KR20220025870A - 고온 애플리케이션들을 위한 분리가능한 바이어싱 가능 정전 척 - Google Patents

고온 애플리케이션들을 위한 분리가능한 바이어싱 가능 정전 척 Download PDF

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KR20220025870A
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슈리샤 요기시 라오
무쿤드 순다라라잔
쳉-슝 매튜 차이
만주나타 피. 코파
스티븐 브이. 산소니
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Abstract

기판 지지부의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부는, 베이스 플레이트 조립체를 갖는 하부 조립체 ―베이스 플레이트 조립체는 중심 돌출부 주위에 배치된 복수의 전기 피드스루들을 포함함―; 하부 조립체 상에 배치되고 베이스 플레이트 조립체에 제거가능하게 커플링된 세라믹 퍽 ―세라믹 퍽에는 복수의 전기 피드스루들 중 제1 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링되는 전극이 내부에 배치되어 있음―; 및 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체의 열 팽창의 차이들을 허용하도록 복수의 전기 피드스루들 각각과 세라믹 퍽 사이에 배치된 나선형 부분을 갖는 가요성 커넥터를 포함한다.

Description

고온 애플리케이션들을 위한 분리가능한 바이어싱 가능 정전 척
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 시스템들에 관한 것으로, 더 구체적으로, 기판 프로세싱 시스템들에서 사용하기 위한 기판 지지부에 관한 것이다.
[0002] 기판 지지부들은 플라즈마 프로세싱 챔버와 같은 기판 프로세싱 시스템들 내의 기판들에 대한 지지를 제공하기 위해 사용된다. 일종의 기판 지지부는 하부 조립체에 커플링된 정전 척을 포함한다. 정전 척은 일반적으로, 세라믹 척 바디 내에 임베딩된 하나 이상의 전극들을 포함한다. 정전 척은 일반적으로, 하부 조립체로부터의 가스와 같은 열 전달 유체를 정전 척의 지지 표면과 기판의 후면 사이로 유동시키기 위한 홀들을 포함한다.
[0003] 정전 척은, 예방 유지보수 시간을 감소시키고 교체 비용을 감소시키기 위해 하부 조립체로부터 분리가능할 수 있다. 그러나, 고온 애플리케이션들의 경우, 정전 척은 하부 조립체와의 피드스루 연결들에 대해 오정렬 및 열 팽창 효과들을 가질 수 있다.
[0004] 이에 따라서, 본 발명자들은 개선된 기판 지지부를 제공했다.
[0005] 기판 지지부의 실시예들이 본원에서 제공된다. 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부는, 베이스 플레이트 조립체를 갖는 하부 조립체 ―베이스 플레이트 조립체는 중심 돌출부 주위에 배치된 복수의 전기 피드스루들을 포함함―; 하부 조립체 상에 배치되고 베이스 플레이트 조립체에 제거가능하게 커플링된 세라믹 퍽 ―세라믹 퍽에는 복수의 전기 피드스루들 중 제1 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링되는 전극이 내부에 배치되어 있음―; 및 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체의 열 팽창의 차이들을 허용하도록 복수의 전기 피드스루들 각각과 세라믹 퍽 사이에 배치된 나선형 부분을 갖는 가요성 커넥터를 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부는, 베이스 플레이트 조립체 ―베이스 플레이트 조립체는 중심 돌출부 및 중심 돌출부 주위에 배치된 복수의 개구들을 포함함―; 복수의 개구들 각각에 배치된 전기 피드스루; 개개의 플로팅 너트에 커플링된 패스너들을 통해 베이스 플레이트 조립체에 제거가능하게 커플링된 세라믹 퍽 ―세라믹 퍽은 기판을 수용하기 위한 제1 측부 및 제1 측부에 대향하는 제2 측부를 갖고 제2 측부로부터 연장되는 계면 링을 가지며, 커플링될 때, 베이스 플레이트 조립체와 세라믹 퍽은 중심 돌출부와 계면 링 사이의 계면에서만 서로 접촉함―; 세라믹 퍽에 임베딩되고 제1 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링된 전극; 및 세라믹 퍽에 임베딩되고 제2 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링된 제1 저항성 가열기를 포함한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 프로세스 챔버는 챔버 바디 ―챔버 바디는 챔버 바디의 내부 볼륨 내에 배치된 기판 지지부를 가지며, 기판 지지부는 냉각 플레이트를 포함하고, 냉각 플레이트는 냉각 플레이트를 통해 냉각제를 순환시키도록 구성됨―; 냉각 플레이트 상에 배치된 베이스 플레이트 조립체 ―베이스 플레이트 조립체는 제1 쌍의 전기 피드스루들 및 제2 쌍의 전기 피드스루들을 포함하는 복수의 전기 피드스루들을 포함함―; 베이스 플레이트 조립체 상에 배치되고 베이스 플레이트 조립체에 제거가능하게 커플링된 세라믹 퍽 ―세라믹 퍽은 내부에 임베딩된 가열기 및 전극을 포함하며, 전극은 제1 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링되고, 가열기는 제2 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링됨―; 및 복수의 전기 피드스루들의 각각의 전기 피드스루와 세라믹 퍽 사이에 배치된 가요성 커넥터를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 아래에서 설명된다.
[0009] 위에서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조로 하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 통상적인 실시예들을 예시하므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 기판 지지부를 갖는 프로세스 챔버의 개략적인 측면도를 도시한다.
[0011] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부의 개략적인 측면도를 도시한다.
[0012] 도 3은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 베이스 플레이트 조립체의 부분 등각도를 도시한다.
[0013] 도 4는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체 사이의 연결 계면의 단면도를 도시한다.
[0014] 도 5는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 플로팅 너트의 등각도를 도시한다.
[0015] 도 6은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체 사이의 연결 계면의 단면도를 도시한다.
[0016] 도 7은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체 사이의 연결 계면의 단면도를 도시한다.
[0017] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가적인 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0018] 기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 기판 지지부는 하부 조립체 상에 배치된 분리가능한 정전 척을 포함한다. 하부 조립체는 중공 샤프트에 커플링된 베이스 플레이트 조립체를 포함한다. 정전 척은 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 갖는 세라믹 퍽을 포함한다. 세라믹 퍽은 하부 조립체의 베이스 플레이트 조립체 상에 배치된다. 일부 실시예들에서, 가스 채널이 기판 지지부의 최하부로부터 정전 척의 최상부 표면(예컨대, 세라믹 퍽의 최상부 표면)까지 연장된다. 가스 채널은 열 전달 매체로서 작용하기 위해 정전 척의 최상부 표면에 질소(N) 또는 헬륨(He) 또는 아르곤(Ar)과 같은 후면 가스를 제공하도록 구성된다.
[0019] 정전 척은 하나 이상의 임베딩된 전극들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 정전 척은 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 포함한다. 베이스 플레이트 조립체는 정전 척의 전자 컴포넌트들에 전력을 제공하도록 구성된 복수의 전기 피드스루들을 하우징한다. 일부 실시예들에서, 전기 피드스루들은 고전압 애플리케이션들에 대해 정격된다. 일부 실시예들에서, 전기 피드스루들은 최대 약 1.5 kV의 DC 전력 정격 및 최대 약 7.5 A의 DC 전류 정격을 갖는다. 일부 실시예들에서, 정전 척은 섭씨 450도까지 가열된다.
[0020] 도 1은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 정전 척을 갖는 프로세스 챔버(예컨대, 플라즈마 프로세싱 챔버)의 개략적인 측면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 플라즈마 프로세싱 챔버는 에칭 프로세싱 챔버이다. 그러나, 상이한 프로세스들을 위해 구성된 다른 타입들의 프로세싱 챔버들이 또한, 본원에서 설명되는 정전 척의 실시예들을 사용할 수 있거나 또는 이러한 정전 척의 실시예들과 함께 사용하기 위해 수정될 수 있다.
[0021] 챔버(100)는 기판 프로세싱 동안 챔버 내부 볼륨(120) 내의 부압(sub-atmospheric pressure)들을 유지하도록 적절하게 구성되는 진공 챔버이다. 챔버(100)는, 챔버 내부 볼륨(120)의 상부 절반에 위치된 프로세싱 볼륨(119)을 에워싸는 덮개(104)에 의해 커버되는 챔버 바디(106)를 포함한다. 챔버(100)는 또한, 다양한 챔버 컴포넌트들과 이온화된 프로세스 재료 사이의 원하지 않는 반응을 방지하기 위해 그러한 컴포넌트들을 둘러싸는 하나 이상의 차폐부들(105)을 포함할 수 있다. 챔버 바디(106) 및 덮개(104)는 알루미늄과 같은 금속으로 만들어질 수 있다. 챔버 바디(106)는 접지(115)로의 커플링을 통해 접지될 수 있다.
[0022] 기판 지지부(124)는, 예컨대 반도체 웨이퍼와 같은 기판(122), 또는 정전기적으로 유지될 수 있는 다른 그러한 기판을 지지 및 유지하도록 챔버 내부 볼륨(120) 내에 배치된다. 기판 지지부(124)는 일반적으로, 하부 조립체(136) 상에 배치된 정전 척(150)을 포함할 수 있다. 하부 조립체(136)는 정전 척(150)을 지지하기 위한 중공 지지 샤프트(112)를 포함한다. 정전 척(150)은 세라믹 퍽(152)을 포함하고, 세라믹 퍽(152)에는 하나 이상의 전극들(154)이 내부에 배치되어 있다. 중공 지지 샤프트(112)는, 예컨대 후면 가스들, 프로세스 가스들, 유체들, 냉각제들, 전력 등을 정전 척(150)에 제공하기 위한 도관을 제공한다.
[0023] 일부 실시예들에서, 중공 지지 샤프트(112)는 (도 1에 도시된 바와 같은) 상부 프로세싱 포지션과 하부 이송 포지션(도시되지 않음) 사이에서 정전 척(150)의 수직 이동을 제공하는 액추에이터 또는 모터와 같은 리프트 메커니즘(113)에 커플링된다. 하부 조립체(136)는 중공 지지 샤프트(112) 주위에 배치된 벨로우즈 조립체(110)를 포함한다. 벨로우즈 조립체(110)는, 챔버(100) 내로부터의 진공 손실을 방지하면서 정전 척(150)의 수직 모션을 가능하게 하는 가요성 밀봉부를 제공하도록 챔버(100)의 최하부 표면(126)과 정전 척(150) 사이에 커플링된다. 벨로우즈 조립체(110)는 또한, 챔버 진공 손실을 방지하는 것을 돕기 위해 최하부 표면(126)과 접촉하는 o-링(165) 또는 다른 적절한 밀봉 엘리먼트와 접촉하는 하부 벨로우즈 플랜지(164)를 포함한다.
[0024] 중공 지지 샤프트(112)는 후면 가스 공급부(141), 척킹 전력 공급부(140) 및 RF 소스들(예컨대, RF 플라즈마 전력 공급부(170) 및 RF 바이어스 전력 공급부(117))을 정전 척(150)에 커플링하기 위한 도관을 제공한다. 후면 가스 공급부(141)는 챔버 바디(106) 외부에 배치되며, 사용 동안 정전 척(150)의 지지 표면 상의 온도 또는 압력 및/또는 온도 프로파일 또는 압력 프로파일을 제어하기 위해 가스 도관(142)을 통해 정전 척(150)에 가스를 공급한다. 일부 실시예들에서, RF 플라즈마 전력 공급부(170) 및 RF 바이어스 전력 공급부(117)는 개개의 RF 정합 네트워크들(RF 정합 네트워크(116)만이 도시됨)을 통해 정전 척(150)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 기판 지지부(124)는 대안적으로, AC, DC 또는 RF 바이어스 전력을 포함할 수 있다.
[0025] 기판 리프트(130)는 샤프트(111)에 연결된 플랫폼(108) 상에 장착된 리프트 핀들(109)을 포함할 수 있으며, 샤프트(111)는 기판(122)이 정전 척(150) 상에 배치되거나 또는 정전 척(150)으로부터 제거될 수 있도록 기판 리프트(130)를 상승 및 하강시키기 위한 제2 리프트 메커니즘(132)에 커플링된다. 정전 척(150)은 리프트 핀들(109)을 수용하기 위한 스루-홀들을 포함할 수 있다. 기판 리프트(130)의 수직 모션 동안 챔버 진공을 유지하는 가요성 밀봉부를 제공하도록 기판 리프트(130)와 최하부 표면(126) 사이에 벨로우즈 조립체(131)가 커플링된다.
[0026] 챔버(100)는, 챔버(100)를 배기시키기 위해 사용되는 진공 펌프(도시되지 않음) 및 스로틀 밸브(도시되지 않음)를 포함하는 진공 시스템(114)에 커플링되고 진공 시스템(114)과 유체 연통한다. 챔버(100) 내부의 압력은, 스로틀 밸브 및/또는 진공 펌프를 조정함으로써 조절될 수 있다. 챔버(100)는 또한, 챔버(100)에 배치된 기판을 프로세싱하기 위해 챔버(100)에 하나 이상의 프로세스 가스들을 공급할 수 있는 프로세스 가스 공급부(118)에 커플링되고 프로세스 가스 공급부(118)와 유체 연통한다.
[0027] 정전 척(150)의 온도는 기판의 온도를 제어하기 위해 조정될 수 있다. 예컨대, 정전 척(150)은 저항성 가열기와 같은 임베딩된 하나 이상의 가열 엘리먼트들(예컨대, 제1 가열기 엘리먼트(172) 및 제2 가열기 엘리먼트(174))을 사용하여 가열될 수 있다. 제1 가열기 엘리먼트(172) 및 제2 가열기 엘리먼트(174)는 가열기 전력 공급부(180)에 커플링된다. 가열기 전력 공급부(180)는 제1 가열기 엘리먼트(172) 및 제2 가열기 엘리먼트(174) 둘 모두에 전력을 제공하기 위한 하나의 전력 공급부 또는 각각의 개개의 가열기 엘리먼트에 커플링된 다수의 전력 공급부들을 포함할 수 있다.
[0028] 동작 시에, 예컨대, 플라즈마(102)가 하나 이상의 프로세스들을 수행하기 위해 챔버 내부 볼륨(120)에 생성될 수 있다. 플라즈마(102)는, 플라즈마 전력 소스(예컨대, RF 플라즈마 전력 공급부(170))로부터의 전력을 챔버 내부 볼륨(120) 근처의 또는 챔버 내부 볼륨(120) 내의 하나 이상의 전극들을 통해 프로세스 가스에 커플링하여 프로세스 가스를 점화시키고 플라즈마(102)를 생성함으로써 생성될 수 있다. 바이어스 전력이 또한, 플라즈마로부터의 이온들을 기판(122)을 향해 끌어 당기기 위해 바이어스 전력 공급부(예컨대, RF 바이어스 전력 공급부(117))로부터 정전 척(150) 내의 하나 이상의 전극들(154)로 제공될 수 있다.
[0029] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 기판 지지부(124)의 개략적인 측면도를 도시한다. 기판 지지부(124)는 하부 조립체(136)에 제거가능하게 커플링된 세라믹 퍽(152)을 포함한다. 기판 지지부(124)의 하부 조립체(136)는 하부 플레이트(208)에 커플링된 베이스 플레이트 조립체(204)를 포함한다. 하부 플레이트(208)는 중공 지지 샤프트(112)에 커플링된다. 베이스 플레이트 조립체(204), 하부 플레이트(208) 및 중공 지지 샤프트(112)는 제1 플레넘(234)을 정의한다. 일부 실시예들에서, 제1 플레넘은 사용 동안 대기압에 있다. 세라믹 퍽(152)은 베이스 플레이트 조립체(204)에 제거가능하게 커플링된다. 세라믹 퍽(152)은 기판을 지지하기 위한 제1 측부(236) 또는 상부 표면, 및 베이스 플레이트 조립체(204)에 제거가능하게 커플링된 제2 측부(238) 또는 하부 표면을 포함한다. 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)은 알루미늄 나이트라이드(AlN)로 만들어진다.
[0030] 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 스테인리스 강과 같은 금속으로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)의 하나 이상의 외부 표면들은 베이스 플레이트 조립체(204)의 표면 방사율을 증가시키기 위해 텍스처링된다. 증가된 표면 방사율은 척으로부터 베이스 플레이트 조립체(204)로의 열 방산을 향상시킨다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 적절한 기계적 또는 화학적 프로세스를 통해, 예컨대, 샌드블라스팅 또는 그릿 블라스팅에 의해 텍스처링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 중심 플레이트(202) 및 중심 플레이트(202)의 상부 표면으로부터 상향으로 연장되는 중심 돌출부(216)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 중심 돌출부(216)는 원통형 형상을 갖는다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 중심 돌출부(216)와 동일한 방향으로 중심 플레이트(202)로부터 상향으로 연장되는 제1 레그(218)를 더 포함한다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 제1 레그(218)로부터 반경방향 바깥쪽으로 연장되는 제2 레그(224)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 제2 레그(224)로부터 중심 플레이트(202)를 향해 하향으로 연장되는 외부 립(226)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 하부 플레이트(208)는 베이스 플레이트 조립체(204)의 외부 립(226)에 커플링된다. 중심 돌출부(216)는 후면 가스 공급부(141)에 커플링된 중심 개구(242)를 포함한다.
[0031] 중심 플레이트(202)는 중심 돌출부(216) 주위에 복수의 개구들(230)을 포함한다. 전기 피드스루(228)가 복수의 개구들(230)의 각각의 개구에 배치된다. 일부 실시예들에서, 단자(232)가 전기 피드스루들(228) 각각을 세라믹 퍽(152)의 전자 컴포넌트(예컨대, 전극(154), 제1 가열기 엘리먼트(172), 제2 가열기 엘리먼트(174))에 전기적으로 커플링하기 위해 전기 피드스루들(228) 각각에 대향하는, 세라믹 퍽(152)의 제2 측부(238)로부터 바깥쪽으로 연장된다.
[0032] 일부 실시예들에서, 아이솔레이터 링(206)이 중심 플레이트(202) 상에 배치되며, 아킹을 유리하게 방지하기 위해 인접 전기 피드스루들(228)을 전기적으로 격리시키도록 구성된다. 아이솔레이터 링(206)은 중심 돌출부(216) 주위에 배치된 중심 개구(244)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 아이솔레이터 링(206)은 전기 피드스루들(228)의 위치들에 대응하는 복수의 개구들(214)을 중심 개구(244) 주위에 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나의 전기 피드스루(228)와 하나의 대응하는 단자(232)가 복수의 개구들(214)의 각각의 개구 내에서 커플링된다. 일부 실시예들에서, 아이솔레이터 링(206)은 알루미늄 옥사이드(Al2O3)로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 아이솔레이터 링(206)은 중심 돌출부(216)와 제1 레그(218) 사이에 배치된다.
[0033] 동작 시에, 챔버 내부 볼륨(120)에서 생성된 플라즈마(102)는 기판 및 세라믹 퍽(152)을 가열할 수 있다. 세라믹 퍽(152)을 냉각시키기 위해, 일부 실시예들에서, 냉각 플레이트(212)가 베이스 플레이트 조립체(204)와 하부 플레이트(208) 사이에 배치되고, 베이스 플레이트 조립체에 커플링된다. 냉각 플레이트(212)는 냉각제 소스(210)에 커플링된 채널(222)을 포함하며, 채널(222)은 냉각 플레이트(212)를 냉각시키기 위해 채널(222)을 통해 냉각제를 순환시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 냉각제는 물이다. 베이스 플레이트 조립체(204) 및 세라믹 퍽(152)은 전도 및 복사를 통해 냉각 플레이트(212)에 의해 냉각될 수 있다. 일부 실시예들에서, 냉각 플레이트(212)는 니켈-도금된 구리, 또는 스테인리스 강으로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 냉각 플레이트(212)는 중심 플레이트(202)와 제2 레그(224) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 냉각 플레이트(212)는 베이스 플레이트 조립체(204)의 중심 플레이트(202)와 외부 립(226) 사이에 배치된다.
[0034] 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)의 온도를 측정하기 위해 열전대(240)가 세라믹 퍽(152)에 배치된다. 열전대(240)는, 세라믹 퍽(152)의 온도를 유리하게 제어하고 열 안정성을 유지하기 위해 PID 제어기와 같은 제어기(220)에 커플링된다. 세라믹 퍽(152)의 온도를 증가시키기 위해, 하나 이상의 가열 엘리먼트들(예컨대, 제1 가열기 엘리먼트(172), 제2 가열기 엘리먼트(174))이 에너자이징된다. 세라믹 퍽(152)의 온도를 감소시키기 위해, 가열 엘리먼트들에 공급되는 전력이 감소된다. 냉각 플레이트(212)를 통해 순환되는 냉각제는 추가적으로, 높은 DC/RF 플라즈마 전력 및 높은 RF 바이어스 전력을 사용하는 프로세스 조건들 하에서 세라믹 퍽(152)의 열적 안정성을 원하는 온도 설정점으로 유지하는 것을 돕는다.
[0035] 도 3은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 베이스 플레이트 조립체의 부분 등각도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 도 3에 도시된 바와 같이, 7개의 전기 피드 스루들 (228)이있다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 7개 초과의 또는 7개 미만의 전기 피드스루들(228)을 수납할 수 있다. 일부 실시예들에서, 제1 쌍의 전기 피드스루들(228A, 228B)은 일 단부에서 전극(154)의 리드(lead)들에 커플링되고, 제2 단부에서 척킹 전력 공급부(140)로의 리드들에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제2 쌍의 전기 피드스루들(228D, 228E)은 일 단부에서 제1 가열기 엘리먼트(172)의 리드들에 커플링되고, 제2 단부에서 가열기 전력 공급부(180)로의 리드들에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제3 쌍의 전기 피드스루들(228A, 228B)은 일 단부에서 제2 가열기 엘리먼트(174)의 리드들에 커플링되고, 제2 단부에서 가열기 전력 공급부(180)로의 리드들에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 전기 피드스루(228C)는 바이어스 전압(예컨대, RF/AC 바이어스)이 기판 지지부(124)에 인가될 때 기판의 플로팅 전압을 측정하도록 구성된 중심 탭을 위한 것이다.
[0036] 일부 실시예들에서, 전기 피드스루(228A)는 전기 피드스루(228B)에 인접한다. 일부 실시예들에서, 제1 쌍의 전기 피드스루들(228A, 228B), 제2 쌍의 전기 피드스루들(228D, 228E) 및 제3 쌍의 전기 피드스루들(228F, 228G)은 중심 플레이트(202)의 중심(예컨대, 중심 축(410))으로부터 약 3.0 인치 내지 약 4.0 인치에 배치된다. 일부 실시예들에서, 중심 탭을 위한 전기 피드스루(228C)는 중심 플레이트(202)의 중심으로부터 약 1.0 인치 내지 약 2.0 인치에 배치된다. 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)의 단자들(232)은 전기 피드스루들(228)과 유사하게 배열된다.
[0037] 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 중심 돌출부(216)로부터 반경방향 바깥쪽으로 연장되는 상부 탭들(308)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 상부 탭들(308)은 중심 돌출부 주위에서 정반대로 대향하는 2개의 상부 탭들(308)이다. 일부 실시예들에서, 상부 탭들(308)은 개구(304)를 포함하고, 개구(304)는 개구(304)를 통해 패스너(302)를 수납하기 위한 것이다. 일부 실시예들에서, 중심 돌출부(216)의 상부 표면(310)은 중심 개구(242) 주위에 융기된 립(312)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 융기된 립(312)은 베이스 플레이트 조립체(204)와 세라믹 퍽(152) 사이의 접촉 표면을 정의한다. 일부 실시예들에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 중심 돌출부(216)의 상부 표면(310)은, 베이스 플레이트 조립체(204)와 세라믹 퍽(152) 사이의 더 우수한 밀봉부를 유리하게 제공하도록 편평하다.
[0038] 도 4는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체 사이의 연결 계면의 단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)은 세라믹 퍽(152)의 제2 측부(238)로부터 연장되는 계면 링(404)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 계면 링은 약 1.0 인치 내지 약 1.7 인치의 외경을 갖는다. 일부 실시예들에서, 계면 링(404)의 최하부 표면과 융기 립(312)의 최상부 표면은 베이스 플레이트 조립체(204)와 세라믹 퍽(152) 사이의 접촉 영역을 정의한다.
[0039] 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)과 베이스 플레이트 조립체(204) 사이의 접촉 영역(426)은 유리하게, 세라믹 퍽(152)의 온도 균일성을 촉진시키기 위해 최소화된다. 세라믹 퍽(152)과 베이스 플레이트 조립체(204) 사이의 더 큰 접촉 영역은 베이스 플레이트 조립체(204)가 열 싱크로서 작용하는 것으로 이어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 계면 링(404)과 중심 돌출부(216) 사이의 접촉 영역(426) 외부에서 세라믹 퍽(152)과 베이스 플레이트 조립체(204) 사이에 갭(412)이 배치된다.
[0040] 일부 실시예들에서, 제1 튜브(418)가 접촉 영역(426)으로부터 반경방향 안쪽으로 계면 링(404)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제1 튜브(418)는 계면 링(404)에 브레이징(braze) 또는 용접(weld)된다. 일부 실시예들에서, 제2 튜브(420)는 제1 튜브(418)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제2 튜브(420)는 제1 튜브(418)에 브레이징 또는 용접된다. 후면 가스 공급부(141)로부터 베이스 플레이트 조립체(204)의 중심 개구(242)를 통한 세라믹 퍽(152)의 제1 측부(236)로의 가스 통로를 제공하기 위해, 중심 스루 홀(422)이 세라믹 퍽(152)을 통해(예컨대, 계면 링(404), 제1 튜브(418) 및 제2 튜브(420)를 통해) 연장된다.
[0041] 일부 실시예들에서, 가스 누설을 감소시키거나 또는 방지하기 위해, 밀봉부(430)가 베이스 플레이트 조립체(204)의 중심 개구(242)의 측벽들과 제2 튜브(420) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 밀봉부(430)는 경사형 스프링(canted spring)이다. 일부 실시예들에서, 밀봉부(430)는 가스 밀봉부 뿐만 아니라 전기 접촉을 제공하기 위해 니켈-크롬을 포함하는 금속 합금으로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 제2 튜브(420)는 제2 튜브(420)의 바디 주위에 상부 환형 레지(424) 및 하부 환형 레지(428)를 포함하는데, 이들 사이에 밀봉부(430)가 배치된다. 일부 실시예들에서, 하부 환형 레지(428)가 하향으로 가압될 때 밀봉부(430)가 추가로 압축되도록, 하부 환형 레지(428)는 중심 개구(242)의 측벽들의 형상에 대응하여 반경방향 안쪽으로 그리고 아래쪽으로 테이퍼링된다.
[0042] 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 중심 돌출부(216)로부터 반경방향 바깥쪽으로 연장되는 하부 탭들(406)을 포함한다. 하부 탭들(406) 각각은 패스너(302)를 수납하기 위한 개구(432)를 포함한다. 하부 탭들(406)의 각각의 개구(432)는 상부 탭(308)의 대응하는 개구(304)와 정렬된다. 상부 탭들(308)은 하부 탭들(406)로부터 이격된다. 일부 실시예들에서, 플로팅 너트(408)가 하부 탭들(406) 각각에 부분적으로 배치된다.
[0043] 일부 실시예들에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 세라믹 퍽(152)을 베이스 플레이트 조립체에 커플링하기 위해 2개의 패스너들(302)이 세라믹 퍽(152)의 패스너 개구들(416)에 배치된다. 일부 실시예들에서, 2개의 패스너들(302)은 세라믹 퍽(152)의 중심 축(410)으로부터 약 0.8 인치 내지 약 1.1 인치에 배치된다. 패스너들(302) 각각은, 상부 탭(308)의 개구(304)를 통해, 하부 탭(406)에 배치된 플로팅 너트(408) 내에 배치된다. 패스너(302)의 직경은 개구(304) 및 개구(432)의 직경보다 더 작다. 플로팅 너트(408)는 유리하게, 높은 온도들로 가열될 때 세라믹 퍽(152)의 열 팽창에 응하여 패스너(302)가 개구(304) 및 개구(432) 내에서 이동할 수 있게 한다.
[0044] 도 5는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 플로팅 너트(408)의 등각도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 플로팅 너트(408)는 개구(504)를 갖는 바디(508)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 개구(504)는 (예컨대, 블라인드 설치 동안) 최상부로부터 삽입될 때 패스너들(302)을 셀프-센터링(self-centering)하는 것을 보조하기 위한 카운터싱크(countersunk) 홀을 포함한다. 바디(508)는 상부 표면(514) 및 하부 표면(516)을 갖는다. 중심 돌출부(510)가 개구(504) 주위에서 하부 표면(516)으로부터 연장된다. 중심 돌출부(510)가 바디(508)로부터 멀어지게 연장됨에 따라, 중심 돌출부(510)의 외부 측벽이 반경방향 안쪽으로 테이퍼링된다. 중심 돌출부(510)는 하부 탭들(406)의 개구들(432) 내에 맞도록 사이즈가 정해진다.
[0045] 한 쌍의 제1 레그들(502)이 개구(504)의 대향 측들에서 하부 표면(516)으로부터 연장된다. 한 쌍의 제1 레그들(502)은 하부 탭들(406)에 걸쳐 있도록 이격된다. 한 쌍의 제2 레그들(506)이 개구(504)의 대향 측들에서 상부 표면(514)으로부터 연장된다. 일부 실시예들에서, 한 쌍의 제2 레그들(506)은 한 쌍의 제1 레그들(502)보다 개구(504)에 더 가깝게 배치된다. 한 쌍의 제2 레그들(506)은 이러한 한 쌍의 제2 레그들(506)이 상부 탭들(308)보다 더 넓도록 이격된다. 사용 시에, 플로팅 너트(408)는, 패스너(302)에 커플링될 때, 상부 탭(308)과 하부 탭(406) 사이에서 유지되면서 반경방향 및 축 방향으로 이동할 수 있다.
[0046] 도 6은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 세라믹 퍽과 베이스 플레이트 조립체 사이의 연결 계면의 단면도를 도시한다. 일부 실시예들에서, 열전대(240)는 베이스 플레이트 조립체(204)의 중심 돌출부(216)를 통해 그리고 부분적으로 세라믹 퍽(152)을 통해 배치된다. 일부 실시예들에서, 열전대(240)는 복사에 의해 열을 픽업하는 비-접촉 팁을 갖는다. 일부 실시예들에서, 열전대(240)는 금속성 슬리브(614)에 의해 둘러싸인다. 일부 실시예들에서, 스프링과 같은 바이어싱 엘리먼트(616)가 열전대(240)의 최상부 표면(618)을 금속성 슬리브(614)를 향해 가압하도록 열전대(240) 주위에 배치된다. 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)은 열전대(240)를 위한 개구(608)를 가지며, 개구(608)는, 세라믹 퍽(152)이 열 팽창 및 수축을 겪을 때 열전대(240)가 개구(608)의 측벽과 접촉하는 것을 유리하게 방지하기 위해, 열전대(240)의 외경보다 직경이 더 크다.
[0047] 일부 실시예들에서, 도 7에 도시된 바와 같이, 열전대(240)는 접촉-타입 열전대이다. 예컨대, 접촉-타입 열전대는, 온도 판독을 생성하기 위해, 열전대의 최상부 표면(618)을 세라믹 퍽(152)에 대해 누르기 위한 스프링, 벨로우즈 등과 같은 바이어싱 엘리먼트를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 바이어싱 엘리먼트(616)는 스프링 부재를 포함한다. 일부 실시예들에서, 바이어싱 엘리먼트는 벨로우즈(704)를 포함한다. 예컨대, 벨로우즈(704)는 금속성 슬리브(614)의 제1 부분(710)과 금속성 슬리브(614)의 제2 부분(720) 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체(204)는 열전대(240)를 수납하기 위한 홀을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 홀은 상부 표면(310)으로부터 중심 돌출부(216)를 통해 연장된다.
[0048] 도 6을 다시 참조하면, 일부 실시예들에서, 열전대(240)는 중심 플레이트(202)의 하부 표면(612)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트 조립체의 중심 개구(242)는 제1 부분(604) 및 제2 부분(606)을 갖는다. 일부 실시예들에서, 중심 플레이트(202)의 하부 표면(612)에 열전대(240)를 용접하기 위한 공간을 허용하기 위해, 제2 부분(606)은 열전대(240)로부터 멀어지게 그리고 제1 부분(604)에 대해 일정 각도로 연장된다.
[0049] 일부 실시예들에서, 복수의 전기 피드스루들(228) 각각은 세라믹 슬리브(622)에 의해 둘러싸인 전도성 코어(624)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 전도성 코어(624)는 일 단부에 스레드형(threaded) 샤프트(626)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 전도성 코어(624)는 스레드형 샤프트(626)에 대향하는 단부에 스레드형 개구(638)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 전력 공급부(예컨대, 척킹 전력 공급부(140), 가열기 전력 공급부(180))로부터의 리드가, 스레드형 개구(638)를 통해 배치된 패스너(636)를 통해, 전도성 코어(624)에 커플링된다.
[0050] 일부 실시예들에서, 금속 슬리브(620)가, 스레드형 샤프트(626)에 근접한 일 단부 근처에서, 세라믹 슬리브(622)에 커플링되고 세라믹 슬리브(622) 주위에 배치된다. 금속 슬리브(620)는 베이스 플레이트 조립체(204)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 금속 슬리브(620)는 전기 피드스루(228)의 임의의 열 팽창을 수납하도록 U-형상화된다. 일부 실시예들에서, 와셔(634)가 패스너(636)와 세라믹 슬리브(622) 사이에 배치된다.
[0051] 일부 실시예들에서, 세라믹 퍽(152)의 열 팽창에 기인한 전기 피드스루(228)에 대한 단자(232)의 반경방향 이동을 유리하게 허용하기 위해, 그리고 베이스 플레이트 조립체 상의 전기 피드스루 축들과 세라믹 퍽 단자 축들 사이의 임의의 포지션 부정확성들을 처리하기 위해, 복수의 전기 피드스루들(228) 각각과 세라믹 퍽(152)의 각각의 단자(232) 사이에 가요성 커넥터(630)가 배치된다.
[0052] 일부 실시예들에서, 가요성 커넥터(630)는 세라믹 퍽(152)으로부터 연장되는 단자(232)를 수용하기 위한 개구를 제1 단부(652)에 포함한다. 일부 실시예들에서, 가요성 커넥터(630)는 복수의 전기 피드스루들(228) 중 하나의 전기 피드스루의 전도성 코어(624)를 수용하기 위한 개구를 제2 단부(632)에 포함한다. 일부 실시예들에서, 세라믹 와셔(648)가, 접지에 대한 전기 절연을 제공하기 위해 가요성 커넥터(630)와 전기 피드스루(228) 사이에 배치된다. 일부 실시예들에서, 가요성 커넥터(630)는 제1 단부(652)와 제2 단부(632) 사이에 나선형 부분(640)을 갖는다. 나선형 부분(640)은, 단자(232)와 전기 피드스루(228) 사이의 전기 접촉을 유지하면서, (예컨대, 열 팽창으로 인한) 반경방향 하중 하에서 유리하게 가요성 커넥터(630)가 구부러질 수 있게 하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 가요성 커넥터(630)는 니켈-크롬을 포함하는 금속 합금으로 만들어진다.
[0053] 일부 실시예들에서, 가요성 커넥터(630)는 단자(232) 주위에 환형 그루브(644)를 갖는다. 일부 실시예들에서, 바이어싱 엘리먼트(642)가 단자(232)와 가요성 커넥터(630) 사이의 전기 접촉을 향상시키기 위해 환형 그루브(644)에 배치된다. 일부 실시예들에서, 바이어싱 엘리먼트(642)는 경사형 스프링이다. 일부 실시예들에서, 바이어싱 엘리먼트(642)는 니켈-크롬을 포함하는 금속 합금으로 만들어진다.
[0054] 전술된 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 안출될 수 있다.

Claims (20)

  1. 베이스 플레이트 조립체를 갖는 하부 조립체 ―상기 베이스 플레이트 조립체는 중심 돌출부 주위에 배치된 복수의 전기 피드스루들을 포함함―;
    상기 하부 조립체 상에 배치되고 상기 베이스 플레이트 조립체에 제거가능하게 커플링된 세라믹 퍽(puck) ―상기 세라믹 퍽에는 상기 복수의 전기 피드스루들 중 제1 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링되는 전극이 내부에 배치되어 있음―; 및
    상기 세라믹 퍽과 상기 베이스 플레이트 조립체의 열 팽창의 차이들을 허용하도록 상기 복수의 전기 피드스루들 각각과 상기 세라믹 퍽 사이에 배치된 나선형(spiral) 부분을 갖는 가요성 커넥터
    를 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 세라믹 퍽은 패스너들을 통해 상기 하부 조립체에 커플링되고, 상기 패스너들 각각은 상기 세라믹 퍽의 열 팽창을 허용하도록 상기 베이스 플레이트 조립체의 플로팅(floating) 너트에 커플링되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 패스너들 각각은 상기 베이스 플레이트 조립체의 상기 중심 돌출부로부터 반경방향 바깥쪽으로 연장되는 탭의 개구를 통해 배치되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 가요성 커넥터는, 상기 세라믹 퍽의 하부 표면으로부터 연장되는 단자를 수용하도록 제1 단부에 있는 개구, 및 상기 복수의 전기 피드스루들 중 하나의 전기 피드스루의 전도성 코어를 수용하도록 제2 단부에 있는 개구를 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 가요성 커넥터는 환형 그루브를 포함하고, 상기 환형 그루브와 상기 단자 사이에 경사형 스프링(canted spring)이 배치되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  6. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 퍽은 상기 세라믹 퍽의 하부 표면으로부터 연장되는 계면 링을 가지며, 상기 계면 링은, 상기 베이스 플레이트 조립체의 상기 중심 돌출부의 개구에 유동적으로 커플링되고 상기 중심 돌출부의 개구를 통해 가스를 유동시키도록 구성되는 중심 스루 홀(through hole)을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  7. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    아이솔레이터 링이 상기 중심 돌출부 주위에 배치되며, 상기 복수의 전기 피드스루들 중 인접 전기 피드스루들 사이의 아킹을 방지하기 위해 상기 복수의 전기 피드스루들을 위한 개구들을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  8. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    열전대가 상기 베이스 플레이트 조립체의 상기 중심 돌출부를 통해 배치되고, 상기 세라믹 퍽 내로 연장되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  9. 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세라믹 퍽은 내부에 임베딩된 하나 이상의 가열 엘리먼트들을 포함하고, 상기 하나 이상의 가열 엘리먼트들은 상기 복수의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 전기 피드스루들은 상기 세라믹 퍽에 임베딩된 제1 저항성 가열기에 커플링된 제2 쌍의 전기 피드스루들을 포함하고, 상기 세라믹 퍽은 개개의 플로팅 너트에 커플링된 패스너들을 통해 상기 베이스 플레이트 조립체에 제거가능하게 커플링되고, 상기 세라믹 퍽은 기판을 수용하기 위한 제1 측부 및 상기 제1 측부에 대향하는 제2 측부를 갖고 상기 제2 측부로부터 연장되는 계면 링을 가지며, 커플링될 때, 상기 베이스 플레이트 조립체와 상기 세라믹 퍽은 상기 중심 돌출부와 상기 계면 링 사이의 계면에서만 서로 접촉하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 세라믹 퍽에 임베딩되고 제3 쌍의 전기 피드스루들에 전기적으로 커플링된 제2 저항성 가열기를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 패스너들 각각은 상기 중심 돌출부로부터 연장되는 상부 탭의 개구를 통해 그리고 상기 중심 돌출부로부터 연장되는 하부 탭의 개구 내에 배치되며, 각각의 플로팅 너트는 상기 하부 탭의 개구에 부분적으로 배치되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 복수의 전기 피드스루들의 각각의 전기 피드스루는 세라믹 슬리브에 의해 둘러싸인 전도성 코어를 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  14. 제10 항 내지 제13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    전기적 커플링을 유지하면서 상기 세라믹 퍽의 열 팽창을 허용하도록 상기 세라믹 퍽과 각각의 전기 피드스루 사이에 가요성 커넥터가 배치되는,
    기판 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 기판 지지부.
  15. 프로세스 챔버로서,
    제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항의 기판 지지부를 갖는 챔버 바디를 포함하며, 상기 기판 지지부는 상기 챔버 바디의 내부 볼륨 내에 배치되며, 상기 기판 지지부는 냉각 플레이트를 더 포함하며, 상기 냉각 플레이트는 상기 냉각 플레이트를 통해 냉각제를 순환시키도록 구성되며, 상기 베이스 플레이트 조립체는 상기 냉각 플레이트 상에 배치되고, 상기 베이스 플레이트 조립체는 제2 쌍의 전기 피드스루들을 포함하며, 상기 제2 쌍의 전기 피드스루들은 상기 세라믹 퍽에 임베딩된 가열기에 전기적으로 커플링되는,
    프로세스 챔버.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 가요성 커넥터는 환형 그루브를 포함하고, 상기 환형 그루브와 상기 단자 사이에 경사형 스프링이 배치되는,
    프로세스 챔버.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 전기 피드스루들은 7개의 전기 피드스루들을 포함하는,
    프로세스 챔버.
  18. 제15 항에 있어서,
    스프링 부재를 갖는 열전대가 상기 베이스 플레이트 조립체의 상기 중심 돌출부를 통해 배치되고, 상기 세라믹 퍽 내로 연장되는,
    프로세스 챔버.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 세라믹 퍽의 중심 스루 홀 및 상기 베이스 플레이트 조립체의 중심 개구를 통해 상기 세라믹 퍽의 제1 측부에 유동적으로 커플링된 후면 가스 공급부를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트 조립체는 중심 플레이트 및 외부 립을 포함하고, 상기 냉각 플레이트는 상기 중심 플레이트와 상기 외부 립 사이에 배치되는,
    프로세스 챔버.
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