JPS62238634A - 表面検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ この発明は、半導体ウェハなどの被検査物の表面の異物
、欠陥などを検出する表面検査装置に関する。

［従来の技術］ 例えばゝ１ｔ、導体ウェハ用の従来の表面検査装置にお
いては、回転ステージの保持面に半導体ウェハが負圧吸
着により保持され、その状態で回転ステージは回転駆動
され、その半導体ウェハの表面の表面検査が実行される
。

その回転ステージの保持面は、負圧吸着のためにエアー
吸気口が形成され、この吸気口は回転ステージの軸部を
貫通する通路を通じて軸部の側面に設けられた開口に接
続されている。回転ステージの軸部は、それを包囲する
部材に軸受を介して回転自在に支承されるが、その部材
と軸部との間の隙間内に、軸部側面の開口に臨ませてエ
アーシールが配設され、そのエアーシールによって画成
された空間を介して外部の真空ポンプによりエアー吸気
口からエアーを引き出すようになっている。

つまり、エアーシールは半導体ウェハを負圧吸着するた
めのエアー引き出し用通路の一部を形成している。

［解決しようとする問題点コ さて、このような表面検査装置は一般に、表面の欠陥や
付着異物の存在を避ける必要のある半導体ウェハなとの
表面検査に利用されるものである。

しかるに、従来の表面検査装置で半導体ウェハなどの表
面検査を繰り返し行うと、検査の度に付着異物数の増加
が認められた。つまり、従来の表面検査装置は、それ自
体で異物を発生し、その異物が非検査物の表面に付着す
るという問題があった。

この問題を解決するために発明者が詳細に調査検討した
結果、次のようなことが判明した。高速回転する回転ス
テージの軸部に接触しているエアーシールが摩耗し、そ
の材料の微粒が軸部とその周囲の部材との隙間に発生す
る。その隙間の開放部分から、その微粒が外部に飛散し
、その一部が非検査物の表面に降下して付着し、これが
付着異物増加の主な原因となっている。

［発明の目的］ したがって、この発明の目的は、そのような被検査物の
汚染を防止した表面検査装置を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ この目的を達成するたに、この発明は、回転する回転ス
テージの保持面に被検査物を負圧吸着しつつ、その被検
査物の表面の異物、欠陥などを検出するものであって、
前記回転ステージの軸部は、それを包囲する部材に軸受
を介して回転自在に支承され、その部材と前記軸部との
隙間に、前記保持而を負圧状態に保持するためのエアー
引き出し用通路の一部がエアーシールによって画成され
た表面検査装置において、前記隙間に連通ずるエアー通
路を設け、そのエアー通路を介して前記隙間からエアー
を引き出すことによって前記空間を負圧状態に維持する
ものである。

［作用］ このように前記隙間を負圧状態に維持するため、１）；
Ｉ記隙間内に発生したエアーシールの摩耗微粒は外部空
間、つまり被検査物の雰囲気に殆ど飛散することがなく
なり、被検査物の表面汚染をほぼ完全に防止できる。

［実施例コ 以下、この発明の一実施例について、図面を参照し説明
する。

第３図は、この発明による半導体ウェハ用表面検査装置
の全体的構成を説明するための一部を省いた概略正面図
である。まず、この図を参照して、半導体ウェハの取り
扱いについて説明する。

この図において、１２は回転ステージである。

回転ステージ１２の平坦なＬ面（保持而）に、搬送ベル
）１６により半導体ウェハ（被検査物）が搬入される。

この半導体ウェハ１４は、後に詳述するように、回転ス
テージ１２の上面の噴気口より斜め上へ噴出するエアー
により、矢線１８の方向へ移送される。そして、位置状
めピン２０により係止位置決めされる。

詳細は後述するが、回転ステージ１２には、半導体ウェ
ハサイズ毎に、複数の通孔が同心固状に形成されており
、扱う半導体ウェハ１４のサイズ（直径）に対応した通
孔に、位置決めピン２０が挿通され、回転ステージ１２
の上面より突出せしめられる。

この位置決めの際、位置決めピン２０の弾性により１う
導体ウェハ１４が矢線２２の方向へはじかれ、半導体ウ
ェハ１４が振動し、停屯するまでに時間がかかるという
問題が起こりやすい。そこで、位置決め時に、ブツシャ
−２４が図示のような位置（この位１πも扱う゛μ導体
ウェハ１４のサイズによって異なる）へ移動せしめられ
、その突出部２４Ａの先端で、半導体ウェハ１４の矢線
２２の方向への移動を阻止し、半導体ウェハ１４の振動
を抑制して位置決め時間の短縮を図っている。

プッシャー２４は、支持部２８．２８に固定されたガイ
ドシャフト３０に摺動自在に支持されており、またスク
リューシャフト３２と螺合している。したがって、モー
タ３４によりスクリューシャフト３２を正回転させると
、プッシャー２４は矢線１８の方向へ移動（前進）シ、
逆回転させるとプッシャー２４は矢線２２の方向へ移動
（後退）する。

なお、ガイドシャフト３０およびスクリューシャフト３
２は、図示のように傾けられているため、プッシャー２
４は前進するに従いヒ昇し、後退するに従い降ドする。

位置決め時以外の期間には、プッシャー２４は、搬送ベ
ルト１６より低い鎖線２４Ｂの位置に退避せしめられる
。

位置決めがなされると、回転ステージ１２の上面に形成
された吸気口（後述）より、半導体ウェハ１４と回転ス
テージ上面との間のエアーが抜かれ、同時に噴気口から
のエアーの噴出が止められる。その結果、半導体ウェハ
１４は負圧吸着により回転ステージ１２上に保持される
。その後、位置決めピン２０は引き抜かれ、またプッシ
ャー２４は後退せしめられる。

回転ステージ１２は高速回転させられ、半導体ウェハ１
４の表面検査が行われる。

この表面検査を終わり、半導体ウェハ１４を搬出する場
合、回転ステージ１２は図示の向きにて停止せしめられ
、また搬出用の搬送ベルト１７に接近した所定位置まで
移動させられる。そして、噴気［１よりエアーが噴出せ
しめられ、また吸気口よりのエアー吸引が停止Ｌ：、さ
せられる。しかして、噴出エアーにより半導体ウェハ１
４は矢線１８の方向へ送られ、搬送ベルト１７］−に排
出され、搬送ベルト１６により搬出される。

このように、位置決めピン２０を回転ステージ１２の通
孔より抜去するから、同一の噴気口からのエアーにより
、半導体ウェハの搬入位置決めと搬出の両方を行うこと
ができる。

ここで、異物検出系の構成と異物検出原理について、第
３図を参照し説明する。この異物検出系２００にあって
は、Ｓ偏光レーザ発振器２１６から放射されるＳ偏光レ
ーザビームが、シリンドリカルレンズ２１８によって上
下方向（２方向）に絞られてから、半導体ウェハ１４の
上面に例えば２°の照射角度にて斜めに照射される。照
射点に異物があると、Ｓ偏光レーザビームは異物の表面
（微小の凹凸がある）により散乱し、偏光面が・乱れる
ため、Ｚ方向への反射レーザ光には、Ｐ偏・光成分が多
量に含まれる。

反射レーザ光は対物レンズ２２０により集光され、視野
制限用のスリット２２２を経由し、Ｓ偏光カット用の偏
光板２２４へ入射せしめられる。

この偏光板２２４により、反射レーザ光のＰ偏光成分が
抽出されてホトマルチプライヤ２２６に入射し、電気信
号に変換される。この光電変換信号は図示しない比較器
によりある閾値と比較され、その閾値を越えた場合に、
Ｓ偏光レーザビームの照射点に異物があると判定される
。

Ｓ偏光レーザビームの照射点にパターンが存在する場合
、Ｚ方向への反射光量がかなり多くなることがある。し
かし、パターンの表面は微視的には平滑であるため、Ｚ
方向への反射レーザ光に含まれるＰ偏光成分はわずかで
ある。したがって、パターンは異物と弁別され、異物と
しては検出されない。

照射点に異物もパターンもない場合、照射レーザビーム
はほぼ全量が正反射されるため、ホトマルチプライヤ２
２６の出力信号は十分低レベルである。したがって、そ
の信号のレベル比較により、異物なしと判定される。

第２図に回転ステージ１２などの拡大平面図を示す。こ
の図を参照し、回転ステージ１２について詳細に説明す
る。図ボのように、回転ステージ１２の内部には、中心
部より放射状に延びたエアー通路４０，４２，４４．４
８．４８が形成されている。

エアー通路４０は吸着用エアーを通すためのものであり
、吸気口５０により回転ステージ１２の上面に開口せし
められている。それぞれの吸気口５０に接続して、同心
円状の溝５２が形成されている。半導体ウェハが回転ス
テージ上にセットされている場合、溝５２の近傍のエア
ーが吸着口５０へ導かれるため、吸気口５０は実質的に
回転ステージ上面のは１！全域に拡大されたと同様であ
る。

換言すれば、エアー吸引作用の観点からは、溝５２は吸
着口５０の延長部分とみなし得るものであり、吸着口５
０と溝５２により、半導体ウェハをほぼ全面的に負圧吸
着するための広い吸気領域を実現している。このように
するので、゛１６導体ウエハ１４の反りを生じることな
く　、’ｌ’＝導体ウェハ１４を保持できる。

ただし、後述するように、最外周の１本の溝５２は、５
インチ゛１１導体ウェハの扱い時には使用されず、４イ
ンチ半導体ウェハの扱い時には、外周側の２本の溝５２
は使用されない。

エアー通路４２．４４，４８．４８は、半導体ウェハ移
送用のエアーを送るためのものである。

エアー通路４４．４８から燐、エアー通路４４Ａ。

４８Ａが分岐している。回転ステージ１２の上面には、
エアー通路４４Ａ、４４Ｂの間に挟まれて凹部１２Ａが
形成されている。この四部１２Ａは、他の部分よりわず
かに低くなっており、前記プッシャー２４の突出部２４
Ａは、位置決め時に、この凹部１２Ａに、半導体ウェハ
サイズに応じた蛍だけ侵入させられるようになっている
。

エアー通路４２，４４，４４Ａ、４６，４８Ａ。

４８の近傍には、それらと連通した噴気口５４が形成さ
れている。各噴気口５４は、ある角度だけ傾けて形成さ
れており、回転ステージ１２が図示の角度にあるときに
、矢、１ｉ１１８の方向に半導体ウェハを移送するため
のエアーを、斜め」三方に噴出するものである。

また、回転ステージ５２には、図中左゛１′−分側に位
置決めピンを挿通するための通孔５６が同心円状に配列
形成されている。また、回転ステージ１２の動的バラン
スをとるために、回転ステージ１２の右半分側に、ダミ
ー通孔５Ｂが同心円状に設けられている。

第１図は表面検査装置１０の主要部の構成を詳細に示す
部分断面正面図である。この図も参照し、この発明に直
接関係する回転ステージ１２と、その駆動機構などにつ
いて以下説明する。

まず、エアー通路４０に関連して説明する。このエアー
通路４０の外周側部分は径大部４０Ａとなっている（第
２図参照）。この径大部４０Ａには、穴埋めロッド６０
が挿入され、回転ステージ１２の下面の切欠き６２より
挿着されたＯリング６４により脱出を阻止され、また側
方より回転ステージ１２に螺入された固定ねじ６６によ
って進退および回転できないように固定される。穴埋め
ロッド６０の側面には、その先端から最外周位置の吸気
口５０に臨む位置まで延在する溝６８と、外側より２つ
１−」の吸気口５０に臨む位置まで延在した溝６９とが
形成されている。また、穴埋めロッド６０の先端は、外
側から３番目の吸気［１５０より外側に占位するような
長さとなっている。６５はエアーシールである。

６インチの半導体ウェハを扱う場合、穴埋めロッド６０
は、溝６８が−Ｌ側に来るように回し固定される。つま
り、第３図の状態となり、外側の２つの吸気口５０は、
いずれも溝６８を介してエアー通路４０と連通ずる。こ
の場合、最外周の溝５２の内側領域が実質的に吸気領域
として作用する。

５インチの半導体ウェハを扱う場合、穴埋めロッド６０
は、溝６９が上側になるように回されて固定される。そ
の結果、外側から２つ目の吸気口５０は溝６９を介して
エアー通路４０と連通ずるが、最外周の通気１コ５０は
穴埋めロッド６０の側面でふさがれ、エアー通路４０か
ら切り離されるため、外側から２つｌ］の溝５２の内側
領域が吸気領域として働く。

４インチの半導体ウェハの取り扱い時には、穴埋めロッ
ド６０は、溝８８．８９のいずれも、ト、側にならない
ような角度で固定されるため、外側の２つの吸気口５０
は、両方ともエアー通路４０から遮断される。その結果
、外側から３つ目の溝５２から内側の領域が吸気領域と
なる。

さて第１図に示すように、回転ステージ１２の中心部よ
り、軸部７０が下向きに延設されている。

この軸部７０の内部には、前記エアー通路４０と連通し
た縦方向のエアー通路７２と、前記エアー通路４２，４
４，４６．４８と連通した縦方向のエアー通路７４が形
成されている。各エアー通路７２．７４の先端部は、回
転軸部７８の側面の開Ｌ］７２Ａ、７４Ａとそれぞれ接
続されている。

軸部７０は、その上下端において、ボールベアリング７
６を介して筒体７８に回転自在に支承されている。筒体
７８の内面には、開ロア２Ａに対応して１対の回転エア
ーシール８０Ａが設けられている。筒体７８の内面には
、この１対のエアーシール８０Ａに挟まれた空間に臨む
開口（図示せず）が設けられており、この開口は図示し
ないパイプを介して外部の真空ポンプに接続される。

また筒体７８および支持ブロック８４を貫通して、エア
ー供給パイプ７１が進退可能に設けられている。このエ
アー供給パイプ７１の一端には、軸部７０の側面との密
着性の良い柔軟なチューブ７３が取着されており、この
チューブ７３はエアー供給側の開ロア４Ａと対向してい
る。このエアー供給パイプ７１の他端には、結合部材７
５を介して外部のコンプレッサ系のエアー供給パイプ（
図示せず）が接続されている。エアー供給パイプ７１は
、その端部に挿着された圧縮ばね７７によって、外向き
つまり後退方向へ付勢されている。

７９はエアー供給パイプ７１を前進させるためのアクチ
ュエータであり、その作動部は結合部材７５に結合され
ている。

筒体７８は、上下にわずかな距＃（例えば数ｍｍ）だけ
移動可能なように支持ブロック８４に取り付けられおり
、モータ８６により図示しない偏心カム機構などを介し
て」−下に駆動されるようになっている。モータ８６は
支持ブロック８４に固定されている。支持ブロック８４
は、スライドブロック８８に固定されている。

軸部７０の下端部は、カップリング１０４を介してモー
タ１０６の回転軸と結合されている。このモータ１０６
はスライドブロック８８に固定されている。カップリン
グ１０４は、モータ１０６の回転軸と軸部７０との相対
的回転は許さないが、軸方向（上下方向〕については、
わずかな（たとえば数ｍｍ程度の）相対的移動を許容す
るものである。このようなカップリング１０４としては
、入力側の回転力を板ばね部材を介して出力側へ伝達す
るような型式のものを用いることができる。このような
カンプリング１０４により結合するため、モータ１０６
などを１−下させることなく、回転ステージ１２の高さ
位置を調整して、異物検出系（後述）の焦点合わせを行
うことができる。

スライドブロック８８は、その前面および背面が固定ベ
ース１１０と滑合せしめられ、固定ベース１１０に対し
て矢線１８，２２の方向へスライドできるように支持さ
れている。スライドブロック８８は、固定ベース１１０
側に回転自在に設けられたスクリューシャフト１１２と
螺合しており、このスクリューシャフト１１２を回転す
ることにより、矢線１８．２２の方向に移動するように
なっている。１１４はスクリューシャフト１１２を回転
駆動するためのモータである。

ここで、この発明にあっては、軸部７０と筒体７８との
隙間７０Ａ内に発生する異物の外部への飛散を防止する
ために、隙間７０Ａ内のエアーを引き出すためのエアー
通路１２０が固定ベース１１０に形成されている。この
エアー通路１２０はパイプ１２２を介して図示しない真
空ポンプに接続され、この真空ポンプによって隙間７０
Ａ内のエアーが抜かれ、その隙間７０Ａ内が負圧状態に
維持される。″ さらに、この実施例においては、その異物飛散の防止を
さらに確実にするために、隙間７０Ａの上側の開放部分
に、それを包囲するようにリング状のフード体１２４が
取り付けられている。Ｆ方の開放部分は、モータ１０６
および固定ベース１１０によって実質的に閉塞されるた
め、そのようなフード体は設けられていない。

９０は位置決めピン２０が６本植設されたピンプレート
であり（ピン配列は第２図参照）、４インチ、５インチ
、６インチの各半導体ウェハサイズ毎に用意されておい
る。このピンプレー）９０は、昇降板９２に植設された
ボルト９４と蝶ナツト９６によって、昇降板９２に着脱
容易に締着される。昇降板９２はシリンダ９８によって
昇降せしめられるが、この昇降を案内するために、支持
ブロック８４に固定されたベアリング１０２により摺動
自在に支承されたがイドシャフト１００が昇降板９２に
固着されている。

このような構成において、シリンダ９８によりＩｉｉ’
降板９２をｌｚ　Ｗ−させることにより、それに取り付
けられたピンプレー１・９０の位置決めピン２０を、対
応する通孔５６に一斉に挿入し、回転ステ−ジ１２の上
面より突出させることができる。位置決めピン２０を作
用させない期間には、昇降板９２は第２図に示す高さま
で下降せしめられ、位置決めピン２０の先端は回転ステ
ージ１２の下面よりさらに下方に占位する。

次に、全体的な動作について説明する。まず、半導体ウ
ェハの搬入が行われる。この時、回転ステージ１２が半
導体ウェハ搬入位置に来るように、モータ１１４により
スライドブロック８８が移動せしめられる。回転ステー
ジ１２は、第２図の角度までモータ１０６により回転せ
しめられる。また、プッシャー２４は、第３図の鎖線２
４Ｂの位置まで後退せしめられる。その後、シリンダ９
８によりピンプレート９０が押し上げられ、位置決めピ
ン２０は通孔５６を挿通し回転ステージ１２より突出せ
しめられる。

ここでは６インチ半導体ウェハを扱うものとすれば、ピ
ンプレート９０として、第２図および第３図に示すよう
なピン配置のものが昇降板９２に取り付けられる。位置
決めピン２０は、第２図に示すように、最外周の通孔５
６に挿通されることになる。

この状態で、搬送ベル）１Ｂにより半導体ウェハが回転
ステージｌ　２−ｔ−６に搬入される。半導体ウェハの
先端が回転ステージ１２の端を越えた時点で、アクチュ
エータ７９が駆動されて作動し、エアー供給パイプ７１
が前進せしめられてチューブ７３が開ロア４Ａが回転軸
部７１０の側面に押し付けられ、エアー供給パイプ７１
は開ロア４Ａと接続される。そして、半導体ウェハ移送
用のエアーが噴気口５４より噴出せしめられる。搬入さ
れた半導体ウェハ１４は噴出エアーにより矢線１８の方
向へ移送されるが、これとほぼ同時に、プッシャー２４
が第３図の実線に示すような位置まで前進せしめられる
。

ここでは６インチ半導体ウェハを想定しているから、プ
ッシャー２４の突出ｉＷ＜２４Ａの先端が、最外周のダ
ミー通孔５８よりやや外側に占位するように、プッシャ
ー２４の前進位置が制御される。

つまり、突出部２４Ａの先端と、回転ステージ１２の中
心からの距離は、３インチ（゛μ導体ウェハ半径）より
わずかに大きくなる。

エアーで移送された半導体ウェハ１４は位置決めピン２
０に係Ｉヒシて位置決めされる。これで、半導体ウェハ
１４の中心と回転ステージ１２の中心とが一致する。

このようにして位置決めが終了すると、吸気口５０（こ
こでは６インチ半導体ウェハであるから、すべての吸気
口５０）による吸気が開始せしめられ、溝５２を介して
半導体ウェハ１４の下面のほぼ全域と回転ステージとの
間のエアーが排出され、半導体ウェハ１４の下面にほぼ
全面的に負圧吸着力が作用し、半導体ウェハ１４は、反
りを起こすことなく、回転ステージ１２に確実に吸着保
持される。また、吸着動作の開始とほぼ同時に、アクチ
ュエータ７９の駆動が停止され、圧縮ばね７７によって
エアー供給パイプ７１は後退せしめられ、開ロア４Ａか
ら分離せしめられる。かくして　ｌｑ導体ウェハ移送用
エアーの噴出は停止せしめられる。

そして、プッシャー２４が後退せしめられ、また位置決
めピン２０が通孔５６より抜去せしめられる。

なお、隙間７０Ａのエアー抜きは常時行われる。

次に、異物検出系２００におけるＳ偏光レーザビームが
半導体ウェハ１４の外周近傍に照射されるように、モー
タ１１４によりスライドブロック８８が矢線１８の方向
へ移動せしめられる。その後、を−夕１０６が起動され
、回転ステージ１２が高速回転せしめられ、同時に、モ
ータ１１４により、スライドブロック８８は矢線２２の
方向に一定速度で移動せしめられる。かくして、半導体
ウェハ１４の上面は、外周側より中心へ向かい、Ｓ偏光
レーザビームにより螺旋状に走査される。

そして、各走査点の異物の有無が、ホトマルチプライヤ
２２６の出力信号に基づき判定され、表面検査が実行さ
れる。

１つ導体ウェハ１４の中心まで走査が進み、表面検査を
終了すると、回転ステージ１２が第３図に示す向きにな
るようにして、モータ１０６が停市せしめられる。また
、回転ステージ１２を半導体ウェハ搬出用位置へ移動さ
せるようにモータ１１４が制御される。

その後、吸気口５０からの吸気が停止１−；させられる
。また、アクチュエータ７９が駆動されてエアー供給パ
イプ７１が開ロア４Ａと接続され、コンプレッサ系より
噴気口５４ヘエアーが供給され、噴気口５４からの噴出
エアーにより半導体ウェハ１４は搬送ベルト１７上に排
出され、その搬送ベルトにより搬出される。

なお、５インチ半導体ウェハを扱う場合、外側から２番
目の通孔５６に対応させて位置決めピン２０を植設した
ピンプレート９０が昇降板９２に取り付けられる。搬入
位置決め時に、プッシャー２４は、その突出部２４Ａの
先端と回転板１２の中心との間隔が２．５インチよりや
や大きくなるような位置まで前進せしめられる。

４インチ゛１へ導体ウェハを扱う場合、外側から３番目
の通孔５６に対応させて位置決めビン２０を植設したピ
ンプレート９０が昇降板９２に取り付けられる。搬入位
置決め時に、ブツシャ−２４は、その突出部２４Ａの先
端と回転板１２の中心との間隔が２インチよりやや大き
くなるような位置まで前進せしめられる。

異物検出系２００の対物レンズ２２０と半導体ウェハ而
との焦点合わせは、モータ８６にヨリ円筒体７８ととも
に回転ステージ１２を上下に移動させることにより行わ
れる。この時、回転ステージ１２の軸部７０と、固定さ
れたモータ１０６の回転軸との上下方向の相対移動は、
カップリング１０４により吸収される。

ここで、この発明に直接関係する半導体ウェハの汚染防
止ついて説明する。

前述のように、表面検査中に回転ステージ１２は高速に
回転するため、その軸部７０と接触しているエアーシー
ル８０Ａが摩耗し、その微粒が隙間？ＯＡ内に発生する
。なお、従来は半導体ウェハの搬送のためのエアー供給
のための同様のエアーシールが隙間７０Ａに設けられて
おり、それも摩耗微粒を発生したが、この実施例では、
そのようなエアーシールはなく、それに対応するエアー
供給パイプ７１は、回転ステージ１２の回転期間には軸
部７０から分離されるため、摩耗微粒の発生源にならな
い。

従来は、そのような隙間７０Ａに発生した摩耗微粒が外
部に飛散し、検査中の半導体ウェハの表面に降下付着し
、その表面を汚染するという問題があった。これに対し
、この発明によれば、隙間７０Ａはエアー通路１２０を
介しエアーを抜かれて負圧状態に維持され、さらに隙間
７０Ａの開放部分はフード体１２４により包囲されるた
め、隙間７０Ａに発生した摩耗微粒の外部への飛散は殆
ど完全に防止される。さらに、隙間７０Ａに発生した摩
耗微粒は、エアーとともに装置外部へ排出され、隙間内
に滞留することはない。

なお、この実施例にあっては、隙間７０Ａと接続してい
る空間１０４Ａのエアーも抜かれるため、カップリング
１０４の発生する異物も装置外に排出される。

以上、この発明の一実施例について説明したが、この発
明はそれだけに限定されるものではなく適宜変形して実
施し得るものである。

また、この発明は半導体ウェハ以外の被検査物を対象と
した表面検査装置や、異物または欠陥の検出原理の異な
る表面検査装置にも適用できるものである。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明は回転する回転ステージ
の保持面に被検査物を負圧吸着しつつ、その被検査物の
表面の異物、欠陥などを検出するものであって、前記回
転ステージの軸部は、それを包囲する部材に軸受を介し
て回転自在に支承され、その部材と前記軸部との隙間に
、前記保持面を負圧状態に保持するためのエアー引き出
し用通路の一部がエアーシールによって画成された表面
検査装置において、異物発生源の存在する前記隙間に連
通ずるエアー通路とを設け、そのエアー通路を介して前
記隙間からエアーを引き出すことによって前記隙間を負
圧状態に維持するものであるから、前記隙間内に発生し
たエアーシールの摩耗微粒の外部への飛散を殆ど完全に
防止できるため、被検査物の表面を汚染しない信頼度の
高い表面検査装置を実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明による表面検査装置の要部の構成を示
す概略部分断面正面図、第２図は同表面検査装置の回転
ステージの平面構造などを示す一部を省略した概略平面
図、第３図は同表面検査装置の全体的な構成を説明する
ための概略正面図である。 １２・・・回転ステージ、１４・・・半導体ウェハ、５
０・・・吸気Ｄ、７０−・・軸部、７０Ａ・・・隙間、
７８・・・筒体、８０Ａ・・・エアーシール、１２０・
・・エアー通路、１２２・・・パイプ、１２４・・・フ
ード体。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）回転する回転ステージの保持面に被検査物を負圧
   吸着しつつ、その被検査物の表面の異物、欠陥などを検
   出するものであって、前記回転ステージの軸部は、それ
   を包囲する部材に軸受を介して回転自在に支承され、そ
   の部材と前記軸部との隙間に、前記保持面を負圧状態に
   保持するためのエアー引き出し用通路の一部がエアーシ
   ールによって画成された表面検査装置において、前記隙
   間に連通するエアー通路を有し、そのエアー通路を介し
   て前記隙間からエアーを引き出すことによって前記隙間
   を負圧状態に維持するようにしてなる表面検査装置。