JP7402255B2 - 高温用途のための着脱可能なバイアス可能な静電チャック - Google Patents

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Description

本開示の実施形態は、一般に基板処理システムに関し、より詳細には、基板処理システムで使用するための基板支持体に関する。
基板支持体は、プラズマ処理チャンバなどの基板処理システムで基板を支持するために使用される。あるタイプの基板支持体は、下部アセンブリに結合された静電チャックを含む。静電チャックは一般に、セラミックチャック本体に埋め込まれた１つまたは複数の電極を含む。静電チャックは一般に、ガスなどの伝熱流体を下部アセンブリから静電チャックの支持面と基板の裏側との間に流すための孔を含む。
静電チャックは、予防保守時間を短縮し、交換コストを低減するために、下部アセンブリから取り外し可能であってもよい。しかしながら、高温用途では、静電チャックは、下部アセンブリとのフィードスルー接続に関して、位置ずれおよび熱膨張の影響を有する可能性がある。
したがって、本発明者らは、改善された基板支持体を提供した。
本明細書では、基板支持体の実施形態が提供される。一部の実施形態では、基板処理チャンバで使用するための基板支持体は、ベースプレートアセンブリを有する下部アセンブリであって、ベースプレートアセンブリが中央突起部の周りに配置された複数の電気フィードスルーを含む、下部アセンブリと、下部アセンブリ上に配置され、ベースプレートアセンブリに取り外し可能に結合されたセラミックパックであって、複数の電気フィードスルーのうちの第１の対の電気フィードスルーに電気的に結合された電極が内部に配置された、セラミックパックと、セラミックパックと複数の電気フィードスルーのそれぞれとの間に配置され、セラミックパックとベースプレートアセンブリの熱膨張の差を可能にする螺旋部分を有する可撓性コネクタと、を含む。
一部の実施形態では、基板処理チャンバで使用するための基板支持体は、中央突起部および中央突起部の周りに配置された複数の開口部を含む、ベースプレートアセンブリと、複数の開口部のそれぞれに配置された電気フィードスルーと、それぞれのフローティングナットに結合された締め具を介してベースプレートアセンブリに取り外し可能に結合されたセラミックパックであって、基板を受け取るための第１の側面と、第１の側面とは反対側の第２の側面であって、第２の側面から延在するインターフェースリングを有する、第２の側面と、を有し、結合されると、ベースプレートアセンブリとセラミックパックが中央突起部とインターフェースリングとの間のインターフェースにおいてのみ互いに接触する、セラミックパックと、セラミックパックに埋め込まれ、第１の対の電気フィードスルーに電気的に結合された電極と、セラミックパックに埋め込まれ、第２の対の電気フィードスルーに電気的に結合された第１の抵抗加熱器と、を含む。
一部の実施形態では、プロセスチャンバは、チャンバ本体の内部容積内に配置された基板支持体を有するチャンバ本体であって、基板支持体が冷却剤を循環させるように構成された冷却プレートを備える、チャンバ本体と、冷却プレート上に配置されたベースプレートアセンブリであって、第１の対の電気フィードスルーおよび第２の対の電気フィードスルーを備える複数の電気フィードスルーを含む、ベースプレートアセンブリと、ベースプレートアセンブリ上に配置され、ベースプレートアセンブリに取り外し可能に結合されたセラミックパックであって、セラミックパックに埋め込まれた電極およびヒータを含み、電極が第１の対の電気フィードスルーに電気的に結合され、ヒータが第２の対の電気フィードスルーに電気的に結合されている、セラミックパックと、セラミックパックと複数の電気フィードスルーのそれぞれとの間に配置された可撓性コネクタと、を含む。
本開示の他のおよびさらなる実施形態を以下に説明する。
上で簡潔に要約され、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に表される本開示の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみ示しており、したがって、本開示が他の等しく有効な実施形態を認めることができるため、範囲を限定するものと考えられるべきではない。
本開示の少なくとも一部の実施形態による基板支持体を有するプロセスチャンバの概略側面図である。 本開示の少なくとも一部の実施形態による基板支持体の概略側面図である。 本開示の少なくとも一部の実施形態によるベースプレートアセンブリの部分等角図である。 本開示の少なくとも一部の実施形態による、セラミックパックとベースプレートアセンブリとの間の接続インターフェースの断面図である。 本開示の少なくとも一部の実施形態によるフローティングナットの等角図である。 本開示の少なくとも一部の実施形態による、セラミックパックとベースプレートアセンブリとの間の接続インターフェースの断面図である。 本開示の少なくとも一部の実施形態による、セラミックパックとベースプレートアセンブリとの間の接続インターフェースの断面図である。
理解を容易にするために、各図に共通の同一の要素を指定するために、可能な場合は、同一の参照数字が使用された。図は、縮尺通りには描かれておらず、明瞭にするために簡略化されることがある。一実施形態の要素および特徴は、さらに詳説することなく他の実施形態に有益に組み込まれることがある。
本明細書では、基板処理チャンバで使用するための基板支持体の実施形態が提供される。基板支持体は、下部アセンブリ上に配置された着脱可能な静電チャックを含む。下部アセンブリは、中空シャフトに結合されたベースプレートアセンブリを含む。静電チャックは、基板を支持するための支持面を有するセラミックパックを備える。セラミックパックは、下部アセンブリのベースプレートアセンブリ上に配置されている。一部の実施形態では、ガスチャネルが基板支持体の底部から静電チャックの頂面（例えば、セラミックパックの頂面）まで延在する。ガスチャネルは、窒素（Ｎ）またはヘリウム（Ｈｅ）またはアルゴン（Ａｒ）などの裏側ガスを静電チャックの頂面に供給して伝熱媒体として作用するように構成されている。
静電チャックは、１つまたは複数の埋め込み電極を含む。一部の実施形態では、静電チャックは、１つまたは複数の加熱要素を含む。ベースプレートアセンブリは、静電チャック内の電子部品に電力を供給するように構成された複数の電気フィードスルーを収納する。一部の実施形態では、電気フィードスルーは、高電圧用途用に定格化されている。一部の実施形態では、電気フィードスルーは、最大約１．５ｋＶのＤＣ電力定格および最大約７．５ＡのＤＣ電流定格を有する。一部の実施形態では、静電チャックは、最高摂氏４５０度まで加熱される。
図１は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、静電チャックを有するプロセスチャンバ（例えば、プラズマ処理チャンバ）の概略側面図を示す。一部の実施形態では、プラズマ処理チャンバは、エッチング処理チャンバである。しかしながら、異なるプロセスのために構成された他のタイプの処理チャンバもまた、本明細書に記載される静電チャックの実施形態と共に使用することができ、または使用するために変更することができる。
チャンバ１００は、基板処理中にチャンバ内部容積１２０内に大気圧未満の圧力を維持するように適切に適合された真空チャンバである。チャンバ１００は、チャンバ内部容積１２０の上半分に位置する処理容積１１９を囲むリッド１０４によって覆われたチャンバ本体１０６を含む。チャンバ１００はまた、様々なチャンバ部品を取り囲む１つまたは複数のシールド１０５を含むことができ、そのようなチャンバ部品とイオン化されたプロセス材料との間の望ましくない反応を防止する。チャンバ本体１０６およびリッド１０４は、アルミニウムなどの金属で作製することができる。チャンバ本体１０６は、接地１１５への結合を介して接地されていてもよい。
基板支持体１２４は、チャンバ内部容積１２０内に配置されて、例えば半導体ウエハなどの基板１２２、または静電的に保持され得るような他のそのような基板を支持および保持する。基板支持体１２４は、一般に、下部アセンブリ１３６上に配置された静電チャック１５０を備えていてもよい。下部アセンブリ１３６は、静電チャック１５０を支持するための中空支持シャフト１１２を含む。静電チャック１５０は、内部に１つまたは複数の電極１５４が配置されたセラミックパック１５２を備える。中空支持シャフト１１２は、例えば、裏側ガス、プロセスガス、流体、冷却剤、電力などを静電チャック１５０に供給するための導管を提供する。
一部の実施形態では、中空支持シャフト１１２は、上方の処理位置（図１に示すような）と下方の移送位置（図示せず）との間で静電チャック１５０を垂直方向に移動させるアクチュエータまたはモータなどのリフト機構１１３に結合されている。下部アセンブリ１３６は、中空支持シャフト１１２の周りに配置されたベローズアセンブリ１１０を含む。ベローズアセンブリ１１０は、静電チャック１５０とチャンバ１００の底面１２６との間に結合されて、チャンバ１００内からの真空の損失を防止しながら静電チャック１５０の垂直方向の移動を可能にする可撓性シールを提供する。ベローズアセンブリ１１０はまた、チャンバ真空の損失を防止するのを助けるために、底面１２６に接触するＯリング１６５または他の適切なシール要素と接触する下部ベローズフランジ１６４を含む。
中空支持シャフト１１２は、裏側ガス供給部１４１、チャッキング電源１４０、およびＲＦ源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０およびＲＦバイアス電源１１７）を静電チャック１５０に結合するための導管を提供する。裏側ガス供給部１４１は、チャンバ本体１０６の外側に配置され、ガス導管１４２を介して静電チャック１５０にガスを供給して、使用中に静電チャック１５０の支持面上の温度もしくは圧力および／または温度プロファイルもしくは圧力プロファイルを制御する。一部の実施形態では、ＲＦプラズマ電源１７０およびＲＦバイアス電源１１７は、それぞれのＲＦ整合ネットワーク（ＲＦ整合ネットワーク１１６のみが示されている）を介して静電チャック１５０に結合されている。一部の実施形態では、基板支持体１２４は、代わりに、ＡＣ、ＤＣ、またはＲＦバイアス電力を含むことができる。
基板リフト１３０は、シャフト１１１に接続されたプラットフォーム１０８上に取り付けられたリフトピン１０９を含むことができ、シャフト１１１は、基板１２２が静電チャック１５０上に配置され得るようにまたはそこから除去され得るように基板リフト１３０を昇降させるための第２のリフト機構１３２に結合されている。静電チャック１５０は、リフトピン１０９を受け入れるための貫通孔を含むことができる。ベローズアセンブリ１３１は、基板リフト１３０と底面１２６との間に結合されて、基板リフト１３０の垂直方向の移動の間にチャンバ真空を維持する可撓性シールを提供する。
チャンバ１００は、チャンバ１００を排気するために使用されるスロットルバルブ（図示せず）および真空ポンプ（図示せず）を含む真空システム１１４に結合され、真空システム１１４と流体連結している。チャンバ１００内の圧力は、スロットルバルブおよび／または真空ポンプを調整することによって調節することができる。チャンバ１００はまた、その内部に配置された基板を処理するためにチャンバ１００に１つまたは複数のプロセスガスを供給することができるプロセスガス供給部１１８に結合され、プロセスガス供給部１１８と流体連結している。
静電チャック１５０の温度を調整して、基板の温度を制御することができる。例えば、静電チャック１５０は、抵抗加熱器などの埋め込まれた１つまたは複数の加熱要素（例えば、第１のヒータ要素１７２および第２のヒータ要素１７４）を使用して加熱することができる。第１のヒータ要素１７２および第２のヒータ要素１７４は、ヒータ電源１８０に結合されている。ヒータ電源１８０は、第１のヒータ要素１７２および第２のヒータ要素１７４の両方に電力を供給する１つの電源、または各ヒータ要素に結合された複数の電源を含むことができる。
動作において、例えば、プラズマ１０２がチャンバ内部容積１２０内に生成され、１つまたは複数のプロセスを実行することができる。プラズマ１０２は、チャンバ内部容積１２０の近傍または内部の１つまたは複数の電極を介して、プラズマ電源（例えば、ＲＦプラズマ電源１７０）からの電力をプロセスガスに結合してプロセスガスを点火し、プラズマ１０２を生成することによって生成されてもよい。バイアス電源（例えば、ＲＦバイアス電源１１７）から静電チャック１５０内の１つまたは複数の電極１５４にバイアス電力を供給して、プラズマからのイオンを基板１２２に向けて引き付けることもできる。
図２は、本開示の少なくとも一部の実施形態による基板支持体１２４の概略側面図を示す。基板支持体１２４は、下部アセンブリ１３６に取り外し可能に結合されたセラミックパック１５２を含む。基板支持体１２４の下部アセンブリ１３６は、下部プレート２０８に結合されたベースプレートアセンブリ２０４を含む。下部プレート２０８は、中空支持シャフト１１２に結合されている。ベースプレートアセンブリ２０４、下部プレート２０８、および中空支持シャフト１１２は、第１のプレナム２３４を画定する。一部の実施形態では、第１のプレナムは、使用中、大気圧である。セラミックパック１５２は、ベースプレートアセンブリ２０４に取り外し可能に結合されている。セラミックパック１５２は、基板を支持するための第１の側面２３６または上面と、ベースプレートアセンブリ２０４に取り外し可能に結合された第２の側面２３８または下面とを含む。一部の実施形態では、セラミックパック１５２は、アルミニウム窒化物（ＡｌＮ）から作製されている。
一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、ステンレス鋼などの金属から作製されている。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４の１つまたは複数の外面は、ベースプレートアセンブリ２０４の表面放射率を増加させるようにテクスチャ加工されている。表面放射率を増加させることで、チャックからベースプレートアセンブリ２０４への熱放散が高まる。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、適切な機械的または化学的プロセスを介して、例えば、サンドブラストまたはグリットブラストによってテクスチャ加工されてもよい。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、中央プレート２０２と、中央プレート２０２の上面から上向きに延在する中央突起部２１６とを含む。一部の実施形態では、中央突起部２１６は、円筒形状を有する。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、中央突起部２１６と同じ方向に中央プレート２０２から上向きに延在する第１の脚部２１８をさらに含む。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、第１の脚部２１８から半径方向外向きに延在する第２の脚部２２４を含む。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、第２の脚部２２４から中央プレート２０２に向かって下向きに延在する外側リップ２２６を含む。一部の実施形態では、下部プレート２０８は、ベースプレートアセンブリ２０４の外側リップ２２６に結合されている。中央突起部２１６は、裏側ガス供給部１４１に結合された中央開口部２４２を含む。
中央プレート２０２は、中央突起部２１６の周りに複数の開口部２３０を含む。電気フィードスルー２２８は、複数の開口部２３０の各開口部に配置されている。一部の実施形態では、端子２３２が、電気フィードスルー２２８のそれぞれとは反対側にセラミックパック１５２の第２の側面２３８から外向きに延在して、電気フィードスルー２２８のそれぞれをセラミックパック１５２内の電子部品（例えば、電極１５４、第１のヒータ要素１７２、第２のヒータ要素１７４）に電気的に結合する。
一部の実施形態では、アイソレータリング２０６が、中央プレート２０２上に配置され、隣接する電気フィードスルー２２８を電気的に絶縁して有利にはアーク放電を防止するように構成されている。アイソレータリング２０６は、中央突起部２１６の周りに配置された中央開口部２４４を含む。一部の実施形態では、アイソレータリング２０６は、電気フィードスルー２２８の位置に対応する中央開口部２４４の周りに複数の開口部２１４を含む。一部の実施形態では、１つの電気フィードスルー２２８と１つの対応する端子２３２が、複数の開口部２１４の各開口部内で結合されている。一部の実施形態では、アイソレータリング２０６は、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）から作製されている。一部の実施形態では、アイソレータリング２０６は、中央突起部２１６と第１の脚部２１８との間に配置されている。
動作において、チャンバ内部容積１２０内に生成されたプラズマ１０２は、基板およびセラミックパック１５２を加熱することがある。セラミックパック１５２を冷却するために、一部の実施形態では、冷却プレート２１２が、ベースプレートアセンブリ２０４と下部プレート２０８との間に配置され、ベースプレートアセンブリに結合されている。冷却プレート２１２は、冷却剤源２１０に結合されたチャネル２２２を含み、チャネル２２２を通して冷却剤を循環させて冷却プレート２１２を冷却するように構成されている。一部の実施形態では、冷却剤は水である。ベースプレートアセンブリ２０４およびセラミックパック１５２は、伝導および放射を介して冷却プレート２１２によって冷却されてもよい。一部の実施形態では、冷却プレート２１２は、ニッケルめっきされた銅またはステンレス鋼から作製されている。一部の実施形態では、冷却プレート２１２は、中央プレート２０２と第２の脚部２２４との間に配置されている。一部の実施形態では、冷却プレート２１２は、ベースプレートアセンブリ２０４の中央プレート２０２と外側リップ２２６との間に配置されている。
一部の実施形態では、セラミックパック１５２の温度を測定するために、熱電対２４０がセラミックパック１５２内に配置されている。熱電対２４０は、ＰＩＤコントローラなどのコントローラ２２０に結合され、有利にはセラミックパック１５２の温度を制御し、熱安定性を維持する。セラミックパック１５２の温度を上昇させるために、１つまたは複数の加熱要素（例えば、第１のヒータ要素１７２、第２のヒータ要素１７４）が通電される。セラミックパック１５２の温度を低下させるために、加熱要素に供給される電力が低減される。冷却プレート２１２を通って循環する冷却剤は、高いＤＣ／ＲＦプラズマ出力および高いＲＦバイアス電力を使用するプロセス条件下で、セラミックパック１５２の熱安定性を所望の温度設定点に維持するのにさらに役立つ。
図３は、本開示の少なくとも一部の実施形態によるベースプレートアセンブリの部分等角図を示す。一部の実施形態では、図３に示すように、７つの電気フィードスルー２２８がある。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、７つよりも多いまたは少ない電気フィードスルー２２８を収容することができる。一部の実施形態では、第１の対の電気フィードスルー２２８Ａ、２２８Ｂは、一端で電極１５４のリード線に結合され、第２の端部でチャッキング電源１４０へのリード線に結合されている。一部の実施形態では、第２の対の電気フィードスルー２２８Ｄ、２２８Ｅは、一端で第１のヒータ要素１７２のリード線に結合され、第２の端部でヒータ電源１８０へのリード線に結合されている。一部の実施形態では、第３の対の電気フィードスルー２２８Ａ、２２８Ｂは、一端で第２のヒータ要素１７４のリード線に結合され、第２の端部でヒータ電源１８０へのリード線に結合されている。一部の実施形態では、電気フィードスルー２２８Ｃは、バイアス電圧（例えば、ＲＦ／ＡＣバイアス）が基板支持体１２４に印加されたときに基板のフローティング電圧を測定するように構成された中央タップ用である。
一部の実施形態では、電気フィードスルー２２８Ａは、電気フィードスルー２２８Ｂに隣接している。一部の実施形態では、第１の対の電気フィードスルー２２８Ａ、２２８Ｂ、第２の対の電気フィードスルー２２８Ｄ、２２８Ｅ、および第３の対の電気フィードスルー２２８Ｆ、２２８Ｇは、中央プレート２０２の中心（例えば、中心軸４１０）から約３．０インチ～約４．０インチに配置されている。一部の実施形態では、中央タップ用の電気フィードスルー２２８Ｃは、中央プレート２０２の中心から約１．０インチ～約２．０インチに配置されている。一部の実施形態では、セラミックパック１５２の端子２３２は、電気フィードスルー２２８と同様に配置されている。
一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、中央突起部２１６から半径方向外向きに延在する上部タブ３０８を含む。一部の実施形態では、上部タブ３０８は、中央突起部の周りで直径方向に対向する２つの上部タブ３０８である。一部の実施形態では、上部タブ３０８は、締め具３０２を収容するための開口部３０４を含む。一部の実施形態では、中央突起部２１６の上面３１０は、中央開口部２４２の周りに隆起したリップ３１２を含む。一部の実施形態では、隆起したリップ３１２は、ベースプレートアセンブリ２０４とセラミックパック１５２との間の接触面を画定する。一部の実施形態では、図７に示すように、中央突起部２１６の上面３１０は、平坦であり、有利にはベースプレートアセンブリ２０４とセラミックパック１５２との間により良いシールを提供する。
図４は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、セラミックパックとベースプレートアセンブリとの間の接続インターフェースの断面図を示す。一部の実施形態では、セラミックパック１５２は、セラミックパック１５２の第２の側面２３８から延在するインターフェースリング４０４を含む。一部の実施形態では、インターフェースリングは、約１．０インチ～約１．７インチの外径を有する。一部の実施形態では、インターフェースリング４０４の底面および隆起したリップ３１２の頂面は、ベースプレートアセンブリ２０４とセラミックパック１５２との間の接触領域を画定する。
一部の実施形態では、セラミックパック１５２とベースプレートアセンブリ２０４との間の接触領域４２６は、有利には最小化され、セラミックパック１５２の温度均一性を促進する。セラミックパック１５２とベースプレートアセンブリ２０４との間の接触領域が大きくなると、ベースプレートアセンブリ２０４がヒートシンクとして作用することにつながり得る。一部の実施形態では、インターフェースリング４０４と中央突起部２１６との間の接触領域４２６の外側で、セラミックパック１５２とベースプレートアセンブリ２０４との間に間隙４１２が配置されている。
一部の実施形態では、第１の管４１８が、接触領域４２６から半径方向内向きにインターフェースリング４０４に結合されている。一部の実施形態では、第１の管４１８は、インターフェースリング４０４に蝋付けまたは溶接されている。一部の実施形態では、第２の管４２０が第１の管４１８に結合されている。一部の実施形態では、第２の管４２０は、第１の管４１８に蝋付けまたは溶接されている。中央貫通孔４２２は、セラミックパック１５２を貫通して（例えば、インターフェースリング４０４、第１の管４１８、および第２の管４２０を貫通して）延在し、ベースプレートアセンブリ２０４の中央開口部２４２を介した裏側ガス供給部１４１からセラミックパック１５２の第１の側面２３６へのガス通路を提供する。
一部の実施形態では、ガス漏れを低減または防止するために、第２の管４２０とベースプレートアセンブリ２０４の中央開口部２４２の側壁との間にシール４３０が配置されている。一部の実施形態では、シール４３０は、傾斜ばねである。一部の実施形態では、シール４３０は、電気的接触ならびにガスシールを提供するために、ニッケル－クロムを含む金属合金から作製されている。一部の実施形態では、第２の管４２０は、第２の管４２０の本体の周りに上部環状レッジ４２４および下部環状レッジ４２８を含み、それらの間にシール４３０が配置されている。一部の実施形態では、下部環状レッジ４２８は、中央開口部２４２の側壁の形状に対応して半径方向内向きおよび下向きにテーパ状になっており、その結果、シール４３０は、下部環状レッジ４２８が下向きに付勢されるにつれてさらに圧縮される。
一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、中央突起部２１６から半径方向外向きに延在する下部タブ４０６を含む。下部タブ４０６のそれぞれは、締め具３０２を収容するための開口部４３２を含む。下部タブ４０６の各開口部４３２は、上部タブ３０８の対応する開口部３０４と位置合わせされている。上部タブ３０８は、下部タブ４０６から離間している。一部の実施形態では、フローティングナット４０８が下部タブ４０６のそれぞれに部分的に配置されている。
一部の実施形態では、図４に示すように、セラミックパック１５２をベースプレートアセンブリに結合するために、２つの締め具３０２が、セラミックパック１５２の締め具開口部４１６内に配置されている。一部の実施形態では、２つの締め具３０２は、セラミックパック１５２の中心軸４１０から約０．８インチ～約１．１インチに配置されている。締め具３０２のそれぞれは、上部タブ３０８の開口部３０４を貫いて、下部タブ４０６に配置されたフローティングナット４０８内へと配置されている。締め具３０２の直径は、開口部３０４および開口部４３２の直径よりも小さい。フローティングナット４０８は、有利には、高温に加熱されたときのセラミックパック１５２の熱膨張に応じて、締め具３０２が開口部３０４および開口部４３２内で移動することを可能にする。
図５は、本開示の少なくとも一部の実施形態によるフローティングナット４０８の等角図を示す。一部の実施形態では、フローティングナット４０８は、開口部５０４を有する本体５０８を含む。一部の実施形態では、開口部５０４は、（例えば、ブラインド設置中に）頂部から挿入されたときに締め具３０２を自己センタリングするのを助けるための皿穴を含む。本体５０８は、上面５１４および下面５１６を有する。中央突起部５１０は、開口部５０４の周りで下面５１６から延在している。中央突起部５１０の外側の側壁は、中央突起部５１０が本体５０８から離れるように延在するにつれて半径方向内向きにテーパ状になっている。中央突起部５１０は、下部タブ４０６の開口部４３２内に嵌合するようにサイズ調整されている。
一対の第１の脚部５０２が、開口部５０４の両側で下面５１６から延在している。一対の第１の脚部５０２は、下部タブ４０６をまたぐように離間している。一対の第２の脚部５０６が、開口部５０４の両側で上面５１４から延在している。一部の実施形態では、一対の第２の脚部５０６は、一対の第１の脚部５０２よりも開口部５０４の近くに配置されている。一対の第２の脚部５０６は、上部タブ３０８よりも幅が広くなるように離間している。使用時に、フローティングナット４０８は、締め具３０２に結合されると、上部タブ３０８と下部タブ４０６との間に保持されながら、半径方向および軸方向に移動することができる。
図６は、本開示の少なくとも一部の実施形態による、セラミックパックとベースプレートアセンブリとの間の接続インターフェースの断面図を示す。一部の実施形態では、熱電対２４０は、ベースプレートアセンブリ２０４の中央突起部２１６を貫いて、部分的にセラミックパック１５２を貫いて配置されている。一部の実施形態では、熱電対２４０は、放射による熱を捕捉する非接触先端を有する。一部の実施形態では、熱電対２４０は、金属スリーブ６１４によって取り囲まれている。一部の実施形態では、ばねなどの付勢要素６１６が熱電対２４０の周囲に配置されて、熱電対２４０の頂面６１８を金属スリーブ６１４に向かって付勢する。一部の実施形態では、セラミックパック１５２は、熱電対２４０の外径よりも直径が大きい熱電対２４０用の開口部６０８を有し、セラミックパック１５２が熱膨張および収縮を受けたときに有利には熱電対２４０が開口部６０８の側壁に接触することを防止する。
一部の実施形態では、図７に示すように、熱電対２４０は、接触型熱電対である。例えば、接触型熱電対は、ばね、ベローズなどの付勢要素を含み、熱電対の頂面６１８をセラミックパック１５２に押し付けて温度読み取り値を生成することができる。一部の実施形態では、付勢要素６１６は、ばね部材を含む。一部の実施形態では、付勢要素は、ベローズ７０４を含む。例えば、ベローズ７０４は、金属スリーブ６１４の第１の部分７１０と金属スリーブ６１４の第２の部分７２０との間に配置されていてもよい。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリ２０４は、熱電対２４０を収容するための孔を含むことができる。一部の実施形態では、この孔は、上面３１０から中央突起部２１６を通って延在する。
図６に戻って参照すると、一部の実施形態では、熱電対２４０は、中央プレート２０２の下面６１２に結合されている。一部の実施形態では、ベースプレートアセンブリの中央開口部２４２は、第１の部分６０４および第２の部分６０６を有する。一部の実施形態では、第２の部分６０６は、第１の部分６０４に対してある角度で熱電対２４０から離れるように延在し、熱電対２４０を中央プレート２０２の下面６１２に溶接するためのスペースを可能にする。
一部の実施形態では、複数の電気フィードスルー２２８のそれぞれは、セラミックスリーブ６２２によって取り囲まれた導電性コア６２４を含む。一部の実施形態では、導電性コア６２４は、一端にねじ付きシャフト６２６を含む。一部の実施形態では、導電性コア６２４は、ねじ付きシャフト６２６の反対側の端部にねじ付き開口部６３８を含む。一部の実施形態では、電源（例えば、チャッキング電源１４０、ヒータ電源１８０）からのリード線は、ねじ付き開口部６３８を貫いて配置された締め具６３６を介して導電性コア６２４に結合されている。
一部の実施形態では、金属スリーブ６２０が、ねじ付きシャフト６２６に近接する一端の近くでセラミックスリーブ６２２に結合され、その周りに配置されている。金属スリーブ６２０は、ベースプレートアセンブリ２０４に結合されている。一部の実施形態では、金属スリーブ６２０は、電気フィードスルー２２８の任意の熱膨張に対応するためにＵ字形である。一部の実施形態では、ワッシャ６３４が締め具６３６とセラミックスリーブ６２２との間に配置されている。
一部の実施形態では、可撓性コネクタ６３０が、セラミックパック１５２の各端子２３２と複数の電気フィードスルー２２８のそれぞれとの間に配置されて、有利にはセラミックパック１５２の熱膨張による電気フィードスルー２２８に対する端子２３２の半径方向の移動を可能にし、セラミックパック端子軸とベースプレートアセンブリ上の電気フィードスルー軸との間の任意の位置的不正確さに対処する。
一部の実施形態では、可撓性コネクタ６３０は、セラミックパック１５２から延在する端子２３２を受け入れるための開口部を第１の端部６５２に含む。一部の実施形態では、可撓性コネクタ６３０は、複数の電気フィードスルー２２８のうちの１つの導電性コア６２４を受け入れるための開口部を第２の端部６３２に含む。一部の実施形態では、セラミックワッシャ６４８が、可撓性コネクタ６３０と電気フィードスルー２２８との間に配置されて、接地に対する電気的絶縁を提供する。一部の実施形態では、可撓性コネクタ６３０は、第１の端部６５２と第２の端部６３２との間に螺旋部分６４０を有する。螺旋部分６４０は、端子２３２と電気フィードスルー２２８との間の電気的接触を維持しながら、有利には（例えば、熱膨張による）半径方向負荷を受けたときに可撓性コネクタ６３０が屈曲することを可能にするように構成されている。一部の実施形態では、可撓性コネクタ６３０は、ニッケル－クロムを含む金属合金から作製されている。
一部の実施形態では、可撓性コネクタ６３０は、端子２３２の周りに環状溝６４４を有する。一部の実施形態では、端子２３２と可撓性コネクタ６３０との間の電気的接触を強化するために、付勢要素６４２が環状溝６４４内に配置されている。一部の実施形態では、付勢要素４４２は、傾斜ばねである。一部の実施形態では、付勢要素４４２は、ニッケル－クロムを含む金属合金から作製されている。
上記は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案され得る。

Claims (19)

  1. ベースプレートアセンブリを有する下部アセンブリであって、前記ベースプレートアセンブリが、中央突起部の周りに配置された複数の電気フィードスルーを含む、下部アセンブリと、
    前記下部アセンブリ上に配置され、前記ベースプレートアセンブリに取り外し可能に結合されたセラミックパックであって、前記複数の電気フィードスルーのうちの第１の対の電気フィードスルーに電気的に結合された電極が内部に配置された、セラミックパックと、
    前記セラミックパックと前記ベースプレートアセンブリの熱膨張の差を許容するように前記セラミックパックと前記複数の電気フィードスルーのそれぞれとの間に配置される螺旋部分を有する可撓性コネクタと、
    を備え、
    前記セラミックパックが、締め具を介して前記下部アセンブリに結合され、前記締め具のそれぞれが前記セラミックパックの熱膨張を許容するように前記ベースプレートアセンブリ内のフローティングナットに結合されている、基板処理チャンバで使用するための基板支持体。
  2. 前記締め具のそれぞれが前記ベースプレートアセンブリの前記中央突起部から半径方向外向きに延在するタブ内の開口部を貫いて配置されている、請求項１に記載の基板支持体。
  3. 前記可撓性コネクタが、前記セラミックパックの下面から延在する端子を受け入れるための開口部を第１の端部に含み、前記複数の電気フィードスルーのうちの１つの導電性コアを受け入れるための開口部を第２の端部に含む、請求項１に記載の基板支持体。
  4. 前記可撓性コネクタが環状溝を含み、傾斜ばねが前記環状溝と前記端子との間に配置されている、請求項３に記載の基板支持体。
  5. 前記セラミックパックが前記セラミックパックの下面から延在するインターフェースリングを有し、前記インターフェースリングが、前記ベースプレートアセンブリの前記中央突起部内の開口部に流体結合された、ガスを流すように構成された中央貫通孔を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板支持体。
  6. アイソレータリングが、前記中央突起部の周りに配置され、前記複数の電気フィードスルーのうちの隣接する電気フィードスルー間のアーク放電を防止するために前記複数の電気フィードスルー用の開口部を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板支持体。
  7. 熱電対が、前記ベースプレートアセンブリの前記中央突起部を貫いて配置され、前記セラミックパック内に延在している、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板支持体。
  8. 前記セラミックパックが、その内部に埋め込まれた１つまたは複数の加熱要素を含み、前記１つまたは複数の加熱要素が前記複数の電気フィードスルーに電気的に結合されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板支持体。
  9. 前記複数の電気フィードスルーが前記セラミックパックに埋め込まれた第１の抵抗加熱器に結合された第２の対の電気フィードスルーを含み、前記セラミックパックがそれぞれのフローティングナットに結合された締め具を介して前記ベースプレートアセンブリに取り外し可能に結合され、前記セラミックパックが基板を受け取るための第１の側面と、前記第１の側面とは反対側の第２の側面であって、前記第２の側面から延在するインターフェースリングを有する、第２の側面とを有し、結合されると、前記ベースプレートアセンブリと前記セラミックパックが、前記中央突起部と前記インターフェースリングとの間のインターフェースにおいてのみ互いに接触する、請求項１に記載の基板支持体。
  10. 前記セラミックパックに埋め込まれ、第３の対の電気フィードスルーに電気的に結合された第２の抵抗加熱器をさらに備える、請求項９に記載の基板支持体。
  11. 前記締め具のそれぞれが、前記中央突起部から延在する上部タブの開口部を貫いて、前記中央突起部から延在する下部タブの開口部内に配置され、各フローティングナットが、前記下部タブの前記開口部に部分的に配置されている、請求項９に記載の基板支持体。
  12. 前記複数の電気フィードスルーの各電気フィードスルーがセラミックスリーブによって取り囲まれた導電性コアを含む、請求項９に記載の基板支持体。
  13. 可撓性コネクタが前記セラミックパックと各電気フィードスルーとの間に配置されて、電気的結合を維持しながら前記セラミックパックの熱膨張を可能にする、請求項９～１２のいずれか１項に記載の基板支持体。
  14. チャンバ本体の内部容積内に配置された請求項１～４のいずれか１項に記載の基板支持体を有するチャンバ本体であって、前記基板支持体が、
    冷却剤を循環させるように構成された冷却プレートであり、前記ベースプレートアセンブリが前記冷却プレート上に配置され、前記ベースプレートアセンブリが第２の対の電気フィードスルーを含み、前記第２の対の電気フィードスルーが前記セラミックパックに埋め込まれたヒータに電気的に結合されている、冷却プレート、をさらに備える、
    チャンバ本体
    を備える、プロセスチャンバ。
  15. 前記可撓性コネクタが環状溝を含み、前記環状溝と前記端子との間に傾斜ばねが配置されている、請求項３に記載のプロセスチャンバ。
  16. 前記複数の電気フィードスルーが７つの電気フィードスルーを含む、請求項１４に記載のプロセスチャンバ。
  17. ばね部材を有する熱電対が、前記ベースプレートアセンブリの前記中央突起部を貫いて配置され、前記セラミックパック内に延在している、請求項１４に記載のプロセスチャンバ。
  18. 前記セラミックパックの中央貫通孔および前記ベースプレートアセンブリの中央開口部を介して前記セラミックパックの第１の側面に流体結合された裏側ガス供給部をさらに備える、請求項１４に記載のプロセスチャンバ。
  19. 前記ベースプレートアセンブリが中央プレートおよび外側リップを含み、前記冷却プレートが前記中央プレートと前記外側リップとの間に配置されている、請求項１４に記載のプロセスチャンバ。
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