JP2012015318A - Light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光素子が樹脂層によって封止されている発光装置の製造方法、およびこれによって製造される発光装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting device in which a light emitting element is sealed with a resin layer, and a light emitting device manufactured thereby.
近年、LEDが液晶テレビ等の表示装置用のバックライト、照明などに利用されている。 In recent years, LEDs have been used for backlights and lighting for display devices such as liquid crystal televisions.
これらに利用されるLEDの多くは、白色に発光するLED(白色LED)である。白色LEDを実現する方法には、主に2つのタイプがある。1つは、LEDチップと蛍光体とを使用する方法であり、もう1つは、赤色、緑色および青色のLED素子を使用する方法である。現在のところは、後者のLED素子のコストが高いなどの理由により、前者の方法が主流となっている。 Many of the LEDs used for these are LEDs that emit white light (white LEDs). There are mainly two types of methods for realizing a white LED. One is a method using an LED chip and a phosphor, and the other is a method using red, green and blue LED elements. At present, the former method is mainly used because the cost of the latter LED element is high.
LEDチップと蛍光体とを使用する方法には、青色LED素子と黄色蛍光体とを組み合わせる方法、演色性を良くするために青色LED素子と赤色、緑色蛍光体とを組み合わせる方法等がある。この方法によれば、蛍光体は青色光を黄色の光に変換するため、青色LEDが発光する青色光の一部が蛍光体層を透過する一方、残りの青色光が蛍光体に当たって黄色の光になる。そのため、この2色が混ざり合って白色に見えるというのが具体的な仕組みである。 As a method of using the LED chip and the phosphor, there are a method of combining a blue LED element and a yellow phosphor, a method of combining a blue LED element and red and green phosphors in order to improve color rendering. According to this method, since the phosphor converts blue light into yellow light, part of the blue light emitted by the blue LED is transmitted through the phosphor layer, while the remaining blue light strikes the phosphor to produce yellow light. become. Therefore, the concrete mechanism is that these two colors are mixed and appear white.
LED素子の上に蛍光体が混入された樹脂を塗布する方法として、特許文献1には、基板上に第1の凹部と、第1の凹部を囲む第2の凹部とを、配線パターン上にレジスト膜を形成することにより形成し、第1の凹部に発光素子を搭載し、基板上の第1の凹部に樹脂を滴下して、樹脂が第2の凹部または凸部に接触するように、山状に発光素子を覆う、発光装置の製造方法が記載されている。
As a method for applying a resin in which a phosphor is mixed on an LED element,
特許文献2には、平板状の基板と、この基板の一側面に取り付けた発光チップと、この発光チップの周囲に硬化させ波長変換材を混入したモールド樹脂と、このモールド樹脂の周囲に設けた透光性樹脂とから構成される発光体が記載されている。また、発光チップに近い基板の一側面には円環状に第1撥油性皮膜を配置するとともに、この第1撥油性皮膜の位置より発光チップから離れた位置に第2撥油性皮膜を円環状に配置し、モールド樹脂は第1撥油性皮膜によってその断面が半円形状に形成され、透光性樹脂は第2撥油性皮膜によってその断面が半円形状に形成された構成が記載されている。
In
特許文献3には、実装基板の少なくとも一方の面に接続された発光素子チップの実装位置とその近傍には開口部を残すように、白色レジスト層が当該一方の面を被覆している発光装置が記載されている。また、この発光素子チップおよび開口部は、半球状の透明封止樹脂によって封止され、この透明封止樹脂の形状は、白色レジスト層の上に被着された撥水性材層によって透明封止樹脂の外縁部が退けられることによって制御されることが記載されている。さらに、この撥水性材層は、発光素子チップの位置を中心とする2つの同心円で挟まれた帯状に配置されることが記載されている。
特許文献4には、基板上に載置された発光ダイオードと、この発光ダイオードを覆うドーム状に形成された第1光学樹脂とを備える照明装置が記載されている。また、この第1光学樹脂は、連続して閉曲線を描くように基板上に塗布された撥水材の内側にポッティングすることで形成されるものであってもよいことが記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載された方法では、第2の凹部の内壁または凸部が、蛍光体が混入された樹脂を塗布する際にこの樹脂を堰き止め、樹脂が放射状に広がる方向の力を抑制させる。よって、樹脂が塗布される領域の面積は、一定となる。そのため、樹脂の塗布量にばらつきが生じた場合には、形成された樹脂層の厚さのばらつきが発生する。したがって、LED素子から樹脂層表面までの距離が大きくばらつくため、光の輝度、色度等にムラが発生する原因となる。また、樹脂の塗布量にばらつきが生じた場合の対応については一切記載されていない。
However, in the method described in
また、特許文献2に記載された方法では、モールド樹脂は第1撥油性皮膜によって広がるのを阻止されるため、モールド樹脂の塗布量にばらつきが生じた場合には、発光チップからモールド樹脂層表面までの距離が大きくばらつくため、光の輝度、色度等のムラの原因になる。また、モールド樹脂の塗布量にばらつきが生じた場合の対応については一切記載されていない。
Further, in the method described in
また、特許文献3および4では、撥水性材層の幅のサイズについて規定されていない。したがって、透明封止樹脂の塗布量およびそのばらつきによっては、塗布した透明封止樹脂が撥水性材層上に留まらない可能性がある。例えば、塗布量が多い場合、または塗布量にばらつきが生じて多くなった場合には、透明封止樹脂が撥水性材層より外側にはみ出る可能性がある。また、塗布量が少ない場合、または塗布量にばらつきが生じて少なくなった場合には、透明封止樹脂が撥水性材層に到達しなかったり、到達しても塗布量のばらつきが大きいために透明封止樹脂の厚さにばらつきが生じたりする可能性がある。透明防止樹脂の厚さがばらついた場合には、LEDチップから透明封止樹脂の表面までの距離がばらつくこととなる。特許文献3および4には、透明封止樹脂の塗布量にばらつきが生じた場合に対応する方法について一切記載されていないため、発光装置からの光の輝度、色度等が劣化するという問題が生じる。
In
本発明は、上記の従来技術が有する問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、発光素子を封止する樹脂材料の塗布量にばらつきが生じた場合に、樹脂層の厚さのばらつきを抑えることができ、光の輝度、色度等にムラが発生することを防止できる発光装置の製造方法およびこれによって製造される発光装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art. The purpose of the present invention is to vary the thickness of the resin layer when variations occur in the amount of resin material applied to seal the light emitting element. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a light emitting device that can suppress the occurrence of unevenness in the brightness and chromaticity of light, and a light emitting device manufactured thereby.
上記の課題を解決するために、本発明に係る発光装置の製造方法は、基板と、当該基板上に設けられた発光素子と、当該発光素子を封止する樹脂層とを備えた発光装置の製造方法であって、上記基板上に、上記発光素子を囲む帯状の撥油パターンを形成する撥油パターン形成工程と、上記樹脂層を形成するための樹脂材料を上記基板上の上記撥油パターンに囲まれた領域内に滴下して塗布する、樹脂塗布工程とを含み、上記撥油パターンの幅をWとし、上記樹脂塗布工程における上記樹脂材料の塗布量をVとし、当該塗布量のばらつきをΔVとしたとき、WおよびVは、上記樹脂材料の実際の塗布量がV−ΔVの場合に上記樹脂材料が上記撥油パターン上に乗り上げており、かつ、上記樹脂材料の実際の塗布量がV+ΔVの場合に上記樹脂材料が上記撥油パターンより外側に広がらないように設定されることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention includes a substrate, a light-emitting element provided on the substrate, and a resin layer that seals the light-emitting element. An oil repellent pattern forming step of forming a band-shaped oil repellent pattern surrounding the light emitting element on the substrate, and a resin material for forming the resin layer on the substrate. A resin coating step in which the coating is dropped into a region surrounded by the resin, the width of the oil repellent pattern is W, the coating amount of the resin material in the resin coating step is V, and the variation in the coating amount Where V is ΔV, W and V are the actual application amount of the resin material when the resin material rides on the oil-repellent pattern when the actual application amount of the resin material is V−ΔV. Resin material when is V + ΔV Characterized in that it is set not spread outside the aforementioned oil-repellent pattern.
上記の構成であれば、樹脂塗布工程において、樹脂材料の塗布量のばらつきが大きい場合に、樹脂材料を、撥油パターン上に乗り上げさせることができるとともに、撥油パターンより外側に広がらないようにすることができる。すなわち、樹脂材料を撥油パターン上に留めておくことができる。 With the above configuration, in the resin coating process, when the variation in the coating amount of the resin material is large, the resin material can be run on the oil-repellent pattern and not spread outside the oil-repellent pattern. can do. That is, the resin material can be kept on the oil-repellent pattern.
したがって、ばらつきによって塗布量が増加した場合に、樹脂材料が撥油パターン上において広がる余地があるため、発光素子と形成された樹脂層の表面との距離のばらつきを抑えることができる。また、樹脂層が波長変換部材を含む場合には、この波長変換部材の分布変化を抑えることができる。よって、樹脂層の厚さのばらつきおよび波長変換部材の分布変化を抑えることができるため、光の輝度、色度等にムラが発生することを防止できる。さらに、樹脂層の形状を安定化することができるため、発光装置の生産歩留まりの低下を防ぐことが可能になる。 Therefore, when the coating amount increases due to variations, there is room for the resin material to spread on the oil-repellent pattern, so that variations in the distance between the light emitting element and the surface of the formed resin layer can be suppressed. Further, when the resin layer includes a wavelength conversion member, it is possible to suppress the distribution change of the wavelength conversion member. Therefore, since the variation in the thickness of the resin layer and the change in the distribution of the wavelength conversion member can be suppressed, the occurrence of unevenness in the brightness, chromaticity, etc. of the light can be prevented. Furthermore, since the shape of the resin layer can be stabilized, it is possible to prevent a decrease in production yield of the light emitting device.
また、本発明に係る発光装置の製造方法では、WおよびVは、上記樹脂材料の実際の塗布量がV−ΔVの場合に初めて上記樹脂材料が上記撥油パターン上に乗り上げ、かつ、上記樹脂材料の実際の塗布量がV+ΔVを超えた場合に初めて上記樹脂材料が上記撥油パターンより外側に広がるように設定されることが好ましい。 In the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention, W and V are the first when the actual application amount of the resin material is V−ΔV, and the resin material rides on the oil-repellent pattern, and the resin It is preferable that the resin material is set so as to spread outward from the oil-repellent pattern only when the actual application amount of the material exceeds V + ΔV.
上記の構成であれば、撥油パターンの幅を最小限にすることができる。よって、樹脂層を形成した後に、その外側に撥油パターンが大きくはみ出すことがない。そのため、その後に、樹脂層上にレンズを形成させるレンズ形成工程を行なう場合には、レンズを基板上に高い密着力にて密着させることができる。したがって、そのさらに後に行なう工程において、レンズが剥離する等の問題を防止することが可能となる。 With the above configuration, the width of the oil repellent pattern can be minimized. Therefore, after the resin layer is formed, the oil repellent pattern does not protrude greatly on the outside. Therefore, when performing the lens formation process which forms a lens on a resin layer after that, a lens can be stuck on a substrate with high adhesion. Therefore, it is possible to prevent problems such as lens peeling in a process performed later.
また、レンズと基板との接着性が高いことにより、製造される発光装置は、外部からの応力、水分浸透等に対する耐性が高いため、信頼性の低下を防止でき、安定的にその後の各工程を行なうことができる。 In addition, because of the high adhesion between the lens and the substrate, the manufactured light-emitting device has high resistance to external stress, moisture penetration, etc., so that it can prevent a decrease in reliability and stably perform subsequent steps. Can be performed.
また、本発明に係る発光装置の製造方法では、上記撥油パターンが円環状であることが好ましい。 In the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention, the oil repellent pattern is preferably annular.
上記の構成であれば、樹脂塗布工程において滴下した樹脂材料は、滴下された位置から略同心円状に広がっていくため、樹脂材料を撥油パターンに囲まれた領域の中心に滴下する場合には、撥油パターン上に均等に到達させることができる。また、樹脂層の外側にはみ出す撥油パターンをより少なくできるため、その後にレンズ形成工程を行なう場合に、レンズと基板との密着性を向上させることができる。 If it is said structure, since the resin material dripped in the resin application | coating process will spread in a substantially concentric form from the dripped position, when dripping the resin material to the center of the area | region surrounded by the oil-repellent pattern, The oil repellent pattern can be evenly reached. In addition, since the oil repellent pattern that protrudes outside the resin layer can be reduced, the adhesion between the lens and the substrate can be improved when the lens forming step is subsequently performed.
また、本発明に係る発光装置の製造方法では、上記樹脂塗布工程において塗布された上記樹脂材料を硬化させる樹脂硬化工程を含み、上記撥油パターンの内周の直径をD1とし、上記撥油パターンの外周の直径をD2とし、上記樹脂塗布工程に用いる温度における上記基板の上記樹脂材料に対する接触角をθ1とし、上記樹脂塗布工程に用いる温度における上記撥油パターンの上記樹脂材料に対する接触角をθ2とし、上記樹脂硬化工程に用いる温度における上記撥油パターンの上記樹脂材料に対する接触角をθ3とすると、WおよびVは、下記式(1)〜(5)を満足するように設定されることが好ましい。 The method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a resin curing step of curing the resin material applied in the resin application step, wherein the oil repellent pattern has an inner diameter D1 and the oil repellent pattern. The contact diameter of the substrate with respect to the resin material at the temperature used in the resin application step is θ1, and the contact angle of the oil repellent pattern with respect to the resin material at the temperature used in the resin application step is θ2. Assuming that the contact angle of the oil-repellent pattern with respect to the resin material at the temperature used in the resin curing step is θ3, W and V may be set to satisfy the following expressions (1) to (5). preferable.
上記の構成であれば、樹脂硬化工程において、撥油パターンにおける樹脂材料に対する接触角が小さくなり、樹脂材料がより外側に広がる場合に、樹脂材料を撥油パターン上に留めておくことができる。例えば、樹脂硬化工程において温度を上昇させる場合に有効である。よって、樹脂層の形状を安定化することができる。 If it is said structure, in a resin hardening process, when the contact angle with respect to the resin material in an oil repellent pattern becomes small and a resin material spreads outside, a resin material can be kept on an oil repellent pattern. For example, it is effective when raising the temperature in the resin curing step. Therefore, the shape of the resin layer can be stabilized.
また、本発明に係る発光装置の製造方法では、上記樹脂塗布工程において塗布された上記樹脂材料を硬化させる樹脂硬化工程を含み、上記撥油パターンの内周の直径をD1とし、上記撥油パターンの外周の直径をD2とし、上記樹脂材料の実際の塗布量がV+ΔVのときの上記樹脂硬化工程における当該樹脂材料の直径をDmaxとし、上記樹脂材料の実際の塗布量がV−ΔVのときの上記樹脂硬化工程における当該樹脂材料の直径をDminとすると、WおよびVは、下記式(1)および(6)〜(8)を満足するように設定されることが好ましい。
W=(D2−D1)/2 ・・・(1)
D1≦Dmin ・・・(6)
D2≧Dmax ・・・(7)
W≧(Dmax−Dmin)/2 ・・・(8)
上記の構成であれば、樹脂硬化工程において、樹脂材料の濡れ広がりを撥油パターン上に留めることができるため、樹脂層の形状を安定化することができる。
The method for manufacturing a light emitting device according to the present invention includes a resin curing step of curing the resin material applied in the resin application step, wherein the oil repellent pattern has an inner diameter D1 and the oil repellent pattern. The outer diameter of the resin material is D2, the diameter of the resin material in the resin curing step when the actual application amount of the resin material is V + ΔV is Dmax, and the actual application amount of the resin material is V−ΔV. When the diameter of the resin material in the resin curing step is Dmin, W and V are preferably set so as to satisfy the following formulas (1) and (6) to (8).
W = (D2-D1) / 2 (1)
D1 ≦ Dmin (6)
D2 ≧ Dmax (7)
W ≧ (Dmax−Dmin) / 2 (8)
If it is said structure, since the wetting spread of the resin material can be stopped on an oil-repellent pattern in a resin hardening process, the shape of a resin layer can be stabilized.
また、本発明に係る発光装置の製造方法では、Vは、上記樹脂塗布工程において当該Vにて上記樹脂材料を塗布した場合における、上記基板の上記樹脂材料に対する接触角θ4が、下記式(9)を満足するように設定されることが好ましい。
θ1≦θ4≦θ2 ・・・(9)
上記の構成であれば、接触角θ2となるまで樹脂材料を塗布することが可能な撥油パターンに対して、樹脂塗布工程における樹脂材料の樹脂量Vは、接触角θ4(θ1≦θ4≦θ2)となるように設定される。そのため、接触角θ2となるように樹脂量Vを設定した場合に比べ、樹脂塗布工程終了後の基板を搬送する時の揺れ等による樹脂材料の溢れ等を防止することができる。
In the method for manufacturing a light-emitting device according to the present invention, V represents a contact angle θ4 of the substrate with respect to the resin material when the resin material is applied at V in the resin application step. ) Is preferably set to satisfy.
θ1 ≦ θ4 ≦ θ2 (9)
With the above-described configuration, the resin amount V of the resin material in the resin application step is the contact angle θ4 (θ1 ≦ θ4 ≦ θ2) with respect to the oil-repellent pattern in which the resin material can be applied until the contact angle θ2 is reached. ). Therefore, compared to the case where the resin amount V is set so as to be the contact angle θ2, it is possible to prevent overflow of the resin material due to shaking or the like when the substrate is transported after the resin coating process is completed.
上記の課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、上述したいずれかの製造方法により製造されることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, the light-emitting device according to the present invention is manufactured by any one of the manufacturing methods described above.
上記の構成であれば、光の輝度、色度等におけるムラが少ない発光装置を提供できる。 With the above structure, a light-emitting device with less unevenness in light brightness, chromaticity, and the like can be provided.
本発明に係る発光装置の製造方法は、以上のように、基板と、当該基板上に設けられた発光素子と、当該発光素子を封止する樹脂層とを備えた発光装置の製造方法であって、上記基板上に、上記発光素子を囲む帯状の撥油パターンを形成する撥油パターン形成工程と、上記樹脂層を形成するための樹脂材料を上記基板上の上記撥油パターンに囲まれた領域内に滴下して塗布する、樹脂塗布工程とを含み、上記撥油パターンの幅をWとし、上記樹脂塗布工程における上記樹脂材料の塗布量をVとし、当該塗布量のばらつきをΔVとしたとき、WおよびVは、上記樹脂材料の実際の塗布量がV−ΔVの場合に上記樹脂材料が上記撥油パターン上に乗り上げており、かつ、上記樹脂材料の実際の塗布量がV+ΔVの場合に上記樹脂材料が上記撥油パターンより外側に広がらないように設定されるので、発光素子を封止する樹脂材料の塗布量にばらつきが生じた場合に、樹脂層の厚さのばらつきを抑えることができ、光の輝度、色度等にムラが発生することを防止できる。 As described above, the method for manufacturing a light emitting device according to the present invention is a method for manufacturing a light emitting device including a substrate, a light emitting element provided on the substrate, and a resin layer that seals the light emitting element. An oil repellent pattern forming step for forming a band-shaped oil repellent pattern surrounding the light emitting element on the substrate, and a resin material for forming the resin layer surrounded by the oil repellent pattern on the substrate Including a resin application step of dropping and applying in the region, the width of the oil-repellent pattern is W, the application amount of the resin material in the resin application step is V, and the variation in the application amount is ΔV When W and V are the actual application amount of the resin material is V−ΔV, the resin material rides on the oil-repellent pattern, and the actual application amount of the resin material is V + ΔV. The resin material is the oil repellent pattern. Therefore, when the coating amount of the resin material that seals the light emitting element varies, the variation in the thickness of the resin layer can be suppressed. It is possible to prevent the occurrence of unevenness in the degree.
<第1実施形態>
本発明に係る発光装置の製造方法の一実施形態について、以下に詳細に説明する。
<First Embodiment>
An embodiment of a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention will be described in detail below.
本実施形態に係るLEDパッケージ(発光装置)10の製造方法によって製造されるLEDパッケージ10は、インターポーザ配線基板1にマトリクス状に配置されている。このLEDパッケージ10は、照明器具、液晶テレビ等の表示装置に用いるバックライト、このバックライトとして用いられるエッジライトまたは直下型方式の面光源などに使用される、白色LEDパッケージである。
The
〔LEDパッケージ10〕
まず、本実施形態に係るLEDパッケージ10の製造方法によって製造されたLEDパッケージ10の構成について、図1の(a)〜(b)を参照して説明する。図1の(a)〜(b)は、本発明の一実施形態に係る製造方法によって製造されたLEDパッケージの構成を示す図であり、図1の(a)はLEDパッケージの断面図であり、図1の(b)はLEDパッケージの平面図である。なお、LEDパッケージ10は、インターポーザ配線基板1にマトリクス状に配置されており、図1の(a)〜(b)には、インターポーザ配線基板1のうち、1つのLEDパッケージ10が配置されている部分のみ示す。
[LED package 10]
First, the configuration of the
LEDパッケージ10は、インターポーザ配線基板(基板)1と、撥油パターン2と、LED素子(発光素子)3と、ワイヤ4と、モールド樹脂層(樹脂層)5と、レンズ7とを備えている。
The
インターポーザ配線基板1は、複数のLEDパッケージ10がマトリクス状に配置された基板であり、LEDパッケージ10毎にp電極8とn電極9とを備えている。
The
インターポーザ配線基板1は、親油性を有する基板であることが好ましい。これにより、後述するモールド樹脂塗布工程において、モールド樹脂材料(樹脂材料)15を、滴下された位置から略同心円状に効率よく広げさせることができる。インターポーザ配線基板1としては、例えばセラミックス基板等を用いることができる。
The
撥油パターン2とは、撥油性材料により形成されたパターンであり、インターポーザ配線基板1上に、LED素子3とワイヤ4を含む実装部材とを囲む内周2aおよび外周2bに挟まれた帯状のパターンである。撥油パターン2は、モールド樹脂層5を形成するためのモールド樹脂材料15の広がりを抑制するためのパターンである。
The
なお、撥油パターン2は、少なくともインターポーザ配線基板1の表面よりモールド樹脂材料15に対する接触角(撥液性)が大きいことが好ましい。これにより、後述するモールド樹脂塗布工程において、モールド樹脂材料15が撥油パターン2より外側に広がらないように、モールド樹脂材料15の広がりを留めることが容易となる。
The
本実施形態において、内周2aおよび外周2bは、図1の(b)に示すように、インターポーザ配線基板1の表面と平行であって直径の大きさが異なる2つの同心円であり、撥油パターン2は円環状となっている。
In the present embodiment, the
撥油パターン2の幅、すなわち内周2aと外周2bとの間の距離は、後述する方法によって所定の長さに設定される。本実施形態においては、内周2aと外周2bとの距離は、内周2aの直径と外周2bの直径との差の1/2となる。
The width of the oil-
なお、内周2aおよび外周2bは、本実施形態のような円に限らず、LED素子3を囲むことが可能な形状、例えば四角形など多角形であってもよいが、円であることが好ましい。
The
すなわち、撥油パターン2の形状は、円環状であることが好ましい。撥油パターン2が円環状であれば、後述するモールド樹脂塗布工程においてモールド樹脂材料15を撥油パターン2に囲まれた領域の略中心に滴下することにより、広がっていくモールド樹脂材料15を撥油パターン2上に均等に到達させることができる。なお、内周と外周とは、それぞれ異なる形状であってもよい。
That is, the shape of the
また、撥油パターン2は、インターポーザ配線基板1上において、少なくともLED素子3およびワイヤ4が設けられた領域と、LEDパッケージ10の周縁部とを除く領域に形成されればよい。
The oil-
撥油パターン2に用いる撥油性材料としては、例えば公知の撥油性のコーティング剤などを用いることができ、具体例としては、マーベルコート(菱光化学社製、型番:RFH−05X)等が挙げられる。
As the oil repellent material used for the
LED素子3は、LEDパッケージ10毎に、インターポーザ配線基板1上の撥油パターン2に囲まれた領域内に設けられている発光素子である。LED素子3は、撥油パターン2に囲まれた領域の中心近傍に設けられることが好ましい。LED素子3としては、例えば青色LED素子等が挙げられる。
The
ワイヤ4は、LED素子3と、インターポーザ配線基板1上のp電極8およびn電極9とを、電気的に、かつ機械的に接続するための実装部材の1つである。
The
モールド樹脂層5は、LED素子3を封止する樹脂層であり、LED素子3からの光の波長を変換させるための蛍光体(波長変換部材)6を含有する。モールド樹脂層5は、LED素子3上に、蛍光体6を含むモールド樹脂材料15が塗布されて形成される。また、モールド樹脂層5は、撥油パターン2を少なくとも一部覆っていることが好ましい。
The mold resin layer 5 is a resin layer for sealing the
モールド樹脂材料15を構成するモールド樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられる。シリコーン系樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂等が挙げられる。
Examples of the mold resin constituting the
蛍光体6としては、例えば黄色蛍光体、赤色蛍光体、緑色蛍光体等が挙げられる。
Examples of the
レンズ7は、略半球状であり、モールド樹脂層5上に形成されている。
The
LEDパッケージ10は、上述した構成によって、例えば青色のLED素子3と、黄色、赤色または緑色蛍光体を含むモールド樹脂層5との組み合わせにより、白色に発光するLEDを構成することができる。
The
〔LEDパッケージ10の製造方法〕
本実施形態に係るLEDパッケージ10の製造方法について、図2の(a)〜(g)を参照して説明する。図2の(a)〜(g)は、本発明の一実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を説明するための図である。
[Manufacturing Method of LED Package 10]
A method for manufacturing the
LEDパッケージ10の製造方法は、撥油パターン形成工程と、ダイボンド工程と、ワイヤボンディング工程と、モールド樹脂塗布工程(樹脂塗布工程)と、蛍光体沈降工程と、モールド樹脂硬化工程(樹脂硬化工程)と、レンズ形成工程とを含む。まず、それぞれの工程について説明する。
The manufacturing method of the
(1.撥油パターン形成工程)
撥油パターン形成工程では、図2(a)に示すように、インターポーザ配線基板1上に撥油性材料を塗布して成膜することによって、撥油パターン2を形成する。例えばインターポーザ配線基板1上に撥油性材料を印刷することにより撥油パターン2を形成してもよい。なお、ここでは、内周2aと外周2bとの距離が、後述する方法によって設定された所定の長さとなるように、撥油パターン2を形成する。
(1. Oil repellent pattern forming step)
In the oil repellent pattern forming step, as shown in FIG. 2A, the
(2.ダイボンド工程)
ダイボンド工程では、図2(b)に示すように、インターポーザ配線基板1上の撥油パターン2に囲まれた領域内に、LED素子3を機械的に接続する。
(2. Die bonding process)
In the die bonding process, as shown in FIG. 2B, the
(3.ワイヤボンディング工程)
ワイヤボンディング工程では、図2(c)に示すように、ダイボンド工程においてダイボンドされたLED素子3の電極とインターポーザ配線基板1の電極(p電極8およびn電極9)とを、ワイヤ4により電気的に接続する。
(3. Wire bonding process)
In the wire bonding step, as shown in FIG. 2C, the electrode of the
(4.モールド樹脂塗布工程(樹脂塗布工程))
モールド樹脂塗布工程では、図2(d)に示すように、モールド樹脂材料15を、インターポーザ配線基板1上の撥油パターン2に囲まれた領域の略中心に滴下して、モールド樹脂材料15が、その自重および流動性によって滴下した位置からインターポーザ配線基板1の表面を略同心円状に広がっていくことによって塗布する。広がったモールド樹脂材料15は、撥油パターン2の内周2aに到達した後撥油パターン2上に乗り上げる。また、モールド樹脂材料15は、その表面張力によって山状となり、その結果、LED素子3およびワイヤ4を覆う。
(4. Mold resin application process (resin application process))
In the mold resin application step, as shown in FIG. 2D, the
モールド樹脂材料15は、撥油パターン2に囲まれた領域の略中心に滴下されることにより、いずれの方向においても均等に撥油パターン2の内周2aに到達することができる。
The
なお、モールド樹脂材料15は、少なくとも撥油パターン2上に乗り上げるとともに、撥油パターン2より外側に広がらないことが好ましい。すなわち、モールド樹脂材料15は、撥油パターン2の内周2aより外側であって、外周2bよりも内側まで広がることが好ましい。
The
モールド樹脂材料15を塗布する量(塗布量)は、後述する方法によって所定の量に設定される。ここで、「モールド樹脂材料15の塗布量」とは、1つのLEDパッケージ10に塗布するよう設定されたモールド樹脂材料15の量であって、実際に塗布された量と一致していてもよいし、一致していなくてもよい。
The amount (application amount) for applying the
モールド樹脂塗布工程において用いる温度は、モールド樹脂材料15が硬化しない温度であることが好ましく、例えば室温であってもよい。
The temperature used in the mold resin application step is preferably a temperature at which the
(5.蛍光体沈降工程)
蛍光体沈降工程では、図2(e)に示すように、モールド樹脂材料15に含まれる蛍光体を沈降させる。
(5. Phosphor sedimentation step)
In the phosphor sedimentation step, the phosphor contained in the
(6.モールド樹脂硬化工程(樹脂硬化工程))
モールド樹脂硬化工程では、図2(f)に示すように、モールド樹脂塗布工程において塗布したモールド樹脂材料15を硬化させ、モールド樹脂層5を形成させる。例えば、加熱等により温度を上昇させることによって、モールド樹脂材料15を硬化させることができる。
(6. Mold resin curing process (resin curing process))
In the mold resin curing step, as shown in FIG. 2 (f), the
(7.レンズ形成工程)
レンズ形成工程では、図2(g)に示すように、モールド樹脂層5を覆うようにレンズ7を形成させる。レンズ7は、モールド樹脂層5を含み、かつ、撥油パターン2より外側のインターポーザ配線基板1上の領域を含む範囲において形成される。例えば、レンズ7は、略半球状の部材であって、これをモールド樹脂層5上に接着させることによって形成してもよいし、レンズ7の材料となる樹脂をモールド樹脂層5上に略半球状に成形させることによって形成してもよい。
(7. Lens formation process)
In the lens forming step, the
レンズ形成工程の一例について、図5の(a)〜(d)を参照して説明する。図5の(a)〜(d)は、本発明の一実施形態におけるレンズ形成工程の一例を説明するための図である。なお、ここでは、レンズ7を金型成型する方法について説明する。
An example of the lens forming process will be described with reference to FIGS. FIGS. 5A to 5D are views for explaining an example of a lens forming process in one embodiment of the present invention. Here, a method of molding the
まず、図5の(a)に示すように、まず金型101を、レンズ7に用いる樹脂17を硬化させるための温度に過熱する。次いで、図5の(b)に示すように、金型101上に樹脂17を乗せ、各LEDパッケージ10にモールド樹脂層5を形成したインターポーザ配線基板1と接着させ、加圧する。さらに、図5の(c)に示すように、そのまま加熱および加圧を続けて、樹脂17を硬化させ、図15の(d)に示すようにレンズ7を形成させる。
First, as shown in FIG. 5A, first, the
〔撥油パターン2の幅W、およびモールド樹脂材料15の塗布量Vの設定方法〕
次に、撥油パターン2の幅W、およびモールド樹脂材料15の塗布量Vを設定する方法について説明する。
[Method for setting width W of
Next, a method for setting the width W of the
樹脂塗布工程において塗布するモールド樹脂材料15の塗布量がVのときのばらつきをΔVとする。このとき、WおよびVは、モールド樹脂材料15の実際の塗布量が最小塗布量Vmin(すなわち、V−ΔV)の場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げており、かつ、モールド樹脂材料15の実際の塗布量が最大塗布量Vmax(すなわち、V+ΔV)の場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン2の外周2bより外側に広がらないように設定される。
The variation when the application amount of the
モールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げるとは、いずれの方向においてもモールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げていることをさす。本実施形態においては、内周2aは円であり、モールド樹脂材料15は同心円状に広がるため、モールド樹脂材料15が内周2aの略中心に滴下された場合には、いずれの方向においても略同時に内周2aに到達して乗り上げる。
The fact that the
また、WおよびVは、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV−ΔVの場合に初めてモールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げ、かつ、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV+ΔVを超えた場合に初めてモールド樹脂材料15が撥油パターン2の外周2bより外側に広がるように設定されることが好ましい。これにより、内周2aと外周2bとの距離を最小限にすることができる。
W and V indicate that the
ここで、モールド樹脂材料15の塗布量のばらつき(ΔV)とは、モールド樹脂材料15を塗布するために用いる装置、器具、方法等によって生じる塗布量の誤差の最大値であり、これらの装置、器具、方法等によって異なっていてもよい。このばらつきは、予め測定することにより得ることができる。なお、ばらつきは、設定された塗布量と実際の塗布量との差で表されてもよいし、塗布量に対する割合(%)で表されてもよい。
Here, the variation (ΔV) in the application amount of the
「モールド樹脂材料の実際の塗布量」とは、実際に塗布されたモールド樹脂材料の量であり、設定された塗布量Vに、生じた誤差が加算または減算された値である。 The “actual application amount of the mold resin material” is the amount of the mold resin material actually applied, and is a value obtained by adding or subtracting the generated error to the set application amount V.
撥油パターン2の内周2aの直径(内径)をD1とし、外周2bの直径(外径)をD2とすると、撥油パターン2の幅Wは、下記式(1)
W=(D2−D1)/2 ・・・(1)
で表される。すなわち、本実施形態では、Wは、D1およびD2を設定することによって自動的に設定される。
When the diameter (inner diameter) of the
W = (D2-D1) / 2 (1)
It is represented by That is, in this embodiment, W is automatically set by setting D1 and D2.
D1は、モールド樹脂塗布工程において、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV−ΔVの場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げているように設定される。また、D1は、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV−ΔVの場合に初めてモールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げるように設定されることが好ましい。なお、D1は、少なくとも内周2aがLED素子3およびワイヤ4よりも外側となるように設定される。
D1 is set so that the
D2は、モールド樹脂塗布工程において、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV+ΔVの場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン2の外周2bより外側に広がらないように設定される。また、D2は、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV+ΔVを超えた場合に初めてモールド樹脂材料15が撥油パターン2の外周2bより外側に広がるように設定されることが好ましい。
D2 is set so that the
これにより、モールド樹脂材料15の塗布量のばらつきが大きい場合に、モールド樹脂材料15を、撥油パターン2上に乗り上げさせることができるとともに、撥油パターン2より外側に流れ出さないようにすることができる。すなわち、モールド樹脂材料15を撥油パターン2上に留めておくことができる。
As a result, when the variation in the application amount of the
また、モールド樹脂塗布工程におけるインターポーザ配線基板1のモールド樹脂材料15に対する接触角をθ1とし、モールド樹脂塗布工程における撥油パターン2のモールド樹脂材料15に対する接触角をθ2とし、モールド樹脂硬化工程における撥油パターン2のモールド樹脂材料15に対する接触角をθ3とする。このとき、D1およびD2は、下記式(2)〜(5)を満足するように設定されることが好ましい。
In addition, the contact angle of the
上述した構成であれば、モールド樹脂材料15が、モールド樹脂硬化工程において温度を上昇させることにより粘度が低下するものである場合、撥油パターン2が、これに用いる撥油性材料の種類によって、温度を上昇させることによりモールド樹脂材料15に対する接触角が小さくなるものである場合に、モールド樹脂材料15を撥油パターン2上に留めておくことができる。
With the configuration described above, when the
すなわち、モールド樹脂硬化工程において温度を上昇させた際に、撥油パターン2におけるモールド樹脂材料15に対する接触角が小さくなり、モールド樹脂材料15がより外側に広がる場合に、モールド樹脂材料15を撥油パターン2上に留めておくことができる。つまり、モールド樹脂材料15の最小塗布量がV1以上であれば、少なくともモールド樹脂硬化工程において、モールド樹脂材料15を撥油パターン2上に乗り上げさせることができる。また、モールド樹脂材料15の最大塗布量がV2以下であれば、モールド樹脂硬化工程において温度が上昇することによってモールド樹脂材料15がより広がった場合に、モールド樹脂材料15を撥油パターン2上に留めておくことができる。
That is, when the temperature is raised in the mold resin curing step, when the contact angle with the
以下、モールド樹脂塗布工程において用いる温度をT1とし、モールド樹脂硬化工程においてモールド樹脂材料15を硬化させる反応開始温度をT2とする。
Hereinafter, the temperature used in the mold resin application step is T1, and the reaction start temperature for curing the
ここで、インターポーザ配線基板1および撥油パターン2のモールド樹脂材料15に対する接触角の例について、図3の(a)〜(c)に示す。図3の(a)は、T1におけるインターポーザ配線基板1のモールド樹脂材料15に対する接触角θ1の例を示す図である。図3の(b)は、T1における撥油パターン2のモールド樹脂材料15に対する接触角θ2の例を示す図である。図3の(c)は、T2における撥油パターン2のモールド樹脂材料15に対する接触角θ3の例を示す図である。
Here, examples of contact angles of the
なお、接触角θ1、θ2およびθ3は、予めT1およびT2において実験的に測定することにより得ることができる。 The contact angles θ1, θ2, and θ3 can be obtained by experimental measurement in advance at T1 and T2.
また、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がVmaxのときの、モールド樹脂硬化工程(例えば、撥油パターン2上におけるモールド樹脂材料15に対する接触角がθ3)におけるモールド樹脂材料15(硬化後であれば、モールド樹脂層5)の、撥油パターン2が形成されたインターポーザ配線基板1上における直径をDmaxとする。また、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がVminのときの、モールド樹脂硬化工程におけるモールド樹脂材料15(硬化後であれば、モールド樹脂層5)の、撥油パターン2が形成されたインターポーザ配線基板1上における直径をDminとする。このとき、D1およびD2は、下記式(6)〜(8)を満足するように設定されることが好ましい。
D1≦Dmin ・・・(6)
D2≧Dmax ・・・(7)
W≧(Dmax−Dmin)/2 ・・・(8)。
Further, when the actual application amount of the
D1 ≦ Dmin (6)
D2 ≧ Dmax (7)
W ≧ (Dmax−Dmin) / 2 (8).
上述した構成であれば、モールド樹脂硬化工程において、モールド樹脂材料15の濡れ広がりを撥油パターン2上に留めることができる。
If it is the structure mentioned above, the wetting spread of the
また、モールド樹脂材料15の塗布量Vは、モールド樹脂塗布工程において、この塗布量Vにてモールド樹脂材料15を塗布した場合におけるインターポーザ配線基板1のモールド樹脂材料15に対する接触角θ4が、下記式(9)を満足するように設定されることが好ましい。
θ1≦θ4≦θ2 ・・・(9)。
Further, the application amount V of the
θ1 ≦ θ4 ≦ θ2 (9).
上述した構成であれば、接触角θ2となるまでモールド樹脂材料15を塗布することが可能な撥油パターン2に対して、樹脂塗布工程におけるモールド樹脂材料15の樹脂量Vは、接触角θ4(θ1≦θ4≦θ2)となるように設定される。そのため、接触角θ2となるように樹脂量Vを設定した場合に比べ、モールド樹脂塗布工程終了後の基板を搬送する時の揺れ等によるモールド樹脂材料の溢れ等を防止することができる。
If it is the structure mentioned above, with respect to the oil-
以上の構成により得られる本実施形態の効果について、図4を参照して説明する。図4は、本発明に係る発光装置の製造方法を説明するための模式図である。なお、図4では、インターポーザ配線基板1が備えるp電極8とn電極9とは省略されている。
The effect of this embodiment obtained by the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic view for explaining the method for manufacturing the light emitting device according to the present invention. In FIG. 4, the
モールド樹脂塗布工程において、例えばディスペンサーなどを用いてモールド樹脂材料15を塗布する場合には、モールド樹脂材料15の塗布量のばらつきが大きくなってしまうおそれがある。ここで、従来の方法では、モールド樹脂材料15が撥油パターン2まで到達しなかったり、到達したとしても撥油パターン2上に乗り上げなかったり、撥油パターン2より外側に広がってしまったりする問題を生じる。また、モールド樹脂材料15が塗布される領域が一定である場合には、塗布量のばらつきにより、モールド樹脂層5の膜厚のばらつきが大きくなってしまうという問題を生じる。
In the mold resin application process, for example, when the
本実施形態においては、上述したように撥油パターン2の幅及びモールド樹脂材料15の塗布量を設定する。したがって、モールド樹脂塗布工程において塗布されるモールド樹脂材料15は、撥油パターン2上に乗り上げるとともに、外周2bより外側には広がらない。すなわち、本実施形態においては、図4に示すように、モールド樹脂材料15を撥油パターン2上に乗り上げさせ、かつ留めておくことができる。
In the present embodiment, as described above, the width of the
したがって、本実施形態においては、ばらつきによって塗布量が増加した場合に、モールド樹脂材料15が撥油パターン2上において広がる余地があるため、LED素子3とモールド樹脂材料15の表面(硬化後であれば、モールド樹脂層5の表面)との距離dのばらつきを抑えることができる。また、ばらつきによって塗布量が変化した場合に、モールド樹脂層5における蛍光体6量の分布変化に対する影響を低減させることができる。よって、形成されたモールド樹脂層5の厚さのばらつきおよび蛍光体6量の分布変化を抑えることができるため、光の輝度、色度等にムラが発生することを防止できる。
Therefore, in the present embodiment, when the coating amount increases due to variation, there is room for the
また、本実施形態においては、モールド樹脂材料15が撥油パターン2上に乗り上げ、かつ撥油パターン2の外周2bより外側に広がらないため、モールド樹脂層5の形状を安定化することができ、LEDパッケージ10の生産歩留まりの低下を防ぐことが可能となる。
In this embodiment, since the
また、本実施形態に係る製造方法を用いれば、モールド樹脂材料15の広がりを留めておける内周2aと外周2bとの距離を最小限にすることができるため、最低限の幅の撥油パターン2を形成させることができる。よって、モールド樹脂層5を形成した後に、その外側に撥油パターン2が大きくはみ出すことがない。そのため、レンズ形成工程において、レンズ7に用いる部材をインターポーザ配線基板1上に高い強度にて接着させること、またはレンズ7の材料となる樹脂をインターポーザ配線基板1上に高い密着力にて成型させることができる。
In addition, if the manufacturing method according to the present embodiment is used, the distance between the
したがって、レンズ形成工程の後にLEDパッケージ10を梱包する工程、LEDパッケージ10をモジュール化する工程などにおいて、レンズ7が剥離する等の問題を防止することが可能となる。また、製造されるLEDパッケージ10は、レンズ7とインターポーザ配線基板1との接着性が高いことにより、外部からの応力、水分浸透等に対する耐性が高いため、信頼性の低下を防止でき、安定的にその後の各工程を行なうことができる。
Therefore, it is possible to prevent problems such as separation of the
<第2実施形態>
次に、本発明の他の実施形態について、図6の(a)〜(e)を参照して説明する。図6の(a)〜(e)は、本発明の他の実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を説明するための平面図を示し、特にモールド樹脂塗布工程における過程を示す。
<Second Embodiment>
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIGS. 6A to 6E are plan views for explaining a method for manufacturing an LED package according to another embodiment of the present invention, and particularly show a process in a mold resin coating process.
本実施形態に係る製造方法により製造されるLEDパッケージ20は、図6の(a)〜(e)に示すように、撥油パターン22が四角形状であり、大きさの異なる2つの正方形の内周22aおよび外周22bに挟まれた帯状のパターンである点が、第1実施形態と異なる点である。それ以外の点については、第1実施形態と同様に構成されている。説明の便宜上、第1実施形態にかかる構成要素と同様の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。本実施形態では、主に、第1の実施形態との相違点について説明するものとする。
As shown in FIGS. 6A to 6E, the
LEDパッケージ20では、LED素子(図示せず)は、インターポーザ配線基板1上の撥油パターン22に囲まれた領域内に設けられている。
In the
本実施形態の製造方法におけるモールド樹脂塗布工程では、まず、図6の(a)に示すように、モールド樹脂材料15を、撥油パターン22に囲まれた領域の中心に滴下する。モールド樹脂材料15は、滴下された位置からインターポーザ配線基板1の表面を略同心円状に広がり、図6の(b)に示すように、撥油パターン22の内周22aを構成する4つの辺の中央にそれぞれ到達する。その後、モールド樹脂材料15は、図6の(c)に示すように、撥油パターン22に囲まれた領域の四隅に到達し、すなわち撥油パターン22の内周22a全体に到達する。
In the molding resin application step in the manufacturing method of the present embodiment, first, as shown in FIG. 6A, the
モールド樹脂材料15がさらに塗布されると、図6の(d)に示すように、撥油パターン22の内周22aを構成する4つの辺の略中央から撥油パターン22上に乗り上げる。その後、モールド樹脂材料15は、さらに略同心円状に広がり、撥油パターン22の外周22bを構成する4つの辺に到達する。
When the
本実施形態において、撥油パターン22の幅、すなわち内周22aと外周22bとの距離Wは、内周22aの一辺の長さと外周22bの一辺の長さとの差の1/2となる。
In the present embodiment, the width of the
ここで、モールド樹脂塗布工程におけるモールド樹脂材料15の塗布量をVとし、モールド樹脂材料15の塗布量のばらつきΔVとする。WおよびVは、モールド樹脂材料15の実際の塗布量が最小塗布量Vmin(すなわち、V−ΔV)の場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン22上に乗り上げており、かつ、モールド樹脂材料15の実際の塗布量が最大塗布量Vmax(すなわち、V+ΔV)の場合にモールド樹脂材料15が撥油パターン22の外周22bより外側に広がらないように設定される。
Here, it is assumed that the application amount of the
また、WおよびVは、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV−ΔVの場合に初めてモールド樹脂材料15が撥油パターン22上に乗り上げ、かつ、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がV+ΔVを超えた場合に初めてモールド樹脂材料15が撥油パターン22の外周22bより外側に広がるように設定されることが好ましい。これにより、内周22aと外周22bとの距離を最小限にすることができる。
W and V indicate that the
すなわち、本実施形態に係る製造方法では、モールド樹脂塗布工程において、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がVminのとき、図6の(d)となることが好ましく、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がVmaxのとき、図6の(e)となることが好ましい。
That is, in the manufacturing method according to the present embodiment, when the actual application amount of the
ここで、従来の方法の場合には、Wが上述したように設定されていないため、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がばらついた場合に、撥油パターン22の内周22aに到達しなかったり、到達したとしても撥油パターン22上に乗り上げなかったり、外周22bから外側に広がったりする。図9の(a)〜(b)は、従来の方法によりモールド樹脂材料を塗布した場合の例を示す図である。従来の方法では、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がばらついて増えた場合には、図9の(a)〜(b)に示すように、モールド樹脂材料15は撥油パターン22の外側に流れ出してしまうこととなる。
Here, in the case of the conventional method, since W is not set as described above, when the actual application amount of the
しかし、本実施形態であれば、モールド樹脂材料15の塗布量のばらつきが大きい場合に、モールド樹脂材料15を、撥油パターン22上に乗り上げさせることができるとともに、外周22bより外側に流れ出さないようにすることができる。すなわち、モールド樹脂材料15を撥油パターン22上に留めておくことができる。
However, according to the present embodiment, when there is a large variation in the amount of application of the
なお、本実施形態では、モールド樹脂材料15の実際の塗布量がVmaxのときに、撥油パターン22の外側の四隅にはモールド樹脂材料15が到達しないこととなる。そのため、第1実施形態と比較すると、モールド樹脂層5の外側に撥油パターン22が大きくはみ出し、その後のレンズ形成工程においてレンズ7を形成する際に、レンズ7とインターポーザ配線基板1との密着性が低下するおそれがある。したがって、本発明によって形成される撥油パターンの形状は、第1実施形態のような円環状であることが好ましい。
In the present embodiment, when the actual application amount of the
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
〔実施例1〕
本発明の一実施例について説明する。本実施例では、図1の(a)〜(b)に示すLEDパッケージ10と同じ構成のLEDパッケージを、第1実施形態に係る製造方法によって作製し、モールド樹脂層5の膜厚を測定した。なお、モールド樹脂塗布工程におけるモールド樹脂材料の塗布量を、第1実施形態に記載した設定方法を用いて0.728μLに設定した。すなわち、モールド樹脂材料の濡れ広がりが撥油パターン2上で留まるように設定した。塗布量のばらつきは、±5%であった。
[Example 1]
An embodiment of the present invention will be described. In this example, an LED package having the same configuration as the
この結果を図7に示す。図7は、本発明の一実施例において製造したLEDパッケージのモールド樹脂層の膜厚を示すグラフである。 The result is shown in FIG. FIG. 7 is a graph showing the film thickness of the mold resin layer of the LED package manufactured in one example of the present invention.
本実施例では、モールド樹脂材料が撥油パターン2上に乗り上げるため、モールド樹脂材料の塗布量のばらつきによって塗布量が変化した場合、モールド樹脂層5の直径(φ)が変化した。このとき、モールド樹脂層5の高さ(膜厚)のばらつきは±1.9%であった。
In this example, since the mold resin material runs on the oil-
〔比較例1〕
本発明の比較例について説明する。本比較例では、モールド樹脂塗布工程におけるモールド樹脂材料の塗布量を、モールド樹脂材料が撥油パターン2の内周に到達するが、撥油パターン2上に乗り上げない量である、0.639μLに設定した。塗布量のばらつきは、±5%であった。
[Comparative Example 1]
A comparative example of the present invention will be described. In this comparative example, the application amount of the mold resin material in the mold resin application process is 0.639 μL, which is the amount that the mold resin material reaches the inner periphery of the
この結果を図8に示す。図8は、本発明の比較例において製造したLEDパッケージのモールド樹脂層の膜厚を示すグラフである。 The result is shown in FIG. FIG. 8 is a graph showing the film thickness of the mold resin layer of the LED package manufactured in the comparative example of the present invention.
本比較例では、モールド樹脂材料の塗布量のばらつきによって塗布量が変化した場合、モールド樹脂層5の直径(φ)は一定であった。一方、モールド樹脂層5の高さ(膜厚)のばらつきは±4.8%であり、実施例1と比較するとばらつきが大きいことが示された。 In this comparative example, when the coating amount changed due to the variation in the coating amount of the mold resin material, the diameter (φ) of the mold resin layer 5 was constant. On the other hand, the variation in the height (film thickness) of the mold resin layer 5 is ± 4.8%, which indicates that the variation is larger than that in Example 1.
〔比較結果〕
以上の結果から、本発明によれば、樹脂層の厚さのばらつきを抑えることができることが示された。
〔Comparison result〕
From the above results, it was shown that the variation in the thickness of the resin layer can be suppressed according to the present invention.
本発明は、光の輝度、色度等にムラが発生することを防止できるので、照明器具、液晶テレビ等の表示装置に用いるバックライトなどに好適に利用することができる。 Since the present invention can prevent unevenness in the luminance, chromaticity, etc. of light, it can be suitably used for backlights used in display devices such as lighting fixtures and liquid crystal televisions.
1 インターポーザ配線基板(基板)
2 撥油パターン
2a 内周
2b 外周
3 LED素子(発光素子)
5 モールド樹脂層(樹脂層)
6 蛍光体(波長変換部材)
10 LEDパッケージ(発光装置)
15 モールド樹脂材料(樹脂材料)
20 LEDパッケージ
22 撥油パターン
22a 内周
22b 外周
1 Interposer wiring board (board)
2
5 Mold resin layer (resin layer)
6 Phosphor (wavelength conversion member)
10 LED package (light emitting device)
15 Mold resin material (resin material)
20
Claims (7)
上記基板上に、上記発光素子を囲む帯状の撥油パターンを形成する撥油パターン形成工程と、
上記樹脂層を形成するための樹脂材料を上記基板上の上記撥油パターンに囲まれた領域内に滴下して塗布する、樹脂塗布工程とを含み、
上記撥油パターンの幅をWとし、上記樹脂塗布工程における上記樹脂材料の塗布量をVとし、当該塗布量のばらつきをΔVとしたとき、WおよびVは、上記樹脂材料の実際の塗布量がV−ΔVの場合に上記樹脂材料が上記撥油パターン上に乗り上げており、かつ、上記樹脂材料の実際の塗布量がV+ΔVの場合に上記樹脂材料が上記撥油パターンより外側に広がらないように設定されることを特徴とする発光装置の製造方法。 A method for manufacturing a light emitting device comprising a substrate, a light emitting element provided on the substrate, and a resin layer for sealing the light emitting element,
An oil repellent pattern forming step of forming a band-shaped oil repellent pattern surrounding the light emitting element on the substrate;
Including a resin coating step of dropping and applying a resin material for forming the resin layer in a region surrounded by the oil-repellent pattern on the substrate,
When the width of the oil repellent pattern is W, the application amount of the resin material in the resin application step is V, and the variation in the application amount is ΔV, W and V are the actual application amounts of the resin material. In the case of V−ΔV, the resin material runs on the oil repellent pattern, and when the actual application amount of the resin material is V + ΔV, the resin material does not spread outward from the oil repellent pattern. A method for manufacturing a light-emitting device, characterized by being set.
上記撥油パターンの内周の直径をD1とし、上記撥油パターンの外周の直径をD2とし、上記樹脂塗布工程に用いる温度における上記基板の上記樹脂材料に対する接触角をθ1とし、上記樹脂塗布工程に用いる温度における上記撥油パターンの上記樹脂材料に対する接触角をθ2とし、上記樹脂硬化工程に用いる温度における上記撥油パターンの上記樹脂材料に対する接触角をθ3とすると、WおよびVは、下記式(1)〜(5)を満足するように設定されることを特徴とする請求項3に記載の発光装置の製造方法。
The inner diameter of the oil-repellent pattern is D1, the outer diameter of the oil-repellent pattern is D2, and the contact angle of the substrate with the resin material at the temperature used in the resin application step is θ1, and the resin application step When the contact angle of the oil-repellent pattern with respect to the resin material at the temperature used in the above is θ2, and the contact angle of the oil-repellent pattern with respect to the resin material at the temperature used in the resin curing step is θ3, W and V 4. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 3, wherein the method is set so as to satisfy (1) to (5).
上記撥油パターンの内周の直径をD1とし、上記撥油パターンの外周の直径をD2とし、上記樹脂材料の実際の塗布量がV+ΔVのときの上記樹脂硬化工程における当該樹脂材料の直径をDmaxとし、上記樹脂材料の実際の塗布量がV−ΔVのときの上記樹脂硬化工程における当該樹脂材料の直径をDminとすると、WおよびVは、下記式(1)および(6)〜(8)を満足するように設定されることを特徴とする請求項3に記載の発光装置の製造方法。
W=(D2−D1)/2 ・・・(1)
D1≦Dmin ・・・(6)
D2≧Dmax ・・・(7)
W≧(Dmax−Dmin)/2 ・・・(8) Including a resin curing step of curing the resin material applied in the resin application step,
The diameter of the inner periphery of the oil repellent pattern is D1, the diameter of the outer periphery of the oil repellent pattern is D2, and the diameter of the resin material in the resin curing step when the actual application amount of the resin material is V + ΔV is Dmax. Assuming that the diameter of the resin material in the resin curing step when the actual application amount of the resin material is V−ΔV is Dmin, W and V are the following formulas (1) and (6) to (8): The method of manufacturing a light emitting device according to claim 3, wherein the light emitting device is set so as to satisfy the following.
W = (D2-D1) / 2 (1)
D1 ≦ Dmin (6)
D2 ≧ Dmax (7)
W ≧ (Dmax−Dmin) / 2 (8)
θ1≦θ4≦θ2 ・・・(9) V is characterized in that the contact angle θ4 of the substrate with respect to the resin material when the resin material is applied at V in the resin application step is set so as to satisfy the following formula (9). The manufacturing method of the light-emitting device of Claim 4.
θ1 ≦ θ4 ≦ θ2 (9)
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209417A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sharp Corp | Processing method and manufacturing method of wiring board, light emitting device and manufacturing method of the light emitting device, and electric apparatus |
JP2014127636A (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
CN104538388A (en) * | 2014-12-11 | 2015-04-22 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Packaging method of LED light source adjustable in color temperature |
JP2017518650A (en) * | 2014-06-06 | 2017-07-06 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | Manufacturing circuit assemblies with unpackaged semiconductor devices |
US10410905B1 (en) | 2018-05-12 | 2019-09-10 | Rohinni, LLC | Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices |
US10471545B2 (en) | 2016-11-23 | 2019-11-12 | Rohinni, LLC | Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices |
US10490532B2 (en) | 2015-03-20 | 2019-11-26 | Rohinni, LLC | Apparatus and method for direct transfer of semiconductor devices |
US10504767B2 (en) | 2016-11-23 | 2019-12-10 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
US20200147908A1 (en) * | 2015-03-13 | 2020-05-14 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
CN111446352A (en) * | 2020-03-23 | 2020-07-24 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | L ED display screen module manufacturing method |
US11069551B2 (en) | 2016-11-03 | 2021-07-20 | Rohinni, LLC | Method of dampening a force applied to an electrically-actuatable element |
US11094571B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-17 | Rohinni, LLC | Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS532078A (en) * | 1976-06-28 | 1978-01-10 | Citizen Watch Co Ltd | Sealing structure for semiconductor device |
JPH10144963A (en) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Led light source and its manufacture |
JP2002203926A (en) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Yamatake Corp | Part mounting method and part mounting board |
JP2002372921A (en) * | 1998-03-17 | 2002-12-26 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing display device |
JP2008258296A (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sony Corp | Light-emitting device and light source device |
JP2010003994A (en) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Sharp Corp | Lighting device, backlight device, and method of manufacturing lighting device |
JP2010114406A (en) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sony Corp | Lighting device, liquid-crystal display device, and lighting-device manufacturing method |
-
2010
- 2010-06-30 JP JP2010150288A patent/JP2012015318A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS532078A (en) * | 1976-06-28 | 1978-01-10 | Citizen Watch Co Ltd | Sealing structure for semiconductor device |
JPH10144963A (en) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Led light source and its manufacture |
JP2002372921A (en) * | 1998-03-17 | 2002-12-26 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing display device |
JP2002203926A (en) * | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Yamatake Corp | Part mounting method and part mounting board |
JP2008258296A (en) * | 2007-04-03 | 2008-10-23 | Sony Corp | Light-emitting device and light source device |
JP2010003994A (en) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Sharp Corp | Lighting device, backlight device, and method of manufacturing lighting device |
JP2010114406A (en) * | 2008-10-08 | 2010-05-20 | Sony Corp | Lighting device, liquid-crystal display device, and lighting-device manufacturing method |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012209417A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sharp Corp | Processing method and manufacturing method of wiring board, light emitting device and manufacturing method of the light emitting device, and electric apparatus |
JP2014127636A (en) * | 2012-12-27 | 2014-07-07 | Nichia Chem Ind Ltd | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
JP2017518650A (en) * | 2014-06-06 | 2017-07-06 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | Manufacturing circuit assemblies with unpackaged semiconductor devices |
CN104538388A (en) * | 2014-12-11 | 2015-04-22 | 佛山市国星光电股份有限公司 | Packaging method of LED light source adjustable in color temperature |
US10967588B2 (en) * | 2015-03-13 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US20200147908A1 (en) * | 2015-03-13 | 2020-05-14 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US10636770B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-04-28 | Rohinni, LLC | Apparatus and method for direct transfer of semiconductor devices from a substrate and stacking semiconductor devices on each other |
US10910354B2 (en) | 2015-03-20 | 2021-02-02 | Rohinni, LLC | Apparatus for direct transfer of semiconductor device die |
US10566319B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-02-18 | Rohinni, LLC | Apparatus for direct transfer of semiconductor device die |
US10615152B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-04-07 | Rohinni, LLC | Semiconductor device on glass substrate |
US10615153B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-04-07 | Rohinni, LLC | Apparatus for direct transfer of semiconductor device die |
US10622337B2 (en) | 2015-03-20 | 2020-04-14 | Rohinni, LLC | Method and apparatus for transfer of semiconductor devices |
US10490532B2 (en) | 2015-03-20 | 2019-11-26 | Rohinni, LLC | Apparatus and method for direct transfer of semiconductor devices |
US11562990B2 (en) | 2015-03-20 | 2023-01-24 | Rohinni, Inc. | Systems for direct transfer of semiconductor device die |
US11515293B2 (en) | 2015-03-20 | 2022-11-29 | Rohinni, LLC | Direct transfer of semiconductor devices from a substrate |
US11488940B2 (en) | 2015-03-20 | 2022-11-01 | Rohinni, Inc. | Method for transfer of semiconductor devices onto glass substrates |
US11152339B2 (en) | 2015-03-20 | 2021-10-19 | Rohinni, LLC | Method for improved transfer of semiconductor die |
US11069551B2 (en) | 2016-11-03 | 2021-07-20 | Rohinni, LLC | Method of dampening a force applied to an electrically-actuatable element |
US11462433B2 (en) | 2016-11-23 | 2022-10-04 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
US10504767B2 (en) | 2016-11-23 | 2019-12-10 | Rohinni, LLC | Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die |
US10471545B2 (en) | 2016-11-23 | 2019-11-12 | Rohinni, LLC | Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices |
US10410905B1 (en) | 2018-05-12 | 2019-09-10 | Rohinni, LLC | Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices |
US11094571B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-08-17 | Rohinni, LLC | Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment |
US11728195B2 (en) | 2018-09-28 | 2023-08-15 | Rohinni, Inc. | Apparatuses for executing a direct transfer of a semiconductor device die disposed on a first substrate to a second substrate |
CN111446352A (en) * | 2020-03-23 | 2020-07-24 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | L ED display screen module manufacturing method |
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