JP7391720B2 - 半導体集積回路装置および電流検出回路 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態の電流検出回路の構成を示す図である。本実施形態の電流検出回路は、電源と接地間に接続された負荷に流れる電流を検出する。図1の電流検出回路は、半導体集積回路装置10を備える。半導体集積回路装置10は、例えば、プリント配線基板(図示せず)に一体的に集積される。半導体集積回路装置10は、外部の素子等と接続されるノードN1からノードN5を有する。各ノードN1~N5は、接続端子、例えばボンディングパッド(図示せず)である。あるいは、各ノードN1~N5は、配線の接続点を示す。ノードN1には、負荷30の一端が接続される。負荷30の他端は接地される。図1は、負荷30が半導体集積回路装置10に対して低電位側に接続される場合の構成を示す。
図2は、第2の実施形態の電流検出回路の構成を示す図である。既述した実施形態に対応する構成には、同一符号を付し、重複した記載は必要な場合にのみ行う。以降、同様である。図2の電流検出回路は、ノードN2を電源端子20に接続する接続手段Rp1を有する。接続手段Rp1は、例えば、プリント配線基板(図示せず)において、トランジスタMP1のソースを電源端子20に接続する配線やボンディングワイヤである。接続手段Rp1は、例えば配線による抵抗値を有し、本実施形態においては便宜的に、抵抗値Rp1を有する抵抗として示す。尚、接続手段Rp1は、所定の抵抗値を有する抵抗素子を含めて構成しても良い。
図3は、第3の実施形態の電流検出回路の構成を示す図である。図3の電流検出回路は、負荷30が半導体集積回路装置10に対して高電位側に接続される場合の構成を示す。
図4は、第4の実施形態の電流検出回路の構成を示す図である。図4の電流検出回路は、ノードN2を接地端子に接続する接続手段Rp1を有する。接続手段Rp1は、例えば、プリント配線基板(図示せず)において、トランジスタMN1のソースを接地する配線である。接続手段Rp1は便宜的に、抵抗値Rp1を有する抵抗として示す。
Claims (5)
- 第1のノードと第2のノードとの間に主電流路が接続され、第1の出力電流を出力する第1のスイッチング素子と、
前記第1のノードと第3のノードとの間に主電流路が接続され、前記第1の出力電流に対してK分の1倍(Kは1より大きい任意の正数)の第2の出力電流を出力する第2のスイッチング素子と、
第4のノードと第5のノードとの間に主電流路が接続される第3のスイッチング素子と、
前記第3のノードと前記第4のノードとの間に生じる電圧差を増幅した信号を出力して前記第3のスイッチング素子の導通状態を制御する差動増幅器と、
前記第5のノードの電圧に応答して前記第1及び第2のスイッチング素子のオン/オフを制御する制御回路と、
を具備し、
前記第2のノード及び前記第3のノードには、一端に第1の電圧が印加されるとともに、要求される任意の検出精度に対応する所定の精度を有する外付けの第1の抵抗の他端が接続可能であり、
前記第4のノードには、一端に前記第1の電圧が印加されるとともに、前記検出精度を有し、前記第1の抵抗のK倍の抵抗値に設定された外付けの第2の抵抗の他端が接続可能とされている、
ことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1のノードと第2のノードとの間に主電流路が接続され、第1の出力電流を出力する第1のスイッチング素子と、前記第1のノードと第3のノードとの間に主電流路が接続され、前記第1の出力電流に対してK分の1倍(Kは1より大きい任意の正数)の第2の出力電流を出力する第2のスイッチング素子と、第4のノードと第5のノードとの間に主電流路が接続される第3のスイッチング素子と、前記第3のノードと前記第4のノードとの間に生じる電圧差を増幅した信号を出力して前記第3のスイッチング素子の導通状態を制御する差動増幅器と、前記第5のノードの電圧に応答して前記第1及び第2のスイッチング素子のオン/オフを制御する制御回路と、を有する半導体集積回路装置と、
前記半導体集積回路装置の前記第2のノード及び前記第3のノードには、一端に第1の電圧が印加され、要求される任意の検出精度に対応する所定の精度を有する外付けの第1の抵抗の他端が接続され、
前記第4のノードには、一端に前記第1の電圧が印加され、前記検出精度を有し、前記第1の抵抗のK倍の抵抗値に設定された外付けの第2の抵抗の他端が接続されている、
ことを特徴とする電流検出回路。 - 第1のノードと第2のノードとの間に主電流路が接続され、第1の出力電流を出力する第1のスイッチング素子と、前記第1のノードと第3のノードとの間に主電流路が接続され、前記第1の出力電流に対してK分の1倍(Kは1より大きい任意の正数)の第2の出力電流を出力する第2のスイッチング素子と、第4のノードと第5のノードとの間に主電流路が接続される第3のスイッチング素子と、前記第3のノードと前記第4のノードとの間に生じる電圧差を増幅した信号を出力して前記第3のスイッチング素子の導通状態を制御する差動増幅器と、前記第5のノードの電圧に応答して前記第1及び第2のスイッチング素子のオン/オフを制御する制御回路と、
を有する半導体集積回路装置と、
前記半導体集積回路装置の前記第2のノードを第1の電源端子に接続する接続手段と、
前記半導体集積回路装置の前記第3のノードに一端が接続され、他端に前記第1の電源端子の電圧が印加され、要求される任意の検出精度に対応する所定の精度を有する外付けの第3の抵抗と、
前記半導体集積回路装置の前記第4のノードに一端が接続され、他端に前記第1の電源端子の電圧が印加され、前記検出精度を有する外付けの第4の抵抗と、
を備え、
前記第3の抵抗と前記第4の抵抗は、同じ抵抗値に設定されることを特徴とする電流検出回路。 - 前記第3の抵抗と前記第4の抵抗は、前記接続手段のK倍の抵抗値に設定されることを特徴とする請求項3に記載の電流検出回路。
- 一端に前記第5のノードが接続され、他端に第2の電圧が印加される第5の抵抗と、
を具備することを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の電流検出回路。
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