JP2023093366A - 有機金属化合物、及びこれを含む有機電界発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機電界発光素子の色純度、駆動電圧、発光効率、及び寿命等の有機電界発光素子の性能の向上を図る。【解決手段】本発明の有機金属化合物は、これを有機電界発光素子の発光ドーパント物質に含むことで有機電界発光素子の色純度、駆動電圧、発光効率、及び寿命等の有機電界発光素子の性能の向上が図られる。【選択図】図１

Description

本発明は、有機金属化合物に関し、より詳細には、燐光特性を有する有機金属化合物、及びこれを含む有機電界発光素子に関する。
表示装置が様々な分野に適用されることによって、関心が高まりつつある。これら表示素子の一つとして、有機電界発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）を含む有機発光表示装置の技術が急発展してきている。
有機電界発光素子は、正極と負極との間に形成された発光層に電荷を注入すると、電子と正孔が対をなして、励起子（エキシトン）を形成した後、励起子のエネルギーを光で放出する素子である。有機電界発光素子は、既知のディスプレイ技術に比べて、低電圧駆動が可能で、電力の消耗が比較的少なく、優れた色感を有するだけでなく、フレキシブル基板の適用が可能であり、様々な活用が可能であって、表示装置の大きさを自由に調節することができるという長所を有している。
有機電界発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ，ＯＬＥＤ）は、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）に比べて視野角、明暗比等に優れており、バックライトが不要で、軽量かつ超薄型が可能である。有機電界発光素子は、負極（電子注入電極；ｃａｔｈｏｄｅ）と正極（正孔注入電極；ａｎｏｄｅ）との間に複数の有機物層、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送補助層、電子遮断層、発光層、電子伝達層等が配置して形成される。
これら有機電界発光素子の構造において、両電極の間に電圧をかけると、負極と正極からそれぞれ電子と正孔が注入され、発光層で生成された励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が基底状態に落ちながら発光することになる。
有機電界発光素子に使用される有機材料は、大きく発光材料と電荷輸送材料に区分される。発光材料は、有機電界発光素子の発光効率を定める重要な要因であり、発光材料は、量子効率が高く、電子と正孔の移動度に優れ、発光層に均一かつ安定的に存在しなければならない。発光材料は、発色光によって青、赤、緑等の発光材料に区分され、発色材料としての色純度の増加とエネルギー転移による発光効率を増加させるために、ホスト（ｈｏｓｔ）、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）として使用する。
蛍光物質の場合、発光層で形成されるエキシトンのうち約２５％の一重項（ｓｉｎｇｌｅｔ）のみが光を作るために使用され、７５％の三重項（ｔｒｉｐｌｅｔ）は、ほとんど熱で消失する一方、燐光物質は、一重項と三重項をいずれも光に転換させる発光メカニズムを有している。
従来、有機電界発光素子に使用される燐光発光材料は、有機金属化合物が用いられており、これらの低い効率及び寿命の問題を解決するため燐光材料の研究及び開発を要求し続けている。
よって、本発明の目的は、駆動電圧、効率、及び寿命を改善できる有機金属化合物と、これを有機発光層に適用した有機電界発光素子を提供することである。
本発明の目的は、以上に言及した目的に制限されず、言及していない本発明の他の目的及び長所は、下記の説明によって理解することができ、本発明の実施例によってより明らかに理解することができる。また、本発明の目的及び長所は、特許請求の範囲に示した手段及びその組み合わせによって実現できることが分かりやすい。
上記課題を解決するために本発明は、下記の化学式Ｉで表される新規な構造の有機金属化合物、及びこれを燐光発光層のドーパントとして適用した有機電界発光素子を提供する。
Figure 2023093366000002
上記化学式Ｉにおいて、
Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群より選択される一種であってもよく；
Ｒａは、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよく；
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ炭素であってもよく；
Ｘ３～Ｘ６は、それぞれ独立にＣＲｂ及びＮのうちから選択される一種であってもよく、
Ｘ３～Ｘ６の置換基のうち、隣接する２つの置換基は、互いに連結されて、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ２－Ｃ２０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ２－Ｃ２０のヘテロアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、及び置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群より選択される一種の環構造を形成することができ；
Ｒｂは、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよく；
（Ｚ１－Ｚ２）は、二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であってもよく；
ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、ｍ及びｎの和は、金属（Ｍ）の酸化数であってもよく；
Ｒは、Ｘ１及びＸ２に連結して形成される縮合環であり、下記の化学式ＩＩ～化学式ＩＶからなる群より選択される一種の構造であってもよく；
Figure 2023093366000003
Figure 2023093366000004
Figure 2023093366000005
上記化学式ＩＩ～化学式ＩＶにおいて、
Ｙは、ＢＲ１９、ＣＲ１９Ｒ２０、Ｃ=Ｏ、ＣＮＲ１９、ＳｉＲ１９Ｒ２０、ＮＲ１９、ＰＲ１９、ＡｓＲ１９、ＳｂＲ１９、Ｐ（Ｏ）Ｒ１９、Ｐ（Ｓ）Ｒ１９、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、及びＴｅＯ２からなる群より選択される一種であってもよく；
Ｒ１～Ｒ１８は、それぞれ独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよく；
Ｒ１９及びＲ２０は、それぞれ独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される１であってもよい。
本発明による有機金属化合物を有機電界発光素子の発光層のドーパントに適用することにより、有機電界発光素子の駆動電圧、効率、及び寿命特性を向上させることができる。
本発明の効果は、以上に言及した効果に制限されず、言及していないさらに他の効果は、下記の記載から本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって明確に理解することができる。
本発明の例示的な実施形態による有機金属化合物が発光層に適用された有機電界発光素子を概略的に示した断面図。 本発明の例示的な実施形態による２つの発光部を備えるタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造でありながら、本発明の化学式Ｉで表される有機金属化合物を含む有機電界発光素子を概略的に示した断面図。 本発明の例示的な実施形態による３つの発光部を備えるタンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造でありながら、本発明の化学式Ｉで表される有機金属化合物を含む有機電界発光素子を概略的に示した断面図。 本発明の例示的な実施形態による有機電界発光素子が適用された有機発光表示装置を概略的に示した断面図。
前述した目的、特徴及び長所は、添付の図面を参照して詳細に後述され、これによって、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術思想を容易に実施することができる。本発明を説明することにおいて、本発明に係る公知技術に対する具体的な説明が、本発明の要旨を曖昧にすると判断される場合には詳細な説明を省略する。以下では、添付の図面を参照して、本発明による好ましい実施例を詳説することとする。図面における同じ参照符号は、同一又は類似の構成要素を示すために使われる。
本明細書を説明することにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が、本明細書の要旨を曖昧にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
以下における構成要素を「含む」、「有する」、「なる」、「配置する」などと使う場合、「のみ」が使われていない限り、他の部分が加えられてもよい。構成要素を単数で表現した場合、別途明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合も含む。
以下における構成要素を解釈することにおいて、別途明示的な記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。
以下における構成要素の「上部（又は下部）」又は構成要素の「上（又は下）」に任意の構成が配されるということは、任意の構成が上記構成要素の上面（又は下面）に接して配されるだけでなく、上記構成要素と、上記構成要素上に（又は下に）配された任意の構成との間に他の構成が介在し得ることを意味する。
本明細書における「隣接する置換基が互いに連結されて、環（又は環構造）を形成する」という意味は、隣接する置換基が互いに結合して、置換又は非置換された脂環族、芳香族環を形成できることを意味し、「隣接する置換基」は、該置換基が置換された原子と直接連結された原子に置換された置換基、該置換基と立体構造的に最も近く位置した置換基、又は該置換基が置換された原子に置換された他の置換基を意味し得る。例えば、ベンゼン環構造におけるオルト（ｏｒｔｈｏ）位置に置換された２つの置換基、及び脂肪族環における同一炭素に置換された２つの置換基は、互いに「隣接する置換基」と解釈されてもよい。
以下では、本発明による有機金属化合物の構造及び製造例と、これを含む有機電界発光素子を説明することとする。
本発明の一具体例による有機金属化合物は、下記の化学式Ｉで表される。本発明者らは、下記の化学式Ｉのように、縮合環構造（Ｒ）を導入することにより、有機金属化合物分子の長軸方向長さを増加して、水平配向度を向上させ、有機金属化合物分子内に剛さを付与できることを見出して、本発明を完成したところ、本発明の下記の化Ｉで表される有機金属化合物を発光層のドーパントとして適用すると、反値幅（ＦＷＨＭ；ｆｕｌｌ－ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ－ｍａｘｉｍｕｍ）が減少して、色純度を向上させることができ、発光効率及び寿命を改善することができる。
Figure 2023093366000006
上記化学式Ｉにおいて，
Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群より選択される一種であってもよく；
Ｒａは、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよく；
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ炭素であってもよく；
Ｘ３～Ｘ６は、それぞれ独立にＣＲｂ及びＮのうちから選択される一種であってもよく、
Ｘ３～Ｘ６の置換基のうち隣接する２つの置換基は、互いに連結されて、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ２－Ｃ２０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ２－Ｃ２０のヘテロアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、及び置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群より選択される一種の環構造を形成することができ；
Ｒｂは、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよく；
（Ｚ１－Ｚ２）は、二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であってもよく；
ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、ｍ及びｎの和は、金属（Ｍ）の酸化数であってもよく；
Ｒは、Ｘ１及びＸ２に連結して形成される縮合環であり、下記の化学式ＩＩ～化学式ＩＶからなる群より選択される一種の構造であってもよく；
Figure 2023093366000007
Figure 2023093366000008
Figure 2023093366000009
上記化学式ＩＩ～化学式ＩＶにおいて、
Ｙは、ＢＲ１９、ＣＲ１９Ｒ２０、Ｃ=Ｏ、ＣＮＲ１９、ＳｉＲ１９Ｒ２０、ＮＲ１９、ＰＲ１９、ＡｓＲ１９、ＳｂＲ１９、Ｐ（Ｏ）Ｒ１９、Ｐ（Ｓ）Ｒ１９、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、及びＴｅＯ２からなる群より選択される一種であってもよく；
Ｒ１～Ｒ１８は、それぞれ独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよく；
Ｒ１９及びＲ２０は、それぞれ独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であってもよい。
原子番号の大きいイリジウム（Ｉｒ）や白金（Ｐｔ）金属錯体を使用すると、常温でも効率よく燐光を得ることができるため、本発明の一具体例による有機金属化合物は、中心配位金属（Ｍ）がイリジウム（Ｉｒ）又は白金（Ｐｔ）のうちいずれかであるのが好ましく、例えば、イリジウム（Ｉｒ）であるのがさらに好ましいが、これに限定されるものではない。
本発明の一具体例による有機金属化合物である化学式Ｉは、Ｒの種類（上記化ＩＩ～ＩＶの構造）及びＹの配方によって、下記の化学式ＩＩ－１、ＩＩ－２、ＩＩＩ－１、ＩＩＩ－２、ＩＶ－１、及びＩＶ－２からなる群より選択される一種の構造であってもよい。
Figure 2023093366000010
Figure 2023093366000011
Figure 2023093366000012
Figure 2023093366000013
Figure 2023093366000014
Figure 2023093366000015
上記化学式ＩＩ－１、ＩＩ－２、ＩＩＩ－１、ＩＩＩ－２、ＩＶ－１、及びＩＶ－２各々のＹ、Ｘ３～Ｘ６、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒ１～Ｒ１８、（Ｚ１－Ｚ２）、ｍ、及びｎは、上述した発明の説明及び請求範囲で定義したとおりである。
本発明の一具体例による有機金属化合物は、中心配位金属に補助リガンドとして二座配位子を適用することができる。本発明の二座配位子は、電子ドナー（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎｏｒ）を含むことで、ＭＬＣＴ（ｍｅｔａｌ ｔｏ ｌｉｇａｎｄ ｃｈａｒｇｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ）の割合を増加して、有機電界発光素子に適用すると、高い発光効率及び高い外部量子効率等が向上した発光特性を具現することができる。
本発明の一具体例による有機金属化合物は、ヘテロレプティック（ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃ）又はホモレプティック（ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ）構造であってもよく、例えば、上記化学式Ｉにおけるｍは１であり、ｎは２であるヘテロレプティック構造、ｍは２であり、ｎは１であるヘテロレプティック構造、又はｍは３であり、ｎは０であるホモレプティック構造であってもよい。
本発明の化学式Ｉで表される化合物の具体例は、下記の化合物１～化合物５４３からなる群より選択された１つであってもよいが、化学式Ｉの定義に属するものであれば、これに限定されるものではない。
Figure 2023093366000016
Figure 2023093366000017
Figure 2023093366000018
Figure 2023093366000019
Figure 2023093366000020
Figure 2023093366000021
Figure 2023093366000022
Figure 2023093366000023
Figure 2023093366000024
Figure 2023093366000025
Figure 2023093366000026
Figure 2023093366000027
Figure 2023093366000028
Figure 2023093366000029
Figure 2023093366000030
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Figure 2023093366000032
Figure 2023093366000033
Figure 2023093366000034
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Figure 2023093366000037
Figure 2023093366000038
Figure 2023093366000039
Figure 2023093366000040
Figure 2023093366000041
Figure 2023093366000042
Figure 2023093366000043
Figure 2023093366000044
Figure 2023093366000045
本発明の一具体例によれば、本発明の上記化学式Ｉで表される有機金属化合物は、赤色燐光物質又は緑色燐光物質として使用されてもよく、好ましくは、赤色燐光物質として使用されてもよい。
本発明の一具体例による図１を参照すると、第１電極１１０と、第１電極１１０と向かい合う第２電極１２０と、第１電極１１０及び第２電極１２０の間に配置される有機層１３０と、を含む有機電界発光素子１００を提供することができる。有機層１３０は、発光層１６０を含み、発光層１６０は、ホスト１６０’及びドーパント１６０”を含み、ドーパント１６０”は、化学式Ｉで表される有機金属化合物を含むことができる。また、有機電界発光素子１００において、第１電極１１０及び第２電極１２０の間に配置される有機層１３０は、第１電極１１０から順次に正孔注入層１４０（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、正孔輸送層１５０（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、発光層１６０（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍａｔｅｒｉａｌ ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）、電子輸送層１７０（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、及び電子注入層１８０（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）を含む構造であってもよい。電子注入層１８０上に第２電極１２０を形成して、その上に保護膜（不図示）を形成することができる。
また、図１には示されていないものの、正孔輸送層１５０及び発光層１６０の間に正孔輸送補助層をさらに追加することができる。正孔輸送補助層は、正孔輸送特性の良い化合物を含み、正孔輸送層１５０と発光層１６０との間のＨＯＭＯエネルギーレベル差を減らすことにより、正孔の注入特性を調節して、正孔輸送補助層と発光層１６０との界面に正孔が蓄積することを減少して、界面におけるポーラロン（ｐｏｌａｒｏｎ）によるエキシトンが消滅する消光現象（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）を減少させることができる。これによって、素子の劣化現象が減少し、素子が安定して、効率及び寿命を改善することができる。
第１電極１１０は、正極であってもよく、仕事関数の値が比較的大きい導電性物質であるＩＴＯ、ＩＺＯ、スズ酸化物、又は亜鉛酸化物からなってもよいが、これに限定されるものではない。
第２電極１２０は、負極であってもよく、仕事関数の値が比較的小さい導電性物質であるＡｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｇ、又はこれらの合金や組み合わせを含むことができるが、これに限定されるものではない。
正孔注入層１４０は、第１電極１１０と正孔輸送層１５０との間に位置してもよい。正孔注入層１４０は、第１電極１１０と正孔輸送層１５０との間の界面特性を改善する機能があり、適宜な伝導性を有する物質から選択することができる。正孔注入層１４０は、ＭＴＤＡＴＡ、ＣｕＰｃ、ＴＣＴＡ、ＨＡＴＣＮ、ＴＤＡＰＢ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（Ｎ１，Ｎ４，Ｎ４－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ）等からなる群より選択される化合物を一種以上含むことができ、好ましくは、Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（Ｎ１，Ｎ４，Ｎ４－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。
正孔輸送層１５０は、第１電極１１０と発光層１６０との間で発光層に隣接して位置する。正孔輸送層１５０は、ＴＰＤ、ＮＰＢ、ＣＢＰ、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル）ビフェニル）－４－アミン等からなる群より選択される化合物を含むことができ、好ましくは、ＮＰＢを含むことができるが、これに限定されるものではない。
本発明によれば、発光層１６０は、ホスト１６０’と素子の発光効率等を向上させるために、化学式Ｉで表される有機金属化合物がドーパント１６０”でドープして形成されてもよく、ドーパント１６０”は、緑又は赤で発光する物質として使用することができ、好ましくは、赤色燐光物質として使用することができる。
本発明のドーパント１６０”のドーピング濃度は、ホスト１６０’の総重量を基準に、１～３０重量％の範囲内で調節することができ、これに制限されるものではないものの、ドーピング濃度は、例えば２～２０重量％であってもよく、例えば３～１５重量％であってもよく、例えば５～１０重量％であってもよく、例えば３～８重量％であってもよく、例えば２～６重量％であってもよく、例えば２～５重量％であってもよく、例えば２～３重量％であってもよい。
本発明の発光層１６０は、化学式Ｉで表される有機金属化合物をドーパント１６０”物質に含めて使用しつつ、本技術分野で使用されるホスト１６０’物質として本発明の効果を達成できるものであれば使用することができる。例えば、本発明では、カルバゾール基（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｇｒｏｕｐ）を含む化合物をホスト１６０’として使用することができ、好ましくは、ＣＢＰ（ｃａｒｂａｚｏｌｅ ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ｍＣＰ（１，３－ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ－９－ｙｌ）等からなる群より選択されるいずれかホスト物質を含むことができるが、これに限定されるものではない。
また、発光層１６０と第２電極１２０との間には、電子輸送層１７０と電子注入層１８０とが順次積層されてもよい。電子輸送層１７０の材料は、高い電子移動度が要求されるが、円滑な電子輸送によって電子を発光層に安定的に供給することができる。
例えば、電子輸送層１７０の材料は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｌｉｑ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏｌｉｔｈｉｕｍ）、ＰＢＤ（２－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）－５－（４－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）－１，３，４ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＴＡＺ（３－（４－ｂｉｐｈｅｎｙｌ）４－ｐｈｅｎｙｌ－５－ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ－１，２，４－ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ（ｂｉｓ（２－ｍｅｔｈｙｌ－８－ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）－４－（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）、ＳＡｌｑ、ＴＰＢｉ（２，２’，２－（１，３，５－ｂｅｎｚｉｎｅｔｒｉｙｌ）－ｔｒｉｓ（１－ｐｈｅｎｙｌ－１－Ｈ－ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｔｈｉａｚｏｌｅ）、２－（４－（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌｅ等からなる群より選択される化合物を含むことができ、好ましくは、２－（４－（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌｅを含むことができるが、これに限定されるものではない。
電子注入層１８０は、電子の注入を円滑にする役割を担い、電子注入層の材料は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ｓｐｉｒｏ－ＰＢＤ、ＢＡｌｑ、ＳＡｌｑ等からなる群より選択される化合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。または、電子注入層１８０は、金属化合物からなってもよく、金属化合物は、例えば、Ｌｉｑ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＦｒＦ、ＢｅＦ２、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、ＳｒＦ２、ＢａＦ２、及びＲａＦ２からなる群より選択されたいずれか以上であってもよいが、これに限定されるのではない。
本発明の有機電界発光素子は、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有する白色有機電界発光素子であってもよい。本発明の一具体例によるタンデム有機電界発光素子の場合、単一の発光スタック（又は発光部）は、電荷生成層（ＣＧＬ，Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）によって２つ以上連結した構造に形成されてもよい。有機電界発光素子は、基板上に互いに対向した第１電極及び第２電極と、第１及び第２電極の間に積層されて、特定の波長帯の光を放射する発光層を有する２つ以上の複数の発光スタック（ｓｔａｃｋ；発光部）を含むことができる。複数の発光スタック（発光部）は、互いに同じ色を発光するか、異なる色を発光するようにすることができる。また、１つの発光スタック（発光部）にも発光層を１つ以上含むことができ、複数の発光層は、互いに同じか異なる色の発光層であってもよい。
このとき、複数の発光部に含まれる発光層のうち１つ以上は、本発明による化学式Ｉで表される有機金属化合物をドーパント物質として含むことができる。タンデム構造における複数本の発光部は、Ｎ型（Ｎ－ｔｙｐｅ）電荷生成層及びＰ型（Ｐ－ｔｙｐｅ）電荷生成層からなる電荷生成層（ＣＧＬ）と連結することができる。
本発明の例示的な具体例である図２及び図３は、それぞれ２つの発光部及び３つの発光部を有するタンデム構造の有機電界発光素子を概略的に示した断面図である。
図２に示したように、本発明の有機電界発光素子１００は、互いに向い合う第１電極１１０及び第２電極１２０と、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置する有機層２３０とを含む。有機層２３０は、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置して、第１発光層２６１を含む第１発光部（ＳＴ１）と、第１発光部（ＳＴ１）と第２電極１２０との間に位置して、第２発光層２６２を含む第２発光部（ＳＴ２）と、第１及び第２の発光部（ＳＴ１及びＳＴ２）の間に位置する電荷生成層（ＣＧＬ）と、を含む。電荷生成層（ＣＧＬ）は、Ｎ型電荷生成層２９１及びＰ型電荷生成層２９２を含むことができる。第１発光層２６１及び第２発光層２６２のうち１つ以上は、本発明による化学式Ｉで表される有機金属化合物をドーパントとして含むことができる。例えば、図２に示されたように、第２発光部（ＳＴ２）の第２発光層２６２のホスト２６２’と共に、化学式Ｉで表される有機金属化合物をドーパント２６２”として含むことができる。図２には示されていないものの、第１及び第２の発光部（ＳＴ１及びＳＴ２）それぞれには、第１発光層２６１及び第２発光層２６２のほか、追加発光層をさらに含むことができる。
図３に示したように、本発明の有機電界発光素子１００は、互いに向い合う第１電極１１０及び第２電極１２０と、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置する有機層３３０とを含む。有機層３３０は、第１電極１１０と第２電極１２０との間に位置して、第１発光層２６１を含む第１発光部（ＳＴ１）と、第２発光層２６２を含む第２発光部（ＳＴ２）と、第３発光層２６３を含む第３発光部（ＳＴ３）と、第１及び第２の発光部（ＳＴ１及びＳＴ２）の間に位置する第１電荷生成層（ＣＧＬ１）と、第２及び第３の発光部（ＳＴ２及びＳＴ３）の間に位置する第２電荷生成層（ＣＧＬ２）と、を含む。第１及び第２の電荷生成層（ＣＧＬ１及びＣＧＬ２）は、それぞれＮ型電荷生成層２９１，２９３及びＰ型電荷生成層２９２，２９４を含むことができる。第１発光層２６１、第２発光層２６２、及び第３発光層２６３のうち１つ以上は、本発明による化学式Ｉで表される有機金属化合物をドーパントとして含むことができる。例えば、図３に示されたように、第２発光部（ＳＴ２）の第２発光層２６２のホスト２６２’と共に、化学式Ｉで表される有機金属化合物をドーパント２６２”として含むことができる。図３には示されていないものの、第１、第２、及び第３の発光部（ＳＴ１、ＳＴ２、及びＳＴ３）それぞれには、第１発光層２６１、第２発光層２６２、及び第３発光層２６３のほか、追加発光層をさらに含むことができる。
さらに、本発明の一具体例による有機電界発光素子は、第１電極及び第２電極の間に４つ以上の発光部と３つ以上の電荷生成層が配置されたタンデム構造を含むことができる。
本発明による有機電界発光素子は、有機発光表示装置及び有機電界発光素子を適用した照明装置等に活用することができる。一具体例として、図４は、本発明の例示的な実施形態による有機電界発光素子が適用された有機発光表示装置を概略的に示した断面図である。
図４に示されたように、有機発光表示装置３０００は、基板３０１０と、有機電界発光素子４０００と、有機電界発光素子４０００を覆う封止フィルム３９００と、を含むことができる。基板３０１０上には、駆動素子である駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）と、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）に連結される有機電界発光素子４０００とが位置する。
図４には明示的に示していないものの、基板３０１０上には、互いに交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、ゲート配線及びデータ配線のうちいずれかと平行に離隔して延在するパワー配線と、ゲート配線及びデータ配線に連結されるスイッチング薄膜トランジスタと、パワー配線及びスイッチング薄膜トランジスタの一電極に連結されるストレージキャパシタと、がさらに形成される。
駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、スイッチング薄膜トランジスタに連結されて、半導体層３１００と、ゲート電極３３００と、ソース電極３５２０と、ドレイン電極３５４０と、を含む。
半導体層３１００は、基板３０１０上に形成されて、酸化物半導体物質からなるか、多結晶シリコンからなってもよい。半導体層３１００が酸化物半導体物質からなる場合、半導体層３１００の下部には遮光パターン（不図示）が形成され得、遮光パターンは、半導体層３１００へ光が入射することを防止して、半導体層３１００が光によって劣化することを防止する。これとは異なり、半導体層３１００は、多結晶シリコンからなってもよく、この場合、半導体層３１００の両縁に不純物がドープされていてもよい。
半導体層３１００の上部には、絶縁物質からなるゲート絶縁膜３２００が基板３０１０の前面に形成される。ゲート絶縁膜３２００は、シリコン酸化物又はシリコン窒化物といった無機絶縁物質からなってもよい。
ゲート絶縁膜３２００の上部には、金属のような導電性物質からなるゲート電極３３００が、半導体層３１００の中央に対応して形成される。ゲート電極３３００は、スイッチング薄膜トランジスタに連結される。
ゲート電極３３００の上部には、絶縁物質からなる層間絶縁膜３４００が基板３０１０の前面に形成される。層間絶縁膜３４００は、シリコン酸化物やシリコン窒化物といった無機絶縁物質で形成されるか、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）やフォトアクリル（ｐｈｏｔｏ－ａｃｒｙｌ）といった有機絶縁物質で形成されてもよい。
層間絶縁膜３４００は、半導体層３１００の両側を露出する第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０を有する。第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０は、ゲート電極３３００の両側にゲート電極３３００と離隔して位置する。
層間絶縁膜３４００上には、金属のような導電性物質からなるソース電極３５２０とドレイン電極３５４０が形成される。ソース電極３５２０とドレイン電極３５４０は、ゲート電極３３００を中心に離隔して位置し、それぞれ第１及び第２の半導体層コンタクト孔３４２０，３４４０を介して半導体層３１００の両側と接触する。ソース電極３５２０は、パワー配線（不図示）に連結される。
半導体層３１００、ゲート電極３３００、ソース電極３５２０、ドレイン電極３５４０は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、半導体層３１００の上部にゲート電極３３００、ソース電極３５２０、及びドレイン電極３５４０が位置する共面（ｃｏｐｌａｎａｒ）構造を有する。
これとは異なり、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）は、半導体層の下部にゲート電極が位置し、半導体層の上部にソース電極とドレイン電極が位置する逆スタガード（ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｓｔａｇｇｅｒｅｄ）構造を有してもよい。この場合、半導体層は、非晶質シリコンからなってもよい。一方、スイッチング薄膜トランジスタ（不図示）は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）と実際同様の構造を有してもよい。
一方、有機発光表示装置３０００は、有機電界発光素子４０００で生成された光を吸収するカラーフィルター３６００を含むことができる。例えば、カラーフィルター３６００は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、及び白（Ｗ）の光を吸収することができる。この場合、光を吸収する赤、緑、及び青のカラーフィルターパターンが、各々画素領域別に分離して形成されてもよく、これら各々のカラーフィルターパターンは、吸収しようとする波長帯域の光を放出する有機電界発光素子４０００中の有機層４３００とそれぞれ重畳するように配置されてもよい。カラーフィルター３６００を採用することにより、有機発光表示装置３０００は、フルカラー（ｆｕｌｌ－ｃｏｌｏｒ）を具現することができる。
例えば、有機発光表示装置３０００が下部発光方式（ｂｏｔｔｏｍ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、有機電界発光素子４０００に対応する層間絶縁膜３４００の上部に光を吸収するカラーフィルター３６００が位置してもよい。例示的な実施形態において、有機発光表示装置３０００が上部発光方式（ｔｏｐ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、カラーフィルターは、有機電界発光素子４０００の上部、つまり、第２電極４２００の上部に位置してもよい。一例として、カラーフィルター３６００は、２～５μｍの厚さで形成されてもよい。
一方、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）のドレイン電極３５４０を露出するドレインコンタクト孔３７２０を有する平坦化層３７００は、駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）を覆って形成される。
平坦化層３７００上には、ドレインコンタクト孔３７２０を介して駆動薄膜トランジスタ（Ｔｄ）のドレイン電極３５４０に連結される第１電極４１００が、各画素領域別に分離して形成される。
第１電極４１００は、正極（ａｎｏｄｅ）であってもよく、仕事関数の値が比較的大きい導電性物質からなってもよい。例えば、第１電極４１００は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又はＺｎＯといった透明導電性物質からなってもよい。
一方、有機発光表示装置３０００が上部発光方式（ｔｏｐ－ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｙｐｅ）である場合、第１電極４１００の下部には、反射電極又は反射層がさらに形成されてもよい。例えば、反射電極又は反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム－パラジウム－銅（ａｌｕｍｉｎｕｍ－ｐａｌａｄｉｕｍ－ｃｏｐｐｅｒ：ＡＰＣ）合金のうちいずれかからなってもよい。
平坦化層３７００上には、第１電極４１００の縁を覆うバンク層３８００が形成される。バンク層３８００は、画素領域に対応して、第１電極４１００の中心を露出させる。
第１電極４１００上には有機層４３００が形成され、必要に応じて有機電界発光素子４０００は、タンデム（ｔａｎｄｅｍ）構造を有してもよく、タンデム構造については、本発明の例示的な実施形態を示す図２～図４と、これに関する上記の説明を参照する。
有機層４３００の形成された基板３０１０の上部に第２電極４２００が形成される。第２電極４２００は、表示領域の前面に位置し、仕事関数の値が比較的小さい導電性物質からなり、負極（ｃａｔｈｏｄｅ）として利用することができる。例えば、第２電極４２００は、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム－マグネシウム合金（Ａｌ－Ｍｇ）のうちいずれかからなってもよい。
第１電極４１００、有機層４３００、及び第２電極４２００は、有機電界発光素子４０００を形成する。
第２電極４２００上には、外部の水分が有機電界発光素子４０００へ侵透することを防止するため、封止フィルム（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）３９００が形成される。図４には明示的に示していないものの、封止フィルム３９００は、第１無機層と、有機層と、無機層とが順次積層された三重層構造を有してもよく、これに限定されるものではない。
以下では、本発明の製造例及び実施例を説明する。しかしながら、下記の実施例は、本発明の一例示だけであり、これに限定されるものではない。
製造例
（１）化合物１の製造
Figure 2023093366000046
化合物Ｄ１の製造
反応容器にＭ１（９．７８ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１（７．３６ｇ、収率６０％）を得た。
化合物１の製造
反応容器にＤ１（７．３６ｇ、４．５ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（４．５１ｇ、４５ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（９．５４ｇ、９０ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１（４．３７ｇ、収率５５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：８８２．１８
（２）化合物３１の製造
Figure 2023093366000047
化合物Ｄ３１の製造
反応容器にＭ３１（１２．８２ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３１（８．２７ｇ、収率５５％）を得た。
化合物３１の製造
反応容器にＤ３１（８．２７ｇ、４．１３ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（９．９２ｇ、４１ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．７４ｇ、８２．５ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物３１（４．９８ｇ、収率５０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２０６．４６
（３）化合物５０の製造
（ステップ１）化合物Ａ１の製造
Figure 2023093366000048
化合物Ａ１－１の製造
反応容器に５－ｂｒｏｍｏ－４，６－ｄｉｃｈｌｏｒｏｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ（２５．６ｇ、１１２．３４ｍｍｏｌ）、（１－ｍｅｔｈｏｘｙｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ（２４．９７ｇ、１２３．５７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（６．５ｇ、５．６２ｍｍｏｌ）と、Ｋ２ＣＯ３（３１．０５ｇ、２２４．６８ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（５００ｍｌ）と蒸留水（１００ｍｌ）に溶解して、１５時間還流した。反応完了後、常温に冷やした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ１－１（３０．５１ｇ、収率８９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：３０５．１６
化合物Ａ１－２の製造
反応容器にＡ１－１（３０．５１ｇ、９９．９８ｍｍｏｌ）をジクロロメタン（４５０ｍｌ）に溶解した後、ＢＢｒ３（２３．７ｍｌ、２４９．９５ｍｍｏｌ）を滴加して、常温で３時間攪拌した。蒸留水を加えて反応完了後、常温で３０分間攪拌した後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ１－２（２８．２３ｇ、収率９７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２９１．１３
化合物Ａ１の製造
反応容器にＡ１－２（２８．２３ｇ、９６．９８ｍｍｏｌ）とＣｓ２ＣＯ３（４７．４０ｇ、１４５．４７ｍｍｏｌ）を３００ｍｌのＮ，Ｎ－ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅに加えて、１６時間還流した。反応液を常温に冷やした後、セライト濾過して、無機物を除去し、余液を濃縮した。混合物をｅｔｈｙｌａｃｅｔａｔｅに溶解して、シリカゲルフィルタリング後、減圧濾過して溶媒を除去した。得られた固体をヘキサンでスラリーを調製して、アイボリー固体状の化合物Ａ１（２２．４７ｇ、収率９１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２５４．６７
（ステップ２）化合物Ｍ５０の製造
Figure 2023093366000049
反応容器にＡ１（２２．４ｇ、８７．９６ｍｍｏｌ）、２－（４－（ｔｅｒｔ－ｂｕｔｙｌ）ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）－４，４，５，５－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ－１，３，２－ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（３０．０２ｇ、９６．７５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（１０．１７ｇ、８．８０ｍｍｏｌ）と、Ｋ２ＣＯ３（２４．３１ｇ、１７５．９２ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（３３０ｍｌ）と蒸留水（６６ｍｌ）に溶解して、１６時間還流した。反応完了後、常温に冷やした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ｍ５０（２５．８４ｇ、収率７３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：４０２．４９
（ステップ３）化合物５０の製造
Figure 2023093366000050
化合物Ｄ５０の製造
反応容器にＭ５０（２５ｇ、６２．１１ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを５００ｍｌ、蒸留水を１６７ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（９．９５ｇ、２８．２３ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ５０（１６．３ｇ、収率５６％）を得た。
化合物５０の製造
反応容器にＤ５０（１６．３ｇ、７．９１ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．８８ｇ、２７．６８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（１６．７６ｇ、１５８．１６ｍｍｏｌ）、３００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物５０（８．２ｇ、収率４３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２０６．５０
（４）化合物５７の製造
Figure 2023093366000051
化合物Ｄ５７の製造
反応容器にＭ５７（１３．２８ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ５７（７．４２ｇ、収率４８％）を得た。
化合物５７の製造
窒素気流下で、反応容器にＭ５７（７．４２ｇ、３．６ｍｍｏｌ）、ＴＨＦを２００ｍｌ加えて、ＴＨＦに溶けているＬ５７（１．７５ｇ、７．９ｍｍｏｌ）を徐々に添加した後、常温で一晩中攪拌した。反応完了後、真空減圧してＴＨＦを取り除き、トルエンで抽出後、セライトでフィルタリングした。減圧して、トルエンを除去した後、ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物５７（４．６５ｇ、収率５５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１７５．４３
（５）化合物５８の製造
Figure 2023093366000052
化合物Ｄ５８の製造
反応容器にＭ５８（１５．１３ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ５８（８．０６ｇ、収率４７％）を得た。
化合物５８の製造
窒素気流下で、反応容器に２－ｂｒｏｍｏｐｒｏｐａｎｅ（１．７３ｇ、１４．１０ｍｍｏｌ）と、ＴＨＦを５０ｍｌ加えて、温度を－７８℃に下げた後、ｎ－ＢｕＬｉ（５．８ｍｌ、２．５Ｍ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。３０分後、温度を維持しつつ、Ｎ，Ｎ’－ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｃａｒｂｏｄｉｉｍｉｄｅ（１．７８ｇ、１４．１０ｍｍｏｌ）を徐々に添加して、３０分攪拌した。２００ｍｌのＴＨＦにＤ５８（８．０６ｇ、３．５３ｍｍｏｌ）が溶けている反応容器に反応物を添加して、８０℃で８時間攪拌した。反応物の温度を常温に下げて揮発性物質を除去し、ＴＨＦ／ｐｅｎｔａｎｅ、ｄｉｃｈｌｏｒｍｅｔｈａｎｅ／ｈｅｘａｎｅ溶媒で再結晶して、化合物５８（４．４１ｇ、収率４９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１７５．４３
（６）化合物７４の製造
Figure 2023093366000053
化合物Ｄ７４の製造
反応容器にＭ７４（１２．８２ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ７４（７．８２ｇ、収率５２％）を得た。
化合物７４の製造
反応容器にＤ７４（７．８２ｇ、３．９ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（９．３７ｇ、３９ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．２７ｇ、７８ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物７４（４．２３ｇ、収率４５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２０６．４６
（７）化合物８６の製造
Figure 2023093366000054
化合物Ｄ８６の製造
反応容器にＭ８６（１２．８２ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ８６（６．０２ｇ、収率４０％）を得た。
化合物８６の製造
反応容器にＤ８６（６．０２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．３７ｇ、３０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（６．３６ｇ、６０ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物８６（２．９７ｇ、収率４２％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１７８．４３
（８）化合物１０２の製造
Figure 2023093366000055
化合物Ｄ１０２の製造
反応容器にＭ１０２（１０．７０ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１０２（８．１３ｇ、収率６２％）を得た。
化合物１０２の製造
反応容器にＤ１０２（８．１３ｇ、４．６５ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（４．６６ｇ、４６．５ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（９．８６ｇ、９３ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１０２（４．６２ｇ、収率５３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９３８．２４
（９）化合物１２４の製造
Figure 2023093366000056
化合物Ｄ１２４の製造
反応容器にＭ１２４（１１．７０ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１２４（７．１５ｇ、収率５１％）を得た。
化合物１２４の製造
反応容器にＤ１２４（７．１５ｇ、３．８３ｍｍｏｌ）、２，２，６，６－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｈｅｐｔａｎｅ－３，５－ｄｉｏｎｅ（７．０５ｇ、３８．３ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．１１ｇ、７７ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１２４（４．０６ｇ、収率４９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１０８２．３２
（１０）化合物１４８の製造
Figure 2023093366000057
化合物Ｄ１４８の製造
反応容器にＭ１４８（１２．４２ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１４８（５．５８ｇ、収率３８％）を得た。
化合物１４８の製造
反応容器にＤ１４８（５．５８ｇ、２．８５ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．８５ｇ、２８．５ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（６．０４ｇ、５７ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１４８（２．７０ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１８２．３６
（１１）化合物１７０の製造
Figure 2023093366000058
化合物Ｄ１７０の製造
反応容器にＭ１７０（１３．８１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１７０（８．７７ｇ、収率５５％）を得た。
化合物１７０の製造
反応容器にＤ１７０（８．７７ｇ、４．１３ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（８．７６ｇ、４１．３ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．７４ｇ、８３ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１７０（４．９０ｇ、収率４８％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２３８．４２
（１２）化合物１７７の製造
Figure 2023093366000059
化合物Ｄ１７７の製造
反応容器にＭ１７７（１３．８１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１７７（７．１７ｇ、収率４５％）を得た。
化合物１７７の製造
窒素気流下で、反応容器にＭ１７７（７．１７ｇ、３．４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦを２００ｍｌ加えて、ＴＨＦに溶けているＬ１７７（１．６４ｇ、７．４ｍｍｏｌ）を徐々に添加した後、常温で一晩中攪拌した。反応完了後、真空減圧して、ＴＨＦを取り除き、トルエンで抽出後、セライトでフィルタリングした。減圧して、トルエンを除去した後、ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１７７（４．０８ｇ、収率５０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２０７．３９
（１３）化合物１７８の製造
Figure 2023093366000060
化合物Ｄ１７８の製造
反応容器にＭ１７８（１５．６６ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１７８（７．５８ｇ、収率４３％）を得た。
化合物１７８の製造
窒素気流下で、反応容器に２－ｂｒｏｍｏｐｒｏｐａｎｅ（１．５９ｇ、１２．９０ｍｍｏｌ）と、ＴＨＦを５０ｍｌ加えて、温度を－７８℃に下げた後、ｎ－ＢｕＬｉ（５．３ｍｌ、２．５Ｍ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。３０分後、温度を維持しつつ、Ｎ，Ｎ’－ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｃａｒｂｏｄｉｉｍｉｄｅ（１．６３ｇ、１２．９０ｍｍｏｌ）を徐々に添加して、３０分攪拌した。２００ｍｌのＴＨＦにＤ１７８（７．５８ｇ、３．２３ｍｍｏｌ）が溶けている反応容器に反応物を添加して、８０℃で８時間攪拌した。反応物の温度を常温に下げて揮発性物質を除去し、ＴＨＦ／ｐｅｎｔａｎｅ、ｄｉｃｈｌｏｒｍｅｔｈａｎｅ／ｈｅｘａｎｅ溶媒で再結晶して、化合物１７８（３．７１ｇ、収率４４％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１３０８．５４
（１４）化合物１９０の製造
Figure 2023093366000061
化合物Ｄ１９０の製造
反応容器にＭ１９０（１３．８１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ１９０（９．０９ｇ、収率５７％）を得た。
化合物１９０の製造
反応容器にＤ１９０（９．０９ｇ、４．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（９．０８ｇ、４２．８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（９．０６ｇ、８６ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物１９０（４．８７ｇ、収率４６％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２３８．４２
（１５）化合物２１６の製造
Figure 2023093366000062
化合物Ｄ２１６の製造
反応容器にＭ２１６（１４．２８ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ２１６（６．３８ｇ、収率３９％）を得た。
化合物２１６の製造
反応容器にＤ２１６（６．３８ｇ、２．９３ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－５－ｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．６２ｇ、２９．３ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（６．２０ｇ、５９ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物２１６（２．８５ｇ、収率３８％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２８０．４６
（１６）化合物２２３の製造
Figure 2023093366000063
化合物Ｄ２２３の製造
反応容器にＭ２２３（１２．１６ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ２２３（８．６６ｇ、収率６０％）を得た。
化合物２２３の製造
反応容器にＤ２２３（８．６６ｇ、４．５０ｍｍｏｌ）、２，２，６，６－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｈｅｐｔａｎｅ－３，５－ｄｉｏｎｅ（８．２９ｇ、４５．０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（９．５４ｇ、９０ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物２２３（５．１０ｇ、収率５１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１１０．３６
（１７）化合物２４１の製造
Figure 2023093366000064
化合物Ｄ２４１の製造
反応容器にＭ２４１（１０．６４ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ２４１（６．２７ｇ、収率４８％）を得た。
化合物２４１の製造
反応容器にＤ２４１（６．２７ｇ、３．６０ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（３．６０ｇ、３６．０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．６３ｇ、７２ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物２４１（３．１６ｇ、収率４７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９３４．２９
（１８）化合物２７１の製造
Figure 2023093366000065
化合物Ｄ２７１の製造
反応容器にＭ２７１（１３．６８ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ２７１（８．０７ｇ、収率５１％）を得た。
化合物２７１の製造
反応容器にＤ２７１（８．０７ｇ、３．８３ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（９．１９ｇ、３８．３ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．１１ｇ、７７ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物２７１（４．１４ｇ、収率４３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２５８．５７
（１９）化合物２９０の製造
Figure 2023093366000066
化合物Ｄ２９０の製造
反応容器にＭ２９０（１４．１４ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ２９０（８．４５ｇ、収率５２％）を得た。
化合物２９０の製造
反応容器にＤ２９０（８．４５ｇ、３．９０ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（８．２８ｇ、３９．０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．２７ｇ、７８ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物２９０（４．４２ｇ、収率４５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２５８．５７
（２０）化合物２９８の製造
Figure 2023093366000067
化合物Ｄ２９８の製造
反応容器にＭ２９８（１５．９９ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ２９８（７．３５ｇ、収率４１％）を得た。
化合物２９８の製造
窒素気流下で、反応容器に２－ｂｒｏｍｏｐｒｏｐａｎｅ（１．５１ｇ、１２．３０ｍｍｏｌ）と、ＴＨＦを５０ｍｌ加えて、温度を－７８℃に下げた後、ｎ－ＢｕＬｉ（５．０ｍｌ、２．５Ｍ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。３０分後、温度を維持しつつ、Ｎ，Ｎ’－ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｃａｒｂｏｄｉｉｍｉｄｅ（１．５５ｇ、１２．３０ｍｍｏｌ）を徐々に添加して、３０分攪拌した。２００ｍｌのＴＨＦにＤ２９８（７．３５ｇ、３．０８ｍｍｏｌ）が溶けている反応容器に反応物を添加して、８０℃で８時間攪拌した。反応物の温度を常温に下げて揮発性物質を除去し、ＴＨＦ／ｐｅｎｔａｎｅ、ｄｉｃｈｌｏｒｍｅｔｈａｎｅ／ｈｅｘａｎｅ溶媒で再結晶して、化合物２９８（３．２７ｇ、収率４０％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１３２８．６９
（２１）化合物３００の製造
Figure 2023093366000068
化合物Ｄ３００の製造
反応容器にＭ３００（１５．０７ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３００（５．１３ｇ、収率３０％）を得た。
化合物３００の製造
窒素気流下で、反応容器にｂｒｏｍｏｂｅｎｚｅｎｅ（１．４１ｇ、９．００ｍｍｏｌ）と、ＴＨＦを５０ｍｌ加えて、温度を－７８℃に下げた後、ｎ－ＢｕＬｉ（３．７ｍｌ、２．５Ｍ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。３０分後、温度を維持しつつ、Ｎ，Ｎ’－ｍｅｔｈａｎｅｄｉｙｌｉｄｅｎｅｄｉｃｙｃｌｏｈｅｘａｎａｍｉｎｅ（１．８６ｇ、９．００ｍｍｏｌ）を徐々に添加して、３０分攪拌した。１００ｍｌのＴＨＦにＤ３００（５．１３ｇ、２．２５ｍｍｏｌ）が溶けている反応容器に反応物を添加して、８０℃で８時間攪拌した。反応物の温度を常温に下げて揮発性物質を除去し、ＴＨＦ／ｐｅｎｔａｎｅ、ｄｉｃｈｌｏｒｍｅｔｈａｎｅ／ｈｅｘａｎｅ溶媒で再結晶して、化合物３００（２．１８ｇ、収率３５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１３８６．６８
（２２）化合物３１０の製造
Figure 2023093366000069
化合物Ｄ３１０の製造
反応容器にＭ３１０（１４．１４ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３１０（６．３３ｇ、収率３９％）を得た。
化合物３１０の製造
反応容器にＤ３１０（６．３３ｇ、２．９３ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．２１ｇ、２９．３ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（６．２０ｇ、５９ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物３１０（２．７２ｇ、収率３７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２５８．５７
（２３）化合物３３０の製造
Figure 2023093366000070
化合物Ｄ３３０の製造
反応容器にＭ３３０（１４．１４ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３３０（６．５０ｇ、収率４０％）を得た。
化合物３３０の製造
反応容器にＤ３３０（６．５０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．３７ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（６．３６ｇ、６０ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物３３０（２．９５ｇ、収率３９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２５８．５７
（２４）化合物３５２の製造
Figure 2023093366000071
化合物Ｄ３５２の製造
反応容器にＭ３５２（１４．１４ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３５２（６．０１ｇ、収率３７％）を得た。
化合物３５２の製造
反応容器にＤ３５２（６．０１ｇ、２．７８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌ－３，７－ｄｉｍｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．６７ｇ、２７．８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．８８ｇ、５６ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物３５２（２．５０ｇ、収率３５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２８６．６０
（２５）化合物３６３の製造
Figure 2023093366000072
化合物Ｄ３６３の製造
反応容器にＭ３６３（１２．９９ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３６３（５．３２ｇ、収率３５％）を得た。
化合物３６３の製造
反応容器にＤ３６３（５．３２ｇ、２．６３ｍｍｏｌ）、２，２，６，６－ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｈｅｐｔａｎｅ－３，５－ｄｉｏｎｅ（４．８４ｇ、２６．３ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．５６ｇ、５３ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物３６３（２．３８ｇ、収率３９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１１６０．５３
（２６）化合物３８２の製造
Figure 2023093366000073
化合物Ｄ３８２の製造
反応容器にＭ３８２（１１．１３ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ３８２（７．０２ｇ、収率５２％）を得た。
化合物３８２の製造
反応容器にＤ３８２（７．０２ｇ、３．９０ｍｍｏｌ）、ｐｅｎｔａｎｅ－２，４－ｄｉｏｎｅ（３．９０ｇ、３９．０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（８．２７ｇ、７８ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物３８２（３．３１ｇ、収率４４％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：９６４．３１
（２７）化合物４１０の製造
Figure 2023093366000074
化合物Ｄ４１０の製造
反応容器にＭ４１０（１３．７１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ４１０（７．１３ｇ、収率４５％）を得た。
化合物４１０の製造
反応容器にＤ４１０（７．１３ｇ、３．３８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（７．１７ｇ、３３．８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（７．１５ｇ、６８ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物４１０（３．５８ｇ、収率４３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２３２．５３
（２８）化合物４１７の製造
Figure 2023093366000075
化合物Ｄ４１７の製造
反応容器にＭ４１７（１３．７１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ４１７（６．５０ｇ、収率４１％）を得た。
化合物４１７の製造
窒素気流下で、反応容器にＭ４１７（６．５０ｇ、３．１ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ を２００ｍｌ加えて、ＴＨＦに溶けているＬ４１７（１．４９ｇ、６．８ｍｍｏｌ）を徐々に添加した後、常温で一晩中攪拌した。反応完了後、真空減圧してＴＨＦを取り除き、トルエンで抽出後、セライトでフィルタリングした。減圧してトルエンを除去した後、ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物４１７（２．８８ｇ、収率３９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２０１．５０
（２９）化合物４１８の製造
Figure 2023093366000076
化合物Ｄ４１８の製造
反応容器にＭ４１８（１５．５６ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ４１８（６．８４ｇ、収率３９％）を得た。
化合物４１８の製造
窒素気流下で、反応容器に２－ｂｒｏｍｏｐｒｏｐａｎｅ（１．４４ｇ、１１．７０ｍｍｏｌ）と、ＴＨＦを５０ｍｌ加えて、温度を－７８℃に下げた後、ｎ－ＢｕＬｉ（４．８０ｍｌ、２．５Ｍ ｉｎ ｈｅｘａｎｅ）を徐々に添加した。３０分後、温度を維持しつつ、Ｎ，Ｎ’－ｄｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｃａｒｂｏｄｉｉｍｉｄｅ（１．４８ｇ、１１．７０ｍｍｏｌ）を徐々に添加して、３０分攪拌した。２００ｍｌのＴＨＦにＤ４１８（６．８４ｇ、２．９３ｍｍｏｌ）が溶けている反応容器に反応物を添加して、８０℃で８時間攪拌した。反応物の温度を常温に下げて揮発性物質を除去し、ＴＨＦ／ｐｅｎｔａｎｅ、ｄｉｃｈｌｏｒｍｅｔｈａｎｅ／ｈｅｘａｎｅ溶媒で再結晶して、化合物４１８（２．９０ｇ、収率３８％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１３０２．６５
（３０）化合物４２６の製造
Figure 2023093366000077
化合物Ｄ４２６の製造
反応容器にＭ４２６（１３．７１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応終決後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ４２６（５．８６ｇ、収率３７％）を得た。
化合物４２６の製造
反応容器にＤ４２６（５．８６ｇ、２．２８ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（５．８９ｇ、２７．８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．８８ｇ、５６ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物４２６（２．３９ｇ、収率３５％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２３２．５３
（３１）化合物４４１の製造
（ステップ１）化合物Ａ２の製造
Figure 2023093366000078
化合物Ａ２－１の製造
反応容器に４，６－ｄｉｃｈｌｏｒｏｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅ（２５ｇ、１６７．８１ｍｍｏｌ）、（３－ｎｉｔｒｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ（４０．０５ｇ、１８４．５９ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（９．７ｇ、８．３９ｍｍｏｌ）と、Ｋ２ＣＯ３（４６．３８ｇ、３３５．６２ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（５００ｍｌ）と蒸留水（１００ｍｌ）に溶解して、１５時間還流した。反応完了後、常温に冷やした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ２－１（３６．４３ｇ、収率７６％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２８５．６９
化合物Ａ２－２の製造
反応容器にＡ２－１（３６．４３ｇ、１２７．５３ｍｍｏｌ）とＰＰｈ３（８３．６２ｇ、３１８．８２ｍｍｏｌ）を１，２－ｄｉｃｈｌｏｒｏｂｅｎｚｅｎｅ（４００ｍｌ）に溶解して、１５時間還流した。反応完了後、常温に冷やした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ａ２－２（２２．３２ｇ、収率６９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：２５３．６９
化合物Ａ２の製造
反応容器にＡ２－２（２２．３２ｇ、８７．９８ｍｍｏｌ）、ｉｏｄｏｂｅｎｚｅｎｅ（１９．７４ｇ、９４．７８ｍｍｏｌ）、ＣｕＩ（１５ｇ、８７．９８ｍｍｏｌ）、ｔｒａｎｓ－１、２－ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅｄｉａｍｉｎｅ（１０．０５ｇ、８７．９８ｍｍｏｌ）とＮａＯＨ（７．０４ｇ、１７５．９６ｍｍｏｌ）をトルエン（２５０ｍｌ）に溶解して、１６時間還流した。反応液を常温に冷やした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、アイボリー固体状の化合物Ａ２（２５．２ｇ、収率８７％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：３２９．７８
（ステップ２）化合物Ｍ４４１の製造
Figure 2023093366000079
反応容器にＡ２（２５．２ｇ、７６．４１ｍｍｏｌ）、（３，５－ｄｉｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒｏｎｉｃ ａｃｉｄ（１２．６１ｇ、８４．０５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（８．８３ｇ、７．６４ｍｍｏｌ）と、Ｋ２ＣＯ３（２１．１２ｇ、１５２．８２ｍｍｏｌ）を１，４－ｄｉｏｘａｎｅ（３７５ｍｌ）と蒸留水（７５ｍｌ）に溶解して、１６時間還流した。反応完了後、常温に冷やした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。有機層にＭｇＳＯ４を加えて水分を取り除いた後、減圧濾過して溶媒を除去した。ヘキサンとＭＣでカラムクロマトグラフィーして、化合物Ｍ４４１（２２．２８ｇ、収率７３％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：３９９．４９
（ステップ３）化合物４４１の製造
Figure 2023093366000080
化合物Ｄ４４１の製造
反応容器にＭ４４１（１３．１８ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ４４１（５．０７ｇ、収率３３％）を得た。
化合物４４１の製造
反応容器にＤ４４１（５．０７ｇ、２．４８ｍｍｏｌ）、１，３－ｄｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ－２－ｍｅｔｈｙｌｐｒｏｐａｎｅ－１，３－ｄｉｏｎｅ（６．２０ｇ、２４．８ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（５．２５ｇ、５０ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物４４１（１．９０ｇ、収率３１％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２３８．４８
（３２）化合物４７０の製造
Figure 2023093366000081
化合物Ｄ４７０の製造
反応容器にＭ４７０（１３．７１ｇ、３３ｍｍｏｌ）、２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを２００ｍｌ、蒸留水を６６ｍｌ加えて、１時間窒素バブリングした後、ＩｒＣｌ３・Ｈ２Ｏ（５．２９ｇ、１５ｍｍｏｌ）を添加して、２４時間還流した。反応完了後、温度を徐々に常温に下げて生成された固体をフィルタリングした。フィルタリングした固体をメタノールで洗って乾燥し、化合物Ｄ４７０（６．３４ｇ、収率４０％）を得た。
化合物４７０の製造
反応容器にＤ４７０（６．３４ｇ、３．００ｍｍｏｌ）、３，７－ｄｉｅｔｈｙｌｎｏｎａｎｅ－４，６－ｄｉｏｎｅ（６．３７ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）、Ｎａ２ＣＯ３（６．３６ｇ、６０ｍｍｏｌ）、２００ｍｌの２－ｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｏｌを加えて、窒素雰囲気下で２４時間還流した。反応完了後、反応物にジクロロメタンを加えて、反応生成物を溶かした後、ジクロロメタンと蒸留水を用いて抽出した。ＭｇＳＯ４を用いて有機層の水を取り除き、フィルタリング後、減圧して溶媒を除去した。ヘキサンとジクロロメタンでカラムクロマトグラフィーして、化合物４７０（２．８８ｇ、収率３９％）を得た。
ＭＳ（ｍ／ｚ）：１２３２．５３
実施例
＜実施例１＞
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）が１，０００Åの厚さで薄膜コーティングしたガラス基板を洗浄した後、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノール等の溶剤で超音波洗浄を行い、乾燥させた。準備したＩＴＯ透明電極上に、正孔注入材料でＨＩ－１を６０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した後、正孔輸送材料でＮＰＢを８０ｎｍ厚さで熱真空蒸着した。輸送材料上に発光層のドーパントは化合物１、ホストはＣＢＰを使用しており、ドーピング濃度は５％、厚さは３０ｎｍで熱真空蒸着した。発光層上にＥＴ－１：Ｌｉｑ（１：１）（３０ｎｍ）を電子輸送層と電子注入層の材料で熱真空蒸着した後、１００ｎｍ厚さのアルミニウムを蒸着して、負極を形成し、有機発光素子を製作した。
Figure 2023093366000082
ＨＩ－１は、Ｎ１，Ｎ１’－（［１，１’－ｂｉｐｈｅｎｙｌ］－４，４’－ｄｉｙｌ）ｂｉｓ（Ｎ１，Ｎ４，Ｎ４－ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ－１，４－ｄｉａｍｉｎｅ）を意味する。
ＥＴ－１は、２－（４－（９，１０－ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－２－ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎ－２－ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）－１－ｐｈｅｎｙｌ－１Ｈ－ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌｅを意味する。
＜比較例１及び実施例２～９５＞
上記実施例１において、ドーパントとして化合物１に代えて、下記の表１～８に示した化合物を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により比較例１及び実施例２～９５の有機電界発光素子を製作した。比較例１で使用したドーパント物質であるＲＤの構造は、次のとおりである。
Figure 2023093366000083
＜有機電界発光素子の性能評価＞
上記比較例１及び実施例１～９５に従って製造された有機電界発光素子に対して、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流で駆動時、駆動電圧及び効率特性と、２０ｍＡ／ｃｍ２に加速した寿命特性とを比較して、駆動電圧（Ｖ）、ＥＱＥ（％）、ＬＴ９５（％）を測定しており、比較例１に対する相対値に換算し、その結果を下記表１～３に示した。ＬＴ９５は、寿命（Ｌｉｆｅｔｉｍｅ）の評価方法であり、有機電界発光素子が最初明るさの５％を失うのにかかる時間を意味する。
Figure 2023093366000084
Figure 2023093366000085
Figure 2023093366000086
Figure 2023093366000087
Figure 2023093366000088
Figure 2023093366000089
Figure 2023093366000090
Figure 2023093366000091
上記表１～８の結果から分かるように、本発明の実施例１～９５で使用した有機金属化合物を発光層のドーパントとして適用した有機電界発光素子は、比較例１に比べて駆動電圧が低くなり、外部量子効率（ＥＱＥ）及び寿命（ＬＴ９５）が向上した。
以上、添付の図面を参照して、本明細書の実施例をさらに詳説したが、本明細書は、必ずしもこれら実施例に限られるものではなく、本明細書の技術思想を外れない範囲内における様々な変形実施が可能である。よって、本明細書に開示の実施例は、本明細書の技術思想を限定するためのものではなく、説明するためのものであり、これら実施例によって本明細書の技術思想の範囲が限定されるものではない。よって、以上に記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。本明細書の保護範囲は、請求の範囲によって解釈すべきであり、それと同等な範囲内にあるすべての技術思想は、本明細書の権利範囲に含まれるものと解釈すべきである。
１００、４０００ 有機電界発光素子
１１０、４１００ 第１電極
１２０、４２００ 第２電極
１３０、２３０、３３０、４３００ 有機層
１４０ 正孔注入層
１５０ 正孔輸送層
２５１ 第１正孔輸送層
２５２ 第２正孔輸送層
２５３ 第３正孔輸送層
１６０ 発光層
２６１ 第１発光層
２６２ 第２発光層
２６３ 第３発光層
１６０’、２６２’ ホスト
１６０”、２６２” ドーパント
１７０ 電子輸送層
２７１ 第１正孔輸送層
２７２ 第２正孔輸送層
２７３ 第３正孔輸送層
１８０ 電子注入層
３０００ 有機発光表示装置
３０１０ 基板
３１００ 半導体層
３２００ ゲート絶縁膜
３３００ ゲート電極
３４００ 層間絶縁膜
３４２０ 第１の半導体層コンタクト孔
３４４０ 第２の半導体層コンタクト孔
３５２０ ソース電極
３５４０ ドレイン電極
３６００ カラーフィルター
３７００ 平坦化層
３７２０ ドレインコンタクト孔
３８００ バンク層
３９００ 封止フィルム

Claims (14)

  1. 下記の化学式Ｉで表される有機金属化合物であって、
    Figure 2023093366000092
     前記化学式Ｉにおいて、
    Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、及びＡｕからなる群より選択される一種であり、
    Ｒａは、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であり、
    Ｘ１及びＸ２は、それぞれ炭素であり、
    Ｘ３～Ｘ６は、それぞれ独立にＣＲｂ及びＮのうちから選択される一種であり、
    Ｘ３～Ｘ６の置換基のうち隣接する２つの置換基は、互いに連結されて、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ２－Ｃ２０のヘテロシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ２－Ｃ２０のヘテロアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、及び置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基からなる群より選択される一種の環構造を形成することができ、
    Ｒｂは、水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であり、
    （Ｚ１－Ｚ２）は、二座配位子（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ ｌｉｇａｎｄ）であり；
    ｍは１、２又は３であり、ｎは０、１又は２であり、ｍ及びｎの和は、金属（Ｍ）の酸化数であり、
    Ｒは、Ｘ１及びＸ２に連結して形成される縮合環であり、下記の化学式ＩＩ～化学式ＩＶからなる群より選択される一種の構造であり、
    Figure 2023093366000093
    Figure 2023093366000094
    Figure 2023093366000095
     前記化学式ＩＩ～化学式ＩＶにおいて、
    Ｙは、ＢＲ１９、ＣＲ１９Ｒ２０、Ｃ=Ｏ、ＣＮＲ１９、ＳｉＲ１９Ｒ２０、ＮＲ１９、ＰＲ１９、ＡｓＲ１９、ＳｂＲ１９、Ｐ（Ｏ）Ｒ１９、Ｐ（Ｓ）Ｒ１９、Ｐ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｏ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｓ）Ｒ１９、Ａｓ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｏ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｓ）Ｒ１９、Ｓｂ（Ｓｅ）Ｒ１９、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＳＯ、ＳＯ２、ＳｅＯ、ＳｅＯ２、ＴｅＯ、及びＴｅＯ２からなる群より選択される一種であり、
    Ｒ１～Ｒ１８は、それぞれ独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種であり、
    Ｒ１９及びＲ２０は、それぞれ独立に水素、重水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミジノ基、ヒドラジン基、ヒドラゾン基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルキル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルキル基、置換又は非置換されたＣ７－Ｃ２０のアリールアルキル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のアルケニル基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ２０のシクロアルケニル基、置換又は非置換されたＣ１－Ｃ２０のヘテロアルケニル基、アルキニル基、置換又は非置換されたＣ６－Ｃ３０のアリール基、置換又は非置換されたＣ３－Ｃ３０のヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、シリル基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ニトリル基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルホニル基、及びホスフィノ基からなる群より選択される一種である、
    有機金属化合物。
  2. 前記化学式Ｉは、下記の化学式ＩＩ－１、ＩＩ－２、ＩＩＩ－１、ＩＩＩ－２、ＩＶ－１、及びＩＶ－２からなる群より選択される一種の構造であり、
    Figure 2023093366000096
    Figure 2023093366000097
    Figure 2023093366000098
    Figure 2023093366000099
    Figure 2023093366000100
    Figure 2023093366000101
     前記化学式ＩＩ－１、ＩＩ－２、ＩＩＩ－１、ＩＩＩ－２、ＩＶ－１、及びＩＶ－２各々のＹ、Ｘ３～Ｘ６、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒ１～Ｒ１８、（Ｚ１－Ｚ２）、ｍ、及びｎは、請求項１に定義したとおりである、
    請求項１に記載の有機金属化合物。
  3. 前記Ｍは、Ｉｒ（イリジウム）である、
    請求項１に記載の有機金属化合物。
  4. 前記ｍは１であり、ｎは２である、
    請求項１に記載の有機金属化合物。
  5. 前記ｍは２であり、ｎは１である、
    請求項１に記載の有機金属化合物。
  6. 前記ｍは３であり、ｎは０である、
    請求項１に記載の有機金属化合物。
  7. 前記化学式Ｉで表される化合物は、下記の化合物１～化合物５４３からなる群より選択された１つである、
    請求項１に記載の有機金属化合物。
    Figure 2023093366000102
    Figure 2023093366000103
    Figure 2023093366000104
    Figure 2023093366000105
    Figure 2023093366000106
    Figure 2023093366000107
    Figure 2023093366000108
    Figure 2023093366000109
    Figure 2023093366000110
    Figure 2023093366000111
    Figure 2023093366000112
    Figure 2023093366000113
    Figure 2023093366000114
    Figure 2023093366000115
    Figure 2023093366000116
    Figure 2023093366000117
    Figure 2023093366000118
    Figure 2023093366000119
    Figure 2023093366000120
    Figure 2023093366000121
    Figure 2023093366000122
    Figure 2023093366000123
    Figure 2023093366000124
    Figure 2023093366000125
    Figure 2023093366000126
    Figure 2023093366000127
    Figure 2023093366000128
    Figure 2023093366000129
    Figure 2023093366000130
    Figure 2023093366000131
  8. 第１電極と、
    前記第１電極と向かい合う第２電極と、
    前記第１電極及び第２電極の間に配置される有機層と、を含み、
    前記有機層は、発光層を含み、前記発光層は、ドーパント物質を含み、
    前記ドーパント物質は、請求項１～７のうちいずれか一項による有機金属化合物を含む、
    有機電界発光素子。
  9. 前記発光層は、赤色発光層である、
    請求項８に記載の有機電界発光素子。
  10. 前記発光層は、ホスト物質をさらに含む、
    請求項８に記載の有機電界発光素子。
  11. 前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群より選択された一種以上をさらに含む、
    請求項８に記載の有機電界発光素子。
  12. 前記第１電極と向かい合う第２電極と、
    前記第１電極及び第２電極の間に位置する第１発光部及び第２発光部とを含み、
    前記第１発光部及び第２発光部は、それぞれ１つ以上の発光層を含み、
    前記発光層のうち少なくとも１つは、赤色燐光発光層であり、
    前記赤色燐光発光層は、ドーパント物質を含み、
    前記ドーパント物質は、請求項１～７のうちいずれか一項による有機金属化合物を含む、
    有機電界発光素子。
  13. 前記第１電極と向かい合う第２電極と、
    前記第１電極及び第２電極の間に位置する第１発光部、第２発光部、及び第３発光部とを含み、
    前記第１発光部、第２発光部、及び第３発光部は、それぞれ１つ以上の発光層を含み、
    前記発光層のうち少なくとも１つは、赤色燐光発光層であり、
    前記赤色燐光発光層は、ドーパント物質を含み、
    前記ドーパント物質は、請求項１～７のうちいずれか一項による有機金属化合物を含む、
    有機電界発光素子。
  14. 基板と、
    前記基板に位置する駆動素子と、
    前記基板に位置して、前記駆動素子に連結される、請求項８の有機電界発光素子と、を含む、
    有機発光表示装置。
JP2022200075A 2021-12-22 2022-12-15 有機金属化合物、及びこれを含む有機電界発光素子 Active JP7482979B2 (ja)

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