KR101867304B1 - Method of fabricating light emitting apparatus - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 77
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 77
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
본 발명의 일 측면은 반도체 발광소자가 장착된 기판을 상부 금형부에 배치하는 단계와, 제1 하부 금형부에 마련된 파장변환부 형성용 캐비티에 파장변환물질 함유 수지를 배치하는 단계와, 상기 파장변환물질 함유 수지 내에 상기 반도체 발광소자가 위치하도록 상기 반도체 발광소자를 상기 파장변환부 형성용 캐비티에 이동시키는 단계와, 상기 파장변환물질 함유 수지를 경화시켜 상기 반도체 발광소자를 둘러싼 파장변환부를 형성하는 단계와, 제2 하부 금형부에 마련된 수지포장부 형성용 캐비티를 이용한 압축성형공정으로 상기 파장변환부가 형성된 반도체 발광소자에 수지 포장부를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광장치 제조방법을 제공한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising the steps of: disposing a substrate on which a semiconductor light emitting device is mounted in an upper mold section; disposing a wavelength conversion material- containing resin in a cavity for forming a wavelength conversion section provided in a first lower mold section; Moving the semiconductor light emitting device to the cavity for forming the wavelength conversion portion so that the semiconductor light emitting device is positioned in the conversion material containing resin; and curing the wavelength conversion material containing resin to form a wavelength conversion portion surrounding the semiconductor light emitting device And a step of forming a resin packing portion in the semiconductor light emitting element in which the wavelength converting portion is formed by a compression molding process using a cavity for resin packing portion provided in the second lower mold portion.
Description
본 발명은 반도체 발광장치 제조방법에 관한 것으로서, 특히 형광체층과 같은 파장 변환부를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having a wavelength conversion portion such as a phosphor layer and a method of manufacturing the same.
발광 다이오드(Light Emitting Diode; 이하, 'LED'라고 함)는 전기에너지를 광에너지로 변환하는 반도체 소자로서, 에너지 밴드갭에 따른 특정한 파장의 빛을 내는 화합물 반도체로 구성되며, 광통신 및 모바일 디스플레이, 컴퓨터 모니터 등과 같은 디스플레이, LCD용 평면광원(Back Light Unit: BLU)에서부터 조명의 영역까지 그 사용이 확대되고 있는 추세이다.
2. Description of the Related Art A light emitting diode (hereinafter referred to as LED) is a semiconductor device that converts electrical energy into light energy. The semiconductor device is composed of a compound semiconductor that emits light of a specific wavelength according to an energy band gap. (LCD) backlight unit (BLU) to a lighting area.
통상적으로 발광 다이오드는 기판, 파장 변환부 등과 같은 다른 요소와 패키지된 반도체 발광장치로 사용되며, 이러한 반도체 발광장치의 제조과정에서 다양한 패키징 공정이 요구된다. 예를 들어, 형광체층과 같은 파장변환부를 형성하기 위해서, 기판에 실장된 각 칩 단위로 디스펜싱 공정 또는 스크린 프린팅공정이 적용될 수 있다. In general, a light emitting diode is used as a semiconductor light emitting device packaged with other elements such as a substrate, a wavelength conversion portion, and the like, and various packaging processes are required in the process of manufacturing such a semiconductor light emitting device. For example, in order to form a wavelength conversion portion such as a phosphor layer, a dispensing process or a screen printing process may be applied to each chip unit mounted on the substrate.
하지만, 이러한 공정은 개별 칩 단위로 적용되며, 형광체에 도포과정에서 상대적으로 긴 시간이 소요되므로, 형광체층의 두께를 일정하게 관리하기 어려우며, 이로 인해 색산포의 편차도 크다는 문제가 있다.
However, such a process is applied to individual chips, and since it takes a relatively long time to apply the phosphors to the phosphor, it is difficult to uniformly control the thickness of the phosphor layer, which causes a problem of large dispersion of color scattering.
당 기술분야에서는 형광체층과 같은 파장변환부를 간소한 공정을 통해서 형성하면서도 색산포와 같은 특성을 개선할 수 있는 새로운 반도체 발광장치 제조방법과 이를 이용한 반도체 발광장치가 요구되고 있다.
There is a need for a new method of manufacturing a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting device using the same that can improve characteristics such as color scattering while forming a wavelength conversion portion such as a phosphor layer through a simple process.
본 발명의 일 측면은 반도체 발광소자가 장착된 기판을 상부 금형부에 배치하는 단계와, 제1 하부 금형부에 마련된 파장변환부 형성용 캐비티에 파장변환물질 함유 수지를 배치하는 단계와, 상기 파장변환물질 함유 수지 내에 상기 반도체 발광소자가 위치하도록 상기 반도체 발광소자를 상기 파장변환부 형성용 캐비티에 이동시키는 단계와, 상기 파장변환물질 함유 수지를 경화시켜 상기 반도체 발광소자를 둘러싼 파장변환부를 형성하는 단계와, 제2 하부 금형부에 마련된 수지포장부 형성용 캐비티를 이용한 압축성형공정으로 상기 파장변환부가 형성된 반도체 발광소자에 수지 포장부를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광장치 제조방법을 제공한다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, the method comprising the steps of: disposing a substrate on which a semiconductor light emitting device is mounted in an upper mold section; disposing a wavelength conversion material- containing resin in a cavity for forming a wavelength conversion section provided in a first lower mold section; Moving the semiconductor light emitting device to the cavity for forming the wavelength conversion portion so that the semiconductor light emitting device is positioned in the conversion material containing resin; and curing the wavelength conversion material containing resin to form a wavelength conversion portion surrounding the semiconductor light emitting device And a step of forming a resin packing portion in the semiconductor light emitting element in which the wavelength converting portion is formed by a compression molding process using a cavity for resin packing portion provided in the second lower mold portion.
상기 파장변환부 형성용 캐비티에 배치되는 파장변환물질 함유 수지는 반경화상태의 형광체 함유 수지이며, 상기 파장변환부를 형성하는 단계는 상기 반경화상태의 형광체 함유 수지를 완전 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.Wherein the wavelength converting material-containing resin disposed in the wavelength converting portion forming cavity is a semi-cured fluorescent material containing resin, and the step of forming the wavelength converting portion may include completely curing the fluorescent material containing resin in the semi-cured state have.
상기 파장변환물질 함유 수지를 배치하는 단계 전에, 상기 파장변환부 형성용 캐비티에 이형 필름을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
The step of disposing the wavelength conversion material-containing resin may further include disposing a release film on the cavity for forming the wavelength conversion portion.
상기 수지포장부 형성용 캐비티는 렌즈 구조에 대응되는 형상을 갖는 오목부를 가질 수 있다.The cavity for forming the resin package portion may have a concave portion having a shape corresponding to the lens structure.
이 경우에, 상기 기판 상에 형성된 반도체 발광소자는 복수의 반도체 발광소자이며, 상기 오목부는 상기 복수의 반도체 발광소자에 대응되는 위치에 제공될 수 있다.In this case, the semiconductor light emitting device formed on the substrate may be a plurality of semiconductor light emitting devices, and the recesses may be provided at positions corresponding to the plurality of semiconductor light emitting devices.
상기 수지 포장부를 형성하는 단계는, 상기 수지포장부 형성용 캐비티에 이형 필름을 배치하는 단계와, 상기 수지포장부 형성용 캐비티에 상기 수지포장부를 위한 액상 수지를 주입하는 단계와, 상기 액상 수지 내에 상기 파장 변환부가 형성된 반도체 발광소자가 위치하도록 상기 반도체 발광소자를 상기 수지포장부 형성용 캐비티에 이동시키는 단계와, 상기 액상 수지를 경화시켜 상기 파장변환부 상에 수지포장부를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Wherein the step of forming the resin packaging portion comprises the steps of: placing a release film on the cavity for forming the resin packaging portion; injecting a liquid resin for the resin packaging portion into the resin packaging portion formation cavity; Moving the semiconductor light emitting device to the cavity for forming the resin packing portion so that the semiconductor light emitting element having the wavelength converter is located; and curing the liquid resin to form the resin packing portion on the wavelength converting portion .
상기 기판 상에 형성된 반도체 발광소자는 복수의 반도체 발광소자이며, 상기 수지포장부를 형성하는 단계 후에, 각각의 반도체 발광소자 단위로 절단하는 단계를 더 포함할 수 있다.
The semiconductor light emitting device formed on the substrate may be a plurality of semiconductor light emitting devices, and may further include a step of cutting each semiconductor light emitting device unit after the step of forming the resin package.
본 발명의 다른 측면은 기판과, 상기 기판 상에 장착된 반도체 발광소자와, 상기 반도체 발광소자를 둘러싸는 파장 변환부와, 상기 파장변환부 상에 형성되며, 렌즈구조가 제공되는 상면을 갖는 수지포장부를 포함하며, 상기 기판의 측면과, 상기 파장변환부의 측면 및 상기 수지포장부의 측면 각각은 서로 실질적인 공면(共面)을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치를 제공한다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device comprising a substrate, a semiconductor light emitting element mounted on the substrate, a wavelength conversion portion surrounding the semiconductor light emitting device, and a resin layer formed on the wavelength conversion portion, Wherein a side surface of the substrate, a side surface of the wavelength conversion portion, and a side surface of the resin package portion have a substantially coplanar surface with each other.
형광체층과 같은 파장변환부를 형성하는데 있어서, 압축성형공정을 확대 적함으로써 파장변환부 형성공정을 간소화시키는 동시에 색산포를 효과적으로 개선시킬 수 있다.
In forming the wavelength conversion section such as the phosphor layer, the compression molding process is enlarged to simplify the wavelength conversion section formation process and effectively improve the color dispersion.
덧붙여 상기한 과제의 해결수단 및 효과는, 본 발명의 특징을 모두 열거한 것은 아니다. 본 발명의 다양한 특징과 그에 따른 장점과 효과는 아래의 구체적인 실시형태를 참조하여 보다 상세하게 이해될 수 있을 것이다.
In addition, the solutions and effects of the above-mentioned problems do not list all the features of the present invention. The various features of the present invention and the advantages and effects thereof will be more fully understood by reference to the following specific embodiments.
도1 내지 도4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조방법 중 파장변환부 형성과정을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도5 내지 도7은 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조방법 중 렌즈부를 갖는 수지포장부의 형성과정을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도8 및 도9는 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조방법 중 절단 공정을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도10은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광장치의 측단면도이다.1 to 4 are cross-sectional views for explaining a process of forming a wavelength conversion portion in a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
5 to 7 are cross-sectional views for explaining a process of forming a resin packing portion having a lens portion in a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 8 and 9 are cross-sectional views for explaining a cutting process in a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
10 is a side sectional view of a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1 내지 도4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 제조방법 중 파장변환부 형성과정을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.1 to 4 are cross-sectional views for explaining a process of forming a wavelength conversion portion in a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
도1에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광장치의 제조방법은 반도체 발광소자(25)가 장착된 기판(21)을 상부 금형부(11)에 배치하는 단계로 시작된다.1, the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present embodiment starts with the step of disposing the
본 실시형태와 같이, 상기 반도체 발광소자(25)는 플립칩 구조로서 솔더 범프(22)에 의해 상기 기판(21)의 회로패턴(미도시)에 연결된 형태로 예시되어 있으나, 이에 한정되지 아니하며, 예를 들어, 와이어 본딩에 의해 연결될 반도체 발광소자가 사용될 수도 있다. The semiconductor
상기 반도체 발광소자(25)는 복수개(예, 3개)로 장착될 수 있다. 최종 제품에서 반도체 발광장치에서 2개 이상의 발광 다이오드를 채용한 형태를 가질 수 있으나, 필요에 따라 각각 하나의 반도체 발광소자가 포함된 반도체 발광 장치로 절단되어 사용될 수 있다. 개별 소자 단위로 절단하는 경우에 바람직하게는 반도체 발광소자는 일정한 간격으로 갖도록 장착될 수 있다.
The semiconductor
도1을 참조하면, 상기 상부 금형부(11)과 함께 제1 하부 금형부(31)를 갖는다. 상기 제1 하부 금형부(31)에는 상기 기판(21)과 마주하는 위치에 파장변환부 형성용 캐비티(C1)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(C1)는 원하는 파장변환부의 크기와 형상을 고려하여 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 1, the
이어, 도2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 하부 금형부(31)에 마련된 파장변환부 형성용 캐비티(C1)에 파장변환물질 함유 수지(36')를 배치한다. Next, as shown in Fig. 2, the wavelength converting material-containing resin 36 'is disposed in the wavelength converting portion forming cavity C1 provided in the first
일 예에서는, 상기 파장변환물질 함유 수지(36')는 액상 수지와 그 액상 수지에 함유된 형광체와 같은 파장변환물질을 포함할 수 있다. 이러한 액상 수지를 이용할 경우에, 상기 파장변환물질 함유 수지(36')는 디스펜싱 공정으로 캐비티(C1)에 적하될 수 있다.In one example, the wavelength converting material-containing resin 36 'may include a wavelength converting material such as a liquid resin and a fluorescent material contained in the liquid resin. When such a liquid resin is used, the wavelength converting material-containing resin 36 'may be dropped into the cavity C1 by a dispensing process.
상기 파장변환물질 함유 수지(36a)를 배치하기 전에, 상기 파장변환부 형성용 캐비티(C1)에 이형 필름(33)을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 이형 필름(33)은 롤(R)을 이용하여 이동될 수 있으며, 이러한 과정에서 이형 필름(33) 중 상기 캐비티(C1)에 위치한 부분을 이동시킬 수 있다.
The step of disposing the
다른 예에서는, 상기 파장변환부 형성용 캐비티(C1)에 배치되는 파장변환물질 함유 수지(36')는 반경화상태의 형광체 함유 수지일 수 있다. 여기서, "반경화상태"란 B 스테이지의 수지로서, 고유 형상을 일정하게 유지할 수 있는 완전 경화 전의 상태를 말한다. In another example, the wavelength conversion material-containing resin 36 'disposed in the wavelength conversion portion formation cavity C1 may be a half-cured phosphor-containing resin. Here, the term " semi-cured state "refers to a state of the B-stage resin before complete curing which can keep the inherent shape constant.
이러한 반경화상태의 수지는 시트 형상을 유지할 수 있다. 또한, 이러한 시트의 형광체 함유 수지는 이형 필름(33) 상에 제공되어 상기 이형 필름(33)과 함께 공급될 수 있다.
Such semi-cured resin can maintain the sheet shape. In addition, the phosphor-containing resin of such a sheet can be provided on the
다음으로, 도3에 도시된 바와 같이, 상기 파장변환물질 함유 수지(36') 내에 상기 반도체 발광소자(25)가 위치하도록 상기 반도체 발광소자(25)를 상기 파장변환부 형성용 캐비티(C1)에 이동시킨다.3, the semiconductor
본 압축성형공정에 의해, 상기 파장변환물질 함유 수지(36')는 미리 마련된 캐비티(C1)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 본 실시형태와 같이, 각각의 반도체 발광소자(25)는 일정한 간격을 갖도록 배치되므로, 본 압축성형공정에 의해 각 발광소자(25) 사이의 공간에도 파장변환물질 함유 수지(36')가 위치할 수 있다.
By the present compression molding step, the wavelength converting material-containing resin 36 'may have a shape corresponding to the cavity C1 provided in advance. Since the respective semiconductor
이와 같이, 상기 상부 금형부(11)와 상기 제1 하부 금형부(31)가 서로 가압된 상태에서 상기 파장변환물질 함유 수지(36')를 에너지를 인가하여 경화시켜 파장변환부(36)를 형성하고, 도4에 도시된 바와 같이, 파장변환부(36)가 형성된 기판(21)을 제1 하부 금형부(31)로부터 분리시킨다.The resin 36 'containing the wavelength converting material is cured by applying energy to the
본 경화공정은 앞서 설명한 바와 같이 상기 파장변환물질 함유 수지(36')가 반경화상태일 경우에, C 스테이지로 변환되도록 완전 경화시킬 수 있다. 이어, 캐비티(C1)에 이미 사용된 이형 필름(33)이 손상/변형되어 교체가 필요한 경우에 롤(R)을 이용하여 다른 영역으로 변경시킬 수 있다.
In the present curing process, as described above, when the wavelength conversion material-containing resin 36 'is a radial image, it can be completely cured so as to be converted into a C stage. Then, when the
다음으로, 수지포장부 형성용 캐비티가 형성된 다른 하부 금형부를 이용한 압축성형공정으로 상기 파장변환부가 형성된 반도체 발광소자에 수지 포장부를 형성한다. 이러한 공정은 도5 내지 도7에 예시되어 있다.
Next, a resin packaging portion is formed in the semiconductor light emitting element in which the wavelength converting portion is formed by a compression molding process using another lower mold portion having a cavity for resin packaging portion formed therein. Such a process is illustrated in Figures 5-7.
도5에 도시된 바와 같이, 상기 제2 하부 금형부(41)에 마련된 수지포장부 형성용 캐비티(C2)에 상기 수지포장부를 위한 액상 수지(56')를 주입한다. 5, the liquid resin 56 'for the resin packing portion is injected into the resin-packing-portion forming cavity C2 provided in the second
본 공정에서도, 도2에 도시된 공정과 유사하게, 액상 수지(56')를 주입하기 전에, 후속공정에서 용이한 박리를 위해서 상기 수지포장부 형성용 캐비티(C2)에 이형 필름(33)을 배치할 수 있다.In this process, similarly to the process shown in Fig. 2, before the liquid resin 56 'is injected, a
상기 제2 하부 금형부(41)에 채용된 수지포장부 형성용 캐비티(C2)는 렌즈구조에 대응되는 오목부(CL)를 갖는 형태를 예시되어 있다. 본 실시형태와 같이, 상기 기판(21) 상에 복수의 반도체 발광소자(25)가 형성될 경우에, 상기 오목부(CL)는 상기 복수의 반도체 발광소자(25)에 대응되는 위치에 제공될 수 있다.
The cavity C2 for forming the resin packing part employed in the second
이어, 도6에 도시된 바와 같이, 상기 액상 수지(56') 내에 상기 파장 변환부(36)가 형성된 반도체 발광소자(25)가 위치하도록 상기 반도체 발광소자(25)를 상기 수지포장부 형성용 캐비티(C2)에 이동시킨다.6, the semiconductor
본 압축성형공정에 의해 상기 액상 수지(56')는 미리 마련된 캐비티(C2)에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 이 과정에서, 파장변환부(36)를 둘러싸는 수지포장부(56)가 형성될 수 있으며, 이러한 수지포장부(56)는 상기 오목부(CL)에 대응되는 렌즈부를 가질 수 있다.
According to the present compression molding process, the liquid resin 56 'may have a shape corresponding to the cavity C2 provided in advance. In this process, a
이와 같이, 상기 상부 금형부(11)와 상기 제2 하부 금형부(41)가 서로 가압된 상태에서, 상기 액상 수지(56')를 에너지를 인가하여 경화시켜 수지포장부(56)를 형성하고, 도7에 도시된 바와 같이, 수지포장부(56)가 형성된 기판(21)을 제2 하부 금형부(41)로부터 분리시킨다.
In the state where the
다음으로, 본 실시형태와 같이, 일 기판 상에 복수개의 반도체 발광소자를 장착할 경우에, 하나의 반도체 발광소자를 단일 패키지 단위로 제조되도록 도8에 도시된 바와 같이, 절단공정을 포함할 수 있다.Next, as in the present embodiment, when a plurality of semiconductor light emitting elements are mounted on one substrate, as shown in FIG. 8, one semiconductor light emitting element may be manufactured in a single package unit, have.
이러한 절단공정을 통해서, 도9에 도시된 바와 같이, 반도체 발광장치(30)가 얻어질 수 있다.Through this cutting process, the semiconductor
본 실시형태에 따른 반도체 발광장치(30)는 기판(21)과, 상기 기판(21) 상에 장착된 반도체 발광소자(25)와, 상기 반도체 발광소자(25)를 둘러싸는 파장 변환부(36)와, 상기 파장변환부(36) 상에 형성되며, 렌즈구조(L)가 제공되는 상면을 갖는 수지포장부(56)를 포함한다. A semiconductor
본 실시형태에 따른 반도체 발광장치(30)는 복수의 발광소자(25)를 하나의 기판(21)에 실장하고, 압축성형공정을 이용하여 연속적으로 파장변환부(36)와 수지포장부(56)를 형성한 후에 도8과 같이 절단하여 얻어질 수 있다. The semiconductor
이러한 절단공정에 의해, 상기 반도체 발광장치(30)는 상기 기판(21)의 측면과, 상기 파장변환부(36)의 측면과, 상기 수지포장부(36)의 측면으로 구성된 실질적인 공면(共面: 30a)을 가질 수 있다.
By this cutting process, the semiconductor
상술된 실시형태는 플립칩 본딩된 구조를 갖는 형태로 예시되었으나, 다른 반도체 발광소자에도 유사하게 적용될 수 있다. 도10에는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 발광장치의 측단면도이 도시되어 있다. Although the above-described embodiment is illustrated in the form having a flip-chip bonded structure, it can be similarly applied to other semiconductor light emitting devices. 10 is a side sectional view of a semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.
도10을 참조하면, 본 실시형태에 따른 반도체 발광장치(100)는 기판(71)과, 상기 기판(71) 상에 장착된 반도체 발광소자(75)를 포함한다. 상기 반도체 발광소자(75)는 앞선 실시형태와 달리, 와이어(72)에 의해 상기 기판(71)과 전기적으로 연결될 수 있다. 10, the semiconductor
상기 반도체 발광장치(100)는 상기 반도체 발광소자(75)를 둘러싸는 파장 변환부(86)와, 상기 파장변환부(86) 상에 형성되며, 렌즈구조(L)가 제공되는 상면을 갖는 수지포장부(96)를 포함한다. The semiconductor
본 실시형태에 따른 반도체 발광장치(100)는 앞선 실시형태와 유사하게 상기 기판(71)의 측면과, 상기 파장변환부(86)의 측면과, 상기 수지포장부(96)의 측면으로 구성된 실질적인 공면(100a)을 가질 수 있다.
The semiconductor
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.The present invention is not limited by the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited only by the appended claims. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.
Claims (8)
제1 하부 금형부에 마련된 파장변환부 형성용 캐비티에 반경화상태의 파장변환물질 함유 수지를 배치하는 단계;
상기 반경화상태의 파장변환물질 함유 수지 내에 상기 반도체 발광소자가 위치하도록 상기 반도체 발광소자를 상기 파장변환부 형성용 캐비티에 이동시키는 단계;
상기 반경화상태의 파장변환물질 함유 수지를 경화시켜 상기 반도체 발광소자를 둘러싼 파장변환부를 형성하는 단계;
제2 하부 금형부에 마련된 수지포장부 형성용 캐비티에 상기 수지 포장부를 위한 액상 수지를 주입하는 단계;
상기 액상 수지 내에 상기 파장변환부가 형성된 반도체 발광소자가 위치하도록 상기 반도체 발광소자를 상기 수지포장부 형성용 캐비티에 이동시키는 단계; 및
상기 액상 수지를 경화시켜 상기 파장변환부 상에 수지포장부를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광장치 제조방법.
Disposing a substrate on which the semiconductor light emitting element is mounted on an upper mold part;
Disposing a resin containing a wavelength conversion material in a semi-cured state in a cavity for forming a wavelength conversion portion provided in the first lower mold portion;
Moving the semiconductor light emitting device into the cavity for forming the wavelength conversion portion so that the semiconductor light emitting device is located in the semi-cured wavelength conversion material-containing resin;
Curing the semi-cured wavelength conversion material-containing resin to form a wavelength conversion portion surrounding the semiconductor light emitting device;
Injecting a liquid resin for the resin packing portion into a cavity for forming a resin package portion provided in the second lower mold portion;
Moving the semiconductor light emitting element to the resin packing portion forming cavity such that the semiconductor light emitting element having the wavelength converting portion is located in the liquid resin; And
And curing the liquid resin to form a resin packing portion on the wavelength converting portion.
상기 파장변환물질 함유 수지를 배치하는 단계 전에, 상기 파장변환부 형성용 캐비티에 이형 필름을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치 제조방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of disposing a release film on the cavity for forming the wavelength conversion section before the step of disposing the wavelength conversion material-containing resin.
상기 수지포장부 형성용 캐비티는 렌즈 구조에 대응되는 형상을 갖는 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the cavity for forming the resin package portion has a concave portion having a shape corresponding to the lens structure.
상기 기판 상에 형성된 반도체 발광소자는 복수의 반도체 발광소자이며,
상기 오목부는 상기 복수의 반도체 발광소자에 대응되는 위치에 제공되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치 제조방법.
5. The method of claim 4,
Wherein the semiconductor light emitting element formed on the substrate is a plurality of semiconductor light emitting elements,
Wherein the concave portion is provided at a position corresponding to the plurality of semiconductor light emitting elements.
상기 수지포장부를 위한 액상 수지를 주입하는 단계 전에, 상기 수지포장부 형성용 캐비티에 이형 필름을 배치하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광장치 제조방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of disposing a release film on the cavity for forming the resin package portion before the step of injecting the liquid resin for the resin package portion.
상기 기판 상에 형성된 반도체 발광소자는 복수의 반도체 발광소자이며,
상기 수지포장부를 형성하는 단계 후에, 각각의 반도체 발광소자 단위로 절단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광장치 제조방법.
The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting element formed on the substrate is a plurality of semiconductor light emitting elements,
Further comprising the step of cutting each semiconductor light emitting element unit after the step of forming the resin package portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120026702A KR101867304B1 (en) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | Method of fabricating light emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120026702A KR101867304B1 (en) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | Method of fabricating light emitting apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130104824A KR20130104824A (en) | 2013-09-25 |
| KR101867304B1 true KR101867304B1 (en) | 2018-06-15 |
Family
ID=49453595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120026702A KR101867304B1 (en) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | Method of fabricating light emitting apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101867304B1 (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102171024B1 (en) * | 2014-06-16 | 2020-10-29 | 삼성전자주식회사 | Method for manufacturing semiconductor light emitting device package |
| KR101645329B1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-08-04 | 루미마이크로 주식회사 | Method for fabricating light-emitting diode device and base mold used therefor |
| WO2016175513A1 (en) * | 2015-04-27 | 2016-11-03 | 루미마이크로 주식회사 | Light-emitting diode device, manufacturing method therefor, and mold used therefor |
| KR101689179B1 (en) * | 2015-07-08 | 2016-12-23 | 정진수 | Method for producing led fluourescent plate |
| KR102487871B1 (en) * | 2017-11-17 | 2023-01-12 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | Manufacturing method for Semiconductor device package |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20090127296A (en) * | 2007-02-26 | 2009-12-10 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | Led with phosphor tile and overmolded phosphor in lens |
| KR20110011405A (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-08 | 한미반도체 주식회사 | Package assembly for manufacturing semiconductor packages |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101202169B1 (en) * | 2006-09-29 | 2012-11-15 | 서울반도체 주식회사 | Method of fabricating light emitting diode package having multi-molding members |
-
2012
- 2012-03-15 KR KR1020120026702A patent/KR101867304B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130104824A (en) | 2013-09-25 |
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