JP7333715B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、基板処理装置に関する。
特許文献１には、空気軸受の内部に主軸を装着し、この主軸に真空チャックを取り付けた装置が記載されている。第１の真空通路は、主軸の真空チャック取り付け部端部から主軸の内部を通って主軸の外周面に開口し、主軸の外周面に第１の接続口を形成する。第２の真空通路は、空気軸受の内周面における第１の接続口に対向する位置に環状の第２の接続口を形成し、第２の接続口から空気軸受の内部を通る。
特開昭６２－１９３７０４号公報
本開示の一態様は、適切な間隔をおいて向かい合う回転流路と固定流路との組を複数組形成でき、その組ごとにガスの流れを制御できる、技術を提供する。
本開示の一態様に係る基板処理装置は、
基板を回転させるスピンドルと、
ガス層を介して前記スピンドルを回転自在に支持するガス軸受と、
前記基板を吸着するチャックと、
前記チャックを吸着する回転体とを備え、
前記スピンドルには、前記回転体を介して前記チャックが取り付けられ、
前記スピンドルの内部にはガスを流す回転流路が複数形成され、前記ガス軸受の内部にはガスを流す固定流路が複数形成され、
複数の前記固定流路は、前記ガス層を介して、異なる前記回転流路と向かい合い、
一の前記固定流路と、一の前記回転流路とは、前記チャックの吸着面に負圧を供給する第１負圧供給ラインを形成し、
他の一の前記固定流路と、他の一の前記回転流路とは、前記回転体の吸着面に負圧を供給する第２負圧供給ラインを形成する。
本開示の一態様によれば、適切な間隔をおいて向かい合う回転流路と固定流路との組を複数組形成でき、その組ごとにガスの流れを制御できる。
図１は、一実施形態に係る基板処理装置の基板を吸着した状態を示す断面図である。 図２は、図１の一部拡大図である。 図３は、図１に示す真空チャックから基板を取り外した状態を示す断面図である。 図４は、図３に示す回転チャックから真空チャックを取り外した状態を示す断面図であって、図５のIV－IV線に沿った断面図である。 図５は、図４に示す基板処理装置の平面図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
図１等に示す基板処理装置１は、基板２を回転させながら、基板２を処理する。基板２は、例えばシリコンウェハなどである。基板２は、リング状のフレーム３の開口部を覆うテープ５に貼り付けられてよい。フレーム３を保持することによって基板２を保持できるので、基板２のハンドリング性を向上できる。なお、基板２は、予め不図示の支持基板と貼り合わされてもよく、支持基板を介してテープ５に貼り付けられてもよい。
基板２の処理は、例えばレーザー加工である。レーザー光線は、基板２の内部に集光照射され、基板２の内部に改質層を形成する。改質層は基板２の分割の起点となる。レーザー光線は、基板２の表面に成膜された膜を除去するのに用いられてもよい。なお、基板２の処理は、レーザー加工には限定されない。例えば、基板２の処理として、研削加工、研磨加工、液処理、プラズマ処理などが挙げられる。
基板処理装置１は、図１等に示すように、基板２を回転させるスピンドル１０を備える。スピンドル１０は、モータＭと接続され、モータＭによって回転させられる。モータＭの回転軸は、スピンドル１０の延長線上に配置され、スピンドル１０に直接に連結される。但し、モータＭの回転軸は、スピンドル１０の延長線からずらして配置されもよく、タイミングベルトまたはギヤなどを介してスピンドル１０と連結されてもよい。
スピンドル１０は、図２に示すように、例えば、第１回転軸１１と、第２回転軸１２と、第１回転軸１１と第２回転軸１２との間にて第１回転軸１１および第２回転軸１２よりも小さな直径の中間軸１３とを含む。第１回転軸１１と、第２回転軸１２と、中間軸１３とは、本実施形態では同一の鉛直線上に配置されるが、同一の水平線上に配置されてもよい。
基板処理装置１は、ガス層ＧＬを介してスピンドル１０を回転自在に支持するガス軸受２０を備える。ガス軸受２０は軸受用ガス供給器３０と接続され、軸受用ガス供給器３０がガス軸受２０に圧縮ガスを供給する。ガス軸受２０は、スピンドル１０との間に僅かな隙間を形成し、その隙間に圧縮ガスを供給し、供給した圧縮ガスの圧力によって径方向の荷重と軸方向の荷重とを受ける。圧縮ガスは例えば圧縮空気であり、ガス軸受２０は例えば空気軸受である。
ガス軸受２０は、玉軸受およびコロ軸受とは異なり、非接触であるので、ガス軸受２０またはスピンドル１０の形状誤差によって生じうるスピンドル１０の振れ回りを抑制でき、基板２のばたつきを抑制できる。その結果、基板２の処理精度を向上できる。例えば、レーザー光線の照射位置の精度を向上でき、改質層の形成位置または膜の除去位置の精度を向上できる。
また、ガス軸受２０は、玉軸受およびコロ軸受に比べて、摩擦抵抗を低減でき、高速回転を実現できる。摩擦がほとんど生じないので、粉塵の発生が抑制され、また、機械寿命が長い。さらに、ガス軸受２０は、玉軸受およびコロ軸受とは異なり、潤滑剤で潤滑せずに済むので、潤滑剤による汚染を防止できる。
ガス軸受２０は、筒状に形成され、第１回転軸１１の軸方向一端面（例えば下面）１１ａと、第２回転軸１２の軸方向一端面（例えば上面）１２ａと、中間軸１３の外周面１３ａとの間にガス層ＧＬを形成する。圧縮ガスの圧力が中間軸１３の外周面１３ａの周方向全体に作用するので、径方向の荷重を受けることができる。また、圧縮ガスの圧力が第１回転軸１１の軸方向一端面（例えば下面）１１ａと、第２回転軸１２の軸方向一端面（例えば上面）１２ａとの両方に作用するので、軸方向両方向の荷重を受けることができる。
なお、ガス軸受２０は、特許文献１の空気軸受と同様に、軸方向一方向のみの荷重を受けてもよい。この場合、ガス軸受２０は、第１回転軸１１の軸方向一端面（例えば下面）１１ａと、中間軸１３の外周面１３ａとの間にガス層ＧＬを形成する。中間軸１３の直径と、第２回転軸１２の直径とは同一であってもよい。
ガス軸受２０は、例えば、多孔質な第１円筒部２１と、第１円筒部２１を取り囲む第２円筒部２２とを含む。第１円筒部２１は、軸受用ガス供給器３０から供給される圧縮ガスを、第１回転軸１１の軸方向一端面１１ａと、第２回転軸１２の軸方向一端面１２ａと、中間軸１３の外周面１３ａとに向けて噴射する。一方、第２円筒部２２は、第１円筒部２１を取り囲み、圧縮ガスが第１円筒部２１から径方向外方に漏れるのを抑制し、ガス層ＧＬの圧力を高める。
基板処理装置１は、図１等に示すように、基板２を吸着するチャック４０を備える。基板２がテープ５に貼り付けられる場合、チャック４０はテープ５を介して基板２を吸着する。チャック４０は、基板２を吸着した状態で、スピンドル１０と共に回転する。チャック４０の基板２を吸着する吸着面４１には、スピンドル１０から負圧が供給される。
本明細書において、負圧とは、基板処理装置１の内部の気圧（例えば大気圧）よりも低い気圧を意味する。基板処理装置１の内部の気圧は、大気圧と同じではなくてもよく、大気圧よりも低くてもよいし、大気圧よりも高くてもよい。
チャック４０が基板２の全体を吸着できるように、チャック４０の直径は基板２の直径と等しい。なお、チャック４０の直径は、基板２の直径以上であればよく、基板２の直径よりも大きくてもよい。
チャック４０は、例えば、円盤体４２と、円盤体４２の片面の凹部に嵌め込まれる円盤状の多孔質体４３とを有する。多孔質体４３の数は、本実施形態では１つであるが、複数であってもよい。複数の多孔質体４３は同心円状に配置される。多孔質体４３に負圧が供給され、その負圧によってチャック４０が基板２を吸着する。
基板処理装置１は、チャック４０を吸着する回転体５０を備える。回転体５０は、スピンドル１０にボルトなどで締め付けられる。スピンドル１０には、回転体５０を介してチャック４０が取り付けられる。回転体５０は、チャック４０を吸着した状態で、スピンドル１０と共に回転する。回転体５０のチャック４０を吸着する吸着面５１には、スピンドル１０から負圧が供給される。
回転体５０は、例えば、円盤体５２と、円盤体５２の片面の凹部に嵌め込まれるリング状の多孔質体５３とを有する。多孔質体５３の数は、本実施形態では複数であるが、１つであってもよい。複数の多孔質体５３は同心円状に配置される。多孔質体５３に負圧が供給され、その負圧によって回転体５０がチャック４０を吸着する。なお、多孔質体５３の代わりに、溝空間が形成されてもよい。
回転体５０およびチャック４０はそれぞれ円盤状であり、回転体５０の直径はチャック４０の直径よりも小さい。チャック４０の吸着面４１の面積低下を抑制し、基板２の姿勢安定性の低下を抑制しつつ、モータＭによって回転させる部材全体の慣性モーメントを低減でき、モータＭの容量を低減できるので、モータＭを小型化できる。
個々の部材の慣性モーメントは、個々の部材の直径と厚さなどで決まる。モータＭの小型化には、上記の通り、回転体５０の直径をチャック４０の直径よりも小さくすることが有効であるが、チャック４０の厚さを薄くすることも有効である。
一方、チャック４０の厚さが薄いと、チャック４０を回転体５０にボルトなどで締め付けることが困難になる。ボルトはチャック４０を局所的に締め付けるので、チャック４０が変形してしまい、チャック４０の吸着面４１の平坦度が悪化してしまうからである。
本実施形態によれば、回転体５０がチャック４０を吸着するので、チャック４０の吸着面４１の平坦度を維持しつつ、チャック４０を薄化でき、モータＭを小型化できる。つまり、本実施形態では、モータＭの小型化を目的として、チャック４０とスピンドル１０との間に回転体５０が配置される。
回転体５０の吸着面５１には、図５に示すように位置決めピン５４が形成されてよい。位置決めピン５４は、チャック４０の位置決め穴に嵌合し、回転体５０の中心とチャック４０の中心とをスピンドル１０の延長線上に配置させる。なお、位置決めピン５４と位置決め穴との配置は逆でもよく、位置決め穴が回転体５０に形成され、位置決めピン５４がチャック４０に形成されてもよい。
基板処理装置１は、チャック４０の外側にて、フレーム３を吸着するフレーム吸着体６０を備える。フレーム吸着体６０は、フレーム３を吸着した状態で、チャック４０と共に回転する。フレーム３と基板２とを同じ回転速度で回転でき、テープ５のねじれを抑制できる。フレーム吸着体６０のフレーム３を吸着する吸着面６１には、スピンドル１０から負圧が供給される。
フレーム吸着体６０は、例えば、回転体５０から径方向外方に延びるアーム６２の先端に取り付けられる。アーム６２は放射状に複数配置され、複数のアーム６２のそれぞれの先端にフレーム吸着体６０が取り付けられる。フレーム吸着体６０は、回転体５０の周方向に等ピッチで複数配置されてよい。
上記の通り、基板処理装置１は、スピンドル１０と共に回転する吸着部材を複数有する。吸着部材の具体例として、チャック４０、回転体５０およびフレーム吸着体６０が挙げられる。これらの吸着部材には、個別に、スピンドル１０から負圧が供給される。
そこで、図２に示すように、スピンドル１０の内部には、ガスを流す回転流路が複数形成される。回転流路として、例えば、第１回転流路７１と、第２回転流路７２と、第３回転流路７３とが形成される。なお、回転流路の数は、スピンドル１０と共に回転する吸着部材の数に応じて適宜選択されればよく、３つには限定されず、２つでもよいし、４つ以上であってもよい。
同様に、ガス軸受２０の内部には、ガスを流す固定流路が複数形成される。固定流路として、例えば、第１固定流路８１と、第２固定流路８２と、第３固定流路８３とが形成される。なお、固定流路の数は、スピンドル１０と共に回転する吸着部材の数に応じて適宜選択されればよく、３つには限定されず、２つでもよいし、４つ以上であってもよい。
複数の固定流路は、ガス層ＧＬを介して、異なる回転流路と向かい合う。例えば、ガス層ＧＬを介して、第１回転流路７１と第１固定流路８１とが向かい合い、第２回転流路７２と第２固定流路８２とが向かい合い、第３回転流路７３と第３固定流路８３とが向かい合う。
ガス層ＧＬの厚さは、スピンドル１０を円滑に回転させるべく高精度で管理され、ガス層ＧＬのガスの圧力を高めるべく薄い厚さに管理される。それゆえ、適切な間隔をおいて互いに向かい合う固定流路と回転流路との組を複数組形成でき、その組ごとにガスの流れを制御できる。互いに向かい合う固定流路と回転流路との間隔が狭く、固定流路と回転流路との間でガスが円滑に流れるからである。従って、複数の吸着部材に個別に負圧を供給でき、吸着部材ごとに吸着と吸着の解除とを実施できる。例えば、回転体５０がチャック４０を吸着した状態で、チャック４０が基板２を吸着したり、その吸着を解除したりできる。また、回転体５０がチャック４０を吸着した状態で、フレーム吸着体６０がフレーム３を吸着したり、その吸着を解除したりできる。
図２に示すように、複数の固定流路、例えば第１固定流路８１と第２固定流路８２と第３固定流路８３とは、ガス軸受２０の内周面２０ａにて、ガス軸受２０の軸方向に間隔をおいて開口する。図２において、８１ａは第１固定流路８１の開口であり、８２ａは第２固定流路８２の開口であり、８３ａは第３固定流路８３の開口である。
一方、複数の回転流路、例えば第１回転流路７１と第２回転流路７２と第３回転流路７３とは、中間軸１３の外周面１３ａにて、中間軸１３の軸方向に間隔をおいて開口し、中間軸１３の周方向全体に亘ってリング状に開口する。図２において、７１ａは第１回転流路７１の開口であり、７２ａは第２回転流路７２の開口であり、７３ａは第３回転流路７３の開口である。
第１固定流路８１の開口８１ａと第１回転流路７１の開口７１ａとが向かい合い、第２固定流路８２の開口８２ａと第２回転流路７２の開口７２ａとが向かい合い、第３固定流路８３の開口８３ａと第３回転流路７３の開口７３ａとが向かい合う。
回転される開口７１ａ、７２ａ、７３ａは、リング状に形成されるので、固定される開口８１ａ、８２ａ、８３ａと常に向かい合うことができる。その結果、スピンドル１０の回転中に、負圧の供給が途切れるのを防止できる。
なお、本実施形態では、全ての固定流路がガス軸受２０の内周面２０ａにて開口するが、１つ以上の固定流路がガス軸受２０の軸方向一端面２０ｂまたは軸方向他端面２０ｃにて開口してもよい。
同様に、本実施形態では、全ての回転流路が中間軸１３の外周面１３ａにて開口するが、１つ以上の回転流路が第１回転軸１１の軸方向一端面１１ａまたは第２回転軸１２の軸方向一端面１２ａにて開口してもよい。
第１固定流路８１と、第１回転流路７１とは、チャック４０の吸着面４１に負圧を供給する第１負圧供給ライン９１を形成する。第１負圧供給ライン９１は、図１に示すようにガス軸受２０、スピンドル１０および回転体５０を通り、チャック４０の吸着面４１に負圧を供給する。第１負圧供給ライン９１の一端には、ガスを吸引する第１ガス吸引器１０１が設置される。第１ガス吸引器１０１として、例えば真空ポンプまたはエジェクタが用いられる。第１ガス吸引器１０１によって発生した負圧は、第１負圧供給ライン９１によって、チャック４０の吸着面４１に供給される。
第１負圧供給ライン９１の第１固定流路８１と、第１ガス吸引器１０１との間には、ガスの流れ方向を切換える第１切換器１１１を介して、チャック４０の吸着面４１に向けてガスを供給する第１ガス供給器１２１が設置される。第１切換器１１１は、第１固定流路８１を、第１ガス吸引器１０１に対して開放し且つ第１ガス供給器１２１に対して閉塞した状態と、第１ガス吸引器１０１に対して閉塞し且つ第１ガス供給器１２１に対して開放した状態とに切換えられる。第１切換器１１１として、例えば三方切換弁が用いられる。三方切換弁の代わりに、複数の開閉弁が用いられてもよい。
吸着の解除時には、第１ガス供給器１２１によって発生した正圧が、第１切換器１１１から、第１固定流路８１と第１回転流路７１とを通り、チャック４０の吸着面４１に供給される。その結果、吸着の解除を確実に行うことができる。なお、正圧の代わりに、基板処理装置１の内部の気圧と同じ気圧が、チャック４０の吸着面４１に供給されてもよい。また、第１負圧供給ライン９１の途中にリーク弁が設置され、リーク弁が負圧の解除、ひいては吸着の解除を実施してもよい。
第２固定流路８２と、第２回転流路７２とは、回転体５０の吸着面５１に負圧を供給する第２負圧供給ライン９２を形成する。第２負圧供給ライン９２は、ガス軸受２０、スピンドル１０を通り、回転体５０の吸着面５１に負圧を供給する。第２負圧供給ライン９２の一端には、ガスを吸引する第２ガス吸引器１０２が設置される。第２ガス吸引器１０２によって発生した負圧は、第２負圧供給ライン９２によって、回転体５０の吸着面５１に供給される。
第２負圧供給ライン９２の第２固定流路８２と、第２ガス吸引器１０２との間には、ガスの流れ方向を切換える第２切換器１１２を介して、回転体５０の吸着面５１に向けてガスを供給する第２ガス供給器１２２が設置される。第２切換器１１２は、第２固定流路８２を、第２ガス吸引器１０２に対して開放し且つ第２ガス供給器１２２に対して閉塞した状態と、第２ガス吸引器１０２に対して閉塞し且つ第２ガス供給器１２２に対して開放した状態とに切換えられる。
吸着の解除時には、第２ガス供給器１２２によって発生した正圧が、第２切換器１１２から、第２固定流路８２と第２回転流路７２とを通り、回転体５０の吸着面５１に供給される。その結果、吸着の解除を確実に行うことができる。なお、正圧の代わりに、基板処理装置１の内部の気圧と同じ気圧が、回転体５０の吸着面５１に供給されてもよい。また、第２負圧供給ライン９２の途中にリーク弁が設置され、リーク弁が負圧の解除、ひいては吸着の解除を実施してもよい。
第３固定流路８３と、第３回転流路７３とは、フレーム吸着体６０の吸着面６１に負圧を供給する第３負圧供給ライン９３を形成する。第３負圧供給ライン９３は、ガス軸受２０、スピンドル１０を通り、フレーム吸着体６０の吸着面６１に負圧を供給する。第３負圧供給ライン９３の一端には、ガスを吸引する第３ガス吸引器１０３が設置される。第３ガス吸引器１０３によって発生した負圧は、第３負圧供給ライン９３によって、フレーム吸着体６０の吸着面６１に供給される。
第３負圧供給ライン９３は可撓性のチューブ６３を含み、チューブ６３が回転体５０とフレーム吸着体６０との間に流路を形成する。チューブ６３は、図５に示すように、例えば、回転体５０から径方向外方に突出し、途中から２本に分岐し、２つのフレーム吸着体６０に取り付けられる。チューブ６３の配置および数は、フレーム吸着体６０の配置および数に応じて適宜選択される。
第３負圧供給ライン９３の第３固定流路８３と、第３ガス吸引器１０３との間には、ガスの流れ方向を切換える第３切換器１１３を介して、フレーム吸着体６０の吸着面６１に向けてガスを供給する第３ガス供給器１２３が設置される。第３切換器１１３は、第３固定流路８３を、第３ガス吸引器１０３に対して開放し且つ第３ガス供給器１２３に対して閉塞した状態と、第３ガス吸引器１０３に対して閉塞し且つ第３ガス供給器１２３に対して開放した状態とに切換えられる。
吸着の解除時には、第３ガス供給器１２３によって発生した正圧が、第３切換器１１３から、第３固定流路８３と第３回転流路７３とを通り、フレーム吸着体６０の吸着面６１に供給される。その結果、吸着の解除を確実に行うことができる。なお、正圧の代わりに、基板処理装置１の内部の気圧と同じ気圧が、フレーム吸着体６０の吸着面６１に供給されてもよい。また、第３負圧供給ライン９３の途中にリーク弁が設置され、リーク弁が負圧の解除、ひいては吸着の解除を実施してもよい。
以上、本開示に係る基板処理装置について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
基板２は、シリコンウェハには限定されない。基板２は、例えば、炭化珪素ウェハ、窒化ガリウムウェハ、酸化ガリウムウェハなどであってもよい。また、基板２は、ガラス基板であってもよい。基板２と貼り合わされる支持基板について同様である。
１ 基板処理装置
２ 基板
３ フレーム
５ テープ
１０ スピンドル
１１ 第１回転軸
１１ａ 軸方向一端面
１２ 第２回転軸
１２ａ 軸方向一端面
１３ 中間軸
１３ａ 外周面
２０ ガス軸受
２０ａ 内周面
２０ｂ 軸方向一端面
２０ｃ 軸方向他端面
４０ チャック
４１ 吸着面
５０ 回転体
５１ 吸着面
６０ フレーム吸着体
６１ 吸着面
７１ 第１回転流路
７２ 第２回転流路
７３ 第３回転流路
８１ 第１固定流路
８２ 第２固定流路
８３ 第３固定流路
９１ 第１負圧供給ライン
９２ 第２負圧供給ライン
９３ 第３負圧供給ライン

Claims (8)

  1. 基板を回転させるスピンドルと、
    ガス層を介して前記スピンドルを回転自在に支持するガス軸受と、
    前記基板を吸着するチャックと、
    前記チャックを吸着する回転体とを備え、
    前記スピンドルには、前記回転体を介して前記チャックが取り付けられ、
    前記スピンドルの内部にはガスを流す回転流路が複数形成され、前記ガス軸受の内部にはガスを流す固定流路が複数形成され、
    複数の前記固定流路は、前記ガス層を介して、異なる前記回転流路と向かい合い、
    一の前記固定流路と、一の前記回転流路とは、前記チャックの吸着面に負圧を供給する第１負圧供給ラインを形成し、
    他の一の前記固定流路と、他の一の前記回転流路とは、前記回転体の吸着面に負圧を供給する第２負圧供給ラインを形成する、基板処理装置。
  2. 前記回転体および前記チャックは、それぞれ、円盤状であり、
    前記回転体の直径は、前記チャックの直径よりも小さい、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記チャックの直径は、前記基板の直径以上である、請求項１または２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１負圧供給ラインの一端には、ガスを吸引する第１ガス吸引器が設置され、
    前記第１負圧供給ラインの前記固定流路と前記第１ガス吸引器との間には、ガスの流れ方向を切換える第１切換器を介して、前記チャックの吸着面に向けてガスを供給する第１ガス供給器が設置される、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板は、リング状のフレームの開口部を覆うテープに貼り付けられ、
    前記チャックの外側にて前記フレームを吸着し、前記チャックと共に回転するフレーム吸着体をさらに備え、
    さらに別の前記固定流路と、さらに別の前記回転流路とは、前記フレーム吸着体の吸着面に負圧を供給する第３負圧供給ラインを形成する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. リング状のフレームの開口部を覆うテープに貼り付けられる基板を回転させるスピンドルと、
    ガス層を介して前記スピンドルを回転自在に支持するガス軸受と、
    前記基板を吸着し、前記スピンドルと共に回転するチャックと、
    前記チャックの外側にて前記フレームを吸着し、前記チャックと共に回転するフレーム吸着体とを備え、
    前記スピンドルの内部にはガスを流す回転流路が複数形成され、前記ガス軸受の内部にはガスを流す固定流路が複数形成され、
    複数の前記固定流路は、前記ガス層を介して、異なる前記回転流路と向かい合い、
    一の前記固定流路と、一の前記回転流路とは、前記チャックの吸着面に負圧を供給する負圧供給ラインを形成し、
    他の一の前記固定流路と、他の一の前記回転流路とは、前記フレーム吸着体の吸着面に負圧を供給する負圧供給ラインを形成する、基板処理装置。
  7. 基板を回転させるスピンドルと、
    ガス層を介して前記スピンドルを回転自在に支持するガス軸受とを備え、
    前記スピンドルの内部にはガスを流す回転流路が複数形成され、前記ガス軸受の内部にはガスを流す固定流路が複数形成され、
    複数の前記固定流路は、前記ガス層を介して、異なる前記回転流路と向かい合い、
    前記スピンドルは、第１回転軸と、第２回転軸と、前記第１回転軸と前記第２回転軸との間にて前記第１回転軸および前記第２回転軸よりも小さな直径の中間軸とを含み、
    前記ガス軸受は、筒状に形成され、前記第１回転軸の軸方向一端面と、前記第２回転軸の軸方向一端面と、前記中間軸の外周面との間に前記ガス層を形成する、基板処理装置。
  8. 複数の前記固定流路は、前記ガス軸受の内周面にて、前記ガス軸受の軸方向に間隔をおいて開口し、
    複数の前記回転流路は、前記中間軸の外周面にて、前記中間軸の軸方向に間隔をおいて開口し、前記中間軸の周方向全体に亘ってリング状に開口する、請求項７に記載の基板処理装置。
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