JP6626047B2 - ホウ素含有化合物、有機発光ダイオードの発光層及び有機発光ダイオード装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光ダイオード発光層のドーパント（ｄｏｐａｎｔ）とすることができるホウ素含有化合物、有機発光ダイオードの発光層及び有機発光ダイオード装置に関する。

有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）とは、有機分子を発光層材料とし電圧により駆動される発光素子である。液晶ディスプレイと比べて、ＯＬＥＤは、軽量、広視野角、ハイコントラスト、低消費電力、高応答速度、高発光効率を有し、光色を調整しやすく、フレキシブル基板に適用されることができるので、注目されている。

最も初期のＯＬＥＤは、蛍光（ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）材料を使用し、即ち励起子によって一重項励起状態（ｓｉｎｇｌｅｔ ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から一重項基底状態（ｓｉｎｇｌｅｔｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に戻し、且つ蛍光の形でエネルギーを放出するが、蛍光材料の内部量子効率（ｉｎｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ＩＱＥ）が最高まで２５％しか達しなく、残りの７５％が熱の非放射性（ｎｏｎ−ｒａｄｉａｔｉｖｅ）の形で放出されるので、効率が良くない。

また、一部の当業者により、リン光材料を使用するＯＬＥＤが発展された。それは、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、プラチナ（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、ルテニウム（Ｒｕ）のような貴金属を発光層の有機分子に導入して錯体を形成することで、スピン−軌道カップリング（ｓｐｉｎ−ｏｒｂｉｔａｌ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）効果を生成すると共に、励起子が一重項励起状態から一重項基底状態に戻す蛍光形式、及び電子が三重項励起状態（ｔｒｉｐｌｅｔ ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から一重項基底状態に戻すリン光形式を得て、内部量子効率が１００％に達するものである。貴金属を導入すると、ＯＬＥＤの効率を大幅に向上させることができるが、貴金属の価格が高いので、リン光材料のコストが高くなる。なお、現在、まだリン光材料によって青色光ＯＬＥＤを順調に製造することができない。

熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ；ＴＡＤＦ）材料は、蛍光材料とリン光材料に続く第三世代の有機発光材料として発展し、このような材料の一重項励起状態と三重項励起状態とのエネルギー差（ΔＥ_ST）が小さいので、三重項励起状態にある電子が逆系間交差（Ｒｅｖｅｒｓｅ Ｉｎｔｅｒｓｙｓｔｅｍ Ｃｒｏｓｓｉｎｇ；ＲＩＳＣ）によって一重項励起状態に変換されることができるため、一重項励起状態と三重項励起状態の励起子を十分に利用して放射するように蛍光及び遅延蛍光であるエネルギーを放出して、内部量子効率を１００％にすることができる。ＴＡＤＦ材料は、高効率を有し、貴金属を使用する必要はないのでコストが低く、かつ、青色光ＯＬＥＤを製造可能であるから広い光調色性能を提供することができる。

しかしながら、現在、リン光材料と十分に合わせる外部量子効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ ｑｕａｎｔｕｍ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ＥＱＥ）を提供可能なＴＡＤＦ材料製のＯＬＥＤは、めったにない。研究によると、ＴＡＤＦ材料に使用される化合物は、その分子構造がＯＬＥＤの性能に関わっている。例えば、現在、最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ；ＨＯＭＯ）を電子供与性基（ｄｏｎｏｒ）に配置し、最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ ＵｎＯｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ；ＬＵＭＯ）を電子吸引性基（ａｃｃｅｐｔｏｒ）に配置し、且つＴＡＤＦ性質の強化に寄与するためにＨＯＭＯとＬＵＭＯとを部分的に重なりあわせて、且つΔＥ_STを低下させるために電子供与性基平面と電子吸引性基平面とのねじれ角（ｔｗｉｓｔ ａｎｇｌｅ）を大きくすることで、ＲＩＳＣの確率を向上させることが知られている。しかし、大きすぎるねじれ角により、更に、励起子が一重項励起状態から一重項基底状態に戻す放射減衰を抑制して、発光効率を減損する可能性がある。

なお、数多くの化合物において、ホウ素含有化合物は、ホウ素が空Ｐ軌道を有し、周囲のπ電子雲と相互作用が発生することができるので、有機発光材料を適用する可能性があると認められる。しかし、現在、既知のホウ素含有化合物は、その内部の量子効率が３０％を超えたものがほとんどなく、且つ空気及び水気に敏感である不足を有するので、有機発光材料へ適用しにくい。

このため、如何にホウ素含有化合物の構造を改良して、その電子供与性基と電子吸引性基との配置を適切にし、ＴＡＤＦ材料特性（即ち、内部量子効率が１００％である）を持たせ、ホウ素含有化合物の有機発光材料への適用上の制限を突破し、ＯＬＥＤに高効率を持たせるかが、関連業界及び学界の目標となっている。

本発明の目的は、分子構造によりＴＡＤＦ特性を有し、ＯＬＥＤ発光層のドーパント（ｄｏｐａｎｔ）とすることに有利であり、ＯＬＥＤが高効率、低コストであると共に広い光調色性能を有するようになるホウ素含有化合物を提供することにある。

本発明の別の目的は、ドーパントとして上記のホウ素含有化合物を使用することで、ＯＬＥＤが高効率、低コストであると共に広い光調色性能を有するようなるＯＬＥＤの発光層を提供することである。

本発明のまた別の一目的は、高効率、低コストであると共に広い光調色性能を有するＯＬＥＤ装置を提供することである。

本発明の一態様によれば、式（Ｉ）に示す構造を有し、

Ｒ１はそれぞれ独立に化学式（ｉ）又は化学式（ｉｉ）に示す構造であるホウ素含有化合物であって、ｍとｑはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、Ｒ^３とＲ^５はそれぞれ独立にメトキシ基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）特性を有するホウ素含有化合物を提供する。

ホウ素含有化合物によれば、ｍとｑはそれぞれ独立に０又は１の整数であってよく、Ｒ¹はそれぞれ独立に式（ｉ−１−１）、式（ｉ−２−１）、式（ｉｉ−１−１）又は式（ｉｉ−２−１）に示す構造であってよい。

本発明の別の一態様によれば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である発光層は、式（Ｉ）に示す構造を有するホウ素含有化合物であるドーパントを含み、

Ｒ¹はそれぞれ独立に化学式（ｉ）又は化学式（ｉｉ）に示す構造であり、前記ホウ素含有化合物はｍとｑはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、Ｒ^３とＲ^５はそれぞれ独立にメトキシ基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）特性を有する有機発光ダイオードの発光層を提供する。

有機発光ダイオードの発光層によれば、ｍとｑはそれぞれ独立に０又は１の整数であってよく、Ｒ¹はそれぞれ独立に式（ｉ−１−１）、式（ｉ−２−１）、式（ｉｉ−１−１）又は式（ｉｉ−２−１）に示す構造であってよい。

有機発光ダイオードの発光層によれば、式（１）〜式（９）の何れかに示す構造を有する本体材料（ｈｏｓｔ ｍａｔｅｒｉａｌ）を更に含む。

有機発光ダイオードの発光層によれば、ドーパントの発光層におけるドーピング濃度は、５％〜３０％である。

本発明の別の一態様によれば、有機発光ダイオードの発光層を含む有機発光ダイオード装置を提供する。

本発明の一実施形態による有機発光ダイオードの発光層を示す断面模式図である。 本発明の別の実施形態による有機発光ダイオード装置を示す断面模式図である。 実施例１の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例１の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例１の高分解能質量分析計（Ｈｉｇｈ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ；ＨＲＭＳ）の結果図である。 実施例１の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例２の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例２の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例２のＨＲＭＳの結果図である。 実施例２の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例３の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例３の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例３のＨＲＭＳの結果図である。 実施例３の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例４の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例４の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例４のＨＲＭＳの結果図である。 実施例４の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。 実施例１の瞬間光ルミネセンス（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）図である。 実施例２の瞬間光ルミネセンス図である。 実施例３の瞬間光ルミネセンス図である。 実施例４の瞬間光ルミネセンス図である。 実施例１〜４の吸収スペクトログラム（ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｓｐｅｃｔｒａ）である。 実施例１〜４の光ルミネセンススペクトログラム（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｓｐｅｃｔｒａ）である。 ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの外部量子効率、電流効率（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）及び輝度（Ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）の関係図である。 ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの外部量子効率と電流密度（Ｃｕｒｒｅｎｔ ｄｅｎｓｉｔｙ）の関係図である。 ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのエレクトロルミネセントスペクトログラム（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒａ）である。

（ホウ素含有化合物について）
式（Ｉ）に示す構造を有し、

Ｒ¹はそれぞれ独立に電子供与性基であるホウ素含有化合物である。

上記構造によれば、ホウ素含有化合物は、９，１０−二ホウ素化アントラセン（９，１０−ｄｉｂｏｒａａｎｔｈｒａｃｅｎｃｅ；ＤＢＡ）を電子吸引性基とし、Ｒ¹を電子供与性基とすることで、ホウ素含有化合物にＴＡＤＦ特性を持たせる。電圧により駆動されると、蛍光及び遅延蛍光の形でエネルギーを放出することができ、ＯＬＥＤ発光層のドーパントとすることに有利であり、ＯＬＥＤに高効率、低コストであると共に広い光調色性能を提供することができる等の利点を持たせることができる。

具体的には、式（Ｉ）において、２つのＲ¹は同じでも異なっていてもよい。Ｒ¹はそれぞれ独立に式（ｉ）又は式（ｉｉ）に示す構造であってよい。

式（ｉ）において、ｍはそれぞれ独立に０〜４の整数である。ｍが０であることは、式（ｉ）の上方の２つのベンゼン環の水素が何れも置換されていないことを指す。ｍが１〜４の整数であることは、（ｉ）の上方２つのベンゼン環の水素がＲ³で置換されてよく、Ｒ³はメトキシ基又はｔｅｒｔ−ブチル基であってよいが、これらに限定されない。式（ｉ）におけるＲ³の数が１よりも大きい時、複数のＲ³は同じでも異なっていてもよい。

式（ｉｉ）において、ｑはそれぞれ独立に０〜４の整数である。ｑが０であることは、式（ｉｉ）の上方の２つのベンゼン環の水素が何れも置換されないことを指す。ｑが１〜４の整数であることは、（ｉｉ）の上方の２つのベンゼン環の水素はＲ⁵で置換されてよく、Ｒ⁵はメトキシ基又はｔｅｒｔ−ブチル基であってよいが、これらに限定されない。式（ｉｉ）におけるＲ⁵の数が１よりも大きい時、複数のＲ⁵は同じでも異なっていてもよい。

ホウ素含有化合物によれば、ｍとｑはそれぞれ独立に０又は１の整数であってよい。この場合、Ｒ¹はそれぞれ独立に式（ｉ−１−１）、式（ｉ−２−１）、式（ｉｉ−１−１）又は式（ｉｉ−２−１）に示す構造であってよい。

（有機発光ダイオードの発光層について）
図１を参照する。図１は、本発明の一実施形態による有機発光ダイオードの発光層１４０を示す断面模式図である。図１において、発光層１４０は、本体材料１４１及びドーパント１４２を含む。ドーパント１４２は、式（Ｉ）に示す構造を有するホウ素含有化合物である。これにより、この発光層１４０を含むＯＬＥＤに、高効率、低コストであると共に広い光調色性能を提供する等の利点を持たせることができる。式（Ｉ）に示す構造を有するホウ素含有化合物について上記を参照し、ここで繰り返して説明しない。

ドーパント１４２の該発光層１４０におけるドーピング濃度は、５％〜３０％であってよい。ドーピング濃度は、ドーパント１４２の蒸着速度と本体材料１４１の蒸着速度との比率に基づいて定義される。例えば、ドーパント１４２の蒸着速度が本体材料１４１の蒸着速度の１／２０である場合、ドーピング濃度は、５％である。また、例えば、ドーパント１４２の蒸着速度が本体材料１４１の蒸着速度の３／１０である場合、ドーピング濃度は、３０％である。

発光層１４０にドーパント１４２をドーピングすることで、本体材料１４１のエネルギーをドーパント１４２に転移させることができ、本体材料１４１の光色及び発光効率を改変することができ、ＯＬＥＤの適用範囲を拡大することができる。

本体材料１４１は、高トリプレットエネルギーの本体材料（ｈｉｇｈ ｔｒｉｐｌｅｔ ｅｎｅｒｇｙ ｈｏｓｔ ｍａｔｅｒｉａｌ）であってよい。本体材料１４１は、正孔輸送型（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｔｙｐｅ）、電子輸送型（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｔｙｐｅ）又はバイポーラ型（ｂｉ−ｐｏｌａｒ ｔｙｐｅ）であってよい。実際に適用する時、ＯＬＥＤに必要な光色に基づいて選択してよい。例えば、本体材料は、式（１）〜式（９）の何れかに示す構造を有してよい。

式（１）の化学名はＣｚＰＳ（９，９’−（ｓｕｌｆｏｎｙｌｂｉｓ（４，１−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））ｂｉｓ（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ））と略称する。式（２）の化学名はＣＢＰ（４，４’− ｄｉ（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）と略称する。式（３）の化学名はｍＣＢＰ（３，３’−ｄｉ（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）と略称する。式（４）の化学名はｍＣＰ（１，３−ｄｉ（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）と略称する。式（５）の化学名はＢＣＰＯ（ｂｉｓ（４−（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）（ｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ）と略称する。式（６）の化学名はＴＣＴＡ（ｔｒｉｓ（４−（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｅ）と略称する。式（７）の化学名はＤＰＥＰＯ（ｏｘｙｂｉｓ（２，１−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ））ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ）と略称する。式（８）の化学名はＰＰＴ（ｄｉｂｅｎｚｏ［ｂ，ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，８−ｄｉｙｌｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｅ ｏｘｉｄｅ）と略称する。式（９）の化学名はＴＣＢ（１，３，５−ｔｒｉ（９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）と略称する。上記式（１）、式（３）〜式（９）は青色光、緑色光又は赤色光を発光するＯＬＥＤに用いられることができる。式（２）は緑色光又は赤色光を発光するＯＬＥＤに用いられることができる。

（有機発光ダイオードについて）
有機発光ダイオードの発光層を含む有機発光ダイオード装置である。これにより、この発光層を含むＯＬＥＤ装置に、高効率、低コストであると共に広い光調色性能を提供する等の利点を持たせることができる。

図２を参照する。図２は、本発明の他の実施形態による有機発光ダイオード装置１００を示す断面模式図である。図２において、有機発光ダイオード装置１００は、陽極１１０、正孔注入層１２０、正孔輸送層１３０、発光層１４０、電子輸送層１５０、電子注入層１６０及び陰極１７０を含む。発光層１４０について上記を参照し、ここで繰り返して説明しない。

具体的には、陽極１１０の材料は、透明導電性金属酸化物又は金属であってよい。透明導電性金属酸化物は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ、ＳｎＯ₂：Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はアルミ亜鉛酸化物（ＡＺＯ、Ａｌ：ＺｎＯ）であってよい。金属は、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）であってよい。金属を使用する時、陽極１１０の厚さは、好ましくは１５ｎｍよりも小さい。

正孔注入層１２０材料としては、陽極１１０と正孔輸送層１３０との間の正孔の伝達を増加することに有利であるように、そのＨＯＭＯエネルギー準位を考えて選択することが好ましい。正孔注入層１２０の材料としては、ＨＡＴＣＮ（２，３，６，７，１０，１１−ｈｅｘａｃｙａｎｏ−１，４，５，８，９，１２−ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、ＭｏＯ₃、ＮＰＢ（４，４’−ｂｉｓ（Ｎ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ）又はＮＰＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−（４−（Ｎ，Ｎ−ｄｉ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）であってよいが、それらに限定されない。

正孔輸送層１３０の材料としては、ＮＰＢ又はＴＣＴＡであってよいが、それらに限定されない。

電子輸送層１５０の材料としては、ＴＰＢＩ（１，３，５−ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴｍＰｙＰｂ（３，３’−［５’−［３−（３−ｐｙｒｉｄｉｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］［１，１’：３’，１’’−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ］−３，３’’−ｄｉｙｌ］ｂｉｓｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＢＣＰ（ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ）、ＢＡｌｑ（ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１，Ｏ８）−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＴＡＺ（３−（ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）であってよいが、それらに限定されない。

電子注入層１６０の材料としては、ＬｉＦであってよいが、それらに限定されない。

陰極１７０の材料としては、マグネシウム銀混合物、フッ化リチウム／アルミ混合物又はアルミであってよいが、それらに限定されない。

有機発光ダイオード装置１００は、基板（未図示）を更に含んでよもよい。有機発光ダイオード装置１００を製造する時、陽極１１０、正孔注入層１２０、正孔輸送層１３０、発光層１４０、電子輸送層１５０、電子注入層１６０及び陰極１７０を順に基板に堆積してよい。基板は、透明ガラス基板又はプラスチック基板であってよい。

（合成の実施例について）
実施例１（ＥＸ１）：実施例１のホウ素含有化合物は、式（Ｉ−１−１）に示す構造を有する。

実施例１の合成方法は、以下のとおりである。まず、ｎ−ブチルリチウム（ｎＢｕＬｉ）溶液、９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−９Ｈ−カルバゾール（９−（４−ｂｒｏｍｏ−３，５−ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）溶液及び９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン（９，１０−ｄｉｂｒｏｍｏ−９，１０−ｄｉｂｏｒａａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）溶液を調製した。ｎ−ブチルリチウム溶液として、２．５ｍｍｏｌのｎ−ブチルリチウムを１．０ｍＬのｎ−ヘキサン （ｈｅｘａｎｅ）に溶解することで、２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液を形成した。９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−９Ｈ−カルバゾール溶液として、５６７ｍｇ（１．６２ｍｍｏｌ）の９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−９Ｈ−カルバゾールを４０ｍＬのエーテル（Ｅｔ₂Ｏ）に溶解して形成した。９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液として、２７０ｍｇ（０．８０９ｍｍｏｌ）の９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセンを２５ｍＬのトルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）に溶解して形成した。

ｎ−ブチルリチウム溶液を１０分間内に−７８℃、攪拌状態での９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−９Ｈ−カルバゾール溶液にゆっくりドロップして反応溶液を形成し、反応溶液を０℃まで回復して３０分間維持し、その後、反応溶液を再び−７８℃まで降温し、９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を反応溶液にゆっくりドロップすると共に、攪拌し、滴定完成した後反応溶液を室温までゆっくり回復すると共に８時間攪拌した。反応溶液を減圧するように揮発物を除去して粗生成物を取得した。粗生成物を３０ｍＬの塩化アンモニウム水溶液（ＮＨ₄Ｃｌ_(aq)）及び３０ｍＬのジクロロメタン（ｄｉｃｈｌｏｒｏｍｅｔｈａｎｅ）で抽出した後濃縮し、続いて更にシリカゲルカラムで分離し（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン＝１０：１）精製を行い、最後に黄色の固体生成物４３９ｍｇを得て、収量は７６％であった。

図３Ａ〜図３Ｃを参照する。図３Ａは、実施例１の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。図３Ｂは、実施例１の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。図３Ｃは、実施例１のＨＲＭＳの結果図である。
¹Ｈ ＮＭＲ、¹³Ｃ ＮＭＲ及びＨＲＭＳの測定結果から分かるように、実施例１の生成物は、確実に式（Ｉ−１−１）に示すホウ素含有化合物であった。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ ８．１８（ｄ，Ｊ＝７．６ Ｈｚ，４Ｈ），７．７７（ｄｄ，Ｊ＝３．６，５．２ Ｈｚ，４Ｈ），７．６３−７．５９（ｍ，８Ｈ），７．４９−７．４５（ｍ，４Ｈ），７．３３−７．２９（ｍ，８Ｈ），２．２２（ｓ，１２Ｈ）；
¹³Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ１４１．１，１３９．７，１３９．０，１３４．０，１２５．８，１２４．５，１２４．５，１２３．３，１２０．３，１１９．７． １１０．１，２２．８；
ＨＲＭＳ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₅₂Ｈ₄₀Ｂ₂Ｎ₂：７１４．３３７８． Ｆｏｕｎｄ：７１４．３３８６）

実施例２（ＥＸ２）：実施例２のホウ素含有化合物は、式（Ｉ−１−２）に示す構造を有する。

実施例２の合成方法は、以下のとおりである。まず、ｎ−ブチルリチウム溶液、９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル基−９Ｈ−カルバゾール（９−（４−ｂｒｏｍｏ−３，５−ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−３，６−ｄｉ−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）溶液及び９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を調製した。ｎ−ブチルリチウム溶液として、３．３０ｍｍｏｌのｎ−ブチルリチウムを１．３２ｍＬのｎ−ヘキサンに溶解することで、２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液を形成した。９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル基−９Ｈ−カルバゾール溶液として、１．０２ｇ（２．２０ｍｍｏｌ）の９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル基−９Ｈ−カルバゾールを４０ｍＬのエーテルに溶解して形成した。９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液として、３６７ｍｇ（１．１０ｍｍｏｌ）の９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセンを２５ｍＬのトルエンに溶解して形成した。

ｎ−ブチルリチウム溶液を１０分間内に−７８℃、攪拌状態での９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル基−９Ｈ−カルバゾール溶液にゆっくりドロップすることにより反応溶液を形成し、反応溶液を０℃に回復すると共に３０分間維持し、その後、反応溶液を再び−７８℃まで降温し、９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を反応溶液にゆっくりドロップすると共に、攪拌し、滴定完成した後反応溶液を室温までゆっくり回復すると共に８時間攪拌した。反応溶液を減圧するように揮発物を除去して粗生成物を取得した。粗生成物を３０ｍＬの塩化アンモニウム水溶液及び３０ｍＬのジクロロメタンで抽出した後濃縮し、続いて更にシリカゲルカラムで分離し（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン＝１０：１）精製を行い、最後にオレンジ固体生成物７２３ｍｇを得て、収量が７０％であった。

図４Ａ〜図４Ｃを参照する。図４Ａは、実施例２の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。図４Ｂは、実施例２の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。図４Ｃは、実施例２のＨＲＭＳの結果図である。¹Ｈ ＮＭＲ、¹³Ｃ ＮＭＲ及びＨＲＭＳの測定結果から分かるように、実施例２の生成物は、確実に式（Ｉ−１−２）に示すホウ素含有化合物であった。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ ８．１６（ｄ，Ｊ＝１．４ Ｈｚ，４Ｈ），７．７６（ｄｄ，Ｊ＝３．２，５．２ Ｈｚ，４Ｈ），７．６０−７．５０（ｍ，１２Ｈ），７．２９（ｓ，４Ｈ），２．２０（ｓ，１２Ｈ），１．４８（ｓ，３６Ｈ）；
¹³Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ１４２．６，１３９．５，１３９．５，１３９．５，１３９．０，１３３．９，１２４．１，１２３．４，１２３．３，１１６．２，１０９．５，３４．７，３２．１，２２．７；
ＨＲＭＳ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₆₈Ｈ₇₂Ｂ₂Ｎ₂：９３８．５８８２． Ｆｏｕｎｄ：９３８．５８８４）。

実施例３（ＥＸ３）：実施例３のホウ素含有化合物は、式（Ｉ−１−３）に示す構造を有する。

実施例３の合成方法は、以下のとおりである。まず、ｎ−ブチルリチウム溶液、９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−二メトキシ基−９Ｈ−カルバゾール（９−（４−ｂｒｏｍｏ−３，５−ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−３，６−ｄｉｍｅｔｈｏｘｙ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）溶液及び９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を調製した。ｎ−ブチルリチウム溶液として、４．５６ｍｍｏｌのｎ−ブチルリチウムを１．８２ｍＬのｎ−ヘキサンに溶解することで、２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液を形成した。９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−二メトキシ基−９Ｈ−カルバゾール溶液として、１．２５ｇ（３．０４ｍｍｏｌ）の９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−二メトキシ基−９Ｈ−カルバゾールを４０ｍＬのエーテルに溶解して形成した。９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液として、５０７ｍｇ（１．５２ｍｍｏｌ）の９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセンを２５ｍＬのトルエンに溶解して形成した。

ｎ−ブチルリチウム溶液を１０分間内に−７８℃、攪拌状態での９−（４−ブロモ−３，５−ジメチルフェニル）−３，６−二メトキシ基−９Ｈ−カルバゾール溶液にゆっくりドロップすることで、反応溶液を形成し、反応溶液を０℃に回復すると共に３０分間維持し、その後、反応溶液を再び−７８℃まで降温し、９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を反応溶液にゆっくりドロップすると共に、攪拌し、滴定完成した後反応溶液を室温までゆっくり回復すると共に８時間静置した。反応溶液を減圧するように揮発物を除去して粗生成物を取得した。粗生成物を３０ｍＬの塩化アンモニウム水溶液及び３０ｍＬのジクロロメタンで抽出した後濃縮し、続いて更にシリカゲルカラムで分離し（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン＝１０：１）精製を行い、最後にオレンジ固体生成物８３７ｍｇを得て、収量が６６％であった。

図５Ａ〜図５Ｃを参照する。図５Ａは、実施例３の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。図５Ｂは、実施例３の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。図５Ｃは、実施例３のＨＲＭＳの結果図である。¹Ｈ ＮＭＲ、¹³Ｃ ＮＭＲ及びＨＲＭＳの測定結果から分かるように、実施例３の生成物は、確実に式（Ｉ−１−３）に示すホウ素含有化合物であった。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ ７．７５（ｄｄ，Ｊ＝３．２，５．２ Ｈｚ，４Ｈ），７．６０−７．５８（ｍ，８Ｈ），７．５２（ｄ，Ｊ＝８．８，４Ｈ），７．２７（ｓ，４Ｈ），７．１０（ｄｄ，Ｊ＝２．４，８．８ Ｈｚ，４Ｈ），３．９７（ｓ，１２Ｈ），２．２０（ｓ，１２Ｈ）；
¹³Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ１５３．９，１３９．６，１３９．０，１３７．４，１３６．５，１３３．９，１２４．１，１２３．５，１１５．２，１１１．１，１０２．８，５６．２，２２．８；
ＨＲＭＳ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₅₆Ｈ₄₈Ｂ₂Ｎ₂Ｏ₄：８３４．３８００． Ｆｏｕｎｄ：８３４．３７７８）

実施例４（ＥＸ４）：実施例４のホウ素含有化合物は、式（Ｉ−１−４）に示す構造を有する。

実施例４の合成方法は、以下のとおりである。まず、ｎ−ブチルリチウム溶液、４−ブロモ−３，５−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（４−ｂｒｏｍｏ−３，５−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｉｌｉｎｅ）溶液及び９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を調製した。ｎ−ブチルリチウム溶液として、３．７８ｍｍｏｌのｎ−ブチルリチウムを１．５１ｍＬのｎ−ヘキサンに溶解することで、２．５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液を形成した。４−ブロモ−３，５−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン溶液として、８８８ｍｇ（２．５２ｍｍｏｌ）の４−ブロモ−３，５−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリンを４０ｍＬのエーテルに溶解して形成した。９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液として、４２０ｍｇ（１．２６ｍｍｏｌ）の９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセンを２５ｍＬのトルエンに溶解して形成した。

ｎ−ブチルリチウム溶液を１０分間内に−７８℃、攪拌状態での４−ブロモ−３，５−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン溶液にゆっくりドロップすることで、反応溶液を形成し、反応溶液を０℃まで回復すると共に３０分間維持し、その後、反応溶液を再び−７８℃まで降温し、９，１０−ジブロモ−９，１０−二ホウ素化アントラセン溶液を反応溶液にゆっくりドロップすると共に、攪拌し、滴定完成した後反応溶液を室温までゆっくり回復すると共に８時間静置した。反応溶液を減圧するように揮発物を除去して粗生成物を取得した。粗生成物を３０ｍＬの塩化アンモニウム水溶液及び３０ｍＬのジクロロメタンで抽出した後濃縮し、続いて更にシリカゲルカラムで分離し（溶出液：ｎ−ヘキサン／ジクロロメタン＝１０：１）精製を行い、最後に赤色固体生成物５３４ｍｇを得て、収量が５９％であった。

図６Ａ〜図６Ｃを参照する。図６Ａは、実施例４の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムである。図６Ｂは、実施例４の¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトログラムである。図６Ｃは、実施例４のＨＲＭＳの結果図である。¹Ｈ ＮＭＲ、¹³Ｃ ＮＭＲ及びＨＲＭＳの測定結果から分かるように、実施例４の生成物は、確実に式（Ｉ−１−４）に示すホウ素含有化合物であった。
¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ７．６８（ｄｄ，Ｊ＝３．２，５．６ Ｈｚ，４Ｈ），７．５１（ｄｄ，Ｊ＝３．２，５．２ Ｈｚ，４Ｈ），７．３０−７．２６（ｍ，８Ｈ），７．１９−７．１６（ｍ，８Ｈ），７．０２−６．９８（ｍ，４Ｈ），６．８１（ｓ，４Ｈ），１．９７（ｓ，１２Ｈ）；
¹³Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃）：δ １４８．２，１３９．０，１３８．８，１３３．５，１２９．１，１２４．１，１２４．１，１２２．３，１２２．１，２２．７；
ＨＲＭＳ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ₅₂Ｈ₄₄Ｂ₂Ｎ₂：７１８．３６９１． Ｆｏｕｎｄ：７１８．３６８７）。

（光学的性質について）
図７Ａ〜図７Ｄを参照する。図７Ａは、実施例１の瞬間光ルミネセンス図である。図７Ｂは、実施例２の瞬間光ルミネセンス図である。図７Ｃは、実施例３の瞬間光ルミネセンス図である。図７Ｄは、実施例４の瞬間光ルミネセンス図である。図７Ａ〜図７Ｄは、実施例１〜４のホウ素含有化合物をトルエンに溶解し、１０^-5Ｍの溶液に調製して、３００Ｋ、真空条件で測定を行う結果であった。図７Ａから分かるように、実施例１の蛍光ライフサイクル（τ１）は９１．８４ｎｓであり、遅延蛍光ライフサイクル（τ２）は３．６６・ｓであった。図７Ｂから分かるように、実施例２の蛍光ライフサイクルは１０８．７５ｎｓであり、遅延蛍光ライフサイクルは２．６８・ｓであった。図７Ｃから分かるように、実施例３の蛍光ライフサイクルは１０３．３７ｎｓであり、遅延蛍光ライフサイクルは１．１５・ｓであった。図７Ｄから分かるように、実施例４の蛍光ライフサイクルは３５．０４ｎｓであり、遅延蛍光ライフサイクルは１．２９・ｓであった。図７Ａ〜図７Ｄの測定結果から分かるように、実施例１〜４のホウ素含有化合物は、ＴＡＤＦ材料特性を有する。

図８及び図９を参照する。図８は、実施例１〜４の吸収スペクトログラムである。図９は、実施例１〜４の光ルミネセンススペクトログラムである。図８と図９は、実施例１〜４のホウ素含有化合物をジクロロメタンに溶解し、１０^-5Ｍの溶液に調製し、３００Ｋの温度で測定を行う結果である。図８と図９から、実施例１〜４の最大吸収波長（λ_Absmax）、最大放射波長（λ_PLmax）を観察することができ、表１に記録される。また、表１におけるＥ_HOMOは、ＨＯＭＯエネルギー準位であり、低エネルギー表面パワー関数測定器（ＡＣ２）によって取得される。Ｅ_LUMOは、ＬＵＭＯエネルギー準位であり、Ｅ_HOMO−Ｅ_{band gap}によって取得される。Ｅ_{band gap}は、吸収スペクトルによりエネルギーギャップの推定を行うことにより取得され、Ｅ_{band gap}＝１２４１／λ_onset（ｎｍ）である。

（実施例の空気／水気安定性に係る性質について）
実施例１〜実施例４のホウ素含有化合物を、合成した後大気環境に置いて、ほぼ５ヶ月以上経過し、更にその¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムをそれぞれ測定し、実施例１〜実施例４のホウ素含有化合物は大気環境で構造が改変するかどうかを観察した。同時に図３Ａと図３Ｄを参照する。図３Ａは、実施例１の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１６年１月３日の測定結果である。図３Ｄは、実施例１の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１６年６月２０日の測定結果である。図３Ａと図３Ｄから分かるように、実施例１のホウ素含有化合物を大気環境で５ヶ月以上置いて、その構造が改変しないので、空気／水気安定性を有する。

図４Ａと図４Ｄを同時に参照する。図４Ａは、実施例２の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１５年１２月２２日の測定結果である。図４Ｄは、実施例２の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１６年６月２０日の測定結果である。図４Ａと図４Ｄから分かるように、実施例２のホウ素含有化合物を大気環境で５ヶ月以上置いて、その構造は改変しないので、空気／水気安定性を有する。

図５Ａと図５Ｄを同時に参照する。図５Ａは、実施例３の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１６年１月３１日の測定結果である。図５Ｄは、実施例３の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１６年６月２０日の測定結果である。図５Ａと図５Ｄから分かるように、実施例３のホウ素含有化合物を大気環境でほぼ５ヶ月置いて、その構造は改変しないので、空気／水気安定性を有する。

図６Ａと図６Ｄを同時に参照する。図６Ａは、実施例４の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１５年１２月１９日の測定結果である。図６Ｄは、実施例４の別の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトログラムであり、２０１６年６月２０日の測定結果である。図６Ａと図６Ｄから分かるように、実施例４のホウ素含有化合物を大気環境で６ヵ月以上置いて、その構造は改変しないので、空気／水気安定性を有する。

（実施例で製造されたＯＬＥＤ装置について）
ＯＬＥＤ装置Ａ：実施例１のホウ素含有化合物（Ｉ−１−１）を発光層のドーパントとし、ドーピング濃度は１０％（重量％）であった。ＯＬＥＤ装置Ａは、順に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を含み、ＯＬＥＤ装置Ａの構造について図２を参照する。ＯＬＥＤ装置Ａの材質組成及び厚さは、以下のとおりである。ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／ＴＣＴＡ（１０ｎｍ）／ＣＢＰ：ホウ素含有化合物（Ｉ−１−１）（１０％）（３０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（６０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）。

ＯＬＥＤ装置Ｂ：実施例２のホウ素含有化合物（Ｉ−１−２）を発光層のドーパントとし、ドーピング濃度は１０％（重量％）であった。ＯＬＥＤ装置Ｂは、順に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を含み、ＯＬＥＤ装置Ｂの構造について図２を参照する。ＯＬＥＤ装置Ｂの材質組成及び厚さは、以下のとおりである。ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／ＴＣＴＡ（１０ｎｍ）／ＣＢＰ：ホウ素含有化合物（Ｉ−１−２）（１０％）（３０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（６０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）。

ＯＬＥＤ装置Ｃ：実施例３のホウ素含有化合物（Ｉ−１−３）を発光層のドーパントとし、ドーピング濃度は１０％（重量％）であった。ＯＬＥＤ装置Ｃは、順に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を含み、ＯＬＥＤ装置Ｃの構造について図２を参照する。ＯＬＥＤ装置Ｃの材質組成及び厚さは、下記のとおりである。ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／ＴＣＴＡ（１０ｎｍ）／ＣＢＰ：ホウ素含有化合物（Ｉ−１−３）（１０％）（３０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（６０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）。

ＯＬＥＤ装置Ｄ：実施例４のホウ素含有化合物（Ｉ−１−４）を発光層のドーパントとし、ドーピング濃度は１０％（重量％）であった。ＯＬＥＤ装置Ｄは、順に陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極を含み、ＯＬＥＤ装置Ｃの構造について図２を参照する。ＯＬＥＤ装置Ｄの材質組成及び厚さは、下記のとおりである。ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＮＰＢ（４０ｎｍ）／ＴＣＴＡ（１０ｎｍ）／ＣＢＰ：ホウ素含有化合物（Ｉ−１−４）（１０％）（３０ｎｍ）／ＴｍＰｙＰｂ（６０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）。ＯＬＥＤ装置Ａ〜Ｄに使用された化学物質構造は、下記のとおりである。

図１０〜図１２を参照する。図１０は、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの外部量子効率（ＥＱＥ）、電流効率及び輝度の関係図である。図１１は、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの外部量子効率と電流密度の関係図である。図１２は、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのエレクトロルミネセントスペクトログラムである。且つ、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの開始電圧（Ｖ_d）、最大輝度（Ｌ）及びその対応電圧、最大外部量子効率（η_ext）及びその対応電圧、最大電流効率（η_c）及びその対応電圧、最大パワー効率（η_p）及びその対応電圧を表２に示し、且つＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを８Ｖの最大放射波長λ及び色度座標（ＣＩＥ）で表３に示す。開始電圧は、起動電圧とも言われ、輝度が１Ｃｄ／ｍ²である場合の電圧である。なお、表２、表３における各数値は、シリコンフォトダイオード（ｓｉｌｉｃｏｎ ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）と電源測定ユニット機器（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００ ＳｏｕｒｃｅＭｅｔｅｒ）との組み合わせによって測定される。得られた実験データは、更に、ＯＬＥＤ素子効率公式によって計算して得られる。測定方式と計算公式については、従来のものであるので、ここで繰り返して説明しない。

表２から分かるように、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの外部量子効率が何れも２１．１％の以上であり、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂが更にそれぞれ４１．５％及び３５．１％に達するので、本発明によるホウ素含有化合物は、ＯＬＥＤ発光層のドーパントとすることに有利であり、それにより製造されたＯＬＥＤ装置が高効率の利点を有することが判明される。なお、本発明のホウ素含有化合物によれば、リン光材料のように貴金属と組み合わせる必要がないので、コストを低下させることができる。なお、表３から分かるように、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの最大放射波長λ及び色度座標が何れも異なるので、ＯＬＥＤ装置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが異なる光色を有することが判明されるので、本発明によるホウ素含有化合物は、広い光調色性能を提供することができる。

本発明の実施形態を前述の通りに開示したが、これは、本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変更や修正を加えてもよく、したがって、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。

１００：有機発光ダイオード装置
１１０：陽極
１２０：正孔注入層
１３０：正孔輸送層
１４０：発光層
１４１：本体材料
１４２：ドーパント
１５０：電子輸送層
１６０：電子注入層
１７０：陰極

Claims (7)

1. 式（Ｉ）に示す構造を有し、
   

   

   前記Ｒ¹はそれぞれ独立に化学式（ｉ）又は化学式（ｉｉ）に示す構造であるホウ素含有化合物であって、ｍとｑはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、Ｒ^３とＲ^５はそれぞれ独立にメトキシ基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）特性を有するホウ素含有化合物。
   

   

   
2. 前記ｍと前記ｑはそれぞれ独立に０又は１の整数であり、前記Ｒ¹はそれぞれ独立に式（ｉ−１−１）、式（ｉ−２−１）、式（ｉｉ−１−１）又は式（ｉｉ−２−１）に示す構造である請求項１に記載のホウ素含有化合物。
   

   

   

   

   
3. 有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である発光層であって、前記発光層は式（Ｉ）に示す構造を有するホウ素含有化合物であるドーパントを含み、
   

   

   各前記Ｒ¹はそれぞれ独立に化学式（ｉ）又は化学式（ｉｉ）に示す構造であり、前記ホウ素含有化合物はｍとｑはそれぞれ独立に０〜４の整数であり、Ｒ^３とＲ^５はそれぞれ独立にメトキシ基またはｔｅｒｔ−ブチル基であり、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）特性を有する有機発光ダイオードの発光層。
   

   

   
4. 前記ｍと前記ｑはそれぞれ独立に０又は１の整数であり、前記Ｒ¹はそれぞれ独立に式（ｉ−１−１）、式（ｉ−２−１）、式（ｉｉ−１−１）又は式（ｉｉ−２−１）に示す構造である請求項３に記載の有機発光ダイオードの発光層。
   

   

   

   

   
5. 式（１）〜式（９）の何れかに示す構造を有する本体材料を更に含む請求項３に記載の有機発光ダイオードの発光層。
   

   

   

   

   

   

   

   

   

   
6. 前記ドーパントの前記発光層におけるドーピング濃度は、５％〜３０％である請求項３に記載の有機発光ダイオードの発光層。
7. 請求項３〜６のいずれか一項に記載の有機発光ダイオードの発光層を含む有機発光ダイオード装置。

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