JP7366194B2 - 有機金属化合物、及びこれを含む有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

本発明は、有機金属化合物に関し、より詳細には、燐光特性を有する有機金属化合物、及びこれを含む有機電界発光素子に関する。
表示装置は、様々な分野における適用に伴い、関心が高まってきている。このような表示素子のうち１つとして、有機電界発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）を含む有機発光表示装置の技術が急ピッチで発展しつつある。
有機電界発光素子は、正極と負極との間に形成された発光層に電荷を注入すると、電子と正孔が対をなして、励起子（エキシトン）を形成した後、励起子のエネルギーを光で放出する素子である。有機発光ダイオードは、既存のディスプレイ技術に比べて、低電圧駆動が可能で、電力消耗が比較的少なく、優れた色感を有するだけでなく、フレキシブル基板の適用が可能で、様々な活用が可能であって、表示装置の大きさを自由に調節することができるという長所を有している。
有機電界発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）は、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）に比べて視野角、明暗比などに優れており、バックライトが不要で、軽量かつ超薄型が可能である。有機電界発光素子は、負極（電子注入電極；ｃａｔｈｏｄｅ）と正極（正孔注入電極；ａｎｏｄｅ）との間に複数の有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送補助層、電子遮断層、発光層、電子伝達層などが配置して形成される。
かかる有機電界発光素子の構造において、両電極の間に電圧をかけると、負極と正極からそれぞれ電子と正孔が注入され、発光層で生成した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が基底状態に落ちながら発光することになる。
有機電界発光素子に使用される有機材料は、大きく発光材料と電荷輸送材料に区分される。発光材料は、有機電界発光素子の発光効率を定める重要な要因であり、発光材料は、量子効率が高く、電子と正孔の移動度に優れ、発光層に均一かつ安定的に存在しなければならない。発光材料は、発色光によって青、赤、緑などの発光材料に区分され、発色材料で色純度の増加とエネルギー転移による発光効率を増加するために、ホスト（ｈｏｓｔ）、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）として使用する。
有機電界発光素子については、低い駆動電圧、高い効率、長い寿命に関する開発が求められている。また、ＯＬＥＤ表示装置における広いＣＩＥ色座標領域を含み得る高純度カラーを表現できる発光材料に対する要求も高まってきており、特に、カラーフィルタを用いる白色有機発光ダイオードの場合、優れた発光効率と高純度カラーを示す発光物質の必要性が更に大きい。
しかしながら、色純度が高くなるほど（ＣＩＥ色座標のＸ値が大きくなるほど）、視感度は落ちるため、同じ内部量子効率では高い発光効率を得難い問題があることから、低い駆動電圧、高い効率、長い寿命でありながらも、優れた色純度を具現することのできる燐光発光材料に関する開発が求められる。
よって、本発明の目的は、駆動電圧、効率及び寿命が改善するだけでなく、色純度を向上させて、高色純度及び高輝度を具現することのできる有機金属化合物と、これを有機発光層に適用した有機電界発光素子を提供することである。
本発明の目的は、以上に言及した目的に制限されず、言及していない本発明の他の目的及び長所は、下記の説明によって理解することができ、本発明の実施例によってより明らかに理解される。また、本発明の目的及び長所は、特許請求の範囲に示した手段及びその組み合わせによって実現できることが分かりやすい。
上記課題を解決するために本発明は、下記の化１で表される新規な構造の有機金属化合物、及びこれを発光層のドーパントとして適用した有機電界発光素子を提供する。
上記化１において、
Ｍは、中央配位金属であって、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｒは、Ｘ１及びＸ２に連結して形成された縮合環（ｆｕｓｅｄ ｒｉｎｇ）であり；
Ｒ１及びＲ２は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｙは、ＢＲ３、ＣＲ３Ｒ４、Ｃ＝Ｏ、ＣＮＲ３、ＳｉＲ３Ｒ４、ＮＲ３、ＰＲ３、ＡｓＲ３、ＳｂＲ３、Ｐ（Ｏ）Ｒ３、Ｐ（Ｓ）Ｒ３、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ３、Ａｓ（Ｏ）Ｒ３、Ａｓ（Ｓ）Ｒ３、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ３、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ３、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ３、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ３、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、及びＴｅＯ２からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｒ３及びＲ４は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｘ３～Ｘ６は、それぞれ独立にＣＲ５及びＮのうちから選択される１つであってもよく；
Ｘ３～Ｘ６の隣接する置換基は、縮合して環を形成することができ、前記環は、Ｃ５－Ｃ６の炭素環（ｃａｒｂｏｎ ｒｉｎｇ）又はヘテロ環（ｈｅｔｅｒｏｃｙｌｃｌｉｃ ｒｉｎｇ）であってもよく；
Ｘ７～Ｘ１０は、それぞれ独立にＣＲ６及びＮのうちから選択される１つであってもよく；
Ｒ５及びＲ６は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
は、二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であってもよく；
ｍは、１、２又は３の定数、ｎは、０、１又は２の定数、ｍ＋ｎは、金属Ｍの酸化数であってもよい。
本発明による有機金属化合物は、有機電界発光素子の発光層のドーパントとして適用することで、有機電界発光素子の駆動電圧、効率及び寿命の特性を向上させることができる。
また、本発明による有機金属化合物は、有機電界発光素子の発光層のドーパントとして適用することで、有機電界発光素子の色純度を向上させて、高色純度及び高輝度を具現することができる。
本明細書の効果は、以上に言及した効果に制限されず、言及していない更に他の効果は、下記の記載から当業者にとって明確に理解することができる。
本発明の例示的な実施形態による有機金属化合物が、発光層に適用された有機電界発光素子を概略的に示した断面図。 本発明の例示的な実施形態による有機電界発光素子が適用された有機発光表示装置を概略的に示した断面図。 本発明の実施例１２の化合物４２、及び実施例２２の化合物１４５を適用した有機電界発光素子の発光波長及び半値幅をフローティングしたグラフであり、縦軸は、発光強度（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）、横軸は、波長（ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ，ｎｍ）を意味する。 本発明の実施例１２の化合物４２、及び実施例２２の化合物１４５を適用した有機電界発光素子の発光波長及び半値幅をフローティングしたグラフであり、縦軸は、発光強度（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）、横軸は、波長（ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ，ｎｍ）を意味する。 本発明の例示的な実施形態による２つの発光部を備えるタンデム構造でありながら、上記化Ｉで表される有機金属化合物を含む有機電界発光素子を概略的に示した断面図。
前述した目的、特徴及び長所は、添付の図面を参照して詳細に後述され、これによって、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術思想を容易に実施することができる。本発明の説明において、本発明に係る公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には詳細な説明を省略する。以下では、添付の図面を参照して、本発明による好ましい実施例を詳説することとする。図面における同じ参照符号は、同一又は類似の構成要素を示すために使われる。
本明細書を説明するのにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
本明細書における構成要素を「含む」、「有する」、「なる」、「配置する」などと使われる場合、「のみ」が使われていない限り、他の部分が加えられてもよい。構成要素を単数で表現した場合、特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合も含む。
本明細書における構成要素を解釈するのにおいて、別途明示的な記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。
本明細書における構成要素の「上部（又は下部）」又は構成要素の「上（又は下）」に任意の構成が配されるということは、任意の構成が上記構成要素の上面（又は下面）に接して配されるだけでなく、上記構成要素と、上記構成要素上に（又は下に）配された任意の構成との間に他の構成が介在し得ることを意味する。
本明細書で使われた用語「ヘテロ（ｈｅｔｅｒｏ）」は、これら芳香族（ａｒｏｍａｔｉｃ）又は脂環族（ａｌｉｃｙｃｌｉｃ）環を構成する炭素原子のうち１つ以上、例えば、１～５つの炭素原子価Ｎ、Ｏ、Ｓ、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれた１つ以上のヘテロ原子に置換されたものを意味する。
以下では、本発明による有機金属化合物の構造及び製造例と、これを含む有機電界発光素子を説明することとする。
本発明の一具現例による有機金属化合物は、２－フェニルキノリン（２－ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）の基本骨格構造に、五員（５－ｍｅｍｂｅｒｅｄ）縮合環を更に導入した構造が、中央配位金属に結合する構造を主なリガンドとして含むことを特徴とする。前記２－フェニルキノリンに更に導入した五員縮合環は、本発明の［化Ｉ］の構造におけるＲに相当する。
かかる構造の有機金属化合物を発光層のドーパントとして適用することで、有機金属化合物分子内に強直性を付与して、半値幅が狭くなった結果、色純度を向上させることができ、また非発光再結合過程を減少させて、発光効率及び寿命を改善することができる。
上記のような特徴を有する本発明による有機金属化合物は、下記の化Ｉで表され得る。
上記化Ｉにおいて、
Ｍは、中央配位金属であって、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｒは、Ｘ１及びＸ２に連結して形成された縮合環（ｆｕｓｅｄ ｒｉｎｇ）であり；
Ｒ１及びＲ２は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｙは、ＢＲ３、ＣＲ３Ｒ４、Ｃ＝Ｏ、ＣＮＲ３、ＳｉＲ３Ｒ４、ＮＲ３、ＰＲ３、ＡｓＲ３、ＳｂＲ３、Ｐ（Ｏ）Ｒ３、Ｐ（Ｓ）Ｒ３、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ３、Ａｓ（Ｏ）Ｒ３、Ａｓ（Ｓ）Ｒ３、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ３、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ３、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ３、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ３、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、及びＴｅＯ２からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｒ３及びＲ４は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｘ３～Ｘ６は、それぞれ独立にＣＲ５及びＮのうちから選択される１つであってもよく；
Ｘ３～Ｘ６の隣接する置換基は、縮合して環を形成することができ、前記環は、Ｃ５－Ｃ６の炭素環（ｃａｒｂｏｎ ｒｉｎｇ）又はヘテロ環（ｈｅｔｅｒｏｃｙｌｃｌｉｃ ｒｉｎｇ）であってもよく；
Ｘ７～Ｘ１０は、それぞれ独立にＣＲ６及びＮのうちから選択される１つであってもよく；
Ｒ５及びＲ６は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
は、二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であってもよく；
ｍは、１、２又は３の定数、ｎは、０、１又は２の定数、ｍ＋ｎは、金属Ｍの酸化数であってもよい。
本発明の一具現例による有機金属化合物は、主なリガンドである化ＩにおけるＸ１及びＸ２にＲ（五員縮合環）が結合される方向に沿って、下記の化ＩＩ－１及び化ＩＩ－２からなる群より選ばれた１つの構造であってもよい。
上記化ＩＩ－１及び化ＩＩ－２において、
Ｙ、Ｒ１～Ｒ２、Ｘ３～Ｘ１０、
ｍ、及びｎは、上記に記載の定義と同様である。
本発明の一具現例による有機金属化合物である化Ｉにおいて、化Ｉの２－フェニルキノリンにおけるフェニル基部分に縮合環が更に形成されるのがより好ましく、このような縮合環の追加導入により、有機金属化合物分子内に強直性を付与して、半値幅が狭くなった結果、色純度を向上させることができる。具体的には、下記の化ＩＩＩ－１及び化ＩＩＩ－２からなる群より選ばれた１つの構造であってもよい。
上記化ＩＩＩ－１及び化ＩＩＩ－２において、
Ｘ１１～Ｘ１４は、それぞれ独立にＣＲ７及びＮのうちから選択される１つであってもよく；
Ｒ７は、互いに独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換のＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換のＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換のＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換のＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エーテル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選ばれた１つであってもよく；
Ｙ、Ｒ１～Ｒ２、Ｘ５～Ｘ１０、
ｍ、及びｎは、上記に記載の定義と同様である。
本発明の一具現例による有機金属化合物は、中央配位金属に補助リガンドとして二座配位子を適用することができる。本発明の二座配位子は、電子供与体（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎｏｒ）を含むが、電子供与体の補助リガンドは、中央配位金属の電子密度を増加して、ＭＬＣＴ（ｍｅｔａｌ ｔｏ ｌｉｇａｎｄ ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ）のエネルギーを減少させ、Ｔ１ｓｔａｔｅへの３ＭＬＣＴの寄与度の割合を増加させる作用を行う。結果として、本発明の有機化合物を含む有機電界発光素子は、高い発光効率及び高い外部量子効率などの向上した発光の特性を具現することができる。
原子番号の大きいイリジウム（Ｉｒ）や白金（Ｐｔ）金属錯体を使用すれば、常温でも効率良く燐光を得ることができるため、本発明の一具現例による有機金属化合物は、中央配位金属（Ｍ）がイリジウム（Ｉｒ）又は白金（Ｐｔ）のうちいずれかであるのが好ましく、イリジウム（Ｉｒ）の方がより好ましいが、これに限定されるものではない。
本発明の化Ｉで表される化合物の具体例は、下記の化合物１～化合物２９１からなる群より選ばれた１つであってもよいが、化Ｉの定義に属するものであれば、これに限定されるものではない。
本発明の一具現例によれば、本発明の上記化Ｉで表される有機金属化合物は、赤色燐光物質又は緑色燐光物質として使用することができる。
本発明の一具現例による図１を参照すれば、第１電極１１０と、前記第１電極１１０と対向する第２電極１２０と、前記第１電極１１０及び第２電極１２０ の間に配置される有機層１３０と、を含む有機電界発光素子を提供することができる。前記有機層１３０は、発光層１６０を含み、前記発光層１６０は、化Ｉで表される有機金属化合物を含んでいてもよい。また、有機電界発光素子において、第１電極１１０及び第２電極１２０の間に配置される有機層１３０は、第１電極１１０から順次に正孔注入層１４０（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層１５０（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、発光層１６０（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）、電子輸送層１７０（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌｙｅｒ；ＥＴＬ）、及び電子注入層１８０（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）を含む構造であってもよい。前記電子注入層１８０上に第２電極１２０を形成し、その上に保護膜（図示せず）を形成することができる。
第１電極１１０は、正極であってもよく、仕事関数値の比較的大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、スズ酸化物又は亜鉛酸化物からなってもよいが、これに限定されるものではない。
第２電極１２０は、負極であってもよく、仕事関数値の比較的小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、又はこれらの合金や組み合わせを含んでいてもよいが、これに限定されるものではない。
正孔注入層１４０は、第１電極１１０と正孔輸送層１５０との間に位置することができる。正孔注入層１４０の材料は、ＭＴＤＡＴＡ、ＣｕＰｃ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、ＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－Ｎ，Ｎ’－ｄｉ［４－（Ｎ，Ｎ－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－ａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）などからなる群より選択される化合物を含んでいてもよく、好ましくは、ＮＰＮＰＢを含んでいてもよいが、これに限定されるものではない。
正孔輸送層１５０は、第１電極１１０と発光層１６０との間で発光層に隣接して位置する。正孔輸送層１５０は、ＴＰＤ、ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）ビフェニル）－４－アミンなどからなる群より選択される化合物を含んでいてもよいが、これに限定されるものではない。
本発明によれば、発光層１６０は、ホストと素子の発光効率などを向上させるために、化Ｉで表される有機金属化合物がドーパントとしてドープして形成されてもよい。発光層１６０は、ホスト物質に本発明の化Ｉの有機金属化合物を約１～３０重量％添加して適用されてもよく、緑又は赤で発光する物質で使用されてもよい。
例えば、発光層１６０は、ＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ｍＣＰ（１，３－ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）などからなる群より選択されるいずれかホスト物質を含んでいてもよいが、これに限定されるものではない。
発光層１６０と第２電極１２０との間には、電子輸送層１７０と電子注入層１８０が順次積層されてもよい。電子輸送層１７０の材料は、高い電子移動度が求められるが、円滑な電子輸送を通じて発光層に電子を安定的に供給することができる。
例えば、電子輸送層１７０の材料は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｌｉｑ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏｌｉｔｈｉｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ（３－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）４－ｐｈｅｎｙｌ－５－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ－１，２，４－ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ（ｂｉｓ（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）－４－（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）、ＳＡｌｑ、ＴＰＢｉ（２，２'，２－（１，３，５－ｂｅｎｚｉｎｅｔｒｉｙｌ）－ｔｒｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌ－１－Ｈ－ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｔｈｉａｚｏｌｅ）、ＺＡＤＮ（２－［４－（９，１０－Ｄｉ－ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ－ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などからなる群より選択される化合物を含んでいてもよく、好ましくは、ＺＡＤＮを含んでいてもよいが、これに限定されるものではない。
電子注入層１８０は、電子の注入を円滑にする役割を持ち、電子注入層の材料は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑなどからなる群より選択される化合物を含んでいてもよいが、これに限定されるものではない。又は、電子注入層１８０は、金属化合物からなってもよく、金属化合物は、例えば、Ｌｉｑ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＦｒＦ、ＢｅＦ２、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、及びＲａＦ２からなる群より選択されたいずれか以上であってもよいが、これに限定されるのではない。
本発明による有機電界発光素子は、有機発光表示装置、及び有機電界発光素子を適用した照明装置などに活用することができる。一具現例として、図２は、本発明の例示的な実施形態による有機電界発光素子が適用された有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
図２に示されたように、有機発光表示装置３０００は、基板３０１０と、有機電界発光素子４０００と、有機電界発光素子４０００を覆う封止フィルム３９００と、を含んでいてもよい。基板３０１０上には、駆動素子である駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）と、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）に連結される有機電界発光素子４０００とが位置する。
選択的に基板３０１０上には、互いに交差して画素領域を定義するゲート配線と、データ配線と、ゲート配線及びデータ配線のうちいずれかと平行に離隔して延びるパワー配線と、ゲート配線及びデータ配線に連結されるスイッチング薄膜トランジスタと、パワー配線及びスイッチング薄膜トランジスタのうち１電極に連結されるストレージキャパシタと、が更に形成される。
駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、スイッチング薄膜トランジスタに連結されて、半導体層３１００と、ゲート電極３３００と、ソース電極３５２０と、ドレイン電極３５４０と、を含む。
半導体層３１００は、基板３０１０上に形成されて、酸化物半導体物質からなるか、多結晶シリコンからなってもよい。半導体層３１００が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層３１００の下部には遮光パターン（図示せず）が形成されてもよく、遮光パターンは、半導体層３１００へ光が入射することを防止して、半導体層３１００が光によって劣化することを防止する。これと違って、半導体層３１００は、多結晶シリコンからなってもよく、この場合、半導体層３１００の両縁に不純物がドープされていてもよい。
半導体層３１００の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜３２００が基板３０１０の前面に形成される。ゲート絶縁膜３２００は、シリコン酸化物又はシリコン窒化物のような無機絶縁物質からなってもよい。
ゲート絶縁膜３２００の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極３３００が、半導体層３１００の中央に対応して形成される。ゲート電極３３００は、スイッチング薄膜トランジスタに連結される。
ゲート電極３３００の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜３４００が基板３０１０の前面に形成される。層間絶縁膜３４００は、シリコン酸化物やシリコン窒化物のような無機絶縁物質で形成されるか、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）やフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ－ａｃｒｙｌ）のような有機絶縁物質で形成されてもよい。
層間絶縁膜３４００は、半導体層３１００の両側を露出する第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０を有する。第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０は、ゲート電極３３００の両側にゲート電極３３００と離隔して位置する。
層間絶縁膜３４００上には、金属のような導電性物質からなるソース電極３５２０とドレイン電極３５４０が形成される。ソース電極３５２０とドレイン電極３５４０は、ゲート電極３３００を中心に離隔して位置し、それぞれ第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０を介して半導体層３１００の両側と接触する。ソース電極３５２０は、パワー配線（図示せず）に連結される。
半導体層３１００と、ゲート電極３３００と、ソース電極３５２０と、ドレイン電極３５４０は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、半導体層３１００の上部にゲート電極３３００、ソース電極３５２０、及びドレイン電極３５４０が位置するコプラナー（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。
これと違って、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタガード（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有し得る。この場合、半導体層は、非晶質シリコンからなってもよい。一方、スイッチング薄膜トランジスタ（図示せず）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）と実際同様の構造を有し得る。
一方、有機発光表示装置３０００は、発光ダイオード４０００で生成した光を吸収するカラーフィルタ３６００を含んでいてもよい。例えば、カラーフィルタ３６００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、及び白（Ｗ）の光を吸収することができる。この場合、光を吸収する赤、緑及び青のカラーフィルタパターンが、各々画素領域別に分離されて形成されてもよく、これら各々のカラーフィルタパターンは、吸収しようとする波長帯域の光を放出する有機電界発光素子４０００のうち有機層４３００とそれぞれ重畳するように配置されてもよい。カラーフィルタ３６００を採用することで、有機発光表示装置３０００は、フルカラーを具現することができる。
例えば、有機発光表示装置３０００が下部発光タイプである場合、有機電界発光素子４０００に対応する層間絶縁膜３４００の上部に、光を吸収するカラーフィルタ３６００が位置することができる。選択的な実施形態において、有機発光表示装置３０００が上部発光タイプである場合、カラーフィルタは、有機電界発光素子４０００の上部、つまり、第２電極４２００の上部に位置することもできる。一例として、カラーフィルタ３６００は、２～５μｍの厚さで形成されてもよい。
一方、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）のドレイン電極３５４０を露出するドレインコンタクト孔３７２０を有する保護層３７００は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）を覆って形成される。
保護層３７００上には、ドレインコンタクト孔３７２０を介して駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）のドレイン電極３５４０に連結される第１電極４１００が、各画素領域別に分離されて形成される。
第１電極４１００は、正極（ａｎｏｄｅ）であってもよく、仕事関数値の比較的大きい導電性物質からなってもよい。例えば、第１電極４１０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ又はＺｎＯのような透明な導電性物質からなってもよい。
一方、有機発光表示装置３０００が上部発光方式（ｔｏｐ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、第１電極４１００の下部には、反射電極又は反射層が更に形成されてもよい。例えば、反射電極又は反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム－パラジウム－銅（ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｐａｌａｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金のうちいずれかからなってもよい。
保護層３７００上には、第１電極４１００の縁を覆うバンク層３８００が形成される。バンク層３８００は、画素領域に対応して、第１電極４１００の中心を露出させる。
第１電極４１００上には有機層４３００が形成され、必要に応じて、有機電界発光素子４０００は、タンデム構造を有し得る。
有機層４３００の形成された基板３０１０の上部に第２電極４２００が形成される。第２電極４２００は、表示領域の前面に位置して、仕事関数値の比較的小さい導電性物質からなり、カソード（ｃａｔｈｏｄｅ）として用いることができる。例えば、第２電極４２００は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム－マグネシウム合金（ＡｌＭｇ）のうちいずれかからなってもよい。
第１電極４１００、有機層４３００、及び第２電極４２００は、有機電界発光素子４０００を構成する。
第２電極４２００上には、外部の水分が有機電界発光素子４０００へ侵透することを防止するために、封止フィルム（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）３９００が形成される。示していないが、封止フィルム３９００は、第１無機層と、有機層と、無機層とが順次積層された三重層の構造を有し得るが、これに限定されない。
本発明の有機電界発光素子は、タンデム（ｔａｎｄｏｍ）構造を有する白色発光ダイオードであってもよい。本発明の一具現例によるタンデム有機電界発光素子の場合、単一発光素子（ＥＬ Ｕｎｉｔ）が電荷生成層（ＣＧＬ，Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）によって２つ以上連結された構造により形成されてもよい。前記有機電界発光素子は、基板上に互いに対向した第１電極及び第２電極と、前記第１及び第２電極との間に積層されて、特定の波長帯の光を放射する発光層を有する２つ以上の複数の発光部（スタック；ｓｔａｃｋ）を含んでいてもよい。このとき、発光層のうち１つ以上は、本発明による化Ｉで表される有機金属化合物をドーパントとして含んでいてもよい。タンデム構造における複数本の発光部は、Ｎ型（Ｎ－ｔｙｐｅ）電荷生成層及びＰ型（Ｐ－ｔｙｐｅ）電荷生成層からなる電荷生成層（ＣＧＬ）と連結されてもよい。
本発明の一具現例である図５は、２つの発光部を有するタンデム構造の有機電界発光素子を概略的に示した断面図である。図５に示したように、本発明の有機電界発光素子１００は、互いに対向する第１電極１１０及び第２電極１２０と、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置する有機層２３０とを含む。有機層２３０は、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置して、第１発光層１６１を含む第１発光部（ＳＴ１）２４０と、第１発光部２４０と第２電極１２０との間に位置して、第２発光層１６２を含む第２発光部（ＳＴ２）２５０と、第１及び第２発光部２４０，２５０の間に位置する電荷生成層（ＣＧＬ）２６０と、を含む。前記電荷生成層は、Ｎ型電荷生成層１９１及びＰ型電荷生成層１９２を含んでいてもよい。
また、本発明の一具現例による有機電界発光素子は、３つの発光部を有するタンデム構造の有機電界発光素子であってもよく、更に、第１電極及び第２電極の間には、４つ以上の発光部と３つ以上の電荷生成層が配置されていてもよい。
以下では、本発明の合成例及び実施例を説明する。しかしながら、下記の実施例は、本発明の一実施例だけであり、これに限定されるものではない。
合成例
＜化合物Ａ１の製造＞
ステップ１）化合物Ａ１－１の製造
反応容器に２－ｂｒｏｍｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（２５．６ｇ、１５７．１４ｍｍｏｌ）、２－（４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ－２－ｙｌ）ａｎｉｌｉｎｅ（４１．６ｇ、１９０．０１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（９．２ｇ、７．９２ｍｍｏｌ）とＮａＨＣＯ３（３９．９ｇ、２８８．７６ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（５００ｍｌ）と蒸留水（１００ｍｌ）に溶解して、１５時間還流した。反応終決後、常温で冷やした後、ＭＣ（ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）と蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。ＨｅｘａｎｅとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ１－１（２６．８ｇ、収率９６％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１７５．２５
ステップ２）化合物Ａ１－２の製造
反応容器にＡ１－１（２６．８ｇ、１５２．６４ｍｍｏｌ）、ｅｔｈｙｌ ｃｈｌｏｒｏｆｏｒａｍｔｅ（５．１６ｍｌ、５３．９２ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（４０．６ｇ、３０５．２８ｍｍｏｌ）をクロロホルム（５００ｍｌ）に溶解して、１８時間還流した。反応終決後、常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。ＨｅｘａｎｅとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ１－２（３６．７１ｇ、収率９７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２４７．３１
ステップ３）化合物Ａ１の製造
反応容器にＡ１－２（３３．３ｇ、１３４．９ｍｍｏｌ）、ＰＯＣｌ３（１２６ｍｌ、１３４６．８９ｍｍｏｌ）とＴＥＡ３０ｍｌを入れて、１６時間還流した。反応液を常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。混合物をＥＡに溶解して、シリカゲルフィルタリング後、減圧濾過して溶媒を除去した。得られた固体をｈｅｘａｎｅでスラーリして、アイボリー固体状の化合物Ａ１（１１．２ｇ、収率３８％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２１９．６９
＜化合物Ａ２の製造＞
ステップ１）化合物Ａ２－１の製造
反応容器に２－ｍｅｔｈｙｌｆｕｒａｎ（３０．１ｇ、３６６．６２６ｍｏｌ）をクロロホルムに溶解して、－２０℃に温度を下げた後、ＮＢＳ（６５．３ｇ、３６６．６２６ｍｍｏｌ）を徐々に滴加した。反応液を常温に上げた後、３０分間攪拌する。反応終決後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。混合物をｈｅｘａｎｅに溶解して、シリカゲルフィルタリングし、透明な液状の化合物Ａ２－１（３９ｇ、収率６６％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１６１．００
ステップ２）化合物Ａ２－２の製造
反応容器にＡ２－１（３３．２ｇ、２０６．４０ｍｍｏｌ）、２－（４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎ－２－ｙｌ）ａｎｉｌｉｎｅ（５４．３ｇ、２４７．６８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（１１．９ｇ、１０．３２ｍｍｏｌ）とＮａＨＣＯ３（８５．６ｇ、６１９．１９ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（５００ｍｌ）と蒸留水（１００ｍｌ）に溶解して、１５時間還流した。反応終決後、常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。ＨｅｘａｎｅとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ２－２（１７．７ｇ、収率４９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１７３．２１
ステップ３）化合物Ａ２－３の製造
反応容器にＡ２－２（１７．７ｇ、１０２．０２ｍｍｏｌ）、ｅｔｈｙｌ ｃｈｌｏｒｏｆｏｒａｍｔｅ（１１．７ｍｌ、１２２．４２ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（２８．２ｇ、２０４．０３ｍｍｏｌ）をクロロホルム（３００ｍｌ）に溶解して、１８時間還流した。反応終決後、常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。ＨｅｘａｎｅとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ２－３（２０．６ｇ、収率８２％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２４５．２７
ステップ４）化合物Ａ２の製造
反応容器にＡ２－３（２０．６ｇ、８３．９９ｍｍｏｌ）、ＰＯＣｌ３（７８．５ｍｌ、８３９．８９ｍｍｏｌ）とＴＥＡ２０ｍｌを入れて、１６時間還流した。反応液を常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。混合物をＥＡに溶解して、シリカゲルフィルタリング後、減圧濾過して溶媒を除去した。得られた固体をｈｅｘａｎｅでスラーリして、アイボリー固体状の化合物Ａ２（８．４ｇ、収率４６％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２１７．６５
＜化合物Ｂ１の製造＞
反応容器にＡ１（１１ｇ、５０．０７ｍｍｏｌ）、（３，５－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ（８．３ｇ、５５．０８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（５．７ｇ、５．０１ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（１３．８ｇ、１００．１４ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（１５０ｍｌ）と蒸留水（３０ｍｌ）に溶解して、１６時間還流した。反応終決後、常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。ＨｅｘａｎｅとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ｂ１（１０．６ｇ、収率７３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２８９．３９
＜化合物Ｂ２の製造＞
反応容器にＡ２（８ｇ、３６．７７ｍｍｏｌ）、２－（４－（ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）－４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（１２．５ｇ、４０．４３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（４．２ｇ、３．６８ｍｍｏｌ）とＫ２ＣＯ３（１０．２ｇ、７３．５１ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（１２０ｍｌ）と蒸留水（２４ｍｌ）に溶解して、１６時間還流した。反応終決後、常温で冷やした後、ＭＣと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を入れて、水分を除去した後、減圧濾過して溶媒を除去した。ＨｅｘａｎｅとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ｂ２（９．８ｇ、収率７３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：３６５．４７
＜化合物４２の製造＞
化合物Ｃ１の製造
反応容器にＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ２００ｍｌ、蒸留水６６ｍｌを入れて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて、生成した固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｃ１（１０．１ｇ、収率８０％）を得た。
化合物４２の製造
反応容器にＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）、３００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを入れて、２４時間徐々に攪拌した。反応完了後、反応物にｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅを入れて、反応生成物を溶かした後、ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅと蒸留水で抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。Ｈｅｘａｎｅとｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅでカラムクロマトグラフィーして、化合物４２（５．２ｇ、収率４３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９６６．２８
＜化合物５の製造＞
化合物Ｃ３の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ３（６．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ３（６．４ｇ、収率８３％）を得た。
化合物５の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ３（６．４ｇ、４．１５ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（４．２ｇ、４１．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．８ｇ、８３ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物５（３．５ｇ、収率５０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：８３６．２２
＜化合物７の製造＞
化合物Ｃ４の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ４（５．８ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ４（５．３ｇ、収率７０％）を得た。
化合物７の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ４（５．３ｇ、３．５０ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（３．５ｇ、３５．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．４ｇ、７０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物７（２．３ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：８１６．１４
＜化合物８の製造＞
化合物Ｃ５の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ５（７．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ５（６．７ｇ、収率７８％）を得た。
化合物８の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ５（６．７ｇ、３．９０ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（３．９ｇ、３９．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．３ｇ、７８ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物８（３．０ｇ、収率４１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９２４．２４
＜化合物１０の製造＞
化合物Ｃ６の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ６（６．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ６（６．４ｇ、収率８３％）を得た。
化合物１０の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ６（６．４ｇ、４．１５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（８．８ｇ、４１．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．８ｇ、８３ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１０（３．４ｇ、収率４３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９４８．３５
＜化合物１１の製造＞
化合物Ｃ７の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ７（６．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ７（６．４ｇ、収率８３％）を得た。
化合物１１の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ７（６．４ｇ、４．１５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１０．０ｇ、４１．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．８ｇ、８３ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１１（３．４ｇ、収率４２％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９７６．３８
＜化合物１５の製造＞
化合物Ｃ８の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ８（６．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ８（６．４ｇ、収率８３％）を得た。
化合物１５の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ８（６．４ｇ、４．１５ｍｍｏｌ）、（Ｅ）－４－（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｉｍｉｎｏ）ｐｅｎｔａｎ－２－ｏｎｅ（５．９ｇ、４１．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．８ｇ、８３ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１５（２．９ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：８７７．２９
＜化合物１６の製造＞
化合物Ｃ９の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ９（６．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ９（６．４ｇ、収率８３％）を得た。
化合物１６の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ９（６．４ｇ、４．１５ｍｍｏｌ）、（Ｅ）－Ｎ，Ｎ'－ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｍｉｄｅ（８．５ｇ、４１．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．８ｇ、８３ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１６（２．９ｇ、収率３７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９４０．３３
＜化合物１９の製造＞
化合物Ｃ１０の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１０（７．２ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１０（６．６ｇ、収率７５％）を得た。
化合物１９の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１０（６．６ｇ、３．７５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（９．０ｇ、３７．５０ｍｍｏｌ）、 Ｎａ２ＣＯ３（７．９ｇ、７５ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１９（３．３ｇ、収率４１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０８８．５０
＜化合物２１の製造＞
化合物Ｃ１１の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１１（７．４ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１１（６．７ｇ、収率７４％）を得た。
化合物２１の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１１（６．７ｇ、３．７０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（８．９ｇ、３７．００ｍｍｏｌ）、 Ｎａ２ＣＯ３（７．８ｇ、７４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物２１（３．４ｇ、収率４１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１０４．６０
＜化合物２８の製造＞
化合物Ｃ１２の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１２（８．２ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１２（６．８ｇ、収率７０％）を得た。
化合物２８の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１２（６．８ｇ、３．５０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（８．４ｇ、３５．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．４ｇ、７０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物２８（３．３ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１７２．６０
＜化合物３２の製造＞
化合物Ｃ１３の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１３（５．７ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１３（５．１ｇ、収率６８％）を得た。
化合物３２の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１３（５．１ｇ、３．４０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（７．２ｇ、３４．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．２ｇ、６８ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物３２（２．５ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９２４．３０
＜化合物８３の製造＞
化合物Ｃ１４の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１４（７．２ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１４（６．６ｇ、収率７５％）を得た。
化合物８３の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１４（６．６ｇ、３．７５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（９．０ｇ、３７．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．９ｇ、７５ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物８３（３．３ｇ、収率４１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０８８．５０
＜化合物１１５の製造＞
化合物Ｃ１５の製造
化合物Ｃ１の製造方法におけるＢ１（１０ｇ、３４．５５ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（６．１ｇ、１５．７１ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１５（７．６ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１５（６．６ｇ、収率７２％）を得た。
化合物１１５の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ１（１０．１ｇ、６．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（１２．７ｇ、５９．６４ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１３ｇ、１２２．４６ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１５（６．６ｇ、３．６０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（８．７ｇ、３６．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．９ｇ、７５ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１１５（３．１ｇ、収率３９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０８８．５０
＜化合物１４５の製造＞
化合物Ｃ２の製造
反応容器にＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌ２００ｍｌ、蒸留水６６ｍｌを入れて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて、生成した固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｃ２（４．９ｇ、収率４６％）を得た。
化合物１４５の製造
反応容器にＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを入れて、２４時間徐々に攪拌した。反応完了後、反応物にｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅを入れて、反応生成物を溶かした後、ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅと蒸留水で抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を除去し、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。Ｈｅｘａｎｅとｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅでカラムクロマトグラフィーして、化合物１４５（２．７ｇ、収率６０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１３２．４６
＜化合物１３１の製造＞
化合物Ｃ１６の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１６（７．７ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１６（４．１ｇ、収率４４％）を得た。
化合物１３１の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１６（４．１ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（２．２ｇ、２２．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．７ｇ、４４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１３１（２．８ｇ、収率６５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９９２．３２
＜化合物１３５の製造＞
化合物Ｃ１７の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１７（６．９ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１７（３．４ｇ、収率４０％）を得た。
化合物１３５の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１７（３．４ｇ、２．００ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（２．０ｇ、２０．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．２ｇ、４０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１３５（２．０ｇ、収率５５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９１６．１７
＜化合物１３６の製造＞
化合物Ｃ１８の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１８（８．１ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１８（４．１ｇ、収率４３％）を得た。
化合物１３６の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１８（４．１ｇ、２．１５ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（２．２ｇ、２１．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．６ｇ、４３ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１３６（２．７ｇ、収率６２％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０２４．２７
＜化合物１３８の製造＞
化合物Ｃ１９の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ１９（７．７ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ１９（４．１ｇ、収率４４％）を得た。
化合物１３８の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ１９（４．１ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（４．７ｇ、２２．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．７ｇ、４４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１３８（３．０ｇ、収率６１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１０４．４４
＜化合物１３９の製造＞
化合物Ｃ２０の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２０（７．７ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２０（４．１ｇ、収率４４％）を得た。
化合物１３９の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２０（４．１ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２２．００ｍｍｏｌ）、 Ｎａ２ＣＯ３（４．７ｇ、４４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１３９（３．０ｇ、収率６０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１３２．４７
＜化合物１４３の製造＞
化合物Ｃ２１の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２１（７．７ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２１（４．１ｇ、収率４４％）を得た。
化合物１４３の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２１（４．１ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、（Ｅ）－４－（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌｉｍｉｎｏ）ｐｅｎｔａｎ－２－ｏｎｅ（３．１ｇ、２２．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．７ｇ、４４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１４３（２．４ｇ、収率５２％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０３３．３８
＜化合物１４４の製造＞
化合物Ｃ２２の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２２（７．７ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２２（４．１ｇ、収率４４％）を得た。
化合物１４４の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２２（４．１ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、（Ｅ）－Ｎ，Ｎ'－ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｍｉｄｅ（４．５ｇ、２２．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．７ｇ、４４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１４４ １．９ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０９６．３９
＜化合物１４７の製造＞
化合物Ｃ２３の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２３（９．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２３（５．２ｇ、収率５０％）を得た。
化合物１４７の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２３（５．２ｇ、２．５０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．０ｇ、２５．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、５０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１４７（３．６ｇ、収率５８％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２４４．６０
＜化合物１４９の製造＞
化合物Ｃ２４の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２４（９．２ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２４（５．２ｇ、収率４９％）を得た。
化合物１４９の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２４（５．２ｇ、２．４５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．９ｇ、２４．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．２ｇ、４９ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１４９（３．５ｇ、収率５７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２６６．７４
＜化合物１５６の製造＞
化合物Ｃ２５の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２５（９．９ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２５（５．８ｇ、収率５２％）を得た。
化合物１５６の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２５（５．８ｇ、２．６０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．２ｇ、２６．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．５ｇ、５２ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１５６（４．１ｇ、収率６０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１３２８．６９
＜化合物１６０の製造＞
化合物Ｃ２６の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２６（８．１ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２６（３．７ｇ、収率３８％）を得た。
化合物１６０の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２６（３．７ｇ、１．９０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（４．０ｇ、１９．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．０ｇ、３８ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１６０（２．２ｇ、収率５０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１３６．４５
＜化合物１７７の製造＞
化合物Ｃ２７の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２７（８．４ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２７（４．７ｇ、収率４８％）を得た。
化合物１７７の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２７（４．７ｇ、２．４０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．１ｇ、２４．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．１ｇ、４８ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物１７７（３．１ｇ、収率５５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１６４．４３
＜化合物２１１の製造＞
化合物Ｃ２８の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２８（９．０ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２８（４．６ｇ、収率４４％）を得た。
化合物２１１の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２８（４．６ｇ、２．２０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２２．００ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（４．７ｇ、４４ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物２１１（３．４ｇ、収率６２％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２４４．６０
＜化合物２４５の製造＞
化合物Ｃ２９の製造
化合物Ｃ２の製造方法におけるＢ２（９ｇ、２４．６３ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（４．３ｇ、１１．１９ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｂ２９（９．６ｇ、２２ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏｘ（３．５ｇ、１０ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物Ｃ２９（５．１ｇ、収率４７％）を得た。
化合物２４５の製造
化合物４２の製造方法におけるＣ２（４．９ｇ、２．５６ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．３ｇ、２４．９８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．３ｇ、４９．９２ｍｍｏｌ）の代わりに、Ｃ２９（５．１ｇ、２．３５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．６ｇ、２３．５０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．０ｇ、４７ｍｍｏｌ）を使用したことを除いては、同様の方法により化合物２４５（３．７ｇ、収率６０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２９８．６９
実施例
＜実施例１＞
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）が１，０００Å厚さで薄膜コートされたガラス基板を洗浄した後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄して、乾燥した。
用意したＩＴＯ透明電極上に、正孔注入材料でＨＩ－１を６０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した後、正孔輸送材料でＮＰＢを８０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した。輸送材料上に発光層として、ドーパントは化合物１、ホストはＣＢＰを使用しており、ドープ濃度は５％、厚さは３０ｎｍで熱真空蒸着した。発光層上にＥＴ－１：Ｌｉｑ（１：１）（３０ｎｍ）を電子輸送層と電子注入層の材料で熱真空蒸着した後、１００ｎｍ厚さのアルミニウムを蒸着して負極を形成し、有機電界発光素子を製作した。上記実施例１で使用した材料は、次のとおりである。
前記材料におけるＨＩ－１は、ＮＰＮＰＢであり、前記ＥＴ－１は、ＺＡＤＮである。
＜実施例２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１０を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例６＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例７＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１６を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例８＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例９＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１０＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物３２を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物４２を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物８３を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１１５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１５＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１３１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１６＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１３５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１７＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１３６を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１８＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１３８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例１９＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１３９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２０＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１４３を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１４４を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１４５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１４７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１４９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２５＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１５６を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２６＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１６０を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２７＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物１７７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２８＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２１１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例２９＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２４５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３０＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２５７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２５８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２５９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６０を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３５＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６２を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３６＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６３を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３７＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６４を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３８＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例３９＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６６を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４０＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２６９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７０を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４５＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７２を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４６＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７３を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４７＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７４を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４８＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例４９＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７６を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５０＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２７９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８０を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５５＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８２を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５６＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８３を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５７＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８４を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜BR＞ ＜実施例５８＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８５を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例５９＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８６を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例６０＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８７を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例６１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８８を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例６２＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２８９を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例６３＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２９０を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜実施例６４＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、化合物２９１を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
＜比較例１＞
上記実施例１における化合物５の代わりに、下記の構造のＲＤを使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機電界発光素子を製作した。
実験例
実施例１～６４及び比較例１において、それぞれ製造された有機電界発光素子を外部の電力供給源に連結しており、電流供給源及び光度計を用いて室温における素子の特性を評価した。
具体的には、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流で駆動電圧、外部量子効率（ＥＱＥ）、寿命特性（ＬＴ９５）、半値幅、及びアスペクト比を測定しており、その結果を下記の表１及び表２に示した。
前記アスペクト比は、（金属を中心に分子内長軸長さ（Ｎ－Ｍｅｔａｌ－Ｎ方向））／（金属を中心に分子内長軸と垂直な短縮長さ）で計算され、ガウシアン分子計算プログラム（Ｇａｕｓｓｉａｎ１６）を用いた分子内原子間距離を計算することによって測定した。
ＬＴ９５寿命とは、ディスプレイ要素が最初明るさの５％を失うのにかかる時間を言う。ＬＴ９５は、最も満足させにくい顧客仕様であり、ディスプレイのイメージ焼き付き（ｂｕｒｎ ｉｎ）現象の発生有無を決定する。
半値幅（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ ａｔ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ，ＦＷＨＭ）は、反値全幅とも言い、波長を示す曲線の最大値の１／２に対応する波長幅を意味する（図３及び図４参照）。半値幅が狭いということは、色の純度が高いということであり、これは光の組み合わせにより、所望の色を表現する駆動方式の素子を高効率で具現することができ、高い色再現率を得ることができることを意味する。
半値幅は、発光強度（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＰＬ）ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）の測定によって評価しており、測定装備のＭｏｄｅｌ／Ｍａｋｅｒは、ＦＳ－５／Ｅｄｉｎｂｕｒｇｈ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓである。
本発明の比較例１の発光層のドーパント化合物であるＲＤは、本発明の実施例の化合物と違って、２－フェニルキノリンに縮合環が更に形成されていない構造という点で相違する。
表１及び表２の結果から分かるように、本発明の実施例１～６４で使用した有機金属化合物を発光層のドーパントとして適用した有機電界発光素子は、比較例１に比べて駆動電圧が低くなり、外部量子効率（ＥＱＥ）及び寿命（ＬＴ９５）が向上し、半値幅も狭くなって、色純度が向上した。
以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施例を更に詳説したが、本明細書は、必ずしもこれら実施例に限られるものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内における様々な変形実施が可能である。よって、本明細書に開示の実施例は、本明細書の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、これら実施例によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものではない。よって、以上に記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。本明細書の保護範囲は、請求の範囲によって解釈すべきであり、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれると解釈すべきである。
１００，４０００ 有機電界発光素子
１１０，４１００ 第１電極
１２０，４２００ 第２電極
１３０，２３０，４３００ 有機層
１４０ 正孔注入層
１５０ 正孔輸送層
１５１ 第１正孔輸送層
１５２ 第２正孔輸送層
１６０ 発光層
１６１ 第１発光層
１６２ 第２発光層
１７０ 電子輸送層
１７１ 第１電子輸送層
１７２ 第２電子輸送層
１８０ 電子注入層
１９１ Ｎ型電荷生成層
１９２ Ｐ型電荷生成層
２４０ 第１発光部（ＳＴ１）
２５０ 第１発光部（ＳＴ２）
２６０ 電荷生成層
３０００ 有機発光表示装置
３０１０ 基板
３１００ 半導体層
３２００ ゲート絶縁膜
３３００ ゲート電極
３４００ 層間絶縁膜
３４２０，３４４０ 第１及び第２の半導体層コンタクト孔
３５２０ ソース電極
３５４０ ドレイン電極
３６００ カラーフィルタ
３７００ 保護層
３７２０ ドレインコンタクト孔
３８００ バンク層
３９００ 封止フィルム

Claims (16)

  1. 下記の化合物２～３２、３４、３６～３８、４０～６４、６６～９６、及び９８～２９１からなる群より選択された１つである、有機金属化合物。
  2. 赤色燐光物質又は緑色燐光物質として使用される、請求項１に記載の有機金属化合物。
  3. 第１電極と、
    前記第１電極と対向する第２電極と、
    前記第１電極及び第２電極の間に配置される有機層と、を含む、有機電界発光素子であって、
    前記有機層は、発光層を含み、
    前記発光層は、請求項１に記載の有機金属化合物を含む、有機電界発光素子。
  4. 前記有機金属化合物は、前記発光層のドーパントとして使用される、請求項３に記載の有機電界発光素子。
  5. 前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群より選択された少なくとも１つを更に含む、請求項３に記載の有機電界発光素子。
  6. 基板と、
    前記基板に位置する駆動素子と、
    前記基板に位置して、前記駆動素子に連結される有機発光素子と、を含む、有機発光表示装置であって、
    前記有機発光素子は、請求項３から５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含む、有機発光表示装置。
  7. 前記有機層は、前記第１電極上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を順次積層することによって形成される、請求項３に記載の有機電界発光素子。
  8. 前記正孔注入層は、ＭＴＤＡＴＡ、ＣｕＰｃ、ＴＣＴＡ、ＮＰＢ（ＮＰＤ）、ＨＡＴＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、及びＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）フェニル］ベンジジン）からなる群より選択される化合物を含む、請求項７に記載の有機電界発光素子。
  9. 前記正孔輸送層は、ＴＰＤ、ＮＰＤ、ＣＢＰ、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、及びＮ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）ビフェニル）－４－アミンからなる群より選択される化合物を含む、請求項７に記載の有機電界発光素子。
  10. 前記発光層は、ホスト及び請求項１に記載の有機金属化合物をドーパントとして含み、ホスト物質は、ＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）及びｍＣＰ（１，３－ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）からなる群より選択される、請求項３に記載の有機電界発光素子。
  11. 前記発光層及び前記第２電極の間に、前記電子輸送層及び電子注入層が順次積層される、請求項５に記載の有機電界発光素子。
  12. 前記電子輸送層は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｌｉｑ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏｌｉｔｈｉｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ（３－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）４－ｐｈｅｎｙｌ－５－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ－１，２，４－ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ（ｂｉｓ（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）－４－（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）、ＳＡｌｑ、ＴＰＢｉ（２，２'，２－（１，３，５－ｂｅｎｚｉｎｅｔｒｉｙｌ）－ｔｒｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌ－１－Ｈ－ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｔｈｉａｚｏｌｅ）、及びＺＡＤＮ（２－［４－（９，１０－Ｄｉ－ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ－ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ）からなる群より選択される化合物を含む、請求項５に記載の有機電界発光素子。
  13. 前記電子注入層は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ、及びＳＡｌｑからなる群より選択される化合物を含む、請求項５に記載の有機電界発光素子。
  14. 前記電子注入層は、Ｌｉｑ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＦｒＦ、ＢｅＦ２、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、及びＲａＦ２からなる群より選択された金属化合物を含む、請求項５に記載の有機電界発光素子。
  15. 前記有機電界発光素子は、２つの発光部を含むタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有する、請求項５に記載の有機電界発光素子。
  16. 前記有機電界発光素子は、３つの発光部を含むタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有する、請求項５に記載の有機電界発光素子。
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