JP7415898B2 - Ｘ線撮像装置 - Google Patents
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Description
本発明は、Ｘ線撮像装置に関する。
Ｘ線を用いて、撮影対象物の内部構造を撮像するＸ線撮像装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載のＸ線撮像装置は、Ｘ線源と、Ｘ線検出器と、Ｘ線源とＸ線検出器との間に配置され、撮影対象物が搬送される搬送ユニットと、を備える。すなわち、このＸ線撮像装置は、いわゆる「産業用Ｘ線撮像装置」として構成される。
特許文献１に記載のＸ線撮像装置は、Ｘ線源と、Ｘ線検出器と、Ｘ線源とＸ線検出器との間に配置され、撮影対象物が搬送される搬送ユニットと、を備える。すなわち、このＸ線撮像装置は、いわゆる「産業用Ｘ線撮像装置」として構成される。
しかしながら、特許文献１に記載の搬送ユニットによって撮影対象物が搬送されるため、撮影対象物を適正な位置又は姿勢に配置できない場合がある。このような場合には、搬送ユニットに換えて、撮影対象物が載置されるテーブルが配置される。この場合には、Ｘ線源、テーブル、及びＸ線検出器を収容する遮蔽室が配置される。また、遮蔽室には、撮影対象物の搬入、搬出のための扉が配置される。
更に、扉が開状態に変化することを禁止するロック機構が設けられる。Ｘ線発生器がＸ線を照射している場合には、ロック機構によって扉がロックされる。しなしながら、ロック機構による扉のロックをどのようなタイミングで解除するかについて、具体的な方法は開示されていない。
扉のロックの解除が遅過ぎる場合には、作業者の作業性が低下する。扉のロックの解除が早過ぎる場合には、Ｘ線が遮蔽室に外部に漏洩する可能性がある。
更に、扉が開状態に変化することを禁止するロック機構が設けられる。Ｘ線発生器がＸ線を照射している場合には、ロック機構によって扉がロックされる。しなしながら、ロック機構による扉のロックをどのようなタイミングで解除するかについて、具体的な方法は開示されていない。
扉のロックの解除が遅過ぎる場合には、作業者の作業性が低下する。扉のロックの解除が早過ぎる場合には、Ｘ線が遮蔽室に外部に漏洩する可能性がある。
本発明は、遮蔽室に配置された扉のロックを適正なタイミングで解除することが可能なＸ線撮像装置を提供することを目的とする。
本発明の態様に係るＸ線撮像装置は、Ｘ線源と、前記Ｘ線源から照射されるＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器との間に配置され撮影対象物を支持するステージと、前記Ｘ線源、前記Ｘ線検出器、及び前記ステージを収容する遮蔽室と、を備えるＸ線撮像装置であって、前記遮蔽室は、前記撮影対象物を搬入及び搬出する扉と、前記扉が開状態に変化することを禁止するロック機構と、を含み、前記遮蔽室から外部に漏洩する漏洩線量に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する解除制御部を備える。
本発明の態様に係るＸ線撮像装置によれば、遮蔽室から外部に漏洩する漏洩線量に基づいて、ロック機構のロックの解除を制御する。したがって、遮蔽室に配置された扉のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
［１．産業用Ｘ線撮像装置の構成］
図１は、本実施形態に係る産業用Ｘ線撮像装置１の構成の一例を示す平面図である。
図１に示すように、産業用Ｘ線撮像装置１は、Ｘ線源１１と、ステージ１２と、Ｘ線検出器１３と、撮像制御部１５と、解除制御部１６と、を備える。
Ｘ線源１１、ステージ１２、及びＸ線検出器１３は、遮蔽室１４に収容される。
なお、以下の説明では、産業用Ｘ線撮像装置１を、便宜上、Ｘ線撮像装置１と記載する場合がある。
産業用Ｘ線撮像装置１は、「Ｘ線撮像装置」の一例に対応する。
図１は、本実施形態に係る産業用Ｘ線撮像装置１の構成の一例を示す平面図である。
図１に示すように、産業用Ｘ線撮像装置１は、Ｘ線源１１と、ステージ１２と、Ｘ線検出器１３と、撮像制御部１５と、解除制御部１６と、を備える。
Ｘ線源１１、ステージ１２、及びＸ線検出器１３は、遮蔽室１４に収容される。
なお、以下の説明では、産業用Ｘ線撮像装置１を、便宜上、Ｘ線撮像装置１と記載する場合がある。
産業用Ｘ線撮像装置１は、「Ｘ線撮像装置」の一例に対応する。
Ｘ線源１１は、図略のＸ線電源部から給電されることによって、Ｘ線を放射し、ステージ１２に載置された被写体ＢＪに向けてＸ線を照射する。Ｘ線源１１は、例えば、Ｘ線電源部から供給された高電圧が、陰極１１２と陽極として機能するターゲット１１３との間に印加される。そして、陰極１１２から放出された電子がターゲット１１３に衝突することによって、ターゲット１１３がＸ線を放射する。
陰極１１２、及びターゲット１１３については、図２を参照して説明する。
陰極１１２、及びターゲット１１３については、図２を参照して説明する。
ステージ１２は、Ｘ線源１１とＸ線検出器１３との間に配置され、被写体ＢＪが載置される。ステージ１２は、例えば、モータ等によって回転自在に構成される。
被写体ＢＪは、「撮影対象物」の一例に対応する。
被写体ＢＪは、「撮影対象物」の一例に対応する。
Ｘ線検出器１３は、Ｘ線源１１から照射されたＸ線の像を撮像し、撮像画像Ｐを生成する。Ｘ線検出器１３は、例えば、フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）で構成される。フラットパネルディテクタは、Ｘ線のエネルギーを吸収して蛍光を発するシンチレータを含む薄膜層が受光面上に形成された二次元イメージセンサを備える。
撮像制御部１５は、Ｘ線源１１にＸ線を被写体ＢＪに向けて照射させて、Ｘ線検出器１３が生成した被写体ＢＪの撮像画像Ｐを取得する。
遮蔽室１４は、Ｘ線源１１、ステージ１２、及びＸ線検出器１３を収容し、Ｘ線の外部への漏洩を抑制する。遮蔽室１４には、被写体ＢＪを搬入及び搬出する扉１４１と、扉１４１が閉状態から開状態に変化することを禁止するロック機構１４２と、が配置される。
ロック機構１４２は、例えば、電磁ロックを備える。ロック機構１４２は、例えば、作業者によって撮像画像Ｐの生成が指示された場合に、扉１４１が閉状態から開状態に変化することを禁止する。また、ロック機構１４２は、解除制御部１６からの指示に従って、扉１４１のロックを解除する。
解除制御部１６は、遮蔽室１４から外部に漏洩する漏洩線量ＬＤに基づいて、ロック機構１４２に対して、扉１４１のロックを解除するように指示する。
解除制御部１６は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ－Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサ１６１と、ＲＯＭ(Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ)やＲＡＭ(Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ)等のメモリデバイス１６２と、を備える。メモリデバイス１６２は、制御プログラムを記憶する。
プロセッサ１６１が、メモリデバイス１６２の制御プログラムを実行することによって、解除制御部１６として機能する。
解除制御部１６については、図２～図４を参照して説明する。
解除制御部１６は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ－Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサ１６１と、ＲＯＭ(Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ)やＲＡＭ(Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ)等のメモリデバイス１６２と、を備える。メモリデバイス１６２は、制御プログラムを記憶する。
プロセッサ１６１が、メモリデバイス１６２の制御プログラムを実行することによって、解除制御部１６として機能する。
解除制御部１６については、図２～図４を参照して説明する。
［２．管電圧及び管電流の検出位置］
図２は、管電圧ＲＶ及び管電流ＲＡの検出位置の一例を示す図である。
図２に示すように、Ｘ線源１１は、Ｘ線管１１１と、第１電圧源１１４と、電流センサ１１５と、電圧センサ１１６と、第２電圧源１１７とを備える。Ｘ線管１１１は、陰極１１２と、ターゲット１１３とを含む。
第１電圧源１１４は、陰極１１２と、陽極として機能するターゲット１１３との間に電圧を印加する。第２電圧源１１７は、陰極１１２の両端に電圧を印加する。
図２は、管電圧ＲＶ及び管電流ＲＡの検出位置の一例を示す図である。
図２に示すように、Ｘ線源１１は、Ｘ線管１１１と、第１電圧源１１４と、電流センサ１１５と、電圧センサ１１６と、第２電圧源１１７とを備える。Ｘ線管１１１は、陰極１１２と、ターゲット１１３とを含む。
第１電圧源１１４は、陰極１１２と、陽極として機能するターゲット１１３との間に電圧を印加する。第２電圧源１１７は、陰極１１２の両端に電圧を印加する。
陰極１１２から放出される電子ＥＬは、第１電圧源１１４によって加速されてターゲット１１３に衝突する。ターゲット１１３に電子ＥＬが衝突することによって、ターゲット１１３からＸ線ＸＲが放射される。
電流センサ１１５は、ターゲット１１３と第１電圧源１１４との間に流れる電流を、管電流ＲＡとして検出する。電流センサ１１５は、管電流ＲＡを示す信号を解除制御部１６に出力する。
電圧センサ１１６は、第１電圧源１１４の両端の電圧を、管電圧ＲＶとして検出する。電圧センサ１１６は、管電圧ＲＶを示す信号を解除制御部１６に出力する。
電流センサ１１５、及び電圧センサ１１６は、「検出部」の一例に対応する。
電圧センサ１１６は、第１電圧源１１４の両端の電圧を、管電圧ＲＶとして検出する。電圧センサ１１６は、管電圧ＲＶを示す信号を解除制御部１６に出力する。
電流センサ１１５、及び電圧センサ１１６は、「検出部」の一例に対応する。
解除制御部１６は、管電圧ＲＶ及び管電流ＲＡに基づいて、ロック機構１４２のロックの解除を制御する。
本実施形態では、解除制御部１６は、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下であり、且つ、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下である場合に、ロック機構１４２のロックを解除する。
電圧閾値ＶＳ及び電流閾値ＡＳについては、図３を参照して説明する。
本実施形態では、解除制御部１６は、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下であり、且つ、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下である場合に、ロック機構１４２のロックを解除する。
電圧閾値ＶＳ及び電流閾値ＡＳについては、図３を参照して説明する。
［３．電圧閾値と電流閾値］
図３は、Ｘ線源１１をオフしたときの管電流ＲＡ、管電圧ＲＶ、及び漏洩線量ＬＤの変化の一例を示すグラフである。
図３に示す４つのグラフの横軸は、時間Ｔを示す。また、図３に示す４つのグラフの縦軸は、上から順に、Ｘ線源のＯＮ／ＯＦＦ、管電流ＲＡ、管電圧ＲＶ及び漏洩線量ＬＤを示す。
図３は、Ｘ線源１１をオフしたときの管電流ＲＡ、管電圧ＲＶ、及び漏洩線量ＬＤの変化の一例を示すグラフである。
図３に示す４つのグラフの横軸は、時間Ｔを示す。また、図３に示す４つのグラフの縦軸は、上から順に、Ｘ線源のＯＮ／ＯＦＦ、管電流ＲＡ、管電圧ＲＶ及び漏洩線量ＬＤを示す。
図３の最も上に記載のグラフＧ１に示すように、時間Ｔ１において、Ｘ線源１１がＯＮからＯＦＦに変化する。
図３の上から２番目に記載のグラフＧ２に示すように、管電流ＲＡは、時間Ｔ１から下に凸の曲線を描いて減少する。
図３の上から３番目に記載のグラフＧ３に示すように、管電圧ＲＶは、時間Ｔ１から下に凸の曲線を描いて減少する。
図３の最も下に記載のグラフＧ４に示すように、漏洩線量ＬＤは、時間Ｔ１から下に凸の曲線を描いて減少する。なお、本実施形態では、グラフＧ４に示す漏洩線量ＬＤは、図１に示すように、Ｘ線の照射領域ＸＲ内に、線量センサＤＳを配置して、測定した線量を示す。
図３の上から２番目に記載のグラフＧ２に示すように、管電流ＲＡは、時間Ｔ１から下に凸の曲線を描いて減少する。
図３の上から３番目に記載のグラフＧ３に示すように、管電圧ＲＶは、時間Ｔ１から下に凸の曲線を描いて減少する。
図３の最も下に記載のグラフＧ４に示すように、漏洩線量ＬＤは、時間Ｔ１から下に凸の曲線を描いて減少する。なお、本実施形態では、グラフＧ４に示す漏洩線量ＬＤは、図１に示すように、Ｘ線の照射領域ＸＲ内に、線量センサＤＳを配置して、測定した線量を示す。
グラフＧ４に示すように、時間Ｔ２において、漏洩線量ＬＤが線量閾値ＲＳに到達し、時間Ｔ２以降において、漏洩線量ＬＤが線量閾値ＲＳ以下に単調に低下する。
グラフＧ２に示すように、時間Ｔ２において、管電流ＲＡは、電流閾値ＡＳに到達し、時間Ｔ２以降において、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下に単調に低下する。
グラフＧ３に示すように、時間Ｔ２において、管電圧ＲＶは、電圧閾値ＶＳに到達し、時間Ｔ２以降において、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下に単調に低下する。
グラフＧ２に示すように、時間Ｔ２において、管電流ＲＡは、電流閾値ＡＳに到達し、時間Ｔ２以降において、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下に単調に低下する。
グラフＧ３に示すように、時間Ｔ２において、管電圧ＲＶは、電圧閾値ＶＳに到達し、時間Ｔ２以降において、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下に単調に低下する。
また、線量閾値ＲＳは、被曝線量限度ＤＬに基づいて決定される。以下に、被曝線量限度ＤＬについて説明する。
平成１３年３月３０日付けの「労働安全衛生規則及び電離放射線障害防止規則の一部を改正する省令の施行等について」、すなわち「基発第２５３号」の「第３ 細部事項」、「３ ３条関係」の（２）には、『労働者の1年間の実効線量が、公衆の１年間の被ばく線量限度である「1ミリシーベルト」を超えないようにすることが望ましい』と規定されている。
一方、電離放射線障害防止規則では、１年間は５０週換算とされ、労働基準法では労働時間は、４０時間／週と規定されている。
したがって、次の式（１）により、被曝線量限度ＤＬは、０．５μＳｖ／Ｈｒ以下にすることが望ましい。
ＤＬ（μＳｖ／Ｈｒ）≦１（ｍＳｖ）／５０／４０×１０００ （１）
平成１３年３月３０日付けの「労働安全衛生規則及び電離放射線障害防止規則の一部を改正する省令の施行等について」、すなわち「基発第２５３号」の「第３ 細部事項」、「３ ３条関係」の（２）には、『労働者の1年間の実効線量が、公衆の１年間の被ばく線量限度である「1ミリシーベルト」を超えないようにすることが望ましい』と規定されている。
一方、電離放射線障害防止規則では、１年間は５０週換算とされ、労働基準法では労働時間は、４０時間／週と規定されている。
したがって、次の式（１）により、被曝線量限度ＤＬは、０．５μＳｖ／Ｈｒ以下にすることが望ましい。
ＤＬ（μＳｖ／Ｈｒ）≦１（ｍＳｖ）／５０／４０×１０００ （１）
なお、図３では、Ｘ線源１１をオフしたときの管電圧ＲＶ、管電流ＲＡ、及び漏洩線量ＬＤの変化の一例を示したが、管電圧ＲＶ、及び管電流ＲＡは、被写体ＢＪに応じて決定される。したがって、Ｘ線撮像装置１において、被写体ＢＪに応じて決定される管電圧ＲＶ、及び管電流ＲＡに対応する漏洩線量ＬＤと、被曝線量限度ＤＬとに基づいて、電流閾値ＡＳ、電圧閾値ＶＳ及び線量閾値ＲＳを決定することが好ましい。
［４．解除制御部の処理］
図４は、解除制御部１６の処理の一例を示すフローチャートである。
なお、図４では、予め電流閾値ＡＳ、及び電圧閾値ＶＳが決定されている場合について説明する。また、図４では、ロック機構１４２が扉１４１を閉状態に予めロックしている場合について説明する。
図４は、解除制御部１６の処理の一例を示すフローチャートである。
なお、図４では、予め電流閾値ＡＳ、及び電圧閾値ＶＳが決定されている場合について説明する。また、図４では、ロック機構１４２が扉１４１を閉状態に予めロックしている場合について説明する。
まず、ステップＳ１０１において、解除制御部１６は、電流センサ１１５から管電流ＲＡを取得する。
次に、ステップＳ１０３において、解除制御部１６は、電圧センサ１１６から管電圧ＲＶを取得する。
次に、ステップＳ１０５において、解除制御部１６は、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下であるか否かを判定する。
管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下ではないと解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０５；ＮＯ）には、処理がステップＳ１０１に戻る。管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下であると解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）には、処理がステップＳ１０７へ進む。
次に、ステップＳ１０３において、解除制御部１６は、電圧センサ１１６から管電圧ＲＶを取得する。
次に、ステップＳ１０５において、解除制御部１６は、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下であるか否かを判定する。
管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下ではないと解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０５；ＮＯ）には、処理がステップＳ１０１に戻る。管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下であると解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）には、処理がステップＳ１０７へ進む。
そして、ステップＳ１０７において、解除制御部１６は、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下であるか否かを判定する。
管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下ではないと解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０７；ＮＯ）には、処理がステップＳ１０１に戻る。管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下であると解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０７；ＹＥＳ）には、処理がステップＳ１０９へ進む。
そして、ステップＳ１０９において、解除制御部１６は、ロック機構１４２のロックを解除する。その後、処理が終了する。
管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下ではないと解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０７；ＮＯ）には、処理がステップＳ１０１に戻る。管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下であると解除制御部１６が判定した場合（ステップＳ１０７；ＹＥＳ）には、処理がステップＳ１０９へ進む。
そして、ステップＳ１０９において、解除制御部１６は、ロック機構１４２のロックを解除する。その後、処理が終了する。
このようにして、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下であり、且つ、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下である場合に、解除制御部１６は、ロック機構１４２のロックを解除する。したがって、電流閾値ＡＳ及び電圧閾値ＶＳを適正に設定することによって、扉１４１のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
［５．実施形態と効果］
上述した実施形態は、以下の態様の具体例であることが当業者により理解される。
上述した実施形態は、以下の態様の具体例であることが当業者により理解される。
（第１項）
一態様に係るＸ線撮像装置は、Ｘ線源と、前記Ｘ線源から照射されるＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器との間に配置され撮影対象物を支持するステージと、前記Ｘ線源、前記Ｘ線検出器、及び前記ステージを収容する遮蔽室と、を備えるＸ線撮像装置であって、前記遮蔽室は、前記撮影対象物を搬入及び搬出する扉と、前記扉が開状態に変化することを禁止するロック機構と、を含み、前記遮蔽室から外部に漏洩する漏洩線量に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する解除制御部を備える。
一態様に係るＸ線撮像装置は、Ｘ線源と、前記Ｘ線源から照射されるＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器との間に配置され撮影対象物を支持するステージと、前記Ｘ線源、前記Ｘ線検出器、及び前記ステージを収容する遮蔽室と、を備えるＸ線撮像装置であって、前記遮蔽室は、前記撮影対象物を搬入及び搬出する扉と、前記扉が開状態に変化することを禁止するロック機構と、を含み、前記遮蔽室から外部に漏洩する漏洩線量に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する解除制御部を備える。
第１項に記載のＸ線撮像装置によれば、解除制御部は、漏洩線量に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する。
したがって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
したがって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
（第２項）
第１項に記載のＸ線撮像装置であって、前記Ｘ線源の管電圧と、前記Ｘ線源の管電流とを検出する検出部を更に備え、前記解除制御部は、前記管電圧、及び前記管電流の少なくとも一方に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する。
第１項に記載のＸ線撮像装置であって、前記Ｘ線源の管電圧と、前記Ｘ線源の管電流とを検出する検出部を更に備え、前記解除制御部は、前記管電圧、及び前記管電流の少なくとも一方に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する。
第２項に記載のＸ線撮像装置によれば、前記解除制御部は、前記管電圧、及び前記管電流の少なくとも一方に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する。
したがって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
したがって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
（第３項）
第２項に記載のＸ線撮像装置であって、前記解除制御部は、前記管電圧が電圧閾値以下であり、且つ、前記管電流が電流閾値以下である場合に、前記ロック機構のロックを解除する。
第２項に記載のＸ線撮像装置であって、前記解除制御部は、前記管電圧が電圧閾値以下であり、且つ、前記管電流が電流閾値以下である場合に、前記ロック機構のロックを解除する。
第３項に記載のＸ線撮像装置によれば、前記解除制御部は、前記管電圧が電圧閾値以下であり、且つ、前記管電流が電流閾値以下である場合に、前記ロック機構のロックを解除する。
したがって、電圧閾値、及び電流閾値を適正値に設定することによって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
したがって、電圧閾値、及び電流閾値を適正値に設定することによって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
（第４項）
第３項に記載のＸ線撮像装置であって、前記電圧閾値、及び前記電流閾値は、前記漏洩線量が線量閾値以下になるように設定される。
第３項に記載のＸ線撮像装置であって、前記電圧閾値、及び前記電流閾値は、前記漏洩線量が線量閾値以下になるように設定される。
第４項に記載のＸ線撮像装置によれば、前記電圧閾値、及び前記電流閾値は、前記漏洩線量が線量閾値以下になるように設定される。
よって、線量閾値を適正値に設定することによって、前記電圧閾値、及び前記電流閾値を適正値に設定できる。したがって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
よって、線量閾値を適正値に設定することによって、前記電圧閾値、及び前記電流閾値を適正値に設定できる。したがって、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
（第５項）
第４項に記載のＸ線撮像装置であって、前記線量閾値は、被曝線量限度に基づいて決定される。
第４項に記載のＸ線撮像装置であって、前記線量閾値は、被曝線量限度に基づいて決定される。
第５項に記載のＸ線撮像装置によれば、前記線量閾値は、被曝線量限度に基づいて決定される。
よって、前記線量閾値を適正値に設定できる。したがって、前記電圧閾値、及び前記電流閾値を適正値に設定できる。その結果、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
よって、前記線量閾値を適正値に設定できる。したがって、前記電圧閾値、及び前記電流閾値を適正値に設定できる。その結果、前記ロック機構のロックを適正なタイミングで解除できる。すなわち、作業者の作業性の低下を抑制し、Ｘ線の遮蔽室の外部への漏洩を抑制できる。
［６．他の実施形態］
なお、本実施形態に係る産業用Ｘ線撮像装置１は、あくまでも「Ｘ線撮像装置」の態様の例示であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲において任意に変形および応用が可能である。
本実施形態では、遮蔽室１４に扉１４１が１つ配置される場合について説明したが、これに限定されない。遮蔽室１４に複数の扉が配置されてもよい。
なお、本実施形態に係る産業用Ｘ線撮像装置１は、あくまでも「Ｘ線撮像装置」の態様の例示であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲において任意に変形および応用が可能である。
本実施形態では、遮蔽室１４に扉１４１が１つ配置される場合について説明したが、これに限定されない。遮蔽室１４に複数の扉が配置されてもよい。
本実施形態では、ロック機構１４２が電磁ロックを備える場合について説明したが、これに限定されない。ロック機構１４２が、解除制御部１６からの指示に従って、扉１４１のロックを解除すればよい。
本実施形態では、解除制御部１６が、管電圧ＲＶ、及び管電流ＲＡに基づいて、ロック機構１４２のロックの解除を制御する場合について説明したが、これに限定されない。解除制御部１６が、管電圧ＲＶ、及び管電流ＲＡの少なくとも一方に基づいて、ロック機構１４２のロックの解除を制御すればよい。
本実施形態では、管電流ＲＡが電流閾値ＡＳ以下であり、且つ、管電圧ＲＶが電圧閾値ＶＳ以下である場合に、解除制御部１６は、ロック機構１４２のロックを解除するが、これに限定されない。例えば、次の（２）式を満たす場合に、解除制御部１６は、ロック機構１４２のロックを解除してもよい。
Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）≦ＦＳ （２）
関数Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）は、管電流ＲＡと管電圧ＲＶとの関数であり、関数閾値ＦＳは、解除制御部１６がロック機構１４２のロックを解除する条件を規定する。
なお、関数Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）としては、例えば、次の（３）式が好ましい。
Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）＝ＲＡｎ×ＲＶ （３）
冪数ｎは、例えば、２～４である。
Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）≦ＦＳ （２）
関数Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）は、管電流ＲＡと管電圧ＲＶとの関数であり、関数閾値ＦＳは、解除制御部１６がロック機構１４２のロックを解除する条件を規定する。
なお、関数Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）としては、例えば、次の（３）式が好ましい。
Ｆ（ＲＡ，ＲＶ）＝ＲＡｎ×ＲＶ （３）
冪数ｎは、例えば、２～４である。
本実施形態では、解除制御部１６が撮像制御部１５と別体として構成される場合について説明したが、これに限定されない。解除制御部１６が撮像制御部１５と一体に構成されてもよい。すなわち、プロセッサ１６１が、メモリデバイスに記憶された制御プログラムを実行することによって、解除制御部１６及び撮像制御部１５として機能してもよい。
また、図１に示した各機能部は機能的構成を示すものであって、具体的な実装形態は特に制限されない。つまり、必ずしも各機能部に個別に対応するハードウェアが実装される必要はなく、一つのプロセッサがプログラムを実行することで複数の機能部の機能を実現する構成とすることも勿論可能である。また、上記実施形態においてソフトウェアで実現される機能の一部をハードウェアで実現してもよく、或いは、ハードウェアで実現される機能の一部をソフトウェアで実現してもよい。
また、図４に示すフローチャートの処理単位は、解除制御部１６の処理を理解容易にするために、主な処理内容に応じて分割したものである。図４のフローチャートに示す処理単位の分割の仕方や名称によって制限されることはなく、処理内容に応じて、さらに多くの処理単位に分割することもできるし、１つの処理単位がさらに多くの処理を含むように分割することもできる。また、上記のフローチャートの処理順序も、図示した例に限られるものではない。
また、図１に示した解除制御部１６は、解除制御部１６が備えるプロセッサ１６１に、制御プログラムを実行させることで実現できる。また、この制御プログラムは、コンピュータで読み取り可能に記録した記録媒体に記録しておくことも可能である。記録媒体としては、磁気的、光学的記録媒体又は半導体メモリデバイスを用いることができる。具体的には、フレキシブルディスク、ＨＤＤ、ＣＤ－ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｋ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＶＤ、Ｂｌｕ－ｒａｙ（登録商標） Ｄｉｓｃ、光磁気ディスク、フラッシュメモリ、カード型記録媒体等の可搬型、或いは固定式の記録媒体が挙げられる。また、記録媒体は、解除制御部１６が備える内部記憶装置であるＲＡＭ、ＲＯＭ、ＨＤＤ等の不揮発性記憶装置であってもよい。また、制御プログラムをサーバ装置等に記憶させておき、サーバ装置から解除制御部１６に、制御プログラムをダウンロードしてもよい。
１ 産業用Ｘ線撮像装置（Ｘ線撮像装置）
１１ Ｘ線源
１１１ Ｘ線管
１１２ 陰極
１１３ ターゲット
１１４ 第１電圧源
１１５ 電流センサ（検出部の一部）
１１６ 電圧センサ（検出部の一部）
１１７ 第２電圧源
１２ ステージ
１２１ 駆動機構
１３ Ｘ線検出器
１３１ 画素列
１４ 遮蔽室
１４１ 扉
１４２ ロック機構
１５ 撮像制御部
１６ 解除制御部
１６１ プロセッサ
１６２ メモリデバイス
ＡＳ 電流閾値
ＥＬ 電子
ＤＬ 被曝線量限度
ＬＤ 漏洩線量
ＲＡ 管電流
ＲＳ 線量閾値
ＲＶ 管電圧
ＶＳ 電圧閾値
ＸＲ Ｘ線
１１ Ｘ線源
１１１ Ｘ線管
１１２ 陰極
１１３ ターゲット
１１４ 第１電圧源
１１５ 電流センサ（検出部の一部）
１１６ 電圧センサ（検出部の一部）
１１７ 第２電圧源
１２ ステージ
１２１ 駆動機構
１３ Ｘ線検出器
１３１ 画素列
１４ 遮蔽室
１４１ 扉
１４２ ロック機構
１５ 撮像制御部
１６ 解除制御部
１６１ プロセッサ
１６２ メモリデバイス
ＡＳ 電流閾値
ＥＬ 電子
ＤＬ 被曝線量限度
ＬＤ 漏洩線量
ＲＡ 管電流
ＲＳ 線量閾値
ＲＶ 管電圧
ＶＳ 電圧閾値
ＸＲ Ｘ線
Claims (6)
- Ｘ線源と、前記Ｘ線源から照射されるＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器との間に配置され撮影対象物を支持するステージと、前記Ｘ線源、前記Ｘ線検出器、及び前記ステージを収容する遮蔽室と、を備えるＸ線撮像装置であって、
前記遮蔽室は、前記撮影対象物を搬入及び搬出する扉と、前記扉が開状態に変化することを禁止するロック機構と、を含み、
前記遮蔽室から外部に漏洩する漏洩線量に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する解除制御部を備える、Ｘ線撮像装置。 - 前記Ｘ線源の管電圧と、前記Ｘ線源の管電流とを検出する検出部を更に備え、
前記解除制御部は、前記管電圧、及び前記管電流の少なくとも一方に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する、
請求項１に記載のＸ線撮像装置。 - 前記解除制御部は、前記管電圧が電圧閾値以下であり、且つ、前記管電流が電流閾値以下である場合に、前記ロック機構のロックを解除する、
請求項２に記載のＸ線撮像装置。 - 前記電圧閾値、及び前記電流閾値は、前記漏洩線量が線量閾値以下になるように設定される、
請求項３に記載のＸ線撮像装置。 - 前記線量閾値は、被曝線量限度に基づいて決定される、
請求項４に記載のＸ線撮像装置。 - Ｘ線源と、前記Ｘ線源から照射されるＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器との間に配置され撮影対象物を支持するステージと、前記Ｘ線源、前記Ｘ線検出器、及び前記ステージを収容する遮蔽室と、を備えるＸ線撮像装置であって、
前記遮蔽室は、前記撮影対象物を搬入及び搬出する扉と、前記扉が開状態に変化することを禁止するロック機構と、を含み、
前記Ｘ線源の管電圧と、前記Ｘ線源の管電流との少なくとも一方を検出する検出部と、
前記管電圧、及び前記管電流の少なくとも一方に基づいて、前記ロック機構のロックの解除を制御する解除制御部と、を備える、Ｘ線撮像装置。
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|---|---|---|---|
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-
2020
- 2020-12-02 JP JP2020200224A patent/JP7415898B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-29 US US17/388,450 patent/US11662322B2/en active Active
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