JP7386348B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
すなわち、従来技術において、混合ガスを用いて被処理材をエッチングするためのプラズマを形成する場合、各ガスが気体の状態を保つようにガス温度を適切な範囲内に管理することが要求される。特に、SiCl4等の低蒸気圧のガスは、凝縮する温度が常温に近接しているため、真空処理装置を設置する建屋から供給される際に、液化を防いで気体状態を維持するための工夫を要する。このような低蒸気圧のガスの液化を防ぐためには、一般的にSiCl4ガス供給用の配管にヒータを巻きつけて加温することにより、当該ガスの温度を気体状態を維持可能な範囲内に維持する対策が考えられる。
以下、本発明の実施形態1を図1乃至7を用いて説明する。
まず、図1A,1Bを用いて、本実施形態に係るプラズマ処理装置の構成について説明する。図1Aは、本実施形態に係るプラズマ処理装置を有する真空処理装置の構成の概略を模式的に示す図であり、該真空処理装置の全体の構成の概略を示す斜視図である。また、図1Bは、図1Aに示す真空処理装置の上面図である。図1A,1Bにて右側を前面側、左側を後面側とする。
1100・・・真空搬送ブロック、
1110・・・真空搬送容器、
1120・・・中間室容器、
1130・・・ロック室容器、
1200・・・真空処理ユニット、
2000・・・大気側ブロック、
2100・・・カセット載置台、
2110・・・大気搬送容器、
2120a~c・・・カセット載置台、
100・・・ベッド部、
200・・・処理部、
201・・・真空容器、
202・・・真空ポンプ、
203・・・旋回部、
204・・・旋回部、
300・・・プラズマ形成部、
301・・・高周波発振部、
302・・・ウエハバイアス電源、
303・・・ウエハバイアス整合器、
304・・・ESC電源、
305・・・コイル部、
306・・・リフター、
307・・・天板、
308・・・ヒータ、
309・・・ヒータ、
310・・・ベースプレート、
401・・・下部容器、
402・・・試料台リングベース、
600・・・混合ガス供給配管、
UA・・・ガス供給ユニット、
UB・・・ガス供給ユニット、
a~x・・・ガス供給ライン。
Claims (8)
- 真空容器と、前記真空容器の内部に配置される処理室と、前記処理室内にプラズマを形成するために前記処理室内に処理用ガスを供給する処理用ガスラインを備えたガス供給ユニットと、複数種類のガスを各々種類毎に通流させる複数の配管と、前記配管を囲う箱体と、を有するプラズマ処理装置であって、
前記箱体には、所定の範囲に温度調節された空気が供給され、
前記プラズマ処理装置は、前記真空容器の上蓋を構成する天板と、前記天板に接するように形成された空洞容器と、外部から前記空洞容器内に供給される空気を加熱するヒータとを有し、
前記空洞容器を通過した空気が、前記箱体に供給される、プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記配管の内部を流れるガスの流量を調節する流量調節器と、複数の前記配管が前記流量調節器の下流側の箇所で合流するように接続された合流部とを有しており、前記箱体は、前記配管とともに、前記流量調節器と前記合流部を囲っている、プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記箱体は、並列する複数の前記配管を並び方向に挟む両側の壁のうち一方の壁に、前記温度調節された空気を導入する導入口を備え、他方の壁に、前記箱体内の空気を排気する排出口を備えた、プラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、
前記導入口と前記排出口は、前記箱体の対角位置に配置されている、プラズマ処理装置。 - 請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
低蒸気圧ガスを通流させる配管を含む複数の配管を収容した第1の箱体と、低蒸気圧ガス以外のガスを通流させる配管を収容した第2の箱体と、を有し、前記第1の箱体に、温度調節された空気が供給される、プラズマ処理装置。 - 請求項5に記載のプラズマ処理装置において、
前記第1の箱体に進入した複数の前記配管は、合流して第1の配管につながり、
前記第2の箱体を進入した複数の前記配管は、合流して第2の配管につながり、
前記第1の配管と前記第2の配管は、さらに合流して第3の配管を介して前記処理室につながる、プラズマ処理装置。 - 請求項6に記載のプラズマ処理装置において、
前記第1の箱体から前記第2の配管との合流部までの前記第1の配管の長さは、前記第2の箱体から前記第1の配管との合流部までの前記第2の配管の長さに等しい、プラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記処理室に形成されるプラズマにより前記天板が加熱され、前記ヒータによる加熱は、前記プラズマの生成が中断した時に行われる、プラズマ処理装置。
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5958510A (en) * | 1996-01-08 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a thin polymer layer on an integrated circuit structure |
US5997642A (en) * | 1996-05-21 | 1999-12-07 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for misted deposition of integrated circuit quality thin films |
JP3684797B2 (ja) * | 1997-12-04 | 2005-08-17 | 株式会社デンソー | 気相成長方法および気相成長装置 |
JP4359965B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2009-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP4810355B2 (ja) * | 2006-08-24 | 2011-11-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 処理ガス供給方法、基板処理方法、半導体装置の製造方法、処理ガス供給装置、基板処理装置、および記録媒体 |
JP2009084625A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 原料ガスの供給システム及び成膜装置 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011100820A (ja) | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
WO2011158691A1 (ja) | 2010-06-16 | 2011-12-22 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子及び抵抗変化素子の製造方法 |
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