations. For example, with respect to counteracting vibrational forces, the fine adjustment mechanism 1500, as shown with a single actuator 1502, may rapidly accelerate the mass associated with the support substrate conveyor frame 214, regardless of the direction of movement prior to stopping. The system may be configured to assist the system in counteracting vibrations caused by rapid deceleration (i.e., stopping) following a . In other words, when the actuator is actuated to cancel vibrations caused by a sudden stop of the wafer tape transport mechanism 1404 to which the fine adjustment mechanism 1500 is connected, when considering the direction of actuation of the actuator 1502, the stop The moving directions of the previous fine adjustment mechanism 1500 and the wafer tape transport mechanism 1404 may be unrelated. At least some of the vibrations caused by the stop may be counteracted with a single actuator.

圧電アクチュエータは、押すことによって(例えば、一方向に直線力をかけることによって)微調整を提供することができるが、同等の引っ張り能力(例えば、反対方向に直線力をかけること)を有さない場合がある。例えば、一方向作動は、システムにおいて2方向(例えば、X軸に沿った正の方向とX軸に沿った負の方向)に移動能力を有する状況において、正確な作動(例えば、位置調整)に使用される場合、物理的制限を有する場合がある。したがって、アクチュエータ1502に圧電アクチュエータを使用する場合、複数の方向に作動するように構成された微調整機構を提供することが有利である場合がある(図16および図17に関して本明細書でさらに説明する)。 Piezoelectric actuators can provide fine adjustment by pushing (e.g., by applying a linear force in one direction) but do not have equivalent pulling capabilities (e.g., by applying a linear force in the opposite direction) There are cases. For example, unidirectional actuation is useful for precise actuation (e.g., position adjustment) in situations where the system has the ability to move in two directions (e.g., positive along the X-axis and negative along the X-axis). When used, it may have physical limitations. Therefore, when using a piezoelectric actuator for actuator 1502, it may be advantageous to provide a fine adjustment mechanism configured to actuate in multiple directions (described further herein with respect to FIGS. 16 and 17). do).

図15Bは、本出願のある実施形態に係る、微調整機構1500を含むウェーハテープ搬送機構1404の、図15Aに示す線XVB~XVBにほぼ沿って取られた、概略断面図を示す。針226および針格納支持体230は、ウェーハテープコンベヤ機構1404の配向について示されている。明確にするために、図15Aは、図15Bに示されている配向とは逆さまの配向で微調整アセンブリ1500を示している。図15Bに示すように、ウェーハテープホルダフレーム1408は、ウェーハテープ218を固定するように構成され、微調整アセンブリ1500は、ウェーハテープ218の位置に微調整を行い得る。ウェーハテープコンベヤフレーム1406は、アクチュエータフランジ1504と機械的に連結されている。さらに、図15Bは、アクチュエータフランジ1504のギャップ1516を示している。ギャップ1516は、材料の部分が取り除かれて(すなわち、アクチュエータフランジ1504およびウェーハ支持ブロック1506がただ1個の原料から作製されるある実施形態で上記に説明したように)、ばね部材1508を形成する空洞空間を表す。概して、ギャップ1516は、ダイ220の位置への微調整を行うことができる空間の最大量を表す。代替的な実施形態(図示せず)では、アクチュエータフランジおよびウェーハ支持ブロックは、本明細書に示され、明示的に説明されたもの以外の固締具およびばねによって機械的に結合された2つの別個のコンポーネントであってもよく、その場合にも、ギャップ1516は、代替的に連結されたアクチュエータフランジとウェーハ支持ブロックとの間で位置調整を行い得る空間を表す場合がある。 FIG. 15B shows a schematic cross-sectional view of a wafer tape transport mechanism 1404 that includes a fine adjustment mechanism 1500, taken generally along line XVB-XVB shown in FIG. 15A, according to an embodiment of the present application. Needles 226 and needle storage support 230 are shown with respect to the orientation of wafer tape conveyor mechanism 1404. For clarity, FIG. 15A shows fine adjustment assembly 1500 in an inverted orientation from that shown in FIG. 15B. As shown in FIG. 15B, wafer tape holder frame 1408 is configured to secure wafer tape 218, and fine adjustment assembly 1500 may make fine adjustments to the position of wafer tape 218. Wafer tape conveyor frame 1406 is mechanically coupled to actuator flange 1504. Additionally, FIG. 15B shows a gap 1516 in the actuator flange 1504. Gap 1516 has a portion of material removed (i.e., as described above in certain embodiments where actuator flange 1504 and wafer support block 1506 are made from a single piece of stock) to form spring member 1508. Represents a hollow space. Generally, gap 1516 represents the maximum amount of space in which fine adjustments to the position of die 220 can be made. In an alternative embodiment (not shown), the actuator flange and wafer support block are two parts mechanically coupled by fasteners and springs other than those shown and expressly described herein. They may be separate components, and even then, the gap 1516 may represent a space in which alignment may occur between an alternatively coupled actuator flange and wafer support block.

図15Cは、ある実施形態に係る、微調整アセンブリ1500の、図15Aに示す線XVC-XVCにほぼ沿って取られた別の断面図を示す。この図では、わかりやすくするために、針および格納支持体は省略されている。ウェーハテープコンベヤフレーム1406は、コンポーネントの区別を明確に示すためにアクチュエータフランジ1504からわずかに離間して示されているが、使用中、ウェーハテープコンベヤフレーム1406は、アクチュエータフランジ1504への取り付けを介してウェーハテープホルダフレーム1408と機械的に連結されることを、当業者によって理解されたい。図15Cに示すように、アクチュエータ1502は、ブッシング、ガスケット、ワッシャ、ブラケットなどを含み得るアクチュエータブラケットアセンブリ1510を用いて、アクチュエータフランジ1504上に取り付けられるか、またはアクチュエータフランジ1504に近接して保持されてもよい。ある実施形態では、アクチュエータ1502とアクチュエータフランジ1504との間のオフセットを維持することにより、例えば、移動中の摩擦を最小限に抑え得る。 FIG. 15C shows another cross-sectional view of the fine adjustment assembly 1500 taken generally along line XVC-XVC shown in FIG. 15A, according to an embodiment. The needle and storage support have been omitted in this figure for clarity. Although the wafer tape conveyor frame 1406 is shown slightly spaced from the actuator flange 1504 to clearly show component distinction, in use the wafer tape conveyor frame 1406 is It will be understood by those skilled in the art that it is mechanically coupled to the wafer tape holder frame 1408. As shown in FIG. 15C, the actuator 1502 is mounted on or held in close proximity to the actuator flange 1504 using an actuator bracket assembly 1510 that can include bushings, gaskets, washers, brackets, etc. Good too. In some embodiments, maintaining an offset between actuator 1502 and actuator flange 1504 may, for example, minimize friction during movement.

微調整アセンブリを有する直接転写装置の第2の例示的実施形態
図16は、本出願の別の実施形態に係る、装置の1つ以上のコンポーネントの微調整を実行するための第1のアクチュエータ1602および第2のアクチュエータ1604を有する微調整機構1600(以下、「微調整機構1600」)の底面図を示す。微調整機構1600の多くの機能は、図15Aの微調整機構1500の機能と実質的に類似したままであってもよいが、いくつかの相違点が、本明細書で第2のアクチュエータ1604に関して以下に説明される。
Second Exemplary Embodiment of Direct Transfer Device with Fine Adjustment Assembly FIG. 16 shows a first actuator 1602 for performing fine adjustment of one or more components of the device according to another embodiment of the present application. and a bottom view of a fine adjustment mechanism 1600 (hereinafter referred to as "fine adjustment mechanism 1600") having a second actuator 1604. Although many features of the fine adjustment mechanism 1600 may remain substantially similar to those of the fine adjustment mechanism 1500 of FIG. 15A, several differences are noted herein with respect to the second actuator 1604. It is explained below.

微調整機構1600は、ウェーハテープ(図16には図示せず)を保持するためのウェーハテープ保持フレームを固定するように構成されるウェーハ支持ブロック1606の第1の側に接触するように配置された遠位端部を有する第1のアクチュエータ1602を含む。さらに、微調整機構1600は、第1のアクチュエータ1602の遠位端部と180度反対側の位置でウェーハ支持ブロック1606に接触するように配置された遠位端部を有する第2のアクチュエータ1604を含む。第1のアクチュエータ1602および第2のアクチュエータ1604のそれぞれの遠位端部のウェーハ支持ブロック1606への近接は、直接接触、間接接触、当接、隣接などを含んでもよい。微調整機構1600は、支持ブロック1606は固定されているアクチュエータフランジ1608を含んでもよい。さらに、アクチュエータフランジ1608は、第1のアクチュエータ1602および第2のアクチュエータ1604が固定される支持アーム1608Aおよび1608Bを含んでもよい。図16に示すようなばねベースの戻りシステムをさらに実装し得るある実施形態では、微調整機構1600は、ウェーハ支持ブロック1606をアクチュエータフランジ1608に接続する複数の変形可能なばね部材1610を含んでもよい。微調整機構機構1600は、(図15Bに示されているような微調整機構1500と同様に)穴1612を介してウェーハテープコンベヤフレーム1406に確実に固締されてもよく、それにより、微調整機構1600は、(ウェーハテープコンベヤフレームに取り付けられているとき)ウェーハテープコンベヤフレームとともに移動して、ウェーハテープの位置を微調整し得る。 The fine adjustment mechanism 1600 is positioned to contact a first side of a wafer support block 1606 configured to secure a wafer tape holding frame for holding a wafer tape (not shown in FIG. 16). The first actuator 1602 includes a first actuator 1602 having a distal end. Further, the fine adjustment mechanism 1600 includes a second actuator 1604 having a distal end positioned to contact the wafer support block 1606 at a location 180 degrees opposite the distal end of the first actuator 1602. include. The proximity of the distal ends of each of the first actuator 1602 and the second actuator 1604 to the wafer support block 1606 may include direct contact, indirect contact, abutment, abutment, etc. Fine adjustment mechanism 1600 may include an actuator flange 1608 to which support block 1606 is fixed. Additionally, actuator flange 1608 may include support arms 1608A and 1608B to which first actuator 1602 and second actuator 1604 are secured. In some embodiments that may further implement a spring-based return system as shown in FIG. 16, the fine adjustment mechanism 1600 may include a plurality of deformable spring members 1610 connecting the wafer support block 1606 to the actuator flange 1608. . Fine adjustment mechanism mechanism 1600 may be securely secured to wafer tape conveyor frame 1406 via holes 1612 (similar to fine adjustment mechanism 1500 as shown in FIG. 15B), thereby allowing fine adjustment. Mechanism 1600 may move with the wafer tape conveyor frame (when attached to the wafer tape conveyor frame) to fine-tune the position of the wafer tape.

したがって、ばね部材1610は、ウェーハ支持ブロック1606とアクチュエータフランジ1608を接続し、それにより、第1のアクチュエータ1602の遠位端部は、ウェーハ支持ブロック1606を第1の(静止)位置から作動軸に沿った第2の位置(X軸として図16に示す)に変位させる作動力1602Aをかけ得る。変位は、アクチュエータフランジ1608に関して第1の位置からの可変の所定の距離であってもよい。ばね部材1610は、一時的にわずかに変形して、作動力1602Aの軸に沿ってウェーハ支持ブロック1606を移動させることによって、ウェーハ支持ブロック1606の変位を可能にし得る。作動力1602Aをかけた後、ばね部材1610は、第1のアクチュエータ1602の遠位端部が、既に第1の位置に戻されていない場合、アクチュエータフランジ1608に対して第1の位置に強制的に戻されるように、戻りばね力1610Aをかけ得る。 Spring member 1610 thus connects wafer support block 1606 and actuator flange 1608 such that the distal end of first actuator 1602 moves wafer support block 1606 from the first (rest) position to the actuation axis. An actuation force 1602A may be applied that causes a displacement to a second position along the axis (shown in FIG. 16 as the X-axis). The displacement may be a variable predetermined distance from the first position with respect to the actuator flange 1608. Spring member 1610 may temporarily deform slightly to allow displacement of wafer support block 1606 by moving wafer support block 1606 along the axis of actuation force 1602A. After applying actuation force 1602A, spring member 1610 forces the distal end of first actuator 1602 to the first position relative to actuator flange 1608, if it has not already been returned to the first position. A return spring force 1610A may be applied so that the return spring force 1610A is returned to .

さらに、および/または代替的に、第2のアクチュエータ1604は、ウェーハ支持ブロック1606を第1の位置に戻すのを支援するために作動力1604Aをかけ得る。実施形態がばねベースの戻りシステムを含む場合、戻りばね力1610Aは、ウェーハ支持ブロック1606に作用して、ウェーハ支持ブロック1606を第1の位置に戻し得る。さらに、作動力1604Aは、戻りばね力1610Bよりも大きくてもよく、搬送速度、アクチュエータフランジ1608に対する搬送の加速度、およびアクチュエータフランジ1608に対して、第1の位置へのウェーハ支持ブロック1606の正確な戻りを指示する他の制御可能な要因に関して、追加の制御を提供し得る。また、戻り力1610Bは、第2のアクチュエータ1604が上記のように微調整動作を実行しているときに、ウェーハ支持ブロック1606を第1の位置に戻し得る。すなわち、第1の位置は共通の静止位置であり、第2のアクチュエータ1604がウェーハ支持ブロック1606を第1のアクチュエータ1602に向けて押したとき、第3の位置に到達し得る。 Additionally and/or alternatively, second actuator 1604 may apply actuation force 1604A to assist in returning wafer support block 1606 to the first position. If the embodiment includes a spring-based return system, return spring force 1610A may act on wafer support block 1606 to return wafer support block 1606 to the first position. Further, the actuation force 1604A may be greater than the return spring force 1610B, and may vary depending on the transport speed, the acceleration of the transport relative to the actuator flange 1608, and the precise movement of the wafer support block 1606 into the first position relative to the actuator flange 1608. Additional control may be provided regarding other controllable factors that direct returns. Return force 1610B may also return wafer support block 1606 to the first position when second actuator 1604 is performing a fine adjustment operation as described above. That is, the first position is a common rest position, and the third position may be reached when the second actuator 1604 pushes the wafer support block 1606 toward the first actuator 1602.

ある実施形態によれば、ウェーハ支持ブロック1606を単一軸に沿った2方向に微調整するための正確な作動制御は、ダイを転写するときの微調整動作により大きな最適化能力を提供し得る。第1のアクチュエータ1602と第2のアクチュエータ1604の各々は、それぞれ、コネクタ1614と1616のうちの対応する1つを介して制御システム(図示せず)に接続され得る。したがって、図16に関して説明した実施形態などの実施形態は、単一の軸に沿った2つの移動方向における位置合わせのタイミングを提供する。 According to certain embodiments, precise actuation control for fine-tuning the wafer support block 1606 in two directions along a single axis may provide greater optimization capabilities for fine-tuning operations when transferring dies. Each of first actuator 1602 and second actuator 1604 may be connected to a control system (not shown) via a corresponding one of connectors 1614 and 1616, respectively. Thus, embodiments such as the embodiment described with respect to FIG. 16 provide timing of alignment in two directions of movement along a single axis.

微調整アセンブリを有する直接転写装置の第3の例示的実施形態
さらに、および/または代替的に、図17は、4つのマイクロアクチュエータ、つまり第1のアクチュエータ1702、第2のアクチュエータ1704、第3のアクチュエータ1706、および第4のアクチュエータ1708を有する微調整機構1700のある実施形態の底面図を示す。微調整機構1700の多くの機能は、それぞれ図15および図16の、微調整機構1500および1600の機能と実質的に類似したままであってもよい。例えば、第1のアクチュエータ1702および第2のアクチュエータ1704は、第1のアクチュエータ1602および第2のアクチュエータ1604に関して説明したように、微調整機構1700において、それぞれ、支持アーム1710Aおよび1710B上のアクチュエータフランジ1710に対して配置され得る。しかしながら、アクチュエータフランジ1710は、それぞれ、第3のアクチュエータ1706および第4のアクチュエータ1708を支持し得る追加の支持アーム1710Cおよび1710Dを有してもよい。図示のように、第3のアクチュエータ1706および第4のアクチュエータ1708は、互いに対向して同一直線上に位置合わせされ、第1のアクチュエータ1702および第2のアクチュエータ1704からそれぞれ90度回転した場所でウェーハ支持ブロック1712に接触するように配置され得ることが企図される。すなわち、第3のアクチュエータ1706および第4のアクチュエータ1708は、第1のアクチュエータ1702および第2のアクチュエータ1704の同一直線上の位置合わせに対して垂直に配向されて、第1のアクチュエータ1702および第2のアクチュエータ1704が調整を行うことができる方向線に垂直な方向にダイの位置を調整し得る。反対を向くアクチュエータは、調整された特徴を中立状態にリセットするための戻り部材として機能する場合があることに注意されたい。
Third Exemplary Embodiment of Direct Transfer Device with Fine Adjustment Assembly Additionally and/or alternatively, FIG. FIG. 17 shows a bottom view of an embodiment of a fine adjustment mechanism 1700 having an actuator 1706 and a fourth actuator 1708. FIG. Many functions of fine adjustment mechanism 1700 may remain substantially similar to those of fine adjustment mechanisms 1500 and 1600 of FIGS. 15 and 16, respectively. For example, the first actuator 1702 and the second actuator 1704 are connected to the actuator flanges 1710 on the support arms 1710A and 1710B, respectively, in the fine adjustment mechanism 1700, as described with respect to the first actuator 1602 and the second actuator 1604. may be placed against. However, actuator flange 1710 may have additional support arms 1710C and 1710D that may support third actuator 1706 and fourth actuator 1708, respectively. As shown, the third actuator 1706 and the fourth actuator 1708 are aligned collinearly opposite each other and rotated 90 degrees from the first actuator 1702 and the second actuator 1704, respectively. It is contemplated that it may be positioned to contact support block 1712. That is, the third actuator 1706 and the fourth actuator 1708 are oriented perpendicular to the collinear alignment of the first actuator 1702 and the second actuator 1704 so that the first actuator 1702 and the second actuator The actuator 1704 of can adjust the position of the die in a direction perpendicular to the direction line in which the adjustment can be made. Note that the oppositely facing actuator may function as a return member to reset the adjusted feature to a neutral state.

微調整アセンブリを備えた直接転写装置を使用して直接転写を実行するための方法の第1の例示的な例
ある実施形態では、ウェーハテープを保持するフレームが場所から場所へと搬送されるとき、ウェーハフレームを保持する搬送機構は、転写場所に移動してよく、突然停止するか、または大幅に減速した後、転写場所を微調整し、および/またはシステムの振動を取り除く微調整を実行し得る。調整されると、システムは次いでダイを転写する。図18は、微調整機構を備えた直接転写装置のある実施形態の直接転写動作の方法1800を示しており、搬送機構は、各転写位置合わせで停止するか、または各転写位置合わせで完全には停止せず、むしろ、単に減速するかのいずれかである場合がある。
First Illustrative Example of a Method for Performing Direct Transfer Using a Direct Transfer Apparatus with a Fine Adjustment Assembly In one embodiment, as a frame holding a wafer tape is transported from location to location. , the transport mechanism holding the wafer frame may move to the transfer location, suddenly stop or slow down significantly, and then perform fine adjustments to the transfer location and/or to remove system vibrations. obtain. Once calibrated, the system then transfers the die. FIG. 18 illustrates a method 1800 of a direct transfer operation for an embodiment of a direct transfer device with a fine adjustment mechanism, where the transport mechanism stops at each transfer registration or completely stops at each transfer registration. may not stop, but rather simply slow down.

本明細書に記載の方法1800のステップは、いかなる特定の順序でなくてもよく、したがって、所望の製品状態を達成するために、任意の満足のいく順序で実行されてよい。説明を容易にするために、方法1800は、例えば、図14~図17に示されるものなどの微調整機構を備えた直接転写装置によって少なくとも部分的に実行されると説明される。便宜上、方法1800のステップは、微調整機構がウェーハ基材搬送機構とともに配置されているかのように説明されていることに留意されたい。しかしながら、微調整機構の原理は、上記のように、他の粗動機構に実装されるように適合され得ることが企図される。したがって、方法1800のステップは、微調整機構が、図14~図17に示すもの以外の粗動機構上に配置される装置に適合するとして適用可能であり得ることも企図される。 The steps of method 1800 described herein may not be in any particular order and, therefore, may be performed in any satisfactory order to achieve a desired product condition. For ease of explanation, method 1800 is described as being performed at least in part by a direct transfer device with a fine adjustment mechanism, such as those shown in FIGS. 14-17, for example. Note that, for convenience, the steps of method 1800 are described as if the fine adjustment mechanism was located with the wafer substrate transport mechanism. However, it is contemplated that the principles of the fine adjustment mechanism may be adapted to be implemented in other coarse adjustment mechanisms, as described above. Accordingly, it is also contemplated that the steps of method 1800 may be applicable as adapted to devices in which fine adjustment mechanisms are placed on coarse movement mechanisms other than those shown in FIGS. 14-17.

直接転写動作(および本明細書に説明する各プロセス)の例示的な方法1800は、論理フローグラフとして示され、各それぞれの動作は、ハードウェア、ソフトウェア、それらの組み合わせによって実施され得る一連の動作を表し得る。いくつかの状況では、動作の1つ以上は1人以上の人間のユーザによって実施される場合がある。 An example method 1800 of direct transfer operations (and each process described herein) is illustrated as a logical flow graph, where each respective operation is a sequence of operations that may be performed by hardware, software, or a combination thereof. can be expressed. In some situations, one or more of the operations may be performed by one or more human users.

ソフトウェアの文脈では、動作は、1つ以上のコンピュータ可読媒体に記憶された、1つ以上のプロセッサによって実行されるとき、列挙された動作を実行するコンピュータ実行可能な命令を表し得る。概して、コンピュータ実行可能命令は、特定の機能を実行するか、または特定の抽象データタイプを実装するルーチン、プログラム、オブジェクト、コンポーネント、データ構造などを含んでもよい。 In the context of software, operations may refer to computer-executable instructions stored on one or more computer-readable media that, when executed by one or more processors, perform the recited operations. Generally, computer-executable instructions may include routines, programs, objects, components, data structures, etc. that perform particular functions or implement particular abstract data types.

コンピュータ可読媒体は、ハードドライブ、フロッピディスク、光ディスク、CD-ROM、DVD、読み取り専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、EPROM、EEPROM、フラッシュメモリ、磁気カードもしくは光カード、ソリッドステートメモリデバイス、または電子命令の記憶に適した他のタイプの記憶媒体を含み得る、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体を含んでもよい。さらに、ある実施形態では、コンピュータ可読媒体は、一時的なコンピュータ可読信号(圧縮または非圧縮形式)を含んでもよい。搬送波を使用して変調されるかどうかにかかわらず、コンピュータ可読信号の例には、インターネットまたは他のネットワークを介してダウンロードされる信号を含む、コンピュータプログラムをホストまたは実行するコンピュータシステムがアクセスするように構成され得る信号が含まれるが、これらに限定されない。最後に、特に断りのない限り、動作が説明される順序は制限として解釈されることを意図されず、任意の数の説明された動作は、プロセスを実装するために任意の順序でおよび/または並行して組み合わされ得る。 Computer-readable media can include hard drives, floppy disks, optical disks, CD-ROMs, DVDs, read-only memory (ROM), random access memory (RAM), EPROM, EEPROM, flash memory, magnetic or optical cards, and solid-state memory devices. or other types of storage media suitable for storage of electronic instructions. Further, in some embodiments, a computer-readable medium may include a transitory computer-readable signal (in compressed or uncompressed form). Examples of computer readable signals, whether or not modulated using a carrier wave, include signals that are downloaded over the Internet or other networks, and that are accessed by a computer system that hosts or executes a computer program. including, but not limited to, signals that may be configured to: Finally, unless otherwise noted, the order in which operations are described is not intended to be construed as a limitation, and any number of described operations may be performed in any order and/or to implement a process. Can be combined in parallel.

ここで、図18をより詳細に検討すると、1802で、PC(図7に関して上述した)は、システムに、第1の基材(例えば、ダイが固定されたウェーハテープなどのダイ搬送基材)、第2の基材(回路基板や他のダイなどのダイが搬送されるべき転写基材)、および位置合わせ位置への転写機構(本明細書ではさらに説明する)を位置合わせするように指示し得る。すなわち、ある実施形態では、PCは、第1の基材搬送機構、第2の基材搬送機構、または転写機構のいずれか1つまたはすべてに、ダイが第1の基材から第2の基材上の転写場所に転写される転写位置合わせ位置に移動するように指示し得る。第1の基材搬送機構、第2の基材搬送機構、または転写機構のうちの少なくとも1つは、粗動および/または転写プロセスにおける他の要因から生じる場合のあるずれを最小限に抑えるために、それとともに微調整機構を実装していることが企図されることに留意されたい。 Now considering FIG. 18 in more detail, at 1802, the PC (described above with respect to FIG. 7) sends the system a first substrate (e.g., a die transport substrate, such as a wafer tape to which a die is secured). , a second substrate (a transfer substrate to which a die, such as a circuit board or other die, is to be transported), and a transfer mechanism (described further herein) to an alignment position. It is possible. That is, in some embodiments, the PC transfers the die from the first substrate to the second substrate in any one or all of the first substrate transport mechanism, the second substrate transport mechanism, or the transfer mechanism. may be directed to a transfer registration position to be transferred to a transfer location on the material. At least one of the first substrate transport mechanism, the second substrate transport mechanism, or the transfer mechanism is configured to minimize misalignment that may result from coarse movement and/or other factors in the transfer process. Note that it is contemplated that a fine adjustment mechanism may be implemented therewith.

本明細書で使用される位置合わせ位置は、移動コンポーネント間の位置合わせ距離の範囲内の位置であってもよい。例えば、位置合わせ位置は、3つのコンポーネントすべて(例えば、転写機構、転写されるダイを運ぶ第1の基材、およびダイの標的転写場所を有する第2の基材)が、3つのコンポーネント間の位置合わせの任意のばらつき(すなわち、ずれ)が10ミクロン~75ミクロンの範囲になるように位置合わせされているときに発生し得る。ある実施形態では、位置合わせ位置は、10ミクロン~20ミクロンなどのより狭い範囲の許容されるずれを含んでもよい。他のずれの許容範囲が企図されており、したがって、本明細書で明示的に説明される範囲に限定されない。 As used herein, an alignment position may be a position within an alignment distance between moving components. For example, the alignment position may be such that all three components (e.g., a transfer mechanism, a first substrate carrying the die to be transferred, and a second substrate having a target transfer location for the die) are located between the three components. Any variation in alignment (ie, misalignment) can occur when aligned to range from 10 microns to 75 microns. In some embodiments, the alignment position may include a narrower range of allowed deviations, such as 10 microns to 20 microns. Other deviation tolerance ranges are contemplated and, therefore, are not limited to the ranges expressly set forth herein.

上記のステップ1802に関してさらに、ある実施形態では、システムは、基材を転写機構と位置合わせして、位置合わせ位置が達成されると、システムコンポーネントからの粗動(複数可)の完全な停止を使用してダイ転写の準備をし得る。停止するとき、構造物の振動が発生する場合がある。例えば、振動は、移動する質量の減速の結果として、30ミクロン~50ミクロンの大きさの位置合わせの変化を引き起こす場合がある。 Further regarding step 1802 above, in some embodiments, the system aligns the substrate with the transfer mechanism and causes complete cessation of coarse movement(s) from the system components once the alignment position is achieved. may be used to prepare for die transfer. When stopping, the structure may vibrate. For example, vibrations may cause alignment changes on the order of 30 microns to 50 microns as a result of deceleration of the moving mass.

さらに、および/または代替的に、ある実施形態では、システムは、基材を転写機構と位置合わせして、3つのコンポーネントのうちの1つ以上が動いている間にダイ転写の準備をし得る。例えば、第1の基材を搬送する搬送機構は、意図的で、ゆっくりとした、連続的な移動を維持するための命令を有する場合がある、または、粗動の間では移動が速くなる場合があり、システムは、移動するコンポーネントが所望の転写場所に近づくにつれて、移動するコンポーネントの速度を低下させる場合がある。したがって、正確で決定可能な時点で、システムは、例えば、粗動中のコンポーネントの移動方向から180度で、転写されているダイの位置が支持体上の標的位置に対して静止しているような速度で、移動軸内の微調整機構を調整してもよい。すなわち、微調整されるコンポーネントの相対速度はゼロになる。ダイが標的転写位置に最も近接して位置合わせされた瞬間に、転写機構が作動して、ダイを第1の基材から転写する。連続的な移動を実施する実施形態の可能な利点は、システムの振動が各転写場所で落ち着くのを待機するのと比較して、節約された時間から得られる製造効率を含んでもよい。 Additionally and/or alternatively, in some embodiments, the system may align the substrate with the transfer mechanism to prepare for die transfer while one or more of the three components is in motion. . For example, the transport mechanism transporting the first substrate may have instructions to maintain a deliberate, slow, continuous movement, or the movement may be faster during coarse movements. , and the system may slow down the moving component as it approaches the desired transfer location. Thus, at a precise and determinable point in time, for example 180 degrees from the direction of movement of the component during coarse movement, the system will ensure that the position of the die being imprinted is stationary relative to the target position on the support. The fine adjustment mechanism within the moving axis may be adjusted at a speed of That is, the relative velocity of the component being fine-tuned becomes zero. Once the die is aligned closest to the target transfer location, the transfer mechanism is actuated to transfer the die from the first substrate. Possible advantages of embodiments implementing continuous movement may include manufacturing efficiencies derived from time saved compared to waiting for system vibrations to settle at each transfer location.

いずれの実施形態においても、作動のタイミングを決定し、アクチュエータが作動される制御パラメータを決定するために、セルマネージャ(図7に関して説明される)は、速度、加速度、位置、移動コンポーネント間の位置合わせ、時間、およびその他の要因を含むリアルタイムの動作要因を決定し得る。したがって、各作動の前に、センサマネージャ、モーションマネージャ、およびダイマネージャは、アクチュエータを操作するための作動のタイミングおよび速度を決定する。 In either embodiment, to determine the timing of actuation and the control parameters under which the actuator is actuated, the cell manager (described with respect to FIG. Real-time operating factors may be determined, including timing, time, and other factors. Therefore, before each actuation, the sensor manager, motion manager, and die manager determine the timing and speed of actuation to operate the actuator.

1804で、転写装置は、必要に応じて、コンポーネントの1つ以上の位置に対して1つ以上の微調整を行って、位置合わせ位置を改善する。1つ以上の微調整は、少なくとも1つの微調整アクチュエータの作動を介してコンポーネントを変位させ、それにより、いずれの微小サイズのずれにも対処することによって実行し得る。変位は、例えば、微調整アクチュエータを用いて、アクチュエータフランジに対する第1の位置からアクチュエータフランジに対する第2の位置への第1の基材の変位を含んでもよい。変位は、可変的に制御することができ、したがって、有効な配置を確実にするために、第1の基材から第2の基材上の転写場所に転写されるダイをより高い精度で位置合わせする所定の距離である場合がある。すなわち、1802に関して説明された位置合わせ位置は、振動運動または連続運動によって発生する微小スケールの作用にもかかわらず任意のダイのずれを低減および/または排除することによって、転写プロセス中にリアルタイムで改善され得る。 At 1804, the transfer device optionally makes one or more minor adjustments to one or more positions of the component to improve the alignment. The one or more fine adjustments may be performed by displacing the component through actuation of at least one fine adjustment actuator, thereby accommodating any minute size deviations. The displacement may include, for example, displacement of the first substrate from a first position relative to the actuator flange to a second position relative to the actuator flange using a fine adjustment actuator. The displacement can be variably controlled and thus position the transferred die from the first substrate to the transfer location on the second substrate with greater precision to ensure effective placement. It may be a predetermined distance to match. That is, the alignment position described for 1802 can be improved in real time during the transfer process by reducing and/or eliminating any die misalignment despite microscale effects caused by oscillatory or continuous motion. can be done.

1806で、装置は、転写機構の作動(例えば、針/ピン/ワイヤの循環、コレットの枢動など)を介して、半導体デバイスダイを第1の基材から第2の基材に転写する。 At 1806, the apparatus transfers the semiconductor device die from the first substrate to the second substrate via actuation of a transfer mechanism (eg, cycling a needle/pin/wire, pivoting a collet, etc.).

ステップ1808で、微調整が行われたコンポーネント(複数可)は、中立位置(静止)に戻されてよい。例えば、ばね部材を使用するある実施形態では、微調整機構のばね部材の性質により、戻り力が自動的に発生する場合があり、または、別の実施形態では、戻り力は、第2のアクチュエータ、第3のアクチュエータ、および/または第4のアクチュエータのうちの1つ以上によって作られる場合がある。 At step 1808, the finely tuned component(s) may be returned to a neutral position (rest). For example, in some embodiments using a spring member, the return force may be generated automatically due to the nature of the spring member of the fine adjustment mechanism, or in other embodiments, the return force is generated by the second actuator. , a third actuator, and/or a fourth actuator.

1810で、転写装置は、他の半導体デバイスダイを転写するかどうかを決定する。他のダイを転写しない場合、プロセスは1812で終了する。しかしながら、より多くのダイを転写すると決定された場合、プロセスは1802で再び開始され得る。 At 1810, the transfer apparatus determines whether to transfer another semiconductor device die. If no other die is to be transferred, the process ends at 1812. However, if it is determined to transfer more dies, the process may begin again at 1802.

微調整アセンブリを有する直接転写装置の第4の例示的実施形態
図19Aは、本出願の実施形態に係る2軸レール微調整アセンブリ1900(以下、レールアセンブリ1900)の等角図を示す。ここでも、微調整機構は、例えば、ウェーハテープ搬送機構とともに実装されている。しかしながら、上記のように、同様の微調整機構を、製品基材搬送機構とともに実装するように適合させ得ることが企図される。それにもかかわらず、便宜上、図19A~図19Cは、転写されるダイを運ぶウェーハテープの相対位置を調整するために適合されたレールアセンブリ1900を参照する。
Fourth exemplary embodiment of direct transfer device with fine adjustment assembly
FIG. 19A shows an isometric view of a two-axis rail fine adjustment assembly 1900 (hereinafter referred to as rail assembly 1900) according to an embodiment of the present application. Again, the fine adjustment mechanism is implemented together with, for example, the wafer tape transport mechanism. However, as discussed above, it is contemplated that similar fine adjustment mechanisms may be adapted to be implemented with product substrate transport mechanisms. Nevertheless, for convenience, FIGS. 19A-19C refer to a rail assembly 1900 adapted to adjust the relative position of the wafer tape carrying the die to be transferred.

ある実施形態では、レールアセンブリ1900は、複数のレールガイドスライドプレート(例えば、第1の軸スライドプレート1904および第2の軸スライドプレート1906)が直列にスライド可能に取り付けられるサブステージ部材1902(例えば、プレート、フレーム、剛性支持構造など)を含んでもよい。レールガイドスライドプレート1904、1906は、それぞれ、微調整アクチュエータ1908、1910の1つ以上の作動に応答して、半導体デバイスダイを運ぶウェーハテープをそれぞれの軸に沿って搬送するための支持体として機能し得る。さらに、レールアセンブリ1900は、サブステージ部材1902に取り付けられたレール1912の第1のセットを含んでもよい。レール1912の第1のセットは、サブステージ部材1902に向く第1の軸スライドプレート1904の側面に取り付けられるスライド機構1914と係合するように配置されている。第1の軸スライドプレート1904は、微調整アクチュエータ1908によって作動させられるときに、レール1912の第1のセットの伸長方向に平行な方向に単一の軸に沿ってスライドするように構成されてよい。レール1912の第1のセットは2つのレールを含むものとして示されているが、2つより多いまたは少ないレールがあってもよい他の構成が企図されている。 In some embodiments, the rail assembly 1900 includes a substage member 1902 (e.g., plates, frames, rigid support structures, etc.). Rail guide slide plates 1904, 1906 act as supports for transporting wafer tapes carrying semiconductor device die along their respective axes in response to actuation of one or more fine adjustment actuators 1908, 1910, respectively. It is possible. Additionally, rail assembly 1900 may include a first set of rails 1912 attached to substage member 1902. A first set of rails 1912 is positioned to engage a slide mechanism 1914 that is attached to the side of the first axial slide plate 1904 facing the substage member 1902. The first axis slide plate 1904 may be configured to slide along a single axis in a direction parallel to the direction of extension of the first set of rails 1912 when actuated by the fine adjustment actuator 1908. . Although the first set of rails 1912 is shown as including two rails, other configurations are contemplated where there may be more or less than two rails.

レール1916の第2のセットは、スライド機構1914が取り付けられている側面に対向する第1の軸スライドプレート1904の側面に取り付けられてよい。レール1916の第2のセットは、第1のスライドプレート1904に向く第2の軸スライドプレート1906の側面に取り付けられたスライド機構1918の第2のセットと係合し得る。第2の軸スライドプレート1906は、微調整アクチュエータ1910によって作動させられるとき、レール1916の第2のセットに平行な軸に沿って半導体デバイスダイを運ぶウェーハテープを搬送し得る。図19A~図19Cは、レール1912の第1のセットおよびレール1916の第2のセットを互いに垂直として示すが、レール1912の第1のセットおよびレール1916の第2のセットは、示されている配向と異なる配向で、互いに対して配向されてもよいことが企図される。 A second set of rails 1916 may be attached to the side of the first axial slide plate 1904 opposite the side to which the slide mechanism 1914 is attached. The second set of rails 1916 may engage a second set of slide mechanisms 1918 attached to the side of the second axial slide plate 1906 facing the first slide plate 1904. The second axis slide plate 1906 may transport a wafer tape carrying semiconductor device die along an axis parallel to the second set of rails 1916 when actuated by the fine adjustment actuator 1910. 19A-19C show the first set of rails 1912 and the second set of rails 1916 as perpendicular to each other, but the first set of rails 1912 and the second set of rails 1916 are not shown. It is contemplated that they may be oriented relative to each other in different orientations.

レールアセンブリ1900は、それぞれ、第1の軸スライドプレート1904および第2の軸スライドプレート1906の縁部に停止点を設けるために、第1の停止ブロック1920および第2の停止ブロック1922を含んでもよい。さらに、第1の停止ブロック1920および第2の停止ブロック1922は、それぞれの空洞内に圧縮バンパ1922、1924をそれぞれ固定している場合があり、複数のレールガイドスライドプレートは、微調整アクチュエータ1908、1910によって変位されているときに損傷することなく圧縮バンパに当接し得る。圧縮バンパ1922、1924は、ゴム引きポリマ、ポリマ、ゴム、または他の適切な材料(例えば、軟質シリコーン、スポンジ、発泡体、ゴム、プラスチックなど)などの変形可能で弾性材料から形成される場合がある。したがって、圧縮バンパ1922、1924は、ウェーハホルダまたは基材ホルダを中立位置でリセットするための戻り部材として機能し得る。 The rail assembly 1900 may include a first stop block 1920 and a second stop block 1922 to provide stop points at the edges of the first axial slide plate 1904 and the second axial slide plate 1906, respectively. . Further, the first stop block 1920 and the second stop block 1922 may each secure a compression bumper 1922, 1924 within their respective cavities, and the plurality of rail guide slide plates may have a fine adjustment actuator 1908, 1910 can abut the compression bumper without damage. Compression bumpers 1922, 1924 may be formed from a deformable, resilient material such as a rubberized polymer, polymer, rubber, or other suitable material (e.g., soft silicone, sponge, foam, rubber, plastic, etc.). be. Thus, the compression bumpers 1922, 1924 may function as return members to reset the wafer holder or substrate holder in a neutral position.

図19Bは側面図を示し、図19Cは、2軸レール微調整アセンブリ1900の底面図を示す。 19B shows a side view and FIG. 19C shows a bottom view of the two-axis rail fine adjustment assembly 1900.

微調整アセンブリを有する直接転写装置を使用して直接転写を実行するための方法の第2の例示的な例
図20は、微調整機構を使用して半導体デバイスダイを転写するための方法2000のある実施形態を示す。ダイを転写するための装置は、上記に説明したように、いくつかのダイ転写のために比較的長い距離(例えば、1mm、2mmなどであってよい)にまたがる粗調整を実施し得るが、時にはずれが発生する場合があり、それに対して、微調整機構は有利であり得る。さらに、いくつかの例ではは、一連のダイが転写され、粗い位置調整が使用される可能性があるが、隣接するダイが比較的近接しているため、粗調整は実用的でない場合がある。そのような状況では、微調整機構が再び有利になり得る。
Second Illustrative Example of a Method for Performing Direct Transfer Using a Direct Transfer Apparatus Having a Fine Adjustment Assembly FIG. 20 shows a method 2000 for transferring a semiconductor device die using a fine adjustment mechanism. 1 illustrates an embodiment. Although the apparatus for transferring dies may perform coarse adjustments over relatively long distances (which may be, for example, 1 mm, 2 mm, etc.) for some die transfers, as explained above, Sometimes deviations may occur, for which a fine adjustment mechanism may be advantageous. Additionally, in some instances, a series of dies may be transferred and coarse alignment may be used, but coarse alignment may be impractical due to the relative proximity of adjacent dies. . In such situations, a fine adjustment mechanism may again be advantageous.

方法2000によれば、ダイ転写シーケンスは以下の通りであってよい。ステップ2002で、システムは、微調整機構を中立位置に設定し得る。ステップ2004で、システムは、例えば、搬送機構などの1つ以上のシステムコンポーネントを作動させて、コンポーネントを転写位置合わせ位置に配置するによって粗調整を実行し得る。粗調整により、コンポーネントが転写位置合わせ位置に満足のいくように配置されたと仮定すると、方法2000は、ダイを転写することによってステップ2006に進む。ステップ2008で、システムは、微調整を使用することによって達成できる位置合わせ位置に転写される他のダイがあるかどうかを決定する。機構は、微調整機構を作動させて、コンポーネントの1つ以上を次の転写位置合わせ位置に移す。ステップ2008での決定が肯定的である場合、システムはステップ2010に進み、微調整機構を作動させて、コンポーネントを次の位置合わせ位置に配置する。ステップ2008の決定が否定的である場合、システムはステップ2012に進み、粗調整を使用して達成できる位置合わせ位置に転写される他のダイがあるかどうかを決定する。ステップ2012の決定が肯定的である場合、方法はステップ2004に戻る。ステップ2012の決定が否定的である場合、方法はステップ2014で終了する。 According to method 2000, the die transfer sequence may be as follows. At step 2002, the system may set the fine adjustment mechanism to a neutral position. At step 2004, the system may perform a coarse adjustment by, for example, activating one or more system components, such as a transport mechanism, to place the components in a transfer registration position. Assuming that the coarse adjustment satisfactorily places the component in the transfer registration position, the method 2000 proceeds to step 2006 by transferring the die. At step 2008, the system determines whether there are other dies to be transferred to the registered position that can be achieved by using fine adjustments. The mechanism operates the fine adjustment mechanism to move one or more of the components to a next transfer registration position. If the determination at step 2008 is positive, the system proceeds to step 2010 and activates the fine adjustment mechanism to place the component in the next alignment position. If the determination in step 2008 is negative, the system proceeds to step 2012 and determines whether there are other dies to be transferred to the registered position that can be achieved using coarse adjustment. If the determination in step 2012 is positive, the method returns to step 2004. If the determination in step 2012 is negative, the method ends in step 2014.

ステップ2006で、システムは、複数のダイを同時におよび/または順次に転写するように要求される場合があることに留意されたい。位置合わせ位置が転写機構の1つ以上の針に利用可能なストローク長を超える状況では、1つ以上の転写が、可能なときに同時に、または非常に迅速に順次にのいずれかで発生することを可能にし、それによって粗調整を回避するために、微調整アクチュエータを作動させてもよい。さらに、ダイ転写ヘッドは、転写されていないダイ間のピッチにほぼ一致するアレイに構成された複数のピンを含み得るので、ダイ転写ヘッド上の2つ以上のピンを同時に作動させることによって、複数のダイを同時に転写し得る(例えば、図21参照)。 Note that at step 2006, the system may be required to transfer multiple dies simultaneously and/or sequentially. In situations where the registration position exceeds the stroke length available to one or more needles of the transfer mechanism, one or more transfers may occur either simultaneously when possible or very quickly sequentially. A fine adjustment actuator may be actuated to enable the adjustment and thereby avoid coarse adjustment. Additionally, the die transfer head can include a plurality of pins arranged in an array that approximately matches the pitch between the untransferred dies, so that by actuating two or more pins on the die transfer head simultaneously, multiple dies can be transferred simultaneously (see, eg, FIG. 21).

図21は、複数のピン2104を有するダイ転写ヘッド2102を示す。図示の例では、ダイ転写ヘッド2102は、0.275mmピッチで2列の12ピンとして配置された24のピン2104を含む。ピン2104は、上記のような本出願の1つ以上の実施形態に従って、ダイを転写するように構成し得る。図21に示すように、回路パッド2106は、所定のピッチ(例えば、2.23mm)で回路基材上に構成され得る。既知のピッチの構成は、所定のダイピッチと同じ(または同様の)ピンピッチを有するヘッドを使用するマルチピンダイ転写を可能にし得る。例えば、単一のマルチピンデバイスダイ転写ヘッドは、粗調整なしに転写ヘッドを位置Aから位置Bに変位させる微調整のみを使用して、2つ以上のデバイスダイ(それぞれ転写の組み合わせ#1と#2)を転写し得る。 FIG. 21 shows a die transfer head 2102 having multiple pins 2104. In the illustrated example, die transfer head 2102 includes 24 pins 2104 arranged as two rows of 12 pins on a 0.275 mm pitch. Pins 2104 may be configured to transfer a die in accordance with one or more embodiments of the present application as described above. As shown in FIG. 21, circuit pads 2106 may be configured on the circuit substrate at a predetermined pitch (eg, 2.23 mm). The known pitch configuration may enable multi-pin die transfer using heads with pin pitches that are the same (or similar) to the predetermined die pitch. For example, a single multi-pin device die transfer head can be used to transfer two or more device dies (transfer combination #1 and #2) can be transferred.

例示的条項
A:第1の基材上に配置された半導体デバイスダイの第2の基材への直接転写を実行するための装置であって、第1の基材の一次位置調整を行うために2軸で移動可能な基材搬送機構と、基材搬送機構に連結された微調整機構であって、微調整機構は、第1の基材を保持し、基材搬送機構によって引き起こされる一次位置調整よりも小さなスケールで二次位置調整を行うように構成され、微調整機構は、移動可能な遠位端部を有する微調整アクチュエータと、第1の基材を固定するように構成された基材ホルダフレームであって、基材ホルダフレームは、微調整アクチュエータの遠位端部の作動を介して移動可能である基材ホルダフレームと、を含む、微調整機構と、第2の基材を固定するように構成され、それにより第2の基材の転写面が第1の基材上に配置された半導体デバイスダイに向いて配置される基材フレームと、第1の基材を押圧し、半導体デバイスダイを第2の基材に転写するように構成された転写機構と、を備える装置。
Exemplary Clause A: An apparatus for performing direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate, the apparatus comprising: providing primary positioning of the first substrate; a substrate conveyance mechanism movable on two axes, and a fine adjustment mechanism coupled to the substrate conveyance mechanism, the fine adjustment mechanism holding a first substrate, and a primary adjustment mechanism caused by the substrate conveyance mechanism. The fine adjustment mechanism is configured to perform secondary position adjustment on a smaller scale than the position adjustment, and the fine adjustment mechanism is configured to fix a fine adjustment actuator having a movable distal end and a first substrate. a substrate holder frame, the substrate holder frame being movable via actuation of a distal end of a fine adjustment actuator; and a second substrate. pressing the first substrate with a substrate frame configured to secure the second substrate such that the transfer surface of the second substrate faces the semiconductor device die disposed on the first substrate; and a transfer mechanism configured to transfer the semiconductor device die to the second substrate.

B:微調整機構は、基材ホルダフレームを固定するためのウェーハ支持体と、基材ホルダフレームを中立位置にリセットするための戻り部材とをさらに含み、微調整アクチュエータの遠位端部は、ウェーハ支持体に近接して配置される、段落Aに記載の装置。 B: The fine adjustment mechanism further includes a wafer support for fixing the substrate holder frame and a return member for resetting the substrate holder frame to a neutral position, and the distal end of the fine adjustment actuator is configured to The apparatus of paragraph A, wherein the apparatus is disposed proximate a wafer support.

C:微調整アクチュエータは第1の微調整アクチュエータであり、微調整機構は、基材ホルダフレームの位置を調整するように位置決めされた遠位端部を有する第2の微調整アクチュエータをさらに含み、第1の微調整アクチュエータの遠位端部は、第2の微調整アクチュエータの遠位端部に対してそれぞれ約90度変位した場所で基材ホルダフレームの位置を調整するように位置決めされる、段落Aまたは段落Bに記載の装置。 C: the fine adjustment actuator is a first fine adjustment actuator, and the fine adjustment mechanism further includes a second fine adjustment actuator having a distal end positioned to adjust the position of the substrate holder frame; the distal ends of the first fine adjustment actuators are positioned to adjust the position of the substrate holder frame at respective locations approximately 90 degrees displaced relative to the distal ends of the second fine adjustment actuators; A device according to paragraph A or paragraph B.

D:微調整機構は2軸レール搬送機構である、段落A~段落Cのいずれかに記載の装置。 D: The device according to any one of paragraphs A to C, wherein the fine adjustment mechanism is a two-axis rail conveyance mechanism.

E:微調整機構は、基材搬送機構に取り付けられたサブステージプレートをさらに含む、段落A~段落Dのいずれかに記載の装置。 E: The apparatus according to any one of paragraphs A to D, wherein the fine adjustment mechanism further includes a substage plate attached to the substrate transport mechanism.

F:微調整機構は、サブステージプレートに取り付けられた第1の一対の平行レールであって、第1の方向に延びる第1の一対の平行レールと、第1の軸スライドプレートの第2の側面に対向する第1の側面を有する第1の軸スライドプレートであって、第1の軸スライドプレートの第1の側面上の第1の一対の平行レールを介してサブステージに間接的に接続されている第1の軸スライドプレートと、第1の軸スライドプレートの第2の側面に取り付けられた第2の一対の平行レールであって、第1の方向を横切る第2の方向に延びる第2の一対の平行レールと、第1の軸スライドプレートに第2の一対の平行レールを介して間接的に接続された第2の軸スライドプレートであって、基材ホルダフレームを支持する第2の軸スライドプレートと、をさらに含む、段落A~段落Eのいずれかに記載の装置。 F: The fine adjustment mechanism is a first pair of parallel rails attached to the substage plate, the first pair of parallel rails extending in the first direction, and the second pair of parallel rails of the first axis slide plate. a first axis slide plate having laterally opposed first sides, the first axis slide plate being indirectly connected to the substage via a first pair of parallel rails on the first side of the first axis slide plate; and a second pair of parallel rails attached to a second side of the first axis slide plate, the second pair of parallel rails extending in a second direction transverse to the first direction. a second shaft slide plate indirectly connected to the first shaft slide plate via a second pair of parallel rails, the second shaft slide plate supporting the substrate holder frame; The apparatus of any of paragraphs A to E, further comprising: an axial slide plate of.

G:微調整アクチュエータの移動可能な遠位端部は、第1の軸スライドプレートの縁部に接触するように配置される、段落A~段落Fのいずれかに記載の装置。 G: The apparatus of any of paragraphs A to F, wherein the movable distal end of the fine adjustment actuator is arranged to contact an edge of the first axial slide plate.

H:第1の基材上に配置された半導体デバイスダイの第2の基材への直接転写を実行するための装置であって、第1の基材のマクロ位置調整を行うための基材搬送機構と、基材搬送機構と連結された微調整機構であって、微調整機構は、第1の基材を保持し、第1の基材の位置の微調整を行うように構成され、微調整機構は、移動可能な遠位端部を有する微調整アクチュエータと、第1の基材を固定するように構成された基材ホルダフレームであって、基材ホルダフレームが、微調整アクチュエータの遠位端部との接触を介して移動可能であるスライドプレートに固定されている基材ホルダフレームとを含む、微調整機構と、第2の基材を固定するように構成され、それにより第2の基材の転写面が第1の基材上に配置された半導体デバイスダイに向いて配置される基材フレームと、第1の基材を押圧し、半導体デバイスダイを第2の基材に転写するように構成された転写機構と、
を備える装置。
H: An apparatus for performing direct transfer of a semiconductor device die placed on a first substrate onto a second substrate, the substrate for performing macro positional adjustment of the first substrate. a transport mechanism; and a fine adjustment mechanism connected to the base material transport mechanism, the fine adjustment mechanism being configured to hold a first base material and finely adjust the position of the first base material; The fine adjustment mechanism includes a fine adjustment actuator having a movable distal end and a substrate holder frame configured to fix the first substrate, the substrate holder frame being configured to secure the first substrate, the substrate holder frame a fine adjustment mechanism configured to secure a second substrate, the substrate holder frame being secured to the slide plate and movable through contact with the distal end; A base material frame is arranged such that the transfer surface of the second base material faces the semiconductor device die disposed on the first base material, and the first base material is pressed, and the semiconductor device die is transferred to the second base material. a transfer mechanism configured to transfer to the
A device comprising:

I:微調整アクチュエータが第1の微調整アクチュエータであり、スライドプレートは、微調整機構の第1のスライドプレートであり、第1の方向に位置的に調整可能であり、微調整機構は、第1の方向を横切る第2の方向に位置的に調整可能な第2のスライドプレートと、第2のスライドプレートの位置に接触し調整するように配置される移動可能な遠位端部を有する第2の微調整アクチュエータと、をさらに含む、段落Hに記載の装置。 I: the fine adjustment actuator is a first fine adjustment actuator, the slide plate is a first slide plate of a fine adjustment mechanism and is positionally adjustable in a first direction, the fine adjustment mechanism is a first fine adjustment actuator; a second slide plate positionally adjustable in a second direction transverse to the first direction; and a second slide plate having a movable distal end disposed to contact and adjust the position of the second slide plate. 2 fine adjustment actuators.

J:第1のスライドプレートと第2のスライドプレートとは、一対の平行レールによって相互接続され、それにより第2のスライドプレートが第1のスライドプレートに対して直線方向に移動可能である、段落H~段落Iのいずれかに記載の装置。 J: The first slide plate and the second slide plate are interconnected by a pair of parallel rails, whereby the second slide plate is movable in a linear direction relative to the first slide plate, paragraph The apparatus according to any of paragraphs H to I.

K:微調整機構は、第1の微調整アクチュエータの作動後に第1のスライドプレートを停止するために、第1の微調整アクチュエータに対向する第1のスライドプレートの側面に配置された第1の圧縮バンパと、第2の微調整アクチュエータの作動後に第2のスライドプレートを停止するために、第2の微調整アクチュエータに対向する第2のスライドプレートの側面に配置された第2の圧縮バンパとを、さらに含む、段落H~段落Jのいずれかに記載の装置。 K: The fine adjustment mechanism includes a first fine adjustment mechanism disposed on a side surface of the first slide plate facing the first fine adjustment actuator to stop the first slide plate after actuation of the first fine adjustment actuator. a compression bumper, a second compression bumper disposed on a side of the second slide plate opposite the second fine adjustment actuator for stopping the second slide plate after actuation of the second fine adjustment actuator; The apparatus according to any one of paragraphs H to J, further comprising:

L:基材搬送機構は少なくとも2つの方向に移動可能である、段落H~段落Kのいずれかに記載の装置。 L: The apparatus according to any one of paragraphs H to K, wherein the substrate transport mechanism is movable in at least two directions.

M:微調整アクチュエータは、0.5ミクロン~5000ミクロンの範囲の位置調整を行うように構成される、段落H~段落Lのいずれかに記載の装置。 M: The device according to any of paragraphs H to L, wherein the fine adjustment actuator is configured to perform position adjustment in a range of 0.5 microns to 5000 microns.

N:微調整アクチュエータは、1ミクロン~1000ミクロンの範囲の位置調整を行うように構成される、段落H~段落Mのいずれかに記載の装置。 N: The device described in any of paragraphs H to M, wherein the fine adjustment actuator is configured to provide position adjustment in the range of 1 micron to 1000 microns.

O:微調整アクチュエータは、5ミクロン~50ミクロンの範囲の位置調整を行うように構成される、段落H~段落Nのいずれかに記載の装置。 O: The device according to any of paragraphs H to N, wherein the fine adjustment actuator is configured to perform position adjustment in a range of 5 microns to 50 microns.

P:第1の基材上に配置された半導体デバイスダイの第2の基材への直接転写を実行するための装置であって、マクロ位置調整で第1の基材を搬送するために1つ以上の方向に移動するように構成された基材搬送機構と、基材搬送機構と連結された微調整機構であって、微調整機構が、基材搬送機構に対する位置の微調整において第1の基材をさらに搬送するように構成され、微調整機構は、移動可能な遠位端部を有する1つ以上の微調整アクチュエータと、1つ以上の微調整アクチュエータの作動を介して移動可能であるために第1の基材を固定するように構成された基材ホルダフレームとを含む微調整機構と、第2の基材を固定するように構成され、それにより第2の基材の転写面が第1の基材上に配置された半導体デバイスダイに向いて配置される基材フレームと、第1の基材を押圧し、半導体デバイスダイを第2の基材に転写するように作動可能である転写部材と、を備える、装置。 P: An apparatus for performing direct transfer of a semiconductor device die placed on a first substrate onto a second substrate, the apparatus comprising: a base material transport mechanism configured to move in more than one direction; and a fine adjustment mechanism coupled to the base material transport mechanism, wherein the fine adjustment mechanism is configured to move in two or more directions, the fine adjustment mechanism being configured to move in one or more directions; The fine adjustment mechanism is configured to further convey a substrate of the fine adjustment mechanism, the fine adjustment mechanism being movable via one or more fine adjustment actuators having a movable distal end and actuation of the one or more fine adjustment actuators. a substrate holder frame configured to secure the first substrate for the transfer of the second substrate; a substrate frame disposed with a surface facing a semiconductor device die disposed on a first substrate and operative to press the first substrate and transfer the semiconductor device die to a second substrate; and a transfer member capable of being used.

Q:1つ以上の微調整アクチュエータは、マクロ位置調整の場所の不正確さを打ち消すように制御される、段落Pに記載の装置。 Q: The apparatus of paragraph P, wherein the one or more fine adjustment actuators are controlled to counteract the location inaccuracy of the macro position adjustment.

R:微調整機構は、基材搬送機構が動いている間、基材搬送機構に対して第1の基材の位置を調整するように構成される、段落P~段落Qのいずれかに記載の装置。 R: The fine adjustment mechanism is configured to adjust the position of the first base material with respect to the base material transport mechanism while the base material transport mechanism is moving, as described in any one of paragraphs P to Q. equipment.

S:基材搬送機構の動きは、基材搬送機構がマクロ位置調整後に停止したときに生じる振動運動である、段落P~段落Rのいずれかに記載の装置。 S: The apparatus according to any one of paragraphs P to R, wherein the movement of the base material transport mechanism is a vibration movement that occurs when the base material transport mechanism stops after macro position adjustment.

T:基材搬送機構の動きは、基材搬送機構がマクロ位置調整中に連続的に移動するときに生じる動きである、段落P~段落Sのいずれかに記載の装置。
結論
T: The apparatus according to any one of paragraphs P to S, wherein the movement of the base material transport mechanism is a movement that occurs when the base material transport mechanism moves continuously during macro position adjustment.
conclusion

いくつかの実施形態は、構造的特徴および/または方法論的行為に固有の言語で説明されてきたが、特許請求の範囲は、説明された特定の特徴または行為に必ずしも限定されないことを理解されたい。むしろ、特定の特徴および行為は、特許請求された主題を実施する例示的な形態として開示されている。さらに、本明細書における「し得る」という用語の使用は、特定の特徴が1つ以上の様々な実施形態で使用される可能性を示すために使用されるが、必ずしもすべての実施形態で使用されるとは限らない。 Although some embodiments have been described in language specific to structural features and/or methodological acts, it is to be understood that the claims are not necessarily limited to the specific features or acts described. . Rather, the specific features and acts are disclosed as example forms of implementing the claimed subject matter. Additionally, the use of the term "may" herein is used to indicate that a particular feature may be used in one or more different embodiments, but not necessarily in all embodiments. There is no guarantee that it will be done.

Claims (20)

第1の基材上に配置された半導体デバイスダイの第2の基材への直接搬送を実行するための装置であって、
前記第1の基材の一次位置調整を行うために2軸で移動可能な基材搬送機構と、
前記基材搬送機構に連結された微調整機構であって、前記微調整機構が、前記第1の基材を保持し、前記基材搬送機構によって引き起こされる前記一次位置調整よりも小さなスケールで二次位置調整を行うように構成され、前記微調整機構が、
移動可能な遠位端部を有する微調整アクチュエータと、
前記第1の基材を固定するように構成された基材ホルダフレームであって、前記基材ホルダフレームが、前記微調整アクチュエータの前記遠位端部の作動を介して移動可能である前記基材ホルダフレームと
を含む、前記微調整機構と、
前記第2の基材を固定するように構成され、それにより前記第2の基材の転写面が前記第1の基材上に配置された前記半導体デバイスダイに向いて配置される基材フレームと、
前記第1の基材を押圧し、前記半導体デバイスダイを前記第2の基材に転写するように構成された転写機構と、
を備える、装置。
An apparatus for performing direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate, the apparatus comprising:
a base material transport mechanism movable on two axes to perform primary position adjustment of the first base material;
a fine adjustment mechanism coupled to the substrate transport mechanism, the fine adjustment mechanism holding the first substrate and performing second position adjustments on a smaller scale than the primary position adjustment caused by the substrate transport mechanism; The fine adjustment mechanism is configured to perform next position adjustment, and the fine adjustment mechanism
a fine adjustment actuator having a movable distal end;
a substrate holder frame configured to secure the first substrate, the substrate holder frame being movable via actuation of the distal end of the fine adjustment actuator; the fine adjustment mechanism including a material holder frame;
a substrate frame configured to secure the second substrate such that a transfer surface of the second substrate is positioned toward the semiconductor device die disposed on the first substrate; and,
a transfer mechanism configured to press the first substrate and transfer the semiconductor device die to the second substrate;
A device comprising:
前記微調整機構が、
前記基材ホルダフレームを固定するためのウェーハ支持体と、
前記基材ホルダフレームを中立位置にリセットするための戻り部材と
をさらに含み、
前記微調整アクチュエータの前記遠位端部が、前記ウェーハ支持体に近接して配置される、
請求項1に記載の装置。
The fine adjustment mechanism is
a wafer support for fixing the substrate holder frame;
further comprising a return member for resetting the substrate holder frame to a neutral position;
the distal end of the fine adjustment actuator is positioned proximate the wafer support;
The device according to claim 1.
前記微調整アクチュエータが第1の微調整アクチュエータであり、
前記微調整機構が、前記基材ホルダフレームの位置を調整するように位置決めされた遠位端部を有する第2の微調整アクチュエータをさらに含み、
前記第1の微調整アクチュエータの前記遠位端部が、前記第2の微調整アクチュエータの前記遠位端部に対してそれぞれ約90度変位した場所で前記基材ホルダフレームの前記位置を調整するように位置決めされる、
請求項1に記載の装置。
the fine adjustment actuator is a first fine adjustment actuator,
the fine adjustment mechanism further includes a second fine adjustment actuator having a distal end positioned to adjust the position of the substrate holder frame;
adjusting the position of the substrate holder frame at a location where the distal ends of the first fine adjustment actuators are each displaced about 90 degrees relative to the distal ends of the second fine adjustment actuators; positioned as,
The device according to claim 1.
前記微調整機構が2軸レール搬送機構である、
請求項1に記載の装置。
the fine adjustment mechanism is a two-axis rail conveyance mechanism;
The device according to claim 1.
前記微調整機構が、前記基材搬送機構に取り付けられたサブステージプレートをさらに含む、
請求項1に記載の装置。
The fine adjustment mechanism further includes a substage plate attached to the substrate transport mechanism.
The device according to claim 1.
前記微調整機構が、
前記サブステージプレートに取り付けられた第1の一対の平行レールであって、第1の方向に延びる第1の一対の平行レールと、
第1の軸スライドプレートの第2の側面に対向する第1の側面を有する前記第1の軸スライドプレートであって、前記第1の軸スライドプレートの前記第1の側面上の前記第1の一対の平行レールを介して前記サブステージプレートに間接的に接続されている前記第1の軸スライドプレートと、
前記第1の軸スライドプレートの前記第2の側面に取り付けられた第2の一対の平行レールであって、前記第1の方向を横切る第2の方向に延びる前記第2の一対の平行レールと、
前記第1の軸スライドプレートに前記第2の一対の平行レールを介して間接的に接続された第2の軸スライドプレートであって、前記基材ホルダフレームを支持する前記第2の軸スライドプレートと、
をさらに含む、
請求項5に記載の装置。
The fine adjustment mechanism is
a first pair of parallel rails attached to the substage plate, the first pair of parallel rails extending in a first direction;
the first axial slide plate having a first side surface opposite to a second side surface of the first axial slide plate, the first axial slide plate having a first side surface opposite to a second side surface of the first axial slide plate; the first axis slide plate indirectly connected to the substage plate via a pair of parallel rails ;
a second pair of parallel rails attached to the second side surface of the first axial slide plate, the second pair of parallel rails extending in a second direction transverse to the first direction; ,
a second axial slide plate indirectly connected to the first axial slide plate via the second pair of parallel rails, the second axial slide plate supporting the substrate holder frame; and,
further including,
Apparatus according to claim 5.
前記微調整アクチュエータの前記移動可能な遠位端部が、前記第1の軸スライドプレートの縁部に接触するように配置される、
請求項6に記載の装置。
the movable distal end of the fine adjustment actuator is arranged to contact an edge of the first axial slide plate;
7. Apparatus according to claim 6.
第1の基材上に配置された半導体デバイスダイの第2の基材への直接搬送を実行するための装置であって、
第1の基材のマクロ位置調整を行うための基材搬送機構と、
前記基材搬送機構と連結された微調整機構であって、前記微調整機構が、前記第1の基材を保持し、前記第1の基材の位置の微調整を行うように構成され、前記微調整機構が、
移動可能な遠位端部を有する微調整アクチュエータと、
前記第1の基材を固定するように構成された基材ホルダフレームであって、前記基材ホルダフレームが、前記微調整アクチュエータの前記遠位端部との接触を介して移動可能であるスライドプレートに固定されている前記基材ホルダフレームと
を含む、前記微調整機構と、
前記第2の基材を固定するように構成され、それにより前記第2の基材の転写面が前記第1の基材上に配置された前記半導体デバイスダイに向いて配置される基材フレームと、
前記第1の基材を押圧し、前記半導体デバイスダイを前記第2の基材に転写するように構成された転写機構と、
を備える、装置。
An apparatus for performing direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate, the apparatus comprising:
a base material transport mechanism for performing macro positional adjustment of the first base material;
A fine adjustment mechanism connected to the base material transport mechanism, the fine adjustment mechanism configured to hold the first base material and finely adjust the position of the first base material, The fine adjustment mechanism is
a fine adjustment actuator having a movable distal end;
a substrate holder frame configured to secure the first substrate, the substrate holder frame being movable through contact with the distal end of the fine adjustment actuator; the fine adjustment mechanism including the base material holder frame fixed to the plate;
a substrate frame configured to secure the second substrate such that a transfer surface of the second substrate is positioned toward the semiconductor device die disposed on the first substrate; and,
a transfer mechanism configured to press the first substrate and transfer the semiconductor device die to the second substrate;
A device comprising:
前記微調整アクチュエータが第1の微調整アクチュエータであり、
前記スライドプレートが、前記微調整機構の第1のスライドプレートであり、第1の方向に位置的に調整可能であり、
前記微調整機構が、
前記第1の方向を横切る第2の方向に位置的に調整可能な第2のスライドプレートと、
前記第2のスライドプレートの位置に接触し調整するように配置される移動可能な遠位端部を有する第2の微調整アクチュエータと、
をさらに含む、
請求項8に記載の装置。
the fine adjustment actuator is a first fine adjustment actuator,
the slide plate is a first slide plate of the fine adjustment mechanism and is positionally adjustable in a first direction;
The fine adjustment mechanism is
a second slide plate positionally adjustable in a second direction transverse to the first direction;
a second fine adjustment actuator having a movable distal end disposed to contact and adjust the position of the second slide plate;
further including,
9. Apparatus according to claim 8.
前記第1のスライドプレートと前記第2のスライドプレートとは、一対の平行レールによって相互接続され、それにより前記第2のスライドプレートが前記第1のスライドプレートに対して直線方向に移動可能である、
請求項9に記載の装置。
The first slide plate and the second slide plate are interconnected by a pair of parallel rails, such that the second slide plate is movable in a linear direction relative to the first slide plate. ,
Apparatus according to claim 9.
前記微調整機構が、
前記第1の微調整アクチュエータの作動後に前記第1のスライドプレートを停止するために、前記第1の微調整アクチュエータに対向する前記第1のスライドプレートの側面に配置された第1の圧縮バンパと、
前記第2の微調整アクチュエータの作動後に前記第2のスライドプレートを停止するために、前記第2の微調整アクチュエータに対向する前記第2のスライドプレートの側面に配置された第2の圧縮バンパと、
をさらに含む、
請求項9に記載の装置。
The fine adjustment mechanism is
a first compression bumper disposed on a side of the first slide plate opposite the first fine adjustment actuator to stop the first slide plate after actuation of the first fine adjustment actuator; ,
a second compression bumper disposed on a side of the second slide plate opposite the second fine adjustment actuator to stop the second slide plate after actuation of the second fine adjustment actuator; ,
further including,
Apparatus according to claim 9.
前記基材搬送機構が少なくとも2つの方向に移動可能である、
請求項8に記載の装置。
the substrate transport mechanism is movable in at least two directions;
9. Apparatus according to claim 8.
前記微調整アクチュエータが、0.5ミクロン~5000ミクロンの範囲の位置調整を行うように構成される、
請求項8に記載の装置。
the fine adjustment actuator is configured to provide position adjustment in a range of 0.5 microns to 5000 microns;
9. Apparatus according to claim 8.
前記微調整アクチュエータが、1ミクロン~1000ミクロンの範囲の位置調整を行うように構成される、
請求項8に記載の装置。
the fine adjustment actuator is configured to provide position adjustment in a range of 1 micron to 1000 microns;
9. Apparatus according to claim 8.
前記微調整アクチュエータが、5ミクロン~50ミクロンの範囲の位置調整を行うように構成される、
請求項8に記載の装置。
the fine adjustment actuator is configured to provide position adjustment in a range of 5 microns to 50 microns;
9. Apparatus according to claim 8.
第1の基材上に配置された半導体デバイスダイの第2の基材への直接転写を実行するための装置であって、
マクロ位置調整で前記第1の基材を搬送するために1つ以上の方向に移動するように構成された基材搬送機構と、
前記基材搬送機構と連結された微調整機構であって、前記微調整機構が、前記基材搬送機構に対する位置の微調整において前記第1の基材をさらに搬送するように構成され、前記微調整機構が、
移動可能な遠位端部を有する1つ以上の微調整アクチュエータと、
前記1つ以上の微調整アクチュエータの作動を介して移動可能であるために前記第1の基材を固定するように構成された基材ホルダフレームと
を含む、前記微調整機構と、
前記第2の基材を固定するように構成され、それにより前記第2の基材の転写面が前記第1の基材上に配置された前記半導体デバイスダイに向いて配置される基材フレームと、
前記第1の基材を押圧し、前記半導体デバイスダイを前記第2の基材に転写するように作動可能である転写部材と、
を備える、装置。
An apparatus for performing direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate, the apparatus comprising:
a substrate transport mechanism configured to move in one or more directions to transport the first substrate with macro position adjustment;
a fine adjustment mechanism connected to the base material transport mechanism, the fine adjustment mechanism configured to further transport the first base material in fine adjustment of the position with respect to the base material transport mechanism; The adjustment mechanism
one or more fine adjustment actuators having a movable distal end;
a substrate holder frame configured to secure the first substrate for movement via actuation of the one or more fine adjustment actuators;
a substrate frame configured to secure the second substrate such that a transfer surface of the second substrate is positioned toward the semiconductor device die disposed on the first substrate; and,
a transfer member operable to press the first substrate and transfer the semiconductor device die to the second substrate;
A device comprising:
前記1つ以上の微調整アクチュエータが、前記マクロ位置調整の場所の不正確さを打ち消すように制御される、
請求項16に記載の装置。
the one or more fine adjustment actuators are controlled to counteract location inaccuracies of the macro position adjustment;
17. Apparatus according to claim 16.
前記微調整機構が、前記基材搬送機構が動いている間、前記基材搬送機構に対して前記第1の基材の位置を調整するように構成される、
請求項16に記載の装置。
the fine adjustment mechanism is configured to adjust the position of the first substrate relative to the substrate transport mechanism while the substrate transport mechanism is moving;
17. Apparatus according to claim 16.
前記基材搬送機構の前記動きが、前記基材搬送機構がマクロ位置調整後に停止したときに生じる振動運動である、
請求項18に記載の装置。
The movement of the base material transport mechanism is a vibration movement that occurs when the base material transport mechanism stops after macro position adjustment;
19. Apparatus according to claim 18.
前記基材搬送機構の前記動きが、前記基材搬送機構が前記マクロ位置調整中に連続的に移動するときに生じる動きである、
請求項18に記載の装置。
The movement of the base material transport mechanism is a movement that occurs when the base material transport mechanism continuously moves during the macro position adjustment.
19. Apparatus according to claim 18.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9633883B2 (en) * 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN110282341A (en) * 2019-06-25 2019-09-27 英业达科技有限公司 Fetching device
CN113394154B (en) * 2021-05-18 2022-08-19 桂林芯飞光电子科技有限公司 Suction device and method for detector chip
US11894327B2 (en) * 2021-08-18 2024-02-06 Micron Technology, Inc. Apparatus including integrated segments and methods of manufacturing the same
CN114929006A (en) * 2022-06-08 2022-08-19 重庆电子工程职业学院 Submicron chip mounter and using method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114204A (en) 1998-10-01 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp Wafer sheet, and manufacture of semiconductor device and apparatus for manufacture semiconductor using the same
JP2000340585A (en) 1999-05-31 2000-12-08 Sony Corp Processing apparatus provided with plane parallelism adjusting device
JP2001110699A (en) 1999-10-05 2001-04-20 Canon Inc Stage device and aligner using the same
WO2001041208A1 (en) 1999-11-30 2001-06-07 Toray Engineering Co., Ltd. Chip mounter

Family Cites Families (339)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS487643Y1 (en) 1969-11-25 1973-02-27
US3724068A (en) 1971-02-25 1973-04-03 Du Pont Semiconductor chip packaging apparatus and method
US3887996A (en) 1974-05-01 1975-06-10 Gen Motors Corp iconductor loading apparatus for bonding
JPS52137983A (en) 1976-05-14 1977-11-17 Shinkawa Seisakusho Kk Mounting method of semiconductor tip by tapeecarrier system
DE3336606A1 (en) 1983-10-07 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München METHOD FOR PRODUCING MICROPACK
US4859267A (en) 1985-12-26 1989-08-22 The Boeing Company Method for consolidating composite materials
JPH088292B2 (en) 1987-08-31 1996-01-29 住友電気工業株式会社 Chip mounting device
JPH0294493A (en) 1988-09-30 1990-04-05 Hitachi Ltd Anisotropic conductive film thermocompression bonding device
EP0375293A3 (en) 1988-12-15 1991-01-02 Tama Denki Kogyo Kabushiki Kaisha Back-lighting apparatus for screen
US4906812A (en) 1988-12-22 1990-03-06 General Electric Company Fiber optic laser joining apparatus
US5105255A (en) 1990-01-10 1992-04-14 Hughes Aircraft Company MMIC die attach design for manufacturability
US5270260A (en) 1990-08-23 1993-12-14 Siemens Aktiengesellschaft Method and apparatus for connecting a semiconductor chip to a carrier system
US5348316A (en) 1992-07-16 1994-09-20 National Semiconductor Corporation Die collet with cavity wall recess
US5362681A (en) 1992-07-22 1994-11-08 Anaglog Devices, Inc. Method for separating circuit dies from a wafer
US5461326A (en) 1993-02-25 1995-10-24 Hughes Aircraft Company Self leveling and self tensioning membrane test probe
US5670429A (en) 1993-06-30 1997-09-23 Rohm Co. Ltd. Process of conveying an encapsulated electronic component by engaging an integral resin projection
EP0751561A4 (en) 1994-03-18 1997-05-07 Hitachi Chemical Co Ltd Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package
US5951918A (en) 1995-02-08 1999-09-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composite electroconductive powder, electroconductive paste, process for producing electroconductive paste, electric circuit and process for producing electric circuit
JPH09181150A (en) 1995-12-25 1997-07-11 Rohm Co Ltd Pickup equipment of semiconductor chip and pickup method using the same
US5789278A (en) 1996-07-30 1998-08-04 Micron Technology, Inc. Method for fabricating chip modules
US5981314A (en) 1996-10-31 1999-11-09 Amkor Technology, Inc. Near chip size integrated circuit package
JPH10294493A (en) 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp Semiconductor light-emitting device
JPH1123394A (en) 1997-07-07 1999-01-29 Techno Excel Co Ltd Pressure sensor
JPH1140522A (en) 1997-07-17 1999-02-12 Rohm Co Ltd Semiconductor wafer and manufacture thereof, semiconductor chip and manufacture thereof, and ic card with the semiconductor chip
US6538254B1 (en) 1997-07-22 2003-03-25 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for sample fabrication
US6180289B1 (en) 1997-07-23 2001-01-30 Nikon Corporation Projection-microlithography mask with separate mask substrates
DE59812923D1 (en) 1997-07-23 2005-08-18 Infineon Technologies Ag DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING A CHIP SUBSTRATE COMPOUND
JPH1187370A (en) 1997-09-05 1999-03-30 Oki Electric Ind Co Ltd Positioning device
US6085573A (en) 1998-01-20 2000-07-11 Mcms, Inc. Glass parts pick-up jig
JPH11220170A (en) 1998-01-29 1999-08-10 Rohm Co Ltd Light emitting diode element
US6111324A (en) 1998-02-05 2000-08-29 Asat, Limited Integrated carrier ring/stiffener and method for manufacturing a flexible integrated circuit package
US6173750B1 (en) 1998-02-18 2001-01-16 Hover-Davis, Inc. Method and apparatus for removing die from a wafer and conveying die to a pickup location
US6323659B1 (en) 1998-04-29 2001-11-27 General Electric Company Material for improved sensitivity of stray field electrodes
US6091332A (en) 1998-06-09 2000-07-18 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having printed circuit interconnections
EP0964608A3 (en) 1998-06-12 2001-09-05 Ford Motor Company Method for laser soldering
US6080336A (en) 1998-06-19 2000-06-27 Kyoto Elex Co., Ltd. Via-filling conductive paste composition
US6452694B1 (en) 1998-08-14 2002-09-17 3M Innovative Properties Company Design of text and graphic imagery on flag or tab media
US6352073B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
DE19901623B4 (en) 1999-01-18 2007-08-23 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Method and device for thermal connection of pads of two substrates
JP2000223549A (en) 1999-01-29 2000-08-11 Canon Inc Substrate carrier, substrate carrying method, hand mechanism for carrying substrate, ashing apparatus and ashing method
KR100305750B1 (en) 1999-03-10 2001-09-24 윤덕용 Manufacturing Method for Anisotropic Conductive Adhesive for Flip Chip Interconnection on an Organic Substrate
US6204092B1 (en) 1999-04-13 2001-03-20 Lucent Technologies, Inc. Apparatus and method for transferring semiconductor die to a carrier
EP1046809B1 (en) 1999-04-20 2005-08-10 Siemens Aktiengesellschaft Fluid metering device
JP2001068742A (en) 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd Hybrid integrated circuit device
FR2795199B1 (en) 1999-06-15 2001-10-26 Gemplus Card Int DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES COMPRISING AT LEAST ONE CHIP MOUNTED ON A SUPPORT
US8141240B2 (en) 1999-08-04 2012-03-27 Super Talent Electronics, Inc. Manufacturing method for micro-SD flash memory card
JP2001053341A (en) 1999-08-09 2001-02-23 Kazuo Kobayashi Surface-emitting indicator
CN1186683C (en) 1999-09-08 2005-01-26 松下电器产业株式会社 Display device and method of manufacture thereof
KR20010100868A (en) 2000-04-06 2001-11-14 이주하라 요죠우 Optical write head, and method of assembling the same
US6319754B1 (en) 2000-07-10 2001-11-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-dicing process
JP2002050670A (en) 2000-08-04 2002-02-15 Toshiba Corp Pick-up device and pick-up method
JP2002062825A (en) 2000-08-18 2002-02-28 Sony Corp Image display device and method of manufacturing the same
US6710456B1 (en) 2000-08-31 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Composite interposer for BGA packages
WO2002031865A1 (en) 2000-10-13 2002-04-18 Emcore Corporation Method of making an electrode
JP4065655B2 (en) 2000-11-09 2008-03-26 昭和電工株式会社 Flip-chip type semiconductor light-emitting device, manufacturing method thereof, light-emitting diode lamp, display device, and electrode for flip-chip type semiconductor light-emitting device
JP4021614B2 (en) 2000-12-11 2007-12-12 株式会社東芝 Semiconductor element pickup jig, semiconductor element pickup device, semiconductor element pickup method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus
KR100716871B1 (en) 2001-04-11 2007-05-09 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Carrier frame for semiconductor package and semiconductor package using it and its manufacturing method
US6589809B1 (en) 2001-07-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method for attaching semiconductor components to a substrate using local UV curing of dicing tape
JP4266106B2 (en) 2001-09-27 2009-05-20 株式会社東芝 Adhesive tape peeling device, adhesive tape peeling method, semiconductor chip pickup device, semiconductor chip pickup method, and semiconductor device manufacturing method
JP3745260B2 (en) 2001-10-02 2006-02-15 ローム株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
US6772509B2 (en) 2002-01-28 2004-08-10 Motorola, Inc. Method of separating and handling a thin semiconductor die on a wafer
US6889427B2 (en) 2002-02-15 2005-05-10 Freescale Semiconductor, Inc. Process for disengaging semiconductor die from an adhesive film
EP1484952A4 (en) 2002-02-22 2008-04-23 Fujikura Ltd Multilayer wiring board, base for multilayer wiring board, printed wiring board, and its manufacturing method
JP4244555B2 (en) 2002-02-25 2009-03-25 東京エレクトロン株式会社 Support mechanism for workpiece
JP4411575B2 (en) 2002-04-25 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 Electronic device manufacturing equipment
JP4389148B2 (en) 2002-05-17 2009-12-24 日立化成工業株式会社 Conductive paste
US7138711B2 (en) 2002-06-17 2006-11-21 Micron Technology, Inc. Intrinsic thermal enhancement for FBGA package
WO2004008423A1 (en) 2002-07-12 2004-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha Wiring structure, display apparatus, and active device substrate
US7023347B2 (en) 2002-08-02 2006-04-04 Symbol Technologies, Inc. Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith
JP2005535149A (en) 2002-08-02 2005-11-17 シンボル テクノロジーズ インコーポレイテッド Method and apparatus for mass assembly of radio frequency identification tags
US6915551B2 (en) 2002-08-02 2005-07-12 Matrics, Inc. Multi-barrel die transfer apparatus and method for transferring dies therewith
US6637905B1 (en) 2002-09-26 2003-10-28 Agilent Technologies, Inc. Method and system for providing backlighting utilizing a luminescent impregnated material
TW200409378A (en) 2002-11-25 2004-06-01 Super Nova Optoelectronics Corp GaN-based light-emitting diode and the manufacturing method thereof
US20060180344A1 (en) 2003-01-20 2006-08-17 Shoji Ito Multilayer printed wiring board and process for producing the same
JP3739752B2 (en) 2003-02-07 2006-01-25 株式会社 ハリーズ Small-piece transfer device capable of random-cycle shifting
US7138629B2 (en) 2003-04-22 2006-11-21 Ebara Corporation Testing apparatus using charged particles and device manufacturing method using the testing apparatus
US20040250417A1 (en) 2003-06-12 2004-12-16 Arneson Michael R. Method, system, and apparatus for transfer of dies using a die plate
KR100995640B1 (en) 2003-07-07 2010-11-19 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display module
JP4156460B2 (en) 2003-07-09 2008-09-24 Tdk株式会社 Work pickup method and apparatus, and mounting machine
JP3897115B2 (en) 2003-07-09 2007-03-22 信越化学工業株式会社 Semiconductor element sealing method
ATE486374T1 (en) 2003-08-08 2010-11-15 Kang Sang Kyu HIGH BRIGHTNESS NITRIDE MICROLIGHT EMISSION DIODE AND PRODUCTION METHOD THEREOF
JP4405211B2 (en) 2003-09-08 2010-01-27 パナソニック株式会社 Semiconductor chip peeling apparatus, peeling method, and semiconductor chip supply apparatus
US20050057906A1 (en) 2003-09-12 2005-03-17 Seiichi Nakatani Connector sheet and wiring board, and production processes of the same
KR100719993B1 (en) 2003-09-26 2007-05-21 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Mixed Conductive Powder and Use Thereof
DE10349847B3 (en) 2003-10-25 2005-05-25 Mühlbauer Ag Positioning device and method for the transmission of electronic components
JP2005135977A (en) 2003-10-28 2005-05-26 Renesas Technology Corp Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor manufacturing device
US20050115602A1 (en) 2003-11-28 2005-06-02 Kyocera Corporation Photo-electric conversion cell and array, and photo-electric generation system
JP2005222989A (en) 2004-02-03 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd Method for dividing wafer
US7279346B2 (en) 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
JP4397728B2 (en) 2004-04-21 2010-01-13 日東電工株式会社 Direct type backlight
US7632587B2 (en) 2004-05-04 2009-12-15 Angstrom Power Incorporated Electrochemical cells having current-carrying structures underlying electrochemical reaction layers
JP4632690B2 (en) 2004-05-11 2011-02-16 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2005327923A (en) 2004-05-14 2005-11-24 Alps Electric Co Ltd Method and device of sticking conductive joint film
US7622367B1 (en) 2004-06-04 2009-11-24 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Methods and devices for fabricating and assembling printable semiconductor elements
US20050282355A1 (en) 2004-06-18 2005-12-22 Edwards David N High density bonding of electrical devices
JP4535792B2 (en) 2004-07-01 2010-09-01 Nec液晶テクノロジー株式会社 Backlight and liquid crystal display device including the backlight
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
KR100582056B1 (en) 2004-07-05 2006-05-23 삼성전자주식회사 Apparatus for ejecting thin chip and method for ejecting thin chip using the same
JP4688594B2 (en) 2004-08-06 2011-05-25 パナソニック株式会社 Luminescent light source, lighting device and display device
US8324725B2 (en) 2004-09-27 2012-12-04 Formfactor, Inc. Stacked die module
JP2006114691A (en) 2004-10-14 2006-04-27 Disco Abrasive Syst Ltd Division method of wafer
US7601272B2 (en) * 2005-01-08 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for integrating metrology with etch processing
KR20060084256A (en) 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 Lens compound of light emission diode device and led device, backlight unit and liquid crystal display comprising the same
JP4624813B2 (en) 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
KR20060088817A (en) 2005-01-28 2006-08-07 가부시키가이샤 이빔 Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20060181600A1 (en) 2005-02-15 2006-08-17 Eastman Kodak Company Patterns formed by transfer of conductive particles
US20060225273A1 (en) 2005-03-29 2006-10-12 Symbol Technologies, Inc. Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate
CA2605209C (en) 2005-04-19 2013-10-22 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal base circuit board, light-emitting diode and led light source unit
US7623034B2 (en) 2005-04-25 2009-11-24 Avery Dennison Corporation High-speed RFID circuit placement method and device
US7364983B2 (en) 2005-05-04 2008-04-29 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating RFID devices
JP4902838B2 (en) 2005-05-27 2012-03-21 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ Electronic component pickup device and taping device
JP4507985B2 (en) 2005-05-27 2010-07-21 パナソニック株式会社 Chip pickup device and pickup method
WO2006129817A1 (en) 2005-05-31 2006-12-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of antenna
WO2007011068A1 (en) 2005-07-22 2007-01-25 Showa Denko K.K. Light-emitting diode light source
JP4379404B2 (en) 2005-09-28 2009-12-09 日立ライティング株式会社 Light source module, liquid crystal display device, and light source module manufacturing method
JP4739900B2 (en) 2005-10-13 2011-08-03 リンテック株式会社 Transfer device and transfer method
US7293908B2 (en) 2005-10-18 2007-11-13 Goldeneye, Inc. Side emitting illumination systems incorporating light emitting diodes
US7470120B2 (en) 2005-12-01 2008-12-30 Asm Assembly Automation, Ltd. Configurable die detachment apparatus
US20070131016A1 (en) 2005-12-13 2007-06-14 Symbol Technologies, Inc. Transferring die(s) from an intermediate surface to a substrate
US7375379B2 (en) 2005-12-19 2008-05-20 Philips Limileds Lighting Company, Llc Light-emitting device
KR100835053B1 (en) 2006-01-05 2008-06-03 삼성전기주식회사 Flexible display using semiconductor emitting device and method for reproducing the same
JP2007193197A (en) 2006-01-20 2007-08-02 Nsk Ltd Apparatus and method for positioning workpiece
KR20070077285A (en) 2006-01-23 2007-07-26 삼성전자주식회사 Backlight assembly and display device having the same
US8169185B2 (en) 2006-01-31 2012-05-01 Mojo Mobility, Inc. System and method for inductive charging of portable devices
CN102098876B (en) 2006-04-27 2014-04-09 日本电气株式会社 Manufacturing process for circuit substrate
US7889316B2 (en) 2006-05-15 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Method for patterning a radiation beam, patterning device for patterning a radiation beam
WO2007143623A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Stalford Harold L Methods and systems for micro machines
US10655792B2 (en) 2014-09-28 2020-05-19 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
FR2904508B1 (en) 2006-07-28 2014-08-22 Saint Gobain ENCAPSULATED ELECTROLUMINESCENT DEVICE
US20080032484A1 (en) 2006-08-04 2008-02-07 Texas Instruments Incorporated Substrate bonding process with integrated vents
US20080060750A1 (en) 2006-08-31 2008-03-13 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for creating rfid devices using penetrable carrier
US7560303B2 (en) 2006-11-07 2009-07-14 Avery Dennison Corporation Method and apparatus for linear die transfer
JP2008130764A (en) 2006-11-20 2008-06-05 Sharp Corp Printed wiring board manufacturing apparatus, printed wiring board, printed wiring board manufacturing method, and electronic apparatus
TW200825529A (en) 2006-12-06 2008-06-16 Chi Lin Technology Co Ltd Light mixer and backlight module having it
JP4481293B2 (en) 2006-12-22 2010-06-16 株式会社沖データ Luminescent display device
US8221583B2 (en) 2007-01-20 2012-07-17 Stats Chippac Ltd. System for peeling semiconductor chips from tape
JP2008173744A (en) * 2007-01-22 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd Conveying position alignment method for conveying system
JP4693805B2 (en) 2007-03-16 2011-06-01 株式会社東芝 Semiconductor device manufacturing apparatus and manufacturing method
US9106056B1 (en) 2007-04-25 2015-08-11 Stc.Unm Phase-coupled arrays of nanowire laser devices and method of controlling an array of such devices
CN101295037A (en) 2007-04-27 2008-10-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Back light module and optical plate
CN101308225B (en) 2007-05-18 2011-07-27 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 Backlight module group and its optical plate
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
KR20080107651A (en) 2007-06-07 2008-12-11 삼성전자주식회사 Transfer apparatus and image forming apparatus having the same
RU2331951C1 (en) 2007-07-24 2008-08-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Led with double-layer compound zone
US8702609B2 (en) 2007-07-27 2014-04-22 Meridian Cardiovascular Systems, Inc. Image-guided intravascular therapy catheters
US7757742B2 (en) 2007-07-31 2010-07-20 Asm Assembly Automation Ltd Vibration-induced die detachment system
JP4880561B2 (en) 2007-10-03 2012-02-22 新光電気工業株式会社 Flip chip mounting device
KR20120007556A (en) 2007-10-09 2012-01-20 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Method for producing semiconductor chip with adhesive film, adhesive film for semiconductor used in the method, and method for producing semiconductor device
NL1036025A1 (en) 2007-10-10 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus.
US8183582B2 (en) 2007-10-16 2012-05-22 LumaChip, Inc. Bare die semiconductor device configured for lamination
JP5150197B2 (en) 2007-10-22 2013-02-20 株式会社ニフコ On-vehicle seat damper device and sliding seat provided with the damper device
US9013367B2 (en) 2008-01-04 2015-04-21 Nanolumens Acquisition Inc. Flexible display
TW200947641A (en) 2008-05-15 2009-11-16 Gio Optoelectronics Corp Die bonding apparatus
US8361840B2 (en) 2008-09-24 2013-01-29 Eastman Kodak Company Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture
US8755005B2 (en) 2008-09-24 2014-06-17 Koninklijke Philips N.V. Thin edge backlight with LEDS optically coupled to the back surface
JP2010087359A (en) 2008-10-01 2010-04-15 Nec Corp Pickup apparatus
US9123614B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8372726B2 (en) 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
KR20110089408A (en) 2008-11-21 2011-08-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Photoelectric hybrid board and electronic apparatus
US20110037740A1 (en) 2008-12-15 2011-02-17 Panasonic Corporation Planar illumination device and liquid crystal display
JP2010161155A (en) 2009-01-07 2010-07-22 Canon Machinery Inc Chip transfer method and chip transfer apparatus
US8193555B2 (en) 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
GB2468411A (en) 2009-03-05 2010-09-08 Iti Scotland Ltd Light guide with heat sink
WO2010114687A1 (en) 2009-03-30 2010-10-07 Megica Corporation Integrated circuit chip using top post-passivation technology and bottom structure technology
US8141612B2 (en) 2009-04-02 2012-03-27 Asm Assembly Automation Ltd Device for thin die detachment and pick-up
US8698977B2 (en) 2009-04-17 2014-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device and display device
KR101706915B1 (en) 2009-05-12 2017-02-15 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
RU2502916C2 (en) 2009-06-15 2013-12-27 Шарп Кабусики Кайся Lighting device, display device and television set
US8110839B2 (en) 2009-07-13 2012-02-07 Luxingtek, Ltd. Lighting device, display, and method for manufacturing the same
CN102472790B (en) 2009-08-02 2015-01-28 Qmc株式会社 Pickup apparatus and LED chip classification apparatus including same
TWM374648U (en) 2009-10-15 2010-02-21 Forward Electronics Co Ltd AC LED packaging structure
KR20120096001A (en) 2009-11-20 2012-08-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 Coverlay compositions and methods relating thereto
US20110123796A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 E.I. Dupont De Nemours And Company Interposer films useful in semiconductor packaging applications, and methods relating thereto
TWI506082B (en) 2009-11-26 2015-11-01 Ajinomoto Kk Epoxy resin composition
EP2513953B1 (en) 2009-12-16 2017-10-18 The Board of Trustees of the University of Illionis Electrophysiology using conformal electronics
US9936574B2 (en) 2009-12-16 2018-04-03 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Waterproof stretchable optoelectronics
US10441185B2 (en) 2009-12-16 2019-10-15 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Flexible and stretchable electronic systems for epidermal electronics
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
EP2524165B1 (en) 2010-01-15 2020-04-15 Express Imaging Systems, LLC Apparatus, method to change light source color temperature with reduced optical filtering losses
US20110180137A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110209751A1 (en) 2010-01-25 2011-09-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180138A1 (en) 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
WO2011111293A1 (en) 2010-03-10 2011-09-15 パナソニック株式会社 Led-packaging resin body, led device, and method for manufacturing led device
KR101619466B1 (en) 2010-03-26 2016-05-11 삼성전자주식회사 Apparatus for mouning semiconductor device
CN102959708B (en) 2010-06-29 2016-05-04 柯立芝照明有限公司 There is the electronic installation of flexible substrate
JP2012015318A (en) 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp Light emitting device and method of manufacturing the same
TW201210078A (en) 2010-08-25 2012-03-01 Foxsemicon Integrated Tech Inc Light emitting diode
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
WO2012035416A2 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Micronic Mydata AB Methods and apparatuses for generating patterns on workpieces
US20120070570A1 (en) 2010-09-16 2012-03-22 Xerox Corporation Conductive thick metal electrode forming method
JP5740901B2 (en) 2010-10-15 2015-07-01 ソニー株式会社 Light emitting device and display device
GB2484712A (en) 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination Apparatus
US8455895B2 (en) 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
TWI408463B (en) 2010-11-18 2013-09-11 Young Lighting Technology Corp Light source module and illumination apparatus
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US8323857B2 (en) 2010-12-21 2012-12-04 Ultratech, Inc. Phase-shift mask with assist phase regions
CN103339556A (en) 2011-01-26 2013-10-02 日立民用电子株式会社 Liquid crystal display device
JP2012156473A (en) 2011-01-28 2012-08-16 Adwelds:Kk Component transfer device and component transfer method
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9673363B2 (en) 2011-01-31 2017-06-06 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for flip-chip mounted horizontal LEDs
KR20120096669A (en) * 2011-02-23 2012-08-31 주식회사 엘지실트론 An apparatus for compiling shipment of a wafer
JP2012182023A (en) 2011-03-01 2012-09-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd Planar light source device, liquid crystal display, and television set
JP2012195350A (en) 2011-03-15 2012-10-11 Stanley Electric Co Ltd Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2012209148A (en) 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp Conductive particle, conductive paste, and circuit board
KR101209446B1 (en) 2011-04-28 2012-12-07 피에스아이 주식회사 Micro LED device bundle and manufacturing method thereof
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
DE102011104225B4 (en) 2011-06-15 2017-08-24 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Apparatus and method for positioning an electronic component and / or a carrier relative to an ejector
JP2013004815A (en) 2011-06-17 2013-01-07 Sony Corp Light source circuit unit, lighting device, and display device
US9666764B2 (en) 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
KR101933549B1 (en) 2011-07-06 2018-12-28 삼성전자주식회사 apparatus for removing semiconductor chip using the laser and removal method of the same
US9034674B2 (en) 2011-08-08 2015-05-19 Quarkstar Llc Method and apparatus for coupling light-emitting elements with light-converting material
US8704262B2 (en) 2011-08-11 2014-04-22 Goldeneye, Inc. Solid state light sources with common luminescent and heat dissipating surfaces
US20130056749A1 (en) 2011-09-07 2013-03-07 Michael Tischler Broad-area lighting systems
US9312451B2 (en) 2011-09-14 2016-04-12 Express Imaging Systems, Llc Apparatus, method to enhance color contrast in phosphor-based solid state lights
US8609446B2 (en) 2011-10-06 2013-12-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method and apparatus for accurate die-to-wafer bonding
US20130119538A1 (en) 2011-11-16 2013-05-16 Texas Instruments Incorporated Wafer level chip size package
US8426227B1 (en) 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
JP2013118244A (en) 2011-12-02 2013-06-13 Citizen Holdings Co Ltd Semiconductor light-emitting device and lighting apparatus using the same
KR101923531B1 (en) 2011-12-23 2018-11-30 삼성전자주식회사 Apparatus of bonding semiconductor chip
WO2013116623A1 (en) 2012-02-02 2013-08-08 The Procter & Gamble Company Bidirectional light sheet
EP2626901A1 (en) 2012-02-10 2013-08-14 Oki Data Corporation Semiconductor light emitting apparatus, image displaying apparatus, mobile terminal, head-up display apparatus, image projector, head-mounted display apparatus, and image forming apparatus
JP5965199B2 (en) 2012-04-17 2016-08-03 デクセリアルズ株式会社 Anisotropic conductive adhesive and manufacturing method thereof, light emitting device and manufacturing method thereof
WO2013158949A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Rensselaer Polytechnic Institute Light emitting diodes and a method of packaging the same
WO2013161061A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 富士機械製造株式会社 Wafer map management device and die mounting method of die mounting system
KR101315939B1 (en) 2012-04-30 2013-10-08 부경대학교 산학협력단 Led package and manufacturing method thereof
KR101525652B1 (en) 2012-05-04 2015-06-03 삼성전기주식회사 Conductive resin composition, multi layer ceramic capacitor having the same and manufacturing method thereof
JP5770677B2 (en) 2012-05-08 2015-08-26 株式会社ディスコ Wafer processing method
US9105492B2 (en) 2012-05-08 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head
US20130309792A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
JP2014135471A (en) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp Light emitting device, light emitting device assembly, and substrate with electrode
US8415771B1 (en) 2012-05-25 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head with silicon electrode
US9034754B2 (en) 2012-05-25 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro device transfer head with silicon electrode
DE102012013370B4 (en) 2012-07-04 2017-11-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mounting device and method for fixing a needle in a needle holder of an ejection device for lifting a chip from a carrier material
US8415768B1 (en) 2012-07-06 2013-04-09 LuxVue Technology Corporation Compliant monopolar micro device transfer head with silicon electrode
US8569115B1 (en) 2012-07-06 2013-10-29 LuxVue Technology Corporation Method of forming a compliant bipolar micro device transfer head with silicon electrodes
JP5968705B2 (en) 2012-07-13 2016-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
US8933433B2 (en) 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
US8704448B2 (en) 2012-09-06 2014-04-22 Cooledge Lighting Inc. Wiring boards for array-based electronic devices
US8791530B2 (en) 2012-09-06 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head with integrated electrode leads
JP5723337B2 (en) 2012-09-07 2015-05-27 株式会社東芝 Pattern forming method and pattern forming apparatus
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
DE102012217957B4 (en) 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method for producing a micro-LED matrix
US9651231B2 (en) 2012-10-04 2017-05-16 Guardian Industries Corp. Laminated LED array and/or products including the same
US9171794B2 (en) 2012-10-09 2015-10-27 Mc10, Inc. Embedding thin chips in polymer
US9331230B2 (en) 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
CN102931309B (en) 2012-11-15 2015-04-01 安徽三安光电有限公司 Inverted LED and manufacturing method thereof
TWI474432B (en) 2012-11-15 2015-02-21 Lextar Electronics Corp Die positioning device, die positioning system having the same, and die positioning method of led display board
JP5785532B2 (en) 2012-11-30 2015-09-30 三井金属鉱業株式会社 Silver-coated copper powder and method for producing the same
US9255001B2 (en) 2012-12-10 2016-02-09 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head array with metal electrodes
US9236815B2 (en) 2012-12-10 2016-01-12 LuxVue Technology Corporation Compliant micro device transfer head array with metal electrodes
JP2014135470A (en) 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp Light emitting device, light emitting device assembly, and substrate with electrode
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
JP5999391B2 (en) 2012-12-13 2016-09-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emitting device, illumination light source, and illumination device
US9391042B2 (en) 2012-12-14 2016-07-12 Apple Inc. Micro device transfer system with pivot mount
US9314930B2 (en) 2012-12-14 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with integrated pivot mount
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
JP5945008B2 (en) 2012-12-28 2016-07-05 京セラ株式会社 Solar cell element and method for manufacturing solar cell element
JP6122299B2 (en) 2013-01-15 2017-04-26 キヤノン株式会社 Processing apparatus, processing method, and device manufacturing method
US9082936B2 (en) 2013-01-29 2015-07-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED lamp for bidirectional lighting
US9142535B2 (en) 2013-01-31 2015-09-22 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Vertically printing LEDs in series
US10617300B2 (en) * 2013-02-13 2020-04-14 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Injectable and implantable cellular-scale electronic devices
US9324692B2 (en) 2013-02-18 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent LED layer between phosphor layer and light exit surface of lamp
US9229597B2 (en) 2013-02-22 2016-01-05 Nthdegree Technologies Worldwide, Inc. Integrated capacitive touch screen and LED layer
JP6161319B2 (en) 2013-02-22 2017-07-12 ニスカ株式会社 Transfer apparatus and transfer method
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US9099568B2 (en) 2013-03-14 2015-08-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Three-terminal printed devices interconnected as circuits
US8928014B2 (en) 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
US9136161B2 (en) 2013-06-04 2015-09-15 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array with compliant contact
US9780270B2 (en) 2013-06-04 2017-10-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Molded LED light sheet
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US8928021B1 (en) 2013-06-18 2015-01-06 LuxVue Technology Corporation LED light pipe
US9035279B2 (en) 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
US9296111B2 (en) 2013-07-22 2016-03-29 LuxVue Technology Corporation Micro pick up array alignment encoder
US9087764B2 (en) 2013-07-26 2015-07-21 LuxVue Technology Corporation Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation
KR20160040457A (en) 2013-07-31 2016-04-14 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. Process for making materials with micro- or nanostructured conductive layers
JP2015035532A (en) 2013-08-09 2015-02-19 シチズン電子株式会社 Led aggregation plate and light-emitting device using the same
US9657903B2 (en) 2013-08-20 2017-05-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Geometrical light extraction structures for printed LEDs
US9324693B2 (en) 2013-09-09 2016-04-26 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Folded 3-D light sheets containing printed LEDs
WO2015056303A1 (en) 2013-10-15 2015-04-23 三菱電機株式会社 Semiconductor-element manufacturing method and wafer mounting device
US9111984B2 (en) 2013-10-28 2015-08-18 Freescale Semiconductor Inc. Devices and methods of operation for separating semiconductor die from adhesive tape
GB2519587A (en) 2013-10-28 2015-04-29 Barco Nv Tiled Display and method for assembling same
WO2015084360A1 (en) 2013-12-05 2015-06-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Regular expression matching
US9583466B2 (en) 2013-12-27 2017-02-28 Apple Inc. Etch removal of current distribution layer for LED current confinement
US20150204490A1 (en) 2014-01-18 2015-07-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed led layer with diffusing dielectric and conductor layers
US9508694B2 (en) 2014-03-04 2016-11-29 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Multi-layer conductive backplane for LED light sheet segments
US20160172562A1 (en) 2014-01-31 2016-06-16 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method for forming Circuit-on-Wire
US9281298B2 (en) 2014-02-10 2016-03-08 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Process for forming ultra-micro LEDS
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US9318671B2 (en) 2014-04-18 2016-04-19 Toshiba Corporation High efficiency light emitting diode package suitable for wafer level packaging
US10229630B2 (en) 2014-05-14 2019-03-12 The Hong Kong University Of Science And Technology Passive-matrix light-emitting diodes on silicon micro-display
US9318475B2 (en) 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
US9660151B2 (en) 2014-05-21 2017-05-23 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting device
EP3152781A4 (en) 2014-06-06 2018-03-14 Rohinni, LLC Manufacture of circuit assembly with unpackaged semiconductor devices
US9425151B2 (en) 2014-06-17 2016-08-23 Apple Inc. Compliant electrostatic transfer head with spring support layer
CN110010750B (en) 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 Micro-assembly LED display
TWI544471B (en) 2014-06-19 2016-08-01 光芯科技股份有限公司 Light-emitting modules and lighting modules
US9818018B2 (en) 2014-07-22 2017-11-14 Nanotek Instruments, Inc. Flexible fingerprint sensor materials and processes
US10615222B2 (en) 2014-08-21 2020-04-07 The University Of Hong Kong Flexible GAN light-emitting diodes
JP6296299B2 (en) 2014-09-02 2018-03-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 Plasma processing apparatus and plasma processing method
JP6271380B2 (en) 2014-09-12 2018-01-31 アルパッド株式会社 Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method
WO2016069766A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 The Regents Of The University Of California Flexible arrays of micro light emitting diodes using a photoelectrochemical (pec) liftoff technique
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
US9721931B2 (en) 2015-01-15 2017-08-01 Industrial Technology Research Institute Semiconductor light emitting device and fabricating method thereof
US9647189B2 (en) 2015-01-26 2017-05-09 Cooledge Lighting Inc. Methods for adhesive bonding of electronic devices
CN107408364B (en) 2015-03-20 2020-06-30 索尼半导体解决方案公司 Display device, lighting device, light-emitting element, and semiconductor device
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
WO2016154956A1 (en) 2015-04-01 2016-10-06 Goertek.Inc Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
US10193012B2 (en) 2015-05-21 2019-01-29 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
US10319697B2 (en) 2015-05-21 2019-06-11 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
CN107743421B (en) 2015-06-11 2021-02-09 宝洁公司 Apparatus and method for applying a composition to a surface
US9841548B2 (en) 2015-06-30 2017-12-12 Apple Inc. Electronic devices with soft input-output components
US10224308B2 (en) 2015-07-14 2019-03-05 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
US9640108B2 (en) 2015-08-25 2017-05-02 X-Celeprint Limited Bit-plane pulse width modulated digital display system
WO2017028207A1 (en) 2015-08-18 2017-02-23 Goertek.Inc Pre-screening method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led
CN107251237B (en) 2015-08-18 2019-12-13 歌尔股份有限公司 Repairing method, manufacturing method and device of micro light-emitting diode and electronic equipment
US10297719B2 (en) 2015-08-27 2019-05-21 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light emitting diode (micro-LED) device
US9368549B1 (en) 2015-09-02 2016-06-14 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Printed mesh defining pixel areas for printed inorganic LED dies
CN105278160B (en) 2015-10-29 2019-01-15 深圳市华星光电技术有限公司 Back light unit, backlight module and display device
US9801276B2 (en) 2015-11-25 2017-10-24 The Boeing Company Methof of forming an integrated composite structure
JP6608298B2 (en) 2016-02-05 2019-11-20 川田工業株式会社 Composite beam material and manufacturing method thereof
US10193031B2 (en) 2016-03-11 2019-01-29 Rohinni, LLC Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof
KR20170106575A (en) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 Light source module and lighting apparatus having the same
US10204893B2 (en) * 2016-05-19 2019-02-12 Invensas Bonding Technologies, Inc. Stacked dies and methods for forming bonded structures
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10297478B2 (en) * 2016-11-23 2019-05-21 Rohinni, LLC Method and apparatus for embedding semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
KR20180072035A (en) 2016-12-20 2018-06-29 삼성전자주식회사 Bonding apparatus
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
EP3580778B1 (en) 2017-02-07 2023-06-07 Rohinni, Inc. Apparatus and method for stacking semiconductor devices
US20180248090A1 (en) 2017-02-27 2018-08-30 Rohinni, LLC Semiconductor Device Circuit Apparatus Bonded with Anisotropic Conductive Film and Method of Direct Transfer for Making the Same
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000114204A (en) 1998-10-01 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp Wafer sheet, and manufacture of semiconductor device and apparatus for manufacture semiconductor using the same
JP2000340585A (en) 1999-05-31 2000-12-08 Sony Corp Processing apparatus provided with plane parallelism adjusting device
JP2001110699A (en) 1999-10-05 2001-04-20 Canon Inc Stage device and aligner using the same
WO2001041208A1 (en) 1999-11-30 2001-06-07 Toray Engineering Co., Ltd. Chip mounter

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